CN113178536A - 显示基板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种显示基板以及显示装置。显示基板包括显示区以及围绕所示显示区的非显示区，显示基板还包括：基板；设置在基板一侧的发光层；设置在发光层的远离基板一侧的封装层，用于封装发光层；以及位于非显示区的环绕所述显示区设置的至少两个挡墙；封装层包括有机材料层；挡墙包括环绕显示区设置的第一挡墙以及环绕第一挡墙设置的第二挡墙；第一挡墙包括间断设置的第一子挡墙、连续设置的第二子挡墙以及连接第一子挡墙和第二子挡墙的至少一个第三子挡墙；第一子挡墙、第二子挡墙以及第三子挡墙围绕形成至少一个半封闭区结构；有机材料层的至少一部分位于半封闭区结构内。

Description

显示基板以及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，并且具体地涉及一种显示基板以及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)在形成发光元件后需要进行封装，以防止外界的水汽以及氧气等物质渗入发光元件，与发光元件中的阴极金属等发生化学反应，导致OLED失效的问题出现。

相关技术中，在进行封装过程中，为了控制有机材料溶液在形成封装层过程中发生溢流的情况，避免有机层超出无机层的保护区域，采用在非显示区留出足够的空间使有机材料溶液的边界在无机层保护区域内。该种方式导致非显示区的边界较大，无法满足显示屏的窄边框设计需求。因此，在生产OLED时，如何缩小非显示区的边界，同时也保证封装层的良好的封装效果成为研发人员关注的重要课题。

在本部分中公开的以上信息仅用于对本公开的技术构思的背景的理解，因此，以上信息可包含不构成现有技术的信息。

发明内容

在一个方面，提供一种显示基板，包括显示区以及围绕所示显示区的非显示区，所述显示基板包括：基板；设置在所述基板一侧的发光层；设置在所述发光层的远离所述基板一侧的封装层，用于封装所述发光层；以及位于所述非显示区的环绕所述显示区设置的至少两个挡墙；所述封装层包括有机材料层；所述挡墙包括环绕所述显示区设置的第一挡墙以及环绕所述第一挡墙设置的第二挡墙；所述第一挡墙包括间断设置的第一子挡墙、连续设置的第二子挡墙以及连接所述第一子挡墙和所述第二子挡墙的至少一个第三子挡墙；所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙围绕形成至少一个半封闭区结构；所述有机材料层的至少一部分位于所述半封闭区结构内。

根据示例性的实施例，所述半封闭区结构具有朝向所述显示区的开口；所述有机材料层的至少一部分位于所述开口内。

根据示例性的实施例，所述开口在靠近所述显示区一侧的宽度大于所述开口在远离所述显示区一侧的宽度。

根据示例性的实施例，所述开口在远离所述显示区一侧的宽度在8至12微米的范围。

根据示例性的实施例，所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙的宽度在20微米至80微米的范围内。

根据示例性的实施例，所述第一子挡墙的高度小于或等于所述第二子挡墙的高度；所述第三子挡墙的高度小于或等于所述第一子挡墙的高度。

根据示例性的实施例，所述第一子挡墒、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙的高度在0.5微米至2微米的范围。

根据示例性的实施例，所述第三子挡墙的数目大于等于两个，相邻的所述第三子挡墙之间的间距在5毫米至15毫米的范围内。

根据示例性的实施例，所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙中的至少一者设置有阶梯结构。

根据示例性的实施例，所述第一子挡墙的阶梯结构设置在所述第一子挡墙的朝向所述显示区的侧面；和/或，所述第二子挡墙的阶梯结构设置在所述第二子挡墙的朝向所述显示区的侧面。

根据示例性的实施例，所述第一挡墙和所述第二挡墙包括第一材料层，所述第一挡墙和所述第二挡墙包括第一部分；所述第一挡墙和所述第二挡墙的第一部分位于所述第一材料层。

根据示例性的实施例，所述第一挡墙和所述第二挡墙还包括第二材料层，所述第一挡墙和所述第二挡墙还包括第二部分；所述第二子挡墙和所述第二挡墙的第二部分位于所述第二材料层。

根据示例性的实施例，所述第一材料层包括构成像素界定层的材料，所述第二材料层包括构成隔垫物的材料。

根据示例性的实施例，所述第二挡墙还包括第三材料层，所述第三材料层包括构成平坦化层的材料.

