CN113168934A - 触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、带有透光性导电层的偏光膜和触摸面板显示装置 - Google Patents

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Abstract

触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备薄膜基材2和透光性导电层3。透光性导电层3和被加热透光性导电层3α均为非晶质。将透光性导电层3的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)，且将被加热透光性导电层3α的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8(1)、Yc>Ya(2)。

Description

触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、带有透光性导电层的 偏光膜和触摸面板显示装置
技术领域
本发明涉及触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、带有透光性导电层的偏光膜和触摸面板显示装置。
背景技术
以往，具备薄膜基材和透明导电层的透明导电性薄膜是已知的，此外，该透明导电性薄膜作为触摸面板型装置中使用的触摸面板用透明导电性薄膜也是已知的(例如参照下述专利文献1)。
这种触摸面板用透明导电性薄膜中，从低电阻化的观点出发，透明导电层为结晶质。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-78090号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，结晶质的透明导电层存在容易产生裂纹的不良情况。
因而，尝试了具备非晶质的透明导电层的触摸面板用透明导电性薄膜。
但是，非晶质的透明导电层的膜质稳定性低，因此，通过加热(具体为80℃以内的低温加热)而逐渐进行结晶化，进行一定程度以上的结晶化的结果，存在电阻值等特性大幅变化的不良情况。
本发明提供能够抑制裂纹产生且热稳定性优异的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、具备其的带有透光性导电层的偏光膜和触摸面板显示装置。
用于解决问题的方案
本发明[1]包括一种触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其具备薄膜基材和透光性导电层，前述透光性导电层和将前述透光性导电层在80℃下加热500小时后的被加热透光性导电层均为非晶质，将前述透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)，且将前述被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时，满足下述式(1)和式(2)这两者。
0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8 (1)
Yc>Ya (2)
本发明[2]包括根据[1]所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其中，前述薄膜基材具有长条形状，前述薄膜基材具有30cm以上的宽度方向长度。
本发明[3]包括根据[2]所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其中，在沿着前述被加热透光性导电层的前述宽度方向的3个位置分别测定Xc和Yc，前述Xc的标准偏差为10×1019(/cm3)以下，前述Yc的标准偏差为5(cm2/V·s)以下。
本发明[4]包括根据[1]～[3]中任一项所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其中，前述薄膜基材具有30cm以上的TD方向长度。
本发明[5]包括根据[4]所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其中，在沿着前述被加热透光性导电层的前述TD方向的3个位置分别测定Xc和Yc，前述Xc的标准偏差为10×1019(/cm3)以下，前述Yc的标准偏差为5(cm2/V·s)以下。
本发明[6]包括根据[1]～[5]中任一项所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其中，前述透光性导电层含有铟系氧化物。
本发明[7]包括一种带有透光性导电层的偏光膜，其具备：[1]～[6]中任一项所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜、以及偏光件，所述偏光膜依次配置有前述透光性导电层、前述薄膜基材和前述偏光件。
本发明[8]包括根据[7]所述的带有透光性导电层的偏光膜，其还具备配置在前述透光性导电层与前述偏光件之间的1/4波长层。
本发明[9]包括一种触摸面板显示装置，其具备[7]或[8]所述的触摸面板用带有透光性导电层的偏光膜。
发明的效果
本发明的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜中，透光性导电层和被加热透光性导电层均为非晶质，因此抑制裂纹的产生。
此外，透光性导电层和被加热透光性导电层的载流子密度和霍尔迁移率满足规定的条件，因此，能够抑制由加热导致的透光性导电层的表面电阻的变化率和/或差异，因此，热稳定性优异。
本发明的带有透光性导电层的偏光膜的热稳定性优异，因此，具备其的本发明的触摸面板用显示装置的可靠性优异。
附图说明
图1示出本发明的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜的一个实施方式的截面图。
图2A～图2C为图1所示的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜的俯视图，图2A示出外形加工前的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，图2B示出在外形加工后具有沿着TD方向的短边的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，图2C示出在外形加工后具有沿着TD方向的长边的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜。
图3示出具备图1所示的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜的、带有透光性导电层的偏光膜和触摸面板显示装置的一个实施方式的截面图。
图4示出图3所示的带有透光性导电层的偏光膜的变形例的截面图。
具体实施方式
<一个实施方式>
参照图1来说明本发明的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜的一个实施方式。
如图1所示那样，该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1呈现具有规定厚度的薄膜形状(包括片形状)，具有在与厚度方向正交的规定方向(面方向)上延伸且平坦的一个面和平坦的另一面(两个主面)。触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1是带有透光性导电层的偏光膜4或触摸面板显示装置15(如后所述，参照图3)等的一个部件，也就是说，其不是带有透光性导电层的偏光膜4或触摸面板显示装置15。即，触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1是用于制作带有透光性导电层的偏光膜4等的部件，其不含圆偏光板18、透光性压敏粘接剂层5、光源20、液晶单元21(如后所述、参照图3)等，是以部件的形式单独流通而能够在产业上利用的设备。
具体而言，触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1朝着厚度方向一侧依次具备薄膜基材2和透光性导电层3。也就是说，触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备薄膜基材2、以及配置在薄膜基材2的厚度方向一侧的透光性导电层3。具体而言，触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备薄膜基材2、以及配置在薄膜基材2的一个面的透光性导电层3。优选触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1仅由薄膜基材2和透光性导电层3构成。
