CN113172854A - 一种5g通讯用mlcc聚酯基膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，生产线运行，原材料进入挤出机、精过滤器后汇集至三层共挤系统，除去杂质后进入模头，高压发生器驱动静电吸附丝，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓表面制得铸片；铸片依次进入纵拉伸系统的预热区、拉伸区和冷却区对其进行纵向拉伸；经过纵向拉伸后的铸片依次进入横拉伸系统的预热段、拉伸段、定型段、冷却段后，经展平、静电、和收卷，获得厚度为25um的聚酯基膜。本发明生产工艺紧凑且简易，产品不会出现离型剂迁移、膜片错位叠合等现象，大大降低或杜绝了如针孔、气泡、杂质、开裂、线条以及厚度不均等现象的发生。

Description

一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法
技术领域
本发明涉及聚酯基膜的制备技术领域，具体涉及一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法。
背景技术
MLCC陶瓷电容器是电子整机中关键的电子元件，是由印好的电极（内电极）的陶瓷介质以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结性能的陶瓷芯片，在芯片的两端封上金属外电极，形成一个类似独立的结构体，随着信息化进程的推进，5G通讯建设的加速，移动终端和通信设备市场的需求将成为拉动MLCC市场增长的主要动力，MLCC作为最主要的陶瓷电容，成为被动电子元件中使用最为广泛、用途最广、使用量最大的电子元件。
聚酯薄膜作为MLCC陶瓷膜片的载体，需要为陶瓷膜片提供良好的承载效果，并保证经过烘干处理的陶瓷膜片能够起膜良好，为陶瓷片提供良好的离型力。目前MLCC聚酯基膜的制作工艺复杂，且会出现离型剂迁移、膜片错位叠合等现象，使得产品出现如针孔、气泡、杂质、开裂、线条以及厚度不均等缺陷。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术存在的缺陷，提供一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法。
其技术方案是：一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1，生产线运行，控制系统编程，原材料经搅拌计量后分别进入第一挤出机、第二挤出机和第三挤出机，各个挤出机的温度设置为240-260℃，第一挤出机和第三挤出机挤出第一层及第三层的熔体厚度均为25-30um，第二挤出机挤出第二层熔体厚度为30-50um,第一挤出机、第二挤出机和第三挤出机挤出的熔体分别进入第一精过滤器、第二精过滤器、第三精过滤器，除去原料中的水分、低聚物和杂质后汇集至三层共挤系统5；
步骤S2，三层共挤系统的温度设置为260-290℃，熔体进入后自动除去杂质，通过熔体输送管线进入模头，模头的温度设置为温度276℃；
步骤S3， 熔体进入模头后，高压发生器驱动静电吸附丝，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓表面进行铸片，急冷鼓设定温度为27℃，制得铸片的厚度设为78-108um；
步骤S4，通过上述步骤制得的铸片依次进入纵拉伸系统的预热区、拉伸区和冷却区对其进行纵向拉伸；经过纵向拉伸后的铸片依次进入横拉伸系统的预热段、拉伸段、定型段、冷却段后，经展平、静电、和收卷，获得厚度为25um的聚酯基膜。
进一步地，步骤S1中所述第一精过滤器、第二精过滤器和第三精过滤器的过滤精度为12-15um。
进一步地，进入第一挤出机7的原材料为90%的树脂、5%的无机纳米材料、5%的流平剂；进入第二挤出机8的原材料为80%的树脂、10%的无机纳米材料、10%的流平剂；进入第三挤出机9的原材料为85%的树脂、10%的无机纳米材料、5%的流平剂。
进一步地，所述树脂为ARP、TPEL、PET、BOPVC、PC的一种或多种；所述无机纳米材料为SnO2、SiO2、Ai2O3、MoO3、Sb2O3、CaCO3、BaSO4的一种或多种；所述流平剂为有机硅氧烷、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、二丙酮醇一种或几种。
进一步地，所述树脂的分子量为2000-50000，密度为1.40-1.70g/cm3。
本发明采用了三层共挤系统及其制备工艺步骤，使其与现有技术相比较，具有以下优点：生产工艺紧凑且简易，产品不会出现离型剂迁移、膜片错位叠合等现象，大大降低或杜绝了如针孔、气泡、杂质、开裂、线条以及厚度不均等现象的发生。本发明产品具有优异的机械强度和化学性能，在极端天气条件下有很高的稳定性，同时也具很强的耐温性。
附图说明
图1是三层共挤与静电吸附系统示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