根据示例性的实施例，在所述第一挡墙靠近所述显示区的一侧还设置有环绕所述显示区的第三挡墙，所述第三挡墙包括构成平坦化层的材料。

根据示例性的实施例，所述至少两个挡墙设置在所述基板的一侧；所述显示基板还包括设置在所述基板和所述至少两个挡墙之间的电源线；所述第一挡墙在所述基板上的正投影与所述电源线在所述基板上的正投影重叠。

根据示例性的实施例，所述显示基板还包括设置在所述电源线和所述至少两个挡墙之间的阳极转接层；所述显示基板还包括设置在所述发光层远离所述基板一侧的阴极；所述阳极转接层与所述电源线以及所述阴极电连接。

在另一方面还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的显示基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开文本的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本公开文本的一些实施例，而非对本公开文本的限制，其中：

图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图；

图2是根据本公开的示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图3是根据本公开的示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图4是根据本公开的示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的BB’线截取的截面结构示意图；

图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的第一挡墙的平面图；

图6是根据本公开的示例性实施例的显示基板的第一挡墙的局部放大示意图；

图7是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图8是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图9是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板的第三子挡墙沿图5中C-C’线截取的截面结构示意图；

图10是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板的第三子挡墙沿图5中C-C’线截取的截面结构示意图；

图11是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图12是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图；

图13是根据本公开的示例性实施例的显示基板中的阳极转接层与阴极电连接的示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开的保护范围。

需要说明的是，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。如此，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于图中所示的尺寸和相对尺寸。在说明书和附图中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。

当元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到所述另一元件或直接结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或表述应当以类似的方式解释，例如，“在……之间”对“直接在……之间”、“相邻”对“直接相邻”或“在……上”对“直接在……上”等。此外，术语“连接”可指的是物理连接、电连接、通信连接和/或流体连接。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者诸如XYZ、XYY、YZ和ZZ的X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如文中所使用的，术语“和/或”包括所列相关项中的一个或多个的任何组合和所有组合。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。因而，例如，下面讨论的第一部件、第一构件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二部件、第二构件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二部分，而不背离本公开的教导。

为了便于描述，空间关系术语，例如，“上”、“下”、“左”、“右”等可以在此被使用，来描述一个元件或特征与另一元件或特征如图中所示的关系。应理解，空间关系术语意在涵盖除了图中描述的取向外，装置在使用或操作中的其它不同取向。例如，如果图中的装置被颠倒，则被描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为“在”其它元件或特征“之上”或“上面”。

需要说明的是，在本文中，表述“半封闭区结构”可以表示在一定的区域内，该区域被周壁所包围形成一定的区域，周壁上具有开口，以使该区域的内部与外界通过开口连通。半封闭区结构可以是方形区域、环形区域、规则图形区域或者不规则图形区域。该半封闭区域结构能够形成一定的容纳空间进而容纳其他材料。

表述“流平区”可以表示在进行OLED器件进行封装时，有机材料层在形成过程中，有机溶液在固化过程中厚度从设定的厚度下降到零的区域，即有机材料层的从设定厚度延伸至厚度为零的区间。

表述“阶梯结构”可以表示形成的具有阶梯状的结构，可以是由水平方向和竖直方向的平面构成的多个台阶，阶梯结构的尺寸可以是很小，例如微米级别。

图1是根据本公开的示例性实施例的显示基板的结构的平面图。

图2是根据本公开的示例性实施例的显示基板沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。

如图1和图2所示，显示基板包括显示区D以及围绕显示区D的非显示区E。显示基板包括基板1、发光层Y、封装层Z以及设置在非显示区E的环绕显示区D设置的至少两个挡墙。基板1的一侧设置有发光层Y，在发光层远离基板1的一侧设置有封装层Z，封装层用于封装发光层Y。挡墒包括设置在环绕显示区D设置的第一挡墒20以及环绕第一挡墙20设置的第二挡墙30。