薄膜基材2是触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的最外面的另一层，是确保触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的机械强度的支撑材料。
薄膜基材2具有薄膜形状(包括片形状)。
作为薄膜基材2的材料，可列举出例如有机材料、例如玻璃等无机材料，可优选列举出有机材料。由于有机材料含有水、有机气体，因此能够抑制透光性导电层3的由加热导致的结晶性，能够进一步维持非晶质性。
作为薄膜基材2的材料，可更优选列举出高分子。
作为高分子，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂；例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)；例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)等烯烃树脂；例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂(三乙酸纤维素(TAC)等)、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。这些高分子可单独使用或组合使用两种以上。
从耐热性、机械特性等观点出发，高分子可优选列举出聚酯树脂，可更优选列举出PET。此外，从光学各向同性的观点出发，可优选列举出烯烃树脂，可更优选列举出COP。
薄膜基材2的可见光透过率例如为80％以上、优选为90％以上，此外，例如为100％以下。
此外，通过调整薄膜基材2的水分含量，能够得到后述特性的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
具体而言，薄膜基材2的每单位面积的水分含量例如为10μg/cm2以上、优选为20μg/cm2以上、更优选为30μg/cm2以上，此外，例如为200μg/cm2以下、优选为170μg/cm2以下。如果薄膜基材2的水分含量在上述范围内，则不易发生结晶化，并且容易获得低电阻的非晶质的透光性导电层3。若薄膜基材2的水分过小，则存在环境温度下的非晶质的透光性导电层3容易发生结晶化的倾向，若薄膜基材2的水分含量过大，则存在非晶质的透光性导电层3的表面电阻稳定性降低的倾向。水分含量(μg/cm2)可以由通过JIS K 7251-B法(水分气化法)求出的水分含量，以每单位面积的水含量的形式算出。
可以在薄膜基材2的另一面设置有分隔件、保护薄膜等。
薄膜基材2的厚度例如为2μm以上、优选为20μm以上、更优选为40μm以上，此外，例如为300μm以下、优选为200μm以下。薄膜基材2的厚度可使用例如膜厚计进行测定。
薄膜基材2的俯视形状根据需要使用触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15的尺寸等来适当设定，没有特别限定。如图2A所示那样，薄膜基材2具有例如长条的大致矩形形状。由此，薄膜基材2具有彼此相对的两个长边16、以及连接长边16的长度方向两端缘的两个短边17。
该薄膜基材2的俯视下的尺寸根据触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的用途和目的来适当设定，没有特别限定。薄膜基材2具有例如为30cm以上、优选为0.50m以上、更优选为1.0m以上、进一步优选为1.2m以上、特别优选为2m以上且10m以下的短边17的长度(TD方向长度)W。
关于薄膜基材2，可以将薄膜基材2卷绕而制成长条状薄膜卷。长条状薄膜卷的卷绕数量例如为100m以上、优选为500m以上、更优选为1000m以上，此外，例如为20000m以下。长条状薄膜卷可通过辊对辊方式来连续形成透光性导电层3，生产率优异。
透光性导电层3是根据需要能够在后续工序中通过蚀刻进行图案化的导电层。如图1所示那样，透光性导电层3是触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1中的最外面的一层。透光性导电层3具有薄膜形状(包括片形状)，以接触薄膜基材2的一个面的方式进行配置。透光性导电层3为非晶质。
需要说明的是，透光性导电层3为非晶质可如下判断：例如，在透光性导电层3的材料为ITO(后述)的情况下，在20℃的盐酸(浓度为5质量％)中浸渍15分钟后，进行水洗和干燥，并测定15mm左右之间的端子间电阻。本说明书中，将触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1浸渍于盐酸(20℃、浓度：5质量％)中，进行水洗和干燥后，透光性导电层3中的15mm之间的端子间电阻为10kΩ以上时，视作透光性导电层3为非晶质。
作为透光性导电层3的材料，可列举出例如包含选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属的金属氧化物。在金属氧化物中，根据需要也可进一步掺杂上述组中示出的金属原子、上述组中未记载的金属原子或半金属原子。
作为透光性导电层3，可列举出例如铟锡复合氧化物(ITO)、铟锌复合氧化物(IZO)等铟系氧化物；例如锑锡复合氧化物(ATO)等锑系氧化物等。从降低表面电阻的观点和确保优异透光性的观点出发，透光性导电层3含有铟系氧化物，更优选含有铟锡复合氧化物(ITO)。即，透光性导电层3优选为铟系氧化物层，更优选为ITO层。由此，表面电阻低、透光性优异。
使用ITO作为透光性导电层3的材料时，氧化锡(SnO2)含量相对于氧化锡和氧化铟(In2O3)的总量例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为8质量％以上、进一步优选超过10质量％，此外，例如为25质量％以下、优选为15质量％以下、更优选为13质量％以下。通过将氧化锡的含量设为上述下限以上，能够实现透光性导电层3的低表面电阻(例如150Ω/□以下)，且更可靠地抑制向结晶质的转化。此外，通过将氧化锡的含量设为上述上限以下，能够提高透光性、表面电阻的稳定性。
本说明书中的“ITO”只要是至少包含铟(In)和锡(Sn)的复合氧化物即可，可以包含除此之外的追加成分。作为追加成分，可列举出例如除In、Sn之外的金属元素，具体而言，可列举出Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W、Fe、Pb、Ni、Nb、Cr、Ga等。
透光性导电层3优选包含杂质元素。作为杂质元素，可列举出源自在形成透光性导电层3时使用的溅射气体的元素(例如Ar元素)；源自在薄膜基材2中含有的水、有机气体的元素(例如H元素、C元素)。通过含有它们，能够进一步提高透光性导电层3的非晶性。
透光性导电层3的厚度例如为10nm以上、优选为30nm以上、更优选超过30nm、进一步优选为40nm以上，尤其优选为50nm以上，此外，例如为200nm以下、优选为150nm以下、更优选为100nm以下、进一步优选为80nm以下。透光性导电层3的厚度可通过例如使用了透射型电子显微镜的截面观察来测定。透光性导电层3的材料为ITO时，一般来说，非晶质的透光性导电层3的厚度越大，则非晶质稳定性(能够稳定维持非晶质的性质)越会降低，越容易自然结晶化。尤其是，厚度为超过30nm的水平时，该倾向明显，但由于该透光性导电层3具有后述特性，因此，即便透光性导电层3的材料为ITO，非晶质稳定性也优异。
透光性导电层3的俯视形状和尺寸与薄膜基材2的俯视形状和尺寸相同。
接着，针对制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的方法进行说明。
触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1可如下获得：首先，准备薄膜基材2，接着，在薄膜基材2的厚度方向的一面形成透光性导电层3。
为了将透光性导电层3形成在薄膜基材2的厚度方向的一面，例如，通过干式将透光性导电层3配置(层叠)在薄膜基材2的一面。
作为干式，可列举出例如真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。可优选列举出溅射法。
溅射法中，在真空装置的腔室内将靶和薄膜基材2相对配置，在供给气体的同时施加电压，由此使气体离子加速并照射至靶，使靶材料从靶表面弹出，并使该靶材料层叠在薄膜基材2的厚度方向的一面。
作为溅射法，可列举出例如二极溅射法、ECR(电子回旋加速器共振)溅射法、磁控溅射法、离子束溅射法等。可优选列举出磁控溅射法。
溅射法中使用的电源例如可以为直流(DC)电源、交流中频(AC/MF)电源、高频(RF)电源、叠加有直流电源的高频电源中的任一者。