参照附图1，一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1，生产线运行，控制系统12编程，90%的树脂、5%的无机纳米材料和5%的流平剂进入第一挤出机9，80%的树脂、10%的无机纳米材料、10%的流平剂进入第二挤出机10，85%的树脂、10%的无机纳米材料、5%的流平剂进入第三挤出机11，各个挤出机的温度设置为240-260℃，第一挤出机9和第三挤出机11挤出第一层及第三层的熔体厚度均为25-30um，第二挤出机10挤出第二层熔体厚度为30-50um,第一挤出机9、第二挤出机10和第三挤出机11挤出的熔体分别进入第一精过滤器6、第二精过滤器7、第三精过滤器8，进行过滤精度为12-15um的过滤，除去原料中的水分、低聚物和杂质后汇集至三层共挤系统5；
步骤S2，三层共挤系统5的温度设置为260-290℃，熔体进入后自动除去杂质，通过熔体输送管线4进入模头3，模头3的温度设置为温度276℃；
步骤S3， 熔体进入模头3后，高压发生器14驱动静电吸附丝13，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓1表面进行铸片，急冷鼓1设定温度为27℃，制得铸片的厚度设为78-108um；高压发生器14驱动静电吸附丝13，高压发生器14与静电吸附丝13与急冷鼓的距离为0.2mm-0.3之间，高压发生器14产生的直流电压U,使电极丝13与急冷鼓1分别为负极和正极，电极丝半径r很小，形成很强的静电电场强度，使得空气发生电离，从而产生电晕，电晕在空气中产生大量的空间电荷，其中负离子被拉回电极丝中，正电荷充斥在电极丝周围，形成空间正电荷Q1，并在电场的作用下，向急冷鼓1运动形成电流，正离子达到膜片2上，由于膜片2有良好的绝缘性能，使得正离子无法穿透膜片2，而堆积在膜片2表面，形成膜片电荷Q2，由于同种电荷相互排斥，使得Q1和Q2之间形成排斥力F，于是膜片在F的作用下，急冷鼓1表面紧密吸附贴合在一起，达到排除空气和良好的传热效果。高压电源最重要的参数是直流稳定度，电压控制不稳定性就无法稳定电晕，吸附效果自然不好，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓1表面进行铸片，急冷鼓1设定温度在27℃，所得铸片的厚度在78-108um，静电吸附电源电压一般在20KV之内，最大电流在20mA 之内，电压稳定度在1%以内，电源的环境温度一般在50℃以下，否则就会产生温漂而降低电源的稳定性电极丝驱动系统，吸附带最小厚度为0.03-0.06mm。既一边放丝，一边收丝，承受拉力10-15N。一般高压电晕具有恒压和恒流的工作才能静电吸附在恒压模式下工作。电源的环境温度一般在50℃以下，否则就会产生温漂而降低电源的稳定性，因此电源需要良好的散热环境，进行必要的补偿或订正；
步骤S4，通过上述步骤制得的铸片依次进入纵拉伸系统的预热区、拉伸区和冷却区对其进行纵向拉伸；经过纵向拉伸后的铸片依次进入横拉伸系统的预热段、拉伸段、定型段、冷却段后，经展平、静电、和收卷，获得厚度为25um的聚酯基膜；预热区温度在80℃、拉伸区温度在90℃、冷却区温度在30℃，拉伸倍数为3.6；预热段温度为100℃、拉伸段130℃、定型段235℃、冷却段60℃，拉伸倍数为3.6。纵拉伸系统和横拉伸系统为现有技术，附图中未画出。
步骤S1中，所述树脂为ARP、TPEL、PET、BOPVC、PC的一种，分子量为2000-50000，密度为1.40-1.70g/cm3；所述无机纳米材料为SnO2、SiO2、Ai2O3、MoO3、Sb2O3、CaCO3、BaSO4中的至少两种；所述流平剂为有机硅氧烷、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、二丙酮醇中的一种。
实施例二：
参照附图1，一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1，生产线运行，控制系统12编程，90%的树脂、5%的无机纳米材料和5%的流平剂进入第一挤出机9，80%的树脂、10%的无机纳米材料、10%的流平剂进入第二挤出机10，85%的树脂、10%的无机纳米材料、5%的流平剂进入第三挤出机11，各个挤出机的温度设置为240-260℃，第一挤出机9和第三挤出机11挤出第一层及第三层的熔体厚度均为25-30um，第二挤出机10挤出第二层熔体厚度为30-50um,第一挤出机9、第二挤出机10和第三挤出机11挤出的熔体分别进入第一精过滤器6、第二精过滤器7、第三精过滤器8，进行过滤精度为12-15um的过滤，除去原料中的水分、低聚物和杂质后汇集至三层共挤系统5；
步骤S2，三层共挤系统5的温度设置为260-290℃，熔体进入后自动除去杂质，通过熔体输送管线4进入模头3，模头3的温度设置为温度276℃；