在本公开的实施例中，基板1例如包括玻璃基板、柔性基板等等。发光层Y例如包括绝缘层2、平坦层3、阳极转接层4、像素界定层5、有机发光层6等。封装层Z可以包括由无机层和有机材料层交替形成的膜层，例如第一无机层7、有机材料层8以及第二无机层9。

在本公开的实施例中，第一挡墙20和第二挡墙30均设置在非显示区E，第一挡墙20设置在电源线10的远离基板1的一侧。

图3是根据本公开的示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。图4是根据本公开的示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的BB’线截取的截面结构示意图。图5是根据本公开的示例性实施例的显示基板的第一挡墙的平面图。

如图3至图5所示，第一挡墙20包括间断设置的第一子挡墙21、连续设置的第二子挡墙22以及连接第一子挡墙21和第二子挡墙22的至少一个第三子挡墙23。第三子挡墙23例如可以是一个、两个或者多个。第一子挡墙21间断设置，第一子挡墙21形成环绕显示区D的间断框形结构。第二子挡墙22环绕第一子挡墙21设置，形成矩形框结构。在第一子挡墙21和第二子挡墙22之间设置有第三子挡墙23，从而使第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23围绕形成至少一个半封闭区结构。半封闭区结构例如可以是一个、两个或者多个，半封闭区结构的数目可以根据实际的生产需要进行调整。该半封闭区结构具有开口G，并且半封闭区结构的周壁呈C字形状，如图5所示。有机材料层8的至少一部分位于半封闭区结构内，如图2所示。

显示基板的OLED发光层对水汽和氧气非常敏感，渗透进入发光层的器件内部的水汽和氧气是影响OLED器件寿命的主要因素，因此，封装对OLED器件非常重要。封装采用无机层和有机材料层交替形成的膜层以对OLED发光层进行封装。

然而，在实际封装过程中，形成第一无机层7之后，在第一无机层7上继续形成有机材料层8时，通过喷墨打印的方法制备得到。具体地，先将液态的有机材料打印到设定的区域内，例如显示区D以及非显示区E的部分区域，再对打印的液态有机溶液进行固化。受表面能和材料内聚力的影响，有机溶液的边缘区域存在一段流平区域，即在流平区域内有机材料层的膜厚会从设定的目标厚度逐渐下降到0。流平区域的尺寸受表面能的影响很大，难以准确控制。

为了控制有机材料层8在形成工艺中发生溢流状况，避免有机材料层超出了第一无机层7和第二无机层9的保护区域，通过设置挡墙结构对有机材料层8进行阻挡。在相关技术中，受有机材料流体力学的影响，有机材料溶液在充分接触到挡墙以后，挡墙的远离显示区D的侧部会造成虹吸现象，从而使有机溶液翻过挡墙超出第一无机层7和第二无机层9的保护区域。导致封装效果差，缩短显示基板的使用寿命等。

对此，本公开的实施例通过将环绕显示区D的第一挡墙20设置成包括第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23的结构，能够有效抑制有机材料层8在形成过程中有机溶液在第一挡墙20发生溢流的状况。

如图2或图5所示，第一子挡墙21在靠近显示区D的位置。在形成有机材料层8时，有机溶液流动至第一子挡墙21处后，受到阻挡，如图5中的F流向。同时第一子挡墙21为间断设置，因此，在有机溶液流动至间断区域内即半封闭区结构的开口处，不受阻挡作用，进入第一子挡墙21和第二子挡墙22之间的区域。进入第一子挡墙21和第二子挡墙22之间的有机溶液也对越过第一子挡墙21后的有机溶液具有缓冲作用。

根据本公开的实施例，通过将第一挡墙20设置成包括第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23的结构，第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23围绕形成至少一个半封闭区结构，以使有机材料层8在形成过程中，有机溶液在经过半封闭区结构时被抑制在该半封闭区结构内。

例如，第一子挡墙21与第二子挡墙22之间平行，第三子挡墙23连接第一子挡墒21和第二子挡墙22，第三子挡墙23垂直于第一子挡墙21和第二子挡墙22，以使半封闭区结构呈具有开口的矩形结构。在有机溶液形成有机材料层8的过程中，第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23有利于有机溶液在形成有机材料层8的浸润和扩散，从而使有机材料层8被限定在半封闭区结构内。实现准确控制有机溶液的截止位置，同时使有机溶液的流平区域相对于相关技术中流平区域更窄，有利于实现显示基板的窄边框的设计。