作为靶，可列举出构成透光性导电层3的上述金属氧化物。例如，使用ITO作为透光性导电层3的材料时，使用由ITO形成的靶。靶中的氧化锡(SnO2)含量相对于氧化锡和氧化铟(In2O3)的总量例如为0.5质量％以上、优选为3质量％以上、更优选为8质量％以上、进一步优选超过10质量％，此外，例如为25质量％以下、优选为15质量％以下、更优选为13质量％以下。
从成膜速度、杂质向透光性导电层3的混入等观点出发，靶表面的水平磁场的强度例如为10mT以上、优选为20mT以上，此外，为200mT以下、优选为100mT以下、更优选为80mT以下。如果水平磁场强度为前述范围，则能够提高溅射中的等离子体密度，施加于薄膜基材2的热量容易变高。其结果，从薄膜基材2释放的杂质(例如水等)容易混入透光性导电层3内，透光性导电层3的非晶性容易变高。
溅射时的放电气压例如为1.0Pa以下、优选为0.5Pa以下，此外，例如为0.01Pa以上、优选为0.2Pa以上。
通过调整溅射时的薄膜基材2的温度，能够获得后述特性的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
溅射时的薄膜基材2的温度例如为-30℃以上、优选为-10℃以上，此外，例如为180℃以下、优选为90℃以下、更优选为60℃以下、进一步优选为40℃以下、尤其优选小于10℃。
通过设为上述上限以下，能够抑制因成膜时的热而生成透光性导电层3的晶粒。此外，通过设为上述下限以上，能够将薄膜基材2中含有的水、有机气体的释放量调整至适合的范围，容易获得具有优质的非晶质膜的透光性导电层3。
作为溅射法中使用的气体，可列举出例如非活性气体的单独使用、例如非活性气体与反应性气体的组合。作为非活性气体，可列举出例如Ar气体等。作为反应性气体，可列举出例如氧气。
可优选列举出非活性气体与反应性气体的组合。
反应性气体的流量相对于非活性气体的流量的比(反应性气体的流量(sccm)/非活性气体的流量(sccm))例如为0.010以上且5以下。反应性气体的流量相对于非活性气体的流量的比根据气压、靶表面的水平磁场强度、薄膜基材的温度等成膜环境来适当设定。
该方法中，通过调整反应气体量、尤其是氧气量，能够形成(成膜)后述特性的透光性导电层3。
例如，列举出透光性导电层3的材料为ITO的例子。通过溅射法而得到的透光性导电层3通常作为非晶质的透光性导电层3来成膜。
此时，根据向非晶质的透光性导电层3内部导入的氧导入量，非晶质的透光性导电层3的膜质发生变化。
具体而言，向非晶质的透光性导电层3内部导入的氧导入量比适当量少时(氧不足状态)，通过在大气气氛下的加热而向结晶质转化。
另一方面，若非晶质的透光性导电层3中含有的氧导入量为适当量，则即便历经大气气氛下的加热时，也会维持非晶质结构，热稳定性优异。
另一方面，若非晶质的透光性导电层3中含有的氧导入量与适当量相比过量，则虽然通过大气气氛下的加热而维持非晶质结构，但加热后的表面电阻会大幅增加，热稳定性差。
上述理由不限定于任何理论，但可推测如下。需要说明的是，本发明不限定于以下的理论。非晶质的透光性导电层3中包含的氧量少(氧不足状态)时，非晶质的透光性导电层3在其结构中具有多个缺氧部，因此，构成铟锡复合氧化物ITO的各原子容易因热振动而发生活动，容易采用最佳结构。因此，通过在大气气氛下的加热，一边使缺氧部适度地吸取氧，一边呈现最佳结构(结晶质结构)。另一方面，若非晶质的透光性导电层3中含有的氧导入量为适量范围，则非晶质的透光性导电层3不易产生缺氧部。即，氧的适量范围表示非晶质的透光性导电层3容易呈现化学计量组成的范围。若氧量为适当量，则非晶质的透光性导电层3即便在大气气氛下加热时，缺氧部也少，因此不会过度氧化，而是维持优质的非晶质结构。另一方面，非晶质的透光性导电层3中含有的氧导入量过量时，非晶质的透光性导电层3内包含的氧原子作为杂质而起作用。若杂质原子超过适合的含有水平，则成为中子散射的主要原因，使表面电阻增大。
因此可推测：若非晶质的透光性导电层3中含有的氧导入量过量，则通过加热而使透光性导电层3内的氧量进一步过量，表面电阻大幅增加(热稳定性降低)。
此处，通过辊对辊方式在TD方向长度大(例如30cm以上)的薄膜基材2的一面形成非晶质的透光性导电层3时，通过使在透光性导电层3的成膜时供给的氧供给量在薄膜基材2的TD方向上发生变化，从而得到后述特性的透光性导电层3。薄膜基材2中含有杂质气体(前述水分、有机气体)，在溅射(真空成膜)时释放的杂质气体的量、进而混入至透光性导电层3中的杂质气体的量在薄膜基材2的TD方向上不均匀(不均一)。此外，相对于导入的氧量，利用真空泵进行排气的氧量也在TD方向上不均匀(不均一)。
因此，在TD方向上均匀地导入氧时，根据TD方向的杂质气体的量、被废弃的氧量而产生局部的氧过多(杂质过多)或氧不足的区域，从而难以获得后述特性的透光性导电层3。尤其是，使用长条状的薄膜基材2(例如300m以上)并通过辊对辊方式来形成透光性导电层3时，除了在TD方向的杂质气体量的差异(不均一性)之外，还容易受到薄膜基材2的流动方向(MD方向)的杂质气体含量的差异的影响，存在更难获得后述特性的透光性导电层3的倾向。因此，通过根据透光性导电层3的TD方向的杂质气体含量、氧含量来调整TD方向的氧的导入量，能够得到具有后述特性的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。需要说明的是，获得结晶质的透光性导电层3(不是本发明的非晶质的透光性导电层3)时，由于预先使氧导入量明显小于前述“适当量”，因此，能够减小TD方向的杂质气体、氧量的影响，TD方向的氧导入量的影响小。
调整TD方向的氧导入量的方法没有限定，例如，可通过将氧供给配管在TD方向上分割成多个来适当地调整氧导入量。氧供给配管的分割数例如为2个以上、优选为3个以上，此外，例如为20个以下、优选为10个以下。通过具备分割成多个的氧供给配管，从而得到后述特性的透光性导电层3。
透光性导电层3在加热前的表面电阻例如为1Ω/□以上、优选为10Ω/□以上，此外，例如为250Ω/□以下、优选为200Ω/□以下、更优选为150Ω/□以下、进一步优选小于100Ω/□。如果加热前的表面电阻为上述下限以上，则能够抑制透光性导电层3的光学特性的劣化。此外，如果加热前的表面电阻为上述上限以下，则能够防止后述透光性导电层3在加热前后的表面电阻的变化率和/或差异变得过大，能够获得稳定的透光性导电层3。
被加热透光性导电层3α的表面电阻与透光性导电层3的表面电阻相同。
透光性导电层3在加热前后的表面电阻的变化率(被加热透光性导电层3α的表面电阻相对于透光性导电层3的表面电阻的比例)(即，被加热透光性导电层3α的表面电阻/透光性导电层3的表面电阻)例如为0.80以上、优选为透光性基材薄膜10.85以上、更优选为0.90以上，此外，例如为1.25以下、优选为1.20以下、更优选为1.1以下。
由被加热透光性导电层3α的表面电阻减去透光性导电层3的表面电阻而得的差值的绝对值，总而言之，被加热透光性导电层3α的表面电阻与透光性导电层3的表面电阻之差(|[被加热透光性导电层3α的表面电阻]-[透光性导电层3的表面电阻]|)例如为40Ω/□以下、优选为30Ω/□以下、更优选为20Ω/□以下、进一步优选为15Ω/□以下，此外，例如为0Ω/□以上、优选为0.001Ω/□以上。表面电阻小(例如250Ω/□以下)的非晶质的透光性导电层3通常厚度容易变厚，其结果，非晶质稳定性发生劣化，加热前后的表面电阻之差容易变大。但是，本申请的透光性导电层3由于对膜内的氧量、杂质量(例如水分含量)、成膜工艺(靶表面的水平磁场强度、放电气压、温度等)进行了适当设定，因此，能够将加热前后的表面电阻的差值抑制在上述范围。
如果上述差值为上述上限以下，则能够抑制透光性导电层3的膜质变化过大。
透光性导电层3在加热前的电阻率例如为6×10-4Ω·cm以下、优选为5.5×10-4Ω·cm以下、更优选为5×10-4Ω·cm以下、进一步优选为4.8×10-4Ω·cm以下、特别优选为4.5×10-4Ω·cm以下，此外，例如为3×10-4Ω·cm以上、优选为3.5×10-4Ω·cm以上、更优选为4.0×10-4Ω·cm以上。如果加热前的透光性导电层3的电阻率为上述上限以下，则能够减小前述透光性导电层3在加热前后的表面电阻的变化率和/或差异。此外，如果电阻率为上述下限以上，则容易维持透光性导电层3的非晶质性。
被加热透光性导电层3α的电阻率与透光性导电层3的电阻率相同，优选等于或小于透光性导电层3的电阻率。具体而言，被加热透光性导电层3α的电阻率相对于透光性导电层3的电阻率的比([被加热透光性导电层3α的电阻率/[透光性导电层3的电阻率])例如为1.25以下、优选为1.2以下、更优选小于1.2、进一步优选为1.1以下、尤其优选为1.0以下、最优选为0.98以下，此外，例如为0.5以上、优选为0.65以上、进一步优选为0.8以上。如果上述比为前述范围，则容易获得稳定的非晶性。