步骤S3， 熔体进入模头3后，高压发生器14驱动静电吸附丝13，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓1表面进行铸片，急冷鼓1设定温度为27℃，制得铸片的厚度设为78-108um；高压发生器14驱动静电吸附丝13，高压发生器14与静电吸附丝13与急冷鼓的距离为0.2mm-0.3之间，高压发生器14产生的直流电压U,使电极丝13与急冷鼓1分别为负极和正极，电极丝半径r很小，形成很强的静电电场强度，使得空气发生电离，从而产生电晕，电晕在空气中产生大量的空间电荷，其中负离子被拉回电极丝中，正电荷充斥在电极丝周围，形成空间正电荷Q1，并在电场的作用下，向急冷鼓1运动形成电流，正离子达到膜片2上，由于膜片2有良好的绝缘性能，使得正离子无法穿透膜片2，而堆积在膜片2表面，形成膜片电荷Q2，由于同种电荷相互排斥，使得Q1和Q2之间形成排斥力F，于是膜片在F的作用下，急冷鼓1表面紧密吸附贴合在一起，达到排除空气和良好的传热效果。高压电源最重要的参数是直流稳定度，电压控制不稳定性就无法稳定电晕，吸附效果自然不好，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓1表面进行铸片，急冷鼓1设定温度在27℃，所得铸片的厚度在78-108um，静电吸附电源电压一般在20KV之内，最大电流在20mA 之内，电压稳定度在1%以内，电源的环境温度一般在50℃以下，否则就会产生温漂而降低电源的稳定性电极丝驱动系统，吸附带最小厚度为0.03-0.06mm。既一边放丝，一边收丝，承受拉力10-15N。一般高压电晕具有恒压和恒流的工作才能静电吸附在恒压模式下工作。电源的环境温度一般在50℃以下，否则就会产生温漂而降低电源的稳定性，因此电源需要良好的散热环境，进行必要的补偿或订正；
步骤S4，通过上述步骤制得的铸片依次进入纵拉伸系统的预热区、拉伸区和冷却区对其进行纵向拉伸；经过纵向拉伸后的铸片依次进入横拉伸系统的预热段、拉伸段、定型段、冷却段后，经展平、静电、和收卷，获得厚度为25um的聚酯基膜；预热区温度在80℃、拉伸区温度在90℃、冷却区温度在30℃，拉伸倍数为3.6；预热段温度为100℃、拉伸段130℃、定型段235℃、冷却段60℃，拉伸倍数为3.6。纵拉伸系统和横拉伸系统为现有技术，附图中未画出。
步骤S1中，所述树脂为ARP、TPEL、PET、BOPVC、PC中的至少两种，分子量为2000-50000，密度为1.40-1.70g/cm3；所述无机纳米材料为SnO2、SiO2、Ai2O3、MoO3、Sb2O3、CaCO3、BaSO4中的一种；所述流平剂为有机硅氧烷、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、二丙酮醇中的一种。
本发明采用了三层共挤系统及其制备工艺步骤，具有以下优点：生产工艺紧凑且简易，产品不会出现离型剂迁移、膜片错位叠合等现象，大大降低或杜绝了如针孔、气泡、杂质、开裂、线条以及厚度不均等现象的发生。本发明产品具有优异的机械强度和化学性能，在极端天气条件下有很高的稳定性，同时也具很强的耐温性。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，其特征在于：该制备方法，包括以下步骤：
步骤S1，生产线运行，控制系统编程，原材料经搅拌计量后分别进入第一挤出机、第二挤出机和第三挤出机，各个挤出机的温度设置为240-260℃，第一挤出机和第三挤出机挤出第一层及第三层的熔体厚度均为25-30um，第二挤出机挤出第二层熔体厚度为30-50um,第一挤出机、第二挤出机和第三挤出机挤出的熔体分别进入第一精过滤器、第二精过滤器、第三精过滤器，除去原料中的水分、低聚物和杂质后汇集至三层共挤系统；
步骤S2，三层共挤系统的温度设置为260-290℃，熔体进入后自动除去杂质，通过熔体输送管线进入模头，模头的温度设置为温度276℃；
步骤S3， 熔体进入模头后，高压发生器驱动静电吸附丝，通过静电吸附的方式贴附到急冷鼓表面进行铸片，急冷鼓设定温度为27℃，制得铸片的厚度设为78-108um；
步骤S4，通过上述步骤制得的铸片依次进入纵拉伸系统的预热区、拉伸区和冷却区对其进行纵向拉伸；经过纵向拉伸后的铸片依次进入横拉伸系统的预热段、拉伸段、定型段、冷却段后，经展平、静电、和收卷，获得厚度为25um的聚酯基膜。
2.根据权利要求1所述的一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述第一精过滤器、第二精过滤器和第三精过滤器的过滤精度为12-15um。
3.根据权利要求1所述的一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，其特征在于：进入第一挤出机的原材料为90%的树脂、5%的无机纳米材料、5%的流平剂；进入第二挤出机的原材料为80%的树脂、10%的无机纳米材料、10%的流平剂；进入第三挤出机的原材料为85%的树脂、10%的无机纳米材料、5%的流平剂。
4.根据权利要求3所述的一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，其特征在于：所述树脂为ARP、TPEL、PET、BOPVC、PC的一种或多种；所述无机纳米材料为SnO2、SiO2、Ai2O3、MoO3、Sb2O3、CaCO3、BaSO4的一种或多种；所述流平剂为有机硅氧烷、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸、二丙酮醇一种或几种。
5.根据权利要求3所述的一种5G通讯用MLCC聚酯基膜的制备方法，其特征在于：所述树脂的分子量为2000-50000，密度为1.40-1.70g/cm3。
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