在本公开的实施例中，第一子挡墙21、第二子挡墙22、第三子挡墙23的宽度设置在20微米至80微米的范围内。第一子挡墙21、第二子挡墙22、第三子挡墙23的宽度是指垂直于第一子挡墙21、第二子挡墙22、第三子挡墙23长度方向的宽度。其中，第一子挡墙21、第二子挡墙22、第三子挡墙23各自的宽度可以相同，也可以设置成不同的宽度。

例如，第一子挡墙21、第二子挡墙22、第三子挡墙23的宽度分别可以为20微米、40微米、60微米或者80微米。也可以是其他合适的尺寸。具体的宽度可以根据实际的需求进行设定。

又例如，第一子挡墙21的宽度小于第二子挡墙22的宽度，以使有机溶液容易越过第一子挡墙21进入半封闭区结构内。第二子挡墙22设置相对第一子挡墙22具有较宽的宽度，以使有机溶液难以越过第二子挡墙22，从而使有机溶液被限制在半封闭区结构内，最终形成的有机材料层8的至少一部分位于半封闭区结构内。通过形成半封闭区结构，可以精确控制有机溶液形成有机材料层的边界位置。

在可选的实施例中，第三子挡墙23的宽度可以等于第一子挡墙21或第二子挡墙22的宽度。

例如，第三子挡墙23的宽度等第一子挡墙21的宽度。有机溶液在充满其中的半封闭区结构内后对相邻的未充满有机溶液的半封闭区结构进行填充。通过该种设置，可以保证有机溶液在非显示区域形成均匀一致的有机材料层。

在本公开的实施例中，第一子挡墙21的高度小于或等于第二子挡墙22的高度；第三子挡墙23的高度小于或等于第一子挡墙21的高度。通过设置不同的子挡墙的高度，可以实现对形成有机材料层的有机溶液的阻挡效果。

例如，第一子挡墙21的高度小于第二子挡墙22的高度，第一子挡墙21能够对有机溶液实现预阻挡，当有机溶液越过第一子挡墙21后，第二子挡墙通过设置相对第一子挡墙较高的高度，可以实现更优异的阻挡效果，以将有机溶液阻挡在第一挡墙20形成的半封闭区结构内，使最终形成的有机材料层位于半封闭区结构内。

在本公开的实施例中，第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23的高度在0.5微米至2微米的范围。例如0.5微米、1微米或者2微米。

例如，第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23的高度可以是相同的高度也可以是不同的高度。

在本公开的实施例中，第三子挡墙23的数目大于等于两个，相邻的第三子挡墙23之间的间距在5毫米至15毫米的范围内。

多个第三子挡墙23通过将第一子挡墙21和第二子挡墙22连接，形成多个半封闭区结构，相邻的两个第三子挡墙23作为半封闭区结构的相对的侧壁。相邻的两个第三子挡墙23之间的间距设置在5毫米至15毫米的范围内，例如，5毫米、10毫米或者15毫米。通过设置间距保证半封闭区域能够容纳一定容量的有机层溶液，从而实现更好的封装效果。

图6是根据本公开的示例性实施例的显示基板的第一挡墙的局部放大示意图。

如图6所示，第一挡墙20的第一子挡墙21间断设置，在形成的半封闭区结构具有多个开口G，开口G朝向显示区D。有机材料层8在形成过程中，有机溶液通过开口G进入半封闭区结构内。有机材料层通过有机溶液固化形成，由此，有机材料层8的至少一部分位于开口G内。