需要说明的是，被加热透光性导电层3α是将透光性导电层3在大气环境下、80℃下加热500小时后的层。此外，被加热透光性导电层3α成为透光性导电层3的热稳定性的指标。进而，作为长期热稳定性的加速试验而进行加热时，也可以将加热条件设为例如140℃、1小时。被加热透光性导电层3α为非晶质。
透光性导电层3的可见光透过率例如为80％以上、优选为90％以上，此外，例如为100％以下。
该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1具备基于以下的霍尔效应的特性。
[1]载流子密度(Xa、Xc)
透光性导电层3在加热前的载流子密度(Xa×1019/cm3)例如为10×1019/cm3以上、优选为20×1019/cm3以上、更优选为30×1019/cm3以上、进一步优选为35×1019/cm3以上，此外，例如为60×1019/cm3以下、优选为50×1019/cm3以下、更优选为40×1019/cm3以下。如图2A所示那样，透光性导电层3的载流子密度Xa如下求出：沿着沿短边17的方向(TD方向、短边方向)，在多个点P1、P2、P3处测定载流子密度，并以它们的平均值的形式求出。此时，测定的点数为3个。测定点的两端部(P1和P3这两点)设为自均匀形成有透光性导电层3的末端部的位置起向内侧80mm的位置，中央点(作为P2的1点)设为薄膜基材2的中央位置。本申请中，“均匀形成有透光性导电层3的末端部”是指：透光性导电层3的厚度相对于薄膜基材2的中央位置的透光性导电层3的厚度在±10％以内的区域的末端部。
具体而言，薄膜基材2的TD宽度为1300mm，在整面均匀地形成有透光性导电层3的情况下，将P1＝80mm、P2＝650mm、P3＝1220mm位置设为测定点。
需要说明的是，“加热前”是指：例如从形成透光性导电层3后起至加热至80℃以上之前。
进而，即便是透光性导电层3的热历程不明的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1，只要是新加热至80℃以上之前，就视作“加热前”。
透光性导电层3的沿着短边17的方向长度上的3个点这多个点的载流子密度的标准偏差例如为10×1019(/cm3)以下、优选为5×1019(/cm3)以下、更优选为3×1019(/cm3)以下、进一步优选为2×1019(/cm3)以下，此外，例如为0.001×1019(/cm3)以上。如果标准偏差为上述上限以下，则能够均匀地设定透光性导电层3的宽度方向的载流子密度Xa，因此，能够降低宽度方向的热特性偏差，能够提高热稳定性。
另一方面，被加热透光性导电层3α的载流子密度(Xc×1019/cm3)例如为10×1019/cm3以上、优选为20×1019/cm3以上、更优选为30×1019/cm3以上、进一步优选为32×1019/cm3以上，此外，例如为70×1019/cm3以下、优选为60×1019/cm3以下、更优选为50×1019/cm3以下。被加热透光性导电层3α的载流子密度Xc通过与透光性导电层3的载流子密度Xa相同的测定来求出。
被加热透光性导电层3α的沿着短边17的方向长度上的多个点P1、P2、P3的载流子密度的标准偏差例如为10×1019(/cm3)以下、优选为5×1019(/cm3)以下、更优选为3×1019(/cm3)以下、进一步优选为2×1019(/cm3)以下，此外，例如为0.001×1019(/cm3)以上。如果标准偏差为上述上限以下，则能够均匀地设定被加热透光性导电层3α的宽度方向的载流子密度Xc，因此，能够降低宽度方向的热特性的偏差，能够提高热稳定性。
从透光性导电层3的热稳定性的观点出发，优选被加热透光性导电层3α的载流子密度的标准偏差等于或小于透光性导电层3的载流子密度的标准偏差。通过使透光性导电层3具有前述特征，从而透光性导电层3的热稳定性进一步提高。
[2]霍尔迁移率(Ya、Yc)
透光性导电层3在加热前的霍尔迁移率(Ya cm2/V·s)例如为10cm2/V·s以上、优选为20cm2/V·s以上、更优选为30cm2/V·s以上，此外，例如为70cm2/V·s以下、优选为50cm2/V·s以下、更优选为40cm2/V·s以下。需要说明的是，透光性导电层3的霍尔迁移率Ya如下求出：在沿着沿短边17的方向(TD方向、短边方向)的3个点这多个点P1、P2、P3处测定霍尔迁移率Ya，并以它们的平均值的形式来求出。
透光性导电层3的、沿着短边17的方向长度上的多个点P1、P2、P3的霍尔迁移率的标准偏差例如为5cm2/V·s以下、优选为3cm2/V·s以下、更优选为2cm2/V·s以下、进一步优选为1cm2/V·s以下，此外，例如为0.001cm2/V·s以上。如果标准偏差为上述上限以下，则能够均匀地设定透光性导电层3的沿着短边17的方向的霍尔迁移率Ya，因此，能够降低宽度方向的热特性的偏差，能够提高热稳定性。
被加热透光性导电层3α的霍尔迁移率(Yc cm2/V·s)例如为10cm2/V·s以上、优选为20cm2/V·s以上、更优选为30cm2/V·s以上，此外，例如为70cm2/V·s以下、优选为50cm2/V·s以下、更优选为45cm2/V·s以下。需要说明的是，被加热透光性导电层3α的霍尔迁移率Yc通过与霍尔迁移率Ya相同的测定来求出。
此外，被加热透光性导电层3α的沿着短边17的方向长度上的多个点P1、P2、P3的霍尔迁移率的标准偏差例如为5cm2/V·s以下、优选为3cm2/V·s以下、更优选为2cm2/V·s以下、进一步优选为1cm2/V·s以下，此外，例如为0.001cm2/V·s以上。如果标准偏差为上述上限以下，则能够均匀地设定被加热透光性导电层3α的宽度方向的霍尔迁移率Yc，因此，能够降低宽度方向的热特性的偏差，能够提高热稳定性。
被加热透光性导电层3α的霍尔迁移率Yc的标准偏差优选等于或小于透光性导电层3的霍尔迁移率Ya的标准偏差。由此，透光性导电层3的热稳定性进一步提高。
需要说明的是，霍尔迁移率基于霍尔效应，是电导率与霍尔常数的乘积。
<与透光性导电层和被加热透光性导电层的载流子密度和霍尔迁移率相关的式(1)～(4)>
并且，透光性导电层3的载流子密度(Xa×1019/cm3)和被加热透光性导电层的载流子密度(Xc×1019/cm3)与透光性导电层3的霍尔迁移率(Ya cm2/V·s)和被加热透光性导电层的霍尔迁移率(Yacm2/V·s)满足下述式(1)和式(2)这两者。
0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8 (1)
Yc>Ya (2)
如果不满足上述式(1)，则无法抑制透光性导电层3的由加热导致的表面电阻变化，因此，热稳定性降低。
需要说明的是，(Xc/Xa)是被加热透光性导电层3α的载流子密度Xc相对于透光性导电层3的载流子密度Xa的比，(Yc/Ya)是被加热透光性导电层3α的霍尔迁移率Yc相对于透光性导电层3的霍尔迁移率Ya的比，如果均是1或近似1的值，则满足上述式(1)。此外，即使(Xc/Xa)不近似于1，具体而言，即使在明显大于1的情况下，只要(Xc/Xa)明显小于1，则也满足上述式(1)。进而，上述大小关系可以颠倒。
(Xc/Xa)×(Yc/Ya)优选为0.80以上、更优选为0.90以上、进一步优选为0.95以上、尤其优选为1.000以上。此外，(Xc/Xa)×(Yc/Ya)优选为1.7以下、更优选为1.6以下、进一步优选为1.5以下、进而适合为1.3以下、1.2以下、1.15以下、1.10以下。如果(Xc/Xa)×(Yc/Ya)为上述下限以上，或者，如果为上述上限以下，则能够抑制透光性导电层3的由加热导致的表面电阻变化，因此，热稳定性优异。
如果满足式(2)，则Yc/Ya超过1。
Yc/Ya超过1.000、优选为1.001以上、更优选为1.01以上，此外，例如为1.7以下、优选为1.5以下、更优选为1.3以下、进一步优选为1.2以下、尤其优选为1.1以下。
满足式(2)的透光性导电层3容易表现出良好的导电性。另一方面，如果满足式(2)，则存在因加热而导致非晶质的透光性导电层3发生结晶化(电阻变化)的倾向，该透光性导电层3满足式(1)和式(2)这两者，因此，如果Yc/Ya进一步为上述下限以上、或者如果为上述上限以下，则能够减小薄膜基材2的宽度方向(TD方向)的表面电阻的公差。进而，如果Yc/Ya为上述上限以下，则能够降低加热前后的透光性导电层3的表面电阻之差。
此外，Xa、Xc、Ya和Yc优选满足下述式(3)或下述式(4)。
Xc<Xa、且、Yc>Ya (3)
Xc≥Xa、且、Yc>Ya (4)
满足式(3)时，Xc/Xa小于1且Yc/Ya超过1。详细而言，Xc/Xa优选小于1.000、更优选为0.99以下，此外，优选为0.7以上、更优选为0.8以上、进一步优选为0.85以上、尤其优选为0.90以上。Yc/Ya的适合范围与上述式(2)中详述的范围相同。如果Xc/Xa为上述下限以上，则能够减小透光性导电层3的表面电阻的公差。如果Xc/Xa为上述上限以下，则能够减小透光性导电层3在加热前后的表面电阻的变化率和/或差值。