例如，开口G的个数可以为多个，有机材料层8的一部分可以部分填充多个开口G中一部分开口，有机材料层8中的一部分也可以填充所有的多个开口G。

在本公开的实施例中，如图6所示，开口G在靠近显示区D一侧的宽度d1大于开口G在远离显示区D一侧的宽度d2。

例如，开口G的截面呈现为等腰梯形，开口G的立体形状可以圆锥状、棱锥状等。

在可选的其他实施例中，开口的截面可以为不规则形状，开口在靠近显示区的一侧的宽度d1大于开口在远离显示区一侧的宽度d2，例如开口的立体形状可以为喇叭状等。

在本公开的实施例中，开口G在远离显示区D一侧的宽度d2在8至12微米的范围。例如，8微米、10微米或12微米，其具体的宽度可以根据实际需要进行设置。通过将开口设置在上述宽度范围内，可以保证形成有机材料层的有机溶液在进入开口G时产生虹吸现象，使有机溶液能够通过虹吸现象从开口G进入半封闭区结构，进而将有机溶液抑制在半封闭区结构内，有利于减小有机溶液在形成有机材料层的流平区。

开口G在靠近显示区一侧的宽度d1大于开口在远离显示区一侧的宽度d2。例如，开口G在靠近显示区一侧的宽度d1可以为12微米以上，或者在8微米至12微米的范围内，只要d1大于d2的宽度即可。

根据本公开的实施例，开口G作为有机材料层8形成过程中的有机溶液的引流口，使有机溶液通过开口G的虹吸现象进入半封闭区结构内，以保证有机材料层8形成在半封闭区结构内，防止有机材料层8超过第一无机层和第二无机层的保护区。同时，通过压缩有机溶液在形成有机材料层的流平区有利于显示基板的窄边框设计。

在本公开的实施例中，第一子挡墙21、第二子挡墙22以及第三子挡墙23中的至少一者设置有阶梯结构。通过在子挡墙上设置阶梯结构，可以提高有机溶液在形成有机材料层时的浸润和扩散速度。

在本公开的实施例中，第一子挡墙21的阶梯结构设置在第一子挡墙的朝向显示区的侧面；和/或，第二子挡墙22的阶梯结构设置在第二子挡墙的朝向所述显示区的侧面。

图7是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。图8是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。

如图7所示，在第一子挡墙21’的朝向显示区D的侧面设置有阶梯结构210，形成有机材料层的有机溶液在接触到第一子挡墙21’的阶梯结构后加速浸润或扩散。例如，通过在第一子挡墙21’上形成阶梯结构210，有机溶液沿着第一子挡墙21’的长度方向加速扩散，在扩散至开口G的位置后通过开口进入半封闭区结构内，可以有效降低有机溶液的液面高度。

如图8所示，在第一子挡墙21’和第二子挡墙22’的朝向显示区D的侧面分别设置有阶梯结构210和220。

例如，通过在第二子挡墙22’上形成阶梯结构220。有机溶液在进入半封闭区结构内后，沿着第二子挡墙22’的长度方向加速扩散，一方面降低有机溶液的液面，另一方面可以使进入半封闭区结构内的有机溶液更加均匀的扩散，形成的有机材料层的尺寸更加均匀。

图9是根据本公开的一些示例性实施例的显示基板的第三子挡墙沿图5中C-C’线截取的截面结构示意图。图10是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板的第三子挡墙沿图5中C-C’线截取的截面结构示意图。

其中图9中的第三子挡墙23未设置阶梯结构。图10中第三子挡墙23’的长度方向的两侧均设置有阶梯结构230。可以促进进入半封闭区结构内的有机溶液的浸润和扩散。

在本公开的实施例中，阶梯结构上的阶梯可以为1个也可以为多个，例如3个、5个等等，可以根据实际的生产需求和工艺进行调整。

图11是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。图12是根据本公开的另一些示例性实施例的显示基板去除封装层后沿图1中的AA’线截取的截面结构示意图。

在本公开的实施例中，第一挡墙和第二挡墙包括第一材料层，第一挡墙和第二挡墙包括第一部分；第一挡墙和第二挡墙的第一部分位于第一材料层。第一挡墙和第二挡墒还包括第二材料层，第一挡墙和第二挡墙还包括第二部分；第二子挡墙和第二挡墙的第二部分位于第二材料层。

例如，如图11和图12所示，第一挡墙20和第二挡墙30包括靠近基板1的第一部分和设置在第一部分的远离基板1的一侧的第二部分。其中，第一部分位于下侧第一材料层，第二部分位于上侧第二材料层。