满足式(4)时，Xc/Xa为1以上且Yc/Ya超过1。详细而言，Xc/Xa优选为1.000以上、更优选为1.01以上、进一步优选为1.02以上，此外，例如为1.7以下、优选为1.5以下、更优选为1.3以下、进一步优选为1.2以下、尤其优选为1.1以下。Yc/Ya的适合范围与上述式(2)中详述的范围相同。如果Xc/Xa为上述下限以上，则容易抑制由加热导致的透光性导电层3的表面电阻的大幅增加。如果Xc/Xa为上述上限以下，则容易抑制伴随加热的透光性导电层3的结晶化。
由此，获得具备薄膜基材2和透光性导电层3的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1(加热前的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1)。
触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的总厚度例如为2μm以上、优选为20μm以上，此外，例如为300μm以下、优选为200μm以下。
需要说明的是，形成有透光性导电层3的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1是在产业上可利用的设备，但形成有被加热透光性导电层3α的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的目的未必是在市场上流通，其是用于测定透光性导电层3的热稳定性的指标的薄膜。
需要说明的是，该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1可根据需要实施蚀刻，从而将透光性导电层3图案化成规定形状。
此外，上述的制造方法通过辊对辊方式来实施，此外，通过间歇方式来实施。优选通过辊对辊方式来实施。
通过辊对辊方式来制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1时，沿着长边16的方向成为MD方向(长度方向)，沿着短边17的方向成为TD方向(短边方向、宽度方向)。
其后，触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1根据其用途和目的而外形加工成期望的尺寸。
例如，如图2B所示那样，以沿着长边16的方向成为MD方向、沿着短边17的方向成为TD方向的方式，将触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1沿着例如MD方向进行切断，得到多个触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。此时，多个触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1各自的短边17的长度W(宽度方向长度、短边方向长度、TD方向长度)例如为30cm以上、优选为0.50m以上、更优选为1.0m以上、进一步优选为1.2m以上，此外，例如为4m以下、优选为2m以下。如果短边17的长度W为上述下限以上，则能够提高以下说明的带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15的制造效率，且能够制造大型的带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15。
另一方面，如图2C所示那样，以沿着长边16的方向成为TD方向、沿着短边17的方向成为MD方向的方式，将触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1沿着例如MD方向进行切断，也能够获得多个触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。此时，多个触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1各自的长边16的长度L(长度方向长度、TD方向长度)例如为30cm以上、优选为0.50m以上、更优选为1.0m以上、进一步优选为1.2m以上，此外，例如为4m以下、优选为2m以下。如果长边16的长度L为上述下限以上，则可作为长度方向充分长的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1而用于各种用途。
需要说明的是，例如，对于具有规定俯视形状的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1而言，在其制造方法(辊对辊方式)中的MD方向和TD方向不明的情况下，在本申请中，通过测定透光性导电层3的表面电阻，并求出其数值的公差(三个点之中的最大与最小之差)来判断MD方向和TD方向(测定位置基于[1]载流子密度(Xa、Xc)一项中记载的测定位置)。在测定表面电阻时，将任意的测定轴设定为0°，在45°、90°、135°方向的四个轴向分别求出表面电阻，定义公差最小的方向为MD方向，且与MD方向正交的方向为TD方向。
接着，针对具备上述触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15，参照图3进行说明。
如图3所示那样，带有透光性导电层的偏光膜4是本发明的带有透光性导电层的偏光膜的一个实施方式，其呈现具有规定厚度的薄膜形状(包括片形状)，具有在面方向上延伸且平坦的一个面和平坦的另一面(两个主面)。
此外，该带有透光性导电层的偏光膜4例如为触摸面板显示装置15(参照假想线)等的一个部件，也就是说，其不是触摸面板显示装置15。即，带有透光性导电层的偏光膜4例如是用于制作触摸面板显示装置15等的部件，其不含液晶层11和光源20(如后所述、假想线)，是以部件的形式单独流通而能够在产业上利用的设备。
具体而言，带有透光性导电层的偏光膜4朝向厚度方向的另一侧依次具备触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1、透光性压敏粘接剂层5、1/4波长层6、第二透光性粘接剂层7、偏光件8、第三透光性粘接剂层9和透光性基材薄膜10。详细而言，带有透光性导电层的偏光膜4具备：触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1、配置在其它面的透光性压敏粘接剂层5、配置在其它面的1/4波长层6、配置在其它面的第二透光性粘接剂层7、配置在其它面的偏光件8、配置在其它面的第三透光性粘接剂层9和配置在其它面的透光性基材薄膜10。优选仅由触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1、透光性压敏粘接剂层5、1/4波长层6、第二透光性粘接剂层7、偏光件8、第三透光性粘接剂层9和透光性基材薄膜10构成。
触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1是带有透光性导电层的偏光膜4中的最外面的一层。触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1在一侧露出。
透光性压敏粘接剂层5是用于将触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1与1/4波长层6在厚度方向上压敏粘接的层。透光性压敏粘接剂层5与触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的另一面接触。具体而言，透光性压敏粘接剂层5与薄膜基材2的另一面整面接触。透光性压敏粘接剂层5具有薄膜形状(包括片形状)。
透光性压敏粘接剂层5例如具有光学各向同性。也就是说，透光性压敏粘接剂层5实质上不具有双折射性。
透光性压敏粘接剂层5的材料只要是具有透光性和压敏粘接性的材料，就没有特别限定，可列举出例如光学透明粘接剂(OCA：Optical Clear Adhesive)等。具体而言，作为透光性压敏粘接剂层5的材料，可列举出例如丙烯酸系压敏粘接剂、橡胶系压敏粘接剂(丁基橡胶等)、硅酮系压敏粘接剂、聚酯系压敏粘接剂、聚氨酯系压敏粘接剂、聚酰胺系压敏粘接剂、环氧系压敏粘接剂、乙烯基烷基醚系压敏粘接剂、氟树脂系压敏粘接剂等，从压敏粘接性，透湿性的观点出发，优选可列举出丙烯酸系压敏粘接剂。透光性压敏粘接剂层5的厚度例如为1μm以上、优选为5μm以上、更优选为10μm以上，此外，例如为300μm以下、优选为150μm以下、更优选为50μm以下。
1/4波长层6是λ/4板，其是用于将通过了液晶单元21(后述)的自然光转换成直线偏振光的层(相位差板)。1/4波长层6与透光性压敏粘接剂层5的另一面接触(压敏粘接)。