具体地，如图11和图12所示，第一子挡墙21仅包括第一部分，第一子挡墙21的第一部分位于第一材料层。第二子挡墙22包括第一部分221以及第二部分222，第一部分221位于第一材料层，第二部分222位于第二材料层。第二挡墙30包括第一部分301以及第二部分302，第一部分301位于第一材料层，第二部分302位于第二材料层。

如图12所示，在将第二子挡墙22的第二部分设置在第二材料层时，还可以在第一子挡墙21’上设置阶梯结构210。能够更好的将形成有机材料层的有机溶液抑制在半封闭区结构内。

在本公开的实施例中，第一材料层包括构成像素界定层的材料，第二材料层包括构成隔垫物的材料。

在本公开的实施例中，第二挡墙30还包括第三材料层303，第三材料层303包括构成平坦化层的材料。

例如，第三材料层303设置在第二挡墙30的下侧，靠近基板1的位置，如图11和图12所示。

根据本公开的实施例，通过设置第二挡墙，可以延长封装层的第一无机层和第二无机层的路径，此外，可以包覆住电源线10。第二挡墙的宽度设置在40微米至100微米之间。

在本公开的实施例中，第二挡墙的结构也可以采用上文所述的第一挡墙的结构，实现对形成有机材料层的边界的精确控制。第一挡墙和第二挡墙可以是平坦化层、像素定一层以及隔离柱层的一层或多层形成。

在本公开的实施例中，如图2所示，在第一挡墙20靠近显示区D的一侧还设置有环绕显示区D的第三挡墙40，第三挡墙40包括构成平坦化层的材料。

在本公开的实施例中，第一挡墙20、第二挡墙30、第三挡墙40设置在基板1的一侧，例如设置在基板1的上侧。显示基板还包括设置在基板1和挡墙(包括第一挡墙20、第二挡墙30、第三挡墙40)之间的电源线10，电源线10例如可以采用源极、漏极金属层的材料。第一挡墙20在基板1上的正投影与电源线10在基板1上的正投影重叠。

图13是根据本公开的示例性实施例的显示基板中的阳极转接层与阴极电连接的示意图。

在本公开的实施例中，显示基板还包括设置在电源线10和挡墙(包括第一挡墙20、第二挡墙30以及第三挡墙40)之间的阳极转接层4。显示基板还包括设置在发光层6远离基板一侧的阴极11。阳极转接层4与电源线10以及阴极11电连接。

例如，阳极转接层4在挡墙的投影区域的一端与电源线10电连接，如图2所示。阳极转接层4在远离挡墙的区域另一端与阴极11电连接，如图13所示。

本公开的一些示例性实施中还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上文所述的显示基板。该显示装置可以是任何具有显示功能的设备或产品。例如，所述显示装置可以是智能电话、移动电话、电子书阅读器、台式电脑(PC)、膝上型PC、上网本PC、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数字音频播放器、移动医疗设备、相机、可穿戴设备(例如头戴式设备、电子服饰、电子手环、电子项链、电子配饰、电子纹身、或智能手表)、电视机等。

根据本公开的实施例，显示基板的制造工艺如下：

首先，制备基板，基板可以是玻璃材质、也可以是柔性材质。其中，柔性材质包括了聚酰亚胺、PEN、PET等。柔性基板可以是一层结构也可以多层。如果是多层结构，则在层与层之间可以增加缓冲层，缓冲层为无机薄膜，可以是SiNx，SiOx或者是复合层。

然后，在基板上制作薄膜晶体管结构：在基底上形成缓冲层、图案化的有源层、第一绝缘层、第一栅电极、第二栅电极、第二绝缘层、电容电极、第三绝缘层、漏电极、源电极、平坦化层。

再然后，在平坦化层上制作阳极图案、像素定义层、支撑柱结构、挡墙结构等。其中像素定义层、支撑柱、挡墙的材料和平坦化层材料相同，例如都可以是有机的绝缘材料，可以采用聚酰亚胺类光刻胶制作。隔离柱主要设置在显示区，挡墙结构(包括第一挡墙和第二挡墙)位于非显示区域。

继续，利用真空蒸镀工艺在背板形成有机发光层和阴极，有机发光层包括不仅限于空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等。