需要说明的是，1/4波长层6借助透光性压敏粘接剂层5和第二透光性粘接剂层7而配置在触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1与偏光件8之间。即，1/4波长层6配置在带有透光性导电层的偏光膜4的透光性导电层3与偏光件8之间。
1/4波长层6具有薄膜形状(包括片形状)。作为1/4波长层6，具体而言，可列举出将树脂薄膜拉伸而得的拉伸薄膜、对液晶聚合物进行取向处理而得的薄膜等。作为树脂薄膜的材料，可列举出环烯烃聚合物等环状聚烯烃树脂、聚碳酸酯树脂等。作为1/4波长层6，可优选列举出拉伸薄膜。
第二透光性粘接剂层7与1/4波长层6的另一面接触。第二透光性粘接剂层7具有薄膜形状(包括片形状)。作为第二透光性粘接剂层7的材料，没有特别限定，可列举出例如聚乙烯醇系粘接剂等。第二透光性粘接剂层7的尺寸等与透光性压敏粘接剂层5的尺寸相同。
偏光件8是用于将光转换成直线偏振光的层(偏光板)。偏光件8与第二透光性粘接剂层7的另一面接触。偏光件8具有薄膜形状(包括片形状或板形状)。作为偏光件8，可列举出例如使聚乙烯醇薄膜(PVA)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等亲水性树脂薄膜吸附二色性物质(碘、二色性染料)并进行单轴拉伸而得的薄膜等。此外，也可列举出聚乙烯醇的脱水处理物、聚氯乙烯的脱盐酸处理物等聚乙烯系薄膜等。偏光件8的厚度例如为1μm以上、优选为3μm以上、更优选为5μm以上，此外，例如为200μm以下、优选为100μm以下、更优选为50μm以下、进一步优选为30μm以下。
第三透光性粘接剂层9与偏光件8的另一面接触。第三透光性粘接剂层9具有薄膜形状(包括片形状)。第三透光性粘接剂层9的材料、尺寸等与第二透光性粘接剂层7的材料、尺寸相同。
透光性基材薄膜10是带有透光性导电层的偏光膜4中的最外面的另一层。透光性基材薄膜10在另一侧露出。透光性基材薄膜10具有薄膜形状(包括片形状)。透光性基材薄膜10的材料、物性、尺寸等与上述薄膜基材2的材料、物性、尺寸相同。作为透光性基材薄膜10的材料，可优选列举出纤维素树脂，可更优选列举出TAC。
需要说明的是，1/4波长层6、偏光件8和透光性基材薄膜10例如构成圆偏光板18。圆偏光板18具有光学各向同性，圆偏光板18的可见光透过率例如为80％以上、优选为90％以上，此外，例如为100％以下。圆偏光板18的详情记载于例如日本特开2018-151651号公报等。
该带有透光性导电层的偏光膜4的厚度例如为10μm以上、优选为100μm以上、更优选为1000μm以上，此外，例如为500μm以下。
该带有透光性导电层的偏光膜4例如存在于触摸面板显示装置15中。
如图3的实线和假想线所示那样，触摸面板显示装置15朝向厚度方向的另一侧(相当于目视观察侧)依次具备光源20、液晶单元21和带有透光性导电层的偏光膜4。
光源20在触摸面板显示装置15中位于厚度方向的最外面的一侧(与目视观察侧相对的另一侧)。作为光源20，可列举出例如LED等公知的光源。
液晶单元21配置在与光源20相对的厚度方向的一侧(目视观察侧)。此外，液晶单元21夹在光源20与带有透光性导电层的偏光膜4之间。作为液晶单元21，可列举出公知的图像显示元件。
带有透光性导电层的偏光膜4以触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1(更具体为透光性导电层3)与液晶单元21对置(面对)的方式配置于液晶单元21的厚度方向的一侧。
需要说明的是，带有透光性导电层的偏光膜4中的透光性导电层3与触摸检测装置(未图示)等电连接。这种透光性导电层3虽未在图4中画出，但例如以规定的图案形成(图案化)。
并且，该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1中，透光性导电层3和被加热透光性导电层3α均为非晶质，因此，耐裂纹性优异。
此外，透光性导电层3和被加热透光性导电层3α满足上述式(1)和(2)这两者，因此，能够抑制由热导致的透光性导电层3的表面电阻变化，热稳定性优异。
如图2A和图2B所示那样，如果薄膜基材2的短边17的长度W长至30cm以上，则能够提高带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15的制造效率，并且制造大型的带有透光性导电层的偏光膜4和触摸面板显示装置15。
此外，以往的非晶性的透光性导电层3即便通过加热来维持非晶质时，在触摸面板显示装置15中的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1内也存在膜质的偏差，其结果，尤其是有时在薄膜基材2的宽度方向上产生表面电阻的偏差。
具体而言，如果薄膜基材2中的宽度方向长度即短边17的长度W长至30cm以上，则宽度方向上的Xc和Yc的标准偏差容易变大。也就是说，宽度方向上的Xc和Yc容易存在偏差。
但是，该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1中，以透光性导电层3和被加热透光性导电层3α满足上述式(1)和式(2)这两者的方式形成透光性导电层3，因此，能够减小宽度方向上的Xc和Yc的标准偏差，也就是说，能够抑制宽度方向上的Xc和Yc的偏差，具体而言，能够将Xc的标准偏差设定在10×1019(/cm3)以下，并将Yc的标准偏差设定在5(cm2/V·s)以下。因此，宽度方向上的热稳定性更优异。
此外，如图2C所示那样，如果薄膜基材2中的沿着TD方向的长边16的长度L长至30cm以上，则TD方向上的Xc和Yc的标准偏差容易变大。也就是说，TD方向上的Xc和Yc容易存在偏差。
但是，该触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1中，以透光性导电层3和被加热透光性导电层3α满足上述式(1)的方式形成透光性导电层3，因此，能够减小TD方向上的Xc和Yc的标准偏差，也就是说，能够抑制TD方向上的Xc和Yc的偏差，具体而言，能够将Xc的标准偏差设定在10×1019(/cm3)以下，并将Yc的标准偏差设定在5(cm2/V·s)以下。因此，TD方向上的热稳定性更优异。
此外，透光性导电层3如果含有铟系氧化物，则表面电阻低且透光性优异。
图3所示的带有透光性导电层的偏光膜4的耐裂纹性优异，因此，加工性良好，设计性(外观)优异。
此外，带有透光性导电层的偏光膜4的热稳定性优异，因此，具备其的触摸面板显示装置15的可靠性优异。
<变形例>
在变形例中，针对与一个实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照符号，并省略其详细说明。此外，变形例除了特别记载之外，可以发挥与一个实施方式相同的作用效果。进而，可以适当组合一个实施方式及其变形例。
如图3所示那样，一个实施方式的带有透光性导电层的偏光膜4中，薄膜基材2与透光性导电层3直接接触，但例如图4所示那样，可以在薄膜基材2与透光性导电层3之间夹设功能层25。
具体而言，作为功能层25，可列举出例如1/4波长层6和偏光件8。也就是说，在图4的变形例的带有透光性导电层的偏光膜4中，朝向厚度方向的一侧依次配置有薄膜基材2、偏光件8、1/4波长层6和透光性导电层3。
偏光件8与薄膜基材2的一个面接触。
1/4波长层6与偏光件8的一侧接触。1/4波长层6与透光性导电层3的另一面接触。
需要说明的是，在图4所示的变形例中，带有透光性导电层的偏光膜4具备1/4波长层6，例如虽未图示，但带有透光性导电层的偏光膜4也可以由薄膜基材2、偏光件8和透光性导电层3构成，而不具备1/4波长层6。
优选如图3所示的一个实施方式那样，带有透光性导电层的偏光膜4在透光性导电层3与偏光件8之间具备1/4波长层6。由此，能够抑制从目视观察侧(图3的另一侧)向带有透光性导电层的偏光膜4入射的可见光区域的反射光。具体而言，带有透光性导电层的偏光膜4未设有1/4波长层6时，透光性导电层3对可见光区域的光进行部分反射(例如10％左右)。但是，在带有透光性导电层的偏光膜4的透光性导电层3与偏光件8之间配置有1/4波长层6时，在透光性导电层3中被反射而返回至目视观察侧的外光被偏光件8吸收，几乎不向目视观察侧射出。因此，能够大幅降低透光性导电层3的来自反射光的色调。
图1所示的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1和图3所示的带有透光性导电层的偏光膜4中，透光性导电层3仅配置于薄膜基材2的一面，例如虽未图示，但其也可以配置于薄膜基材2的一面和另一面这两者。
此外，图3所示的带有透光性导电层的偏光膜4具备第二透光性粘接剂层7和第三透光性粘接剂层9，例如虽未图示，但也可以不具备其中一者或两者地构成带有透光性导电层的偏光膜4。
另一方面，图4所示的变形例的带有透光性导电层的偏光膜4中，薄膜基材2与偏光件8直接接触而不在它们之间夹设第三透光性粘接剂层9等，例如虽未图示，但它们之间也可以夹设第三透光性粘接剂层9。此时，可以进一步在薄膜基材2与第三透光性粘接剂层9之间设置易粘接层。通过设置易粘接层，能够促进薄膜基材2与第三透光性粘接剂层9之间的期望粘接力的实现。
此外，图4所示的变形例的带有透光性导电层的偏光膜4中，偏光件8与1/4波长层6直接接触，例如虽未图示，但它们之间也可以夹设第二透光性粘接剂层7。此时，可以进一步在第二透光性粘接剂层7与1/4波长层6之间设置易粘接层。通过设置易粘接层，能够促进偏光件8与1/4波长层6之间的期望粘接力的实现。
图4所示的变形例的带有透光性导电层的偏光膜4中，透光性导电层3仅配置于薄膜基材2的一侧，但也可以配置于例如薄膜基材2的一侧和另一侧(更具体为另一面)这两侧。
实施例
以下，针对本发明，使用实施例进行详细说明，但本发明只要不超出其主旨就不限定于实施例，可以基于本发明的技术构思进行各种变形和变更。
以下，示出实施例和比较例，更具体地说明本发明。需要说明的是，本发明完全不限定于实施例和比较例。此外，下述记载中使用的配比(含有比例)、物性值、参数等的具体数值可以替换成上述“具体实施方式”中记载的与它们对应的配比(含有比例)、物性值、参数等相应记载的上限(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。
实施例1
准备长度500m、宽度1300mm(130cm)、厚度188μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜，制成薄膜基材2。薄膜基材2的水分含量为75μg/cm2。
将薄膜基材2设置于辊对辊型溅射装置中，进行真空排气。其后，在导入Ar和O2而将气压制成0.4Pa的真空气氛中，通过DC磁控溅射法，将搬运速度设为9m/min，制造厚度32nm的由ITO形成的透光性导电层3。ITO为非晶质。由此，制造依次具备透光性基材2和透光性导电层3的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
需要说明的是，作为靶，使用12质量％的氧化锡与88质量％的氧化铟的烧结体(ITO)，磁铁的水平磁场调节至30mT。
在溅射装置中，在对薄膜基材2的宽度方向分割成四个而得的区域分别配置4根氧气配管。并且，在溅射时，将左右两端部的两根氧气配管的氧气供给量设定为相对于中央的两根氧气配管的氧气供给量为0.94倍。具体而言，在左右两端部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.030，在中央部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.032。
将溅射时的薄膜基材2的温度设定为0℃。
实施例2
将搬运速度设为4.5m/min，将透光性导电层3的厚度设为65nm，在左右两端部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.030，在中央部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)的设定变更为0.031，除此之外，与实施例1同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
实施例3
将左右两端部的两根氧气配管的氧气供给量设定为相对于中央的两根氧气配管的氧气供给量为0.92倍，除此之外，与实施例2同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。具体而言，在左右两端部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.022，在中央部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.024。
实施例4
将辊对辊型溅射装置中的薄膜基材2的搬运速度设定为1.05倍，将透光性导电层3的厚度设为62nm，除此之外，与实施例2同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
实施例5
将左右两端部的两根氧气配管的氧气供给量设定在相对于中央的两根氧气配管的氧气供给量为0.95倍，除此之外，与实施例2同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。具体而言，在左右两端部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.035，在中央部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.037。
实施例6
准备长度500m、宽度1300mm(130cm)、厚度100μm的环烯烃聚合物(COP)薄膜，制成薄膜基材2。需要说明的是，薄膜基材2的水分含量小于定量限(5μg/cm2)。
将左右两端部的两根氧气配管的氧气供给量设定至相对于中央的两根氧气配管的氧气供给量为0.98倍，除此之外，与实施例2同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。具体而言，在左右两端部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.040，在中央部的两根氧气配管中，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.041。
比较例1
作为薄膜基材2，准备长度1500m、宽度1300mm(130cm)、厚度50μm的带有热固化树脂层(底涂层)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(薄膜基材2的水分含量为18μg/cm2)，作为靶，使用10质量％的氧化锡与90质量％的氧化铟的烧结体(ITO)。此外，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设定为0.011，关于氧导入量，一边沿着TD方向(参照图2B)均匀地导入，一边形成厚度25nm的由ITO形成的透光性导电层3。除了前述项目之外，与实施例1同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
比较例2
作为薄膜基材2，使用长度3000m、宽度1300mm(130cm)、厚度188μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，将O2流量相对于Ar流量的比(O2/Ar)设为0.033，关于氧导入量，一边沿着TD方向(参照图2B)均匀地导入，一边形成厚度65nm的由ITO形成的透光性导电层3，除此之外，与实施例2同样操作，制造触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1。
针对各实施例和各比较例中得到的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1，实施下述测定。将结果示于表1。
(评价)
(1)薄膜基材的厚度和水分含量
薄膜基材2的厚度使用膜厚计(尾崎制作所制、装置名“Digital dial gauge DG-205”)进行测定。透光性导电层3的厚度通过使用了透射型电子显微镜(日立制作所制、装置名“HF-2000”)的截面观察进行测定。
薄膜基材2的水分含量通过JIS K 7251-B法(水分气化法)来求出。
(2)透光性导电层的载流子密度、霍尔迁移率和它们的标准偏差
使用霍尔效应测定系统(Bio-Rad公司制、商品名“HL5500PC”)来实施测定。载流子密度使用上述(1)中求出的透光性导电层3的厚度来计算。
具体而言，在各实施例和各比较例中，在宽度1300mm的TD方向上，在80mm位置(P1)、650mm位置(P2)、1220mm位置的(P3)这三点处分别求出载流子密度和霍尔迁移率。分别以上述多个点的平均值的形式求出Xa和Ya，并求出标准偏差。
(3)被加热透光性导电层的载流子密度、霍尔迁移率和它们的标准偏差
首先，将各触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1以80℃加热500小时，将透光性导电层3制成被加热透光性导电层3α。
针对各被加热透光性导电层3α，与上述(3)同样操作，使用霍尔效应测定系统(Bio-Rad公司制、商品名“HL5500PC”)，测定载流子密度和霍尔迁移率。需要说明的是，各例的载流子密度和霍尔迁移率的测定位置与上述(3)相同。接着，分别以上述多个点的平均值的形式求出Xc和Yc，且求出标准偏差。