最后，形成封装层，封装层例如包括阻隔水氧的无机层和起应力释放和平坦化作用的有机材料层。无机层利用化学气相沉积或者是原子层沉积制备，材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等。有机材料层利用喷墨打印、丝网印刷、点胶等方法制备得到。具体地，在OLED器件上沉积第一无机层，第一无机层可以是前述材料中的一种也可以是多种交叠组合。无机层的保护面积要大于AA区域的显示面积，一般而言，覆盖面积的垂直投影在挡墙之外侧。在第一无机层上制备有机材料层，有机材料层的覆盖面积要小于第一无机层，其覆盖面积的垂直投影至少要大于阴极。在有机材料层上制作第二无机层，第二无机层的制作方法、材料同第一无机层，其覆盖面积可以与第一无机层相同、也可以大于第一无机层。同样的，可以是一种无机材料组成也可以是前述多种无机层组合组成。

虽然本公开的总体技术构思的一些实施例已被显示和说明，本领域普通技术人员将理解，在不背离所述总体技术构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (18)

1.一种显示基板，包括显示区以及围绕所示显示区的非显示区，所述显示基板包括：

基板；

设置在所述基板一侧的发光层；

设置在所述发光层的远离所述基板一侧的封装层，用于封装所述发光层；以及

位于所述非显示区的环绕所述显示区设置的至少两个挡墙；

所述封装层包括有机材料层；

所述挡墙包括环绕所述显示区设置的第一挡墙以及环绕所述第一挡墙设置的第二挡墙；

所述第一挡墙包括间断设置的第一子挡墙、连续设置的第二子挡墙以及连接所述第一子挡墙和所述第二子挡墙的至少一个第三子挡墙；

所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙围绕形成至少一个半封闭区结构；

所述有机材料层的至少一部分位于所述半封闭区结构内。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述半封闭区结构具有朝向所述显示区的开口；

所述有机材料层的至少一部分位于所述开口内。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述开口在靠近所述显示区一侧的宽度大于所述开口在远离所述显示区一侧的宽度。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述开口在远离所述显示区一侧的宽度在8至12微米的范围。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙的宽度在20微米至80微米的范围内。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述第一子挡墙的高度小于或等于所述第二子挡墙的高度；

所述第三子挡墙的高度小于或等于所述第一子挡墙的高度。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙的高度在0.5微米至2微米的范围。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述第三子挡墙的数目大于等于两个，相邻的所述第三子挡墙之间的间距在5毫米至15毫米的范围内。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述第一子挡墙、所述第二子挡墙以及所述第三子挡墙中的至少一者设置有阶梯结构。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述第一子挡墙的阶梯结构设置在所述第一子挡墙的朝向所述显示区的侧面；和/或，

所述第二子挡墙的阶梯结构设置在所述第二子挡墙的朝向所述显示区的侧面。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的显示基板，其中，所述第一挡墙和所述第二挡墙包括第一材料层，所述第一挡墙和所述第二挡墙包括第一部分；

所述第一挡墙和所述第二挡墙的第一部分位于所述第一材料层。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其中，所述第一挡墙和所述第二挡墙还包括第二材料层，所述第一挡墙和所述第二挡墙还包括第二部分；

所述第二子挡墙和所述第二挡墙的第二部分位于所述第二材料层。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第一材料层包括构成像素界定层的材料，所述第二材料层包括构成隔垫物的材料。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二挡墙还包括第三材料层，所述第三材料层包括构成平坦化层的材料。

15.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在所述第一挡墙靠近所述显示区的一侧还设置有环绕所述显示区的第三挡墙，所述第三挡墙包括构成平坦化层的材料。

16.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述至少两个挡墙设置在所述基板的一侧；

所述显示基板还包括设置在所述基板和所述至少两个挡墙之间的电源线；

所述第一挡墙在所述基板上的正投影与所述电源线在所述基板上的正投影重叠。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括设置在所述电源线和所述至少两个挡墙之间的阳极转接层；

所述显示基板还包括设置在所述发光层远离所述基板一侧的阴极；

所述阳极转接层与所述电源线以及所述阴极电连接。

18.一种显示装置，其中，所述显示装置包括如权利要求1至17中任一项所述的显示基板。

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