(4)透光性导电层和被加热透光性导电层的膜质
将各透光性导电层3和各被加热透光性导电层3α在盐酸(浓度：5质量％)中浸渍15分钟后，进行水洗并干燥，测定各透光性导电层3的15mm左右之间的两端子间电阻。15mm之间的两端子间电阻超过10kΩ时判断为非晶质，未超过10kΩ时判断为结晶质。
(5)表面电阻的变化率和差值的评价
各触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的透光性导电层3的TD方向(参照图2B)的表面电阻(各实施例和比较例的电阻测定点是与霍尔效应测定实施点相同的位置)按照JIS K7194(1994年)并通过四端子法来求出，算出表面电阻的平均值。即，首先测定各触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的透光性导电层3的表面电阻在TD方向上的平均值(Ra)。接着，测定以140℃加热1小时后的被加热透光性导电层3α的表面电阻在TD方向上的平均值(Rc)。求出加热后的表面电阻相对于加热前的表面电阻的电阻变化率(Rc/Ra)，并按照下述基准实施评价。
○：表面电阻的变化率为0.8以上且1.25以下
×：表面电阻的变化率小于0.8或超过1.25
一并求出加热前后的表面电阻的差(|Rc-Ra|)。
(6)宽度方向(TD方向)上的表面电阻的公差
与“表面电阻的变化率和差值的评价”同样操作，测定各触摸面板用带有透光性导电层的薄膜1的以140℃加热1小时后的被加热透光性导电层3α的TD方向的表面电阻。求出在TD方向上最大的电阻(最大电阻：Rmax)和最小的电阻(最小电阻：Rmin)，将其差值(Rmax-Rmin)作为表面电阻的公差，并按照下述基准进行评价。
○：表面电阻的公差为0Ω/□以上且10Ω/□以下
×：表面电阻的公差超过10Ω/□
(7)透光性导电层和被加热透光性导电层的电阻率
求出通过(5)“表面电阻的变化率和差的评价”中记载的方法而求出的透光性导电层3(加热前)和被加热透光性导电层3α(加热后)各自的表面电阻的平均值与透光性导电层3的厚度之积，由此得到透光性导电层3(加热前)和被加热透光性导电层3α(加热后)各自的电阻率。
[表1]
Figure BDA0003050161580000301
需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式而提供，但其只不过是单纯的例示，不做限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例包括在上述权利要求书中。
产业上的可利用性
在带有透光性导电层的偏光膜中具备触摸面板用带有透光性导电层的薄膜。
附图标记说明
1 触摸面板用带有透光性导电层的薄膜
2 薄膜基材
3 透光性导电层
3α 被加热透光性导电层
4 带有透光性导电层的偏光膜
6 1/4波长层
8 偏光件
15 触摸面板显示装置
Xa 透光性导电层的载流子密度
Ya 透光性导电层的霍尔迁移率
Xc 被加热透光性导电层的载流子密度、
Yc 被加热透光性导电层的霍尔迁移率
W 宽度(TD方向长度)

Claims (9)

1.一种触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，其具备薄膜基材和透光性导电层，
所述透光性导电层和将所述透光性导电层在80℃下加热500小时后的被加热透光性导电层均为非晶质，
将所述透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)，
且将所述被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)时，
满足下述式(1)和式(2)这两者，
0.5≤(Xc/Xa)×(Yc/Ya)≤1.8 (1)
Yc>Ya (2)。
2.根据权利要求1所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，所述薄膜基材具有长条形状，
所述薄膜基材具有30cm以上的宽度方向长度。
3.根据权利要求2所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，在沿着所述被加热透光性导电层的所述宽度方向的3个位置分别测定Xc和Yc，
所述Xc的标准偏差为10×1019(/cm3)以下，
所述Yc的标准偏差为5(cm2/V·s)以下。
4.根据权利要求1所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，所述薄膜基材具有30cm以上的TD方向长度。
5.根据权利要求4所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，在沿着所述被加热透光性导电层的所述TD方向的3个位置分别测定Xc和Yc，
所述Xc的标准偏差为10×1019(/cm3)以下，
所述Yc的标准偏差为5(cm2/V·s)以下。
6.根据权利要求1所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜，其特征在于，所述透光性导电层含有铟系氧化物。
7.一种带有透光性导电层的偏光膜，其特征在于，其具备：
权利要求1所述的触摸面板用带有透光性导电层的薄膜；以及
偏光件，
所述偏光膜依次配置有所述透光性导电层、所述薄膜基材和所述偏光件。
8.根据权利要求7所述的带有透光性导电层的偏光膜，其特征在于，其还具备配置在所述透光性导电层与所述偏光件之间的1/4波长层。
9.一种触摸面板显示装置，其特征在于，其具备权利要求7所述的用于触摸面板的带有透光性导电层的偏光膜。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1168076A (zh) * 1995-12-20 1997-12-17 三井东压化学株式会社 透明导电叠层及使用该透明导电叠层的电致发光元件
CN101251663A (zh) * 2007-02-22 2008-08-27 松下电器产业株式会社 触摸面板
JP2016157021A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 日東電工株式会社 電界駆動型調光素子用透明導電性フィルム、調光フィルム、および電界駆動型調光素子
CN108352217A (zh) * 2015-11-09 2018-07-31 日东电工株式会社 透光性导电薄膜和调光薄膜

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785109B2 (ja) * 2002-04-08 2006-06-14 日東電工株式会社 透明導電積層体の製造方法
JP4861707B2 (ja) * 2006-01-20 2012-01-25 日東電工株式会社 透明導電積層体
JP5976970B1 (ja) * 2015-02-24 2016-08-24 日東電工株式会社 光透過性フィルム
CN107533883B (zh) * 2015-09-30 2021-09-28 积水化学工业株式会社 透光性导电膜、及经退火处理的透光性导电膜的制造方法
JP6649106B2 (ja) * 2016-02-10 2020-02-19 日東電工株式会社 光学積層体および該光学積層体を用いた画像表示装置
JP6789168B2 (ja) 2016-10-31 2020-11-25 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びそれを用いたタッチパネル
WO2018207622A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 日東電工株式会社 光透過性導電層付きフィルム、調光フィルムおよび調光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1168076A (zh) * 1995-12-20 1997-12-17 三井东压化学株式会社 透明导电叠层及使用该透明导电叠层的电致发光元件
CN101251663A (zh) * 2007-02-22 2008-08-27 松下电器产业株式会社 触摸面板
JP2016157021A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 日東電工株式会社 電界駆動型調光素子用透明導電性フィルム、調光フィルム、および電界駆動型調光素子
CN108352217A (zh) * 2015-11-09 2018-07-31 日东电工株式会社 透光性导电薄膜和调光薄膜

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