CN113133137A - 一种加热电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种加热电路,包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源;子电路包括:加热元件、检测元件、第一开关元件及第二开关元件;加热元件和检测元件,并联在第一节点和第二节点之间;第一节点与第一电源连接,第一开关元件位于第一节点和第一电源的连接上;第二节点与接地点连接,第二开关元件位于第二节点和接地点之间;若第一开关元件导通、第二开关元件导通,第一电源、逆变电路与加热元件连接成第一导通回路,第一电源通过第一导通回路给加热元件供电;若第一开关元件断开、第二开关元件断开,第二电源、检测元件与加热元件连接成第二导通回路,第二电源通过第二导通回路向加热元件及检测元件供电。

Description

一种加热电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种加热电路。
背景技术
对家电进行加热前,可以对家电的加热元件阻抗进行检测而确定所述加热元件上是否存在锅具等烹饪设备,从而可以减少当加热元件上不存在烹饪设备等而进行加热的情况的发生。而用于提供加热电流的加热回路与用于检测加热元件是否存在烹饪设备等的检测回路都需要连接加热元件;如此,加热回路与检测回路会相互影响,会导致检测检测加热元件阻抗的不准确或者导致加热元件加热的电流过大等情况的发生。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种加热电路。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
一种加热电路,所述加热电路包括:所述加热电路包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源,其中,所述子电路包括:第一开关元件、第二开关元件、加热元件及检测元件;
所述加热元件和所述检测元件,并联在第一节点和第二节点之间;所述第一节点与所述第一电源连接,其中,所述第一开关元件位于所述第一节点和所述第一电源的连接上;所述第二节点与接地点连接,其中,所述第二开关元件位于所述第二节点和所述接地点之间;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件导通,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件断开,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路,所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。
上述方案中,其中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接;
其中,所述N为大于1的整数。
上述方案中,所述子电路,还包括:第三开关元件;
所述第三开关元件连接在所述第一节点和所述检测元件之间;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件导通、及所述第三开关元件断开,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成所述第一导通回路;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件断开、及所述第三开关元件导通,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成所述第二导通回路。
上述方案中,所述第一开关元件包括:
第一端,与所述加热元件连接;
第二端,与所述逆变电路连接;
第三端,与所述检测元件连接;
若所述第一端与所述第二端连接且所述第二开关元件导通,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成所述第一导通回路;
若所述第一端与所述第三端连接且所述第二开关元件断开,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成所述第二导通回路。
上述方案中,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
上述方案中,所述子电路还包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述第一开关元件连接;
所述第二MOS管的源极分别与所述接地点及所述检测元件连接。
上述方案中,所述子电路还包括:第一电容;
所述第一电容连接在所述第二节点与所述检测元件之间;其中,所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
上述方案中,所述逆变电路包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地;
所述第一开关元件与所述第一IGBT的发射极连接,所述第二开关元件与所述第一IGBT的集电极连接。
上述方案中,所述加热电路还包括:第二电容和第三电容;其中,
所述第二电容连接在所述第一电源与所述第二开关元件之间;
所述第三电容连接在所述第二电容与所述接地点之间;
其中,所述第二电容和所述第三电容共同用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率。
本发明实施例提供了一种加热电路,通过第一开关元件和第二开关元件的导通与否,实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通,或者第二电源、检测元件与所述渐热元件连接成的第二导通回路的导通(即实现所述第一导通回路和所述第二导通回路相互隔离)。如此,在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时,不受第一电源的影响,提高了检测所述加热元件是否存在阻抗的准确性。且,在第一电源通过所述第一导通回路对所述加热元件进行加热时,也不会受到第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件中电流过大的影响。
附图说明
图1为本发明实施例加热电路的一个可选组成结构示意图;
图2为本发明实施例加热电路的另一个可选组成结构示意图;
图3为本发明实施例加热电路的又一个可选组成结构示意图;
图4为本发明实施例加热电路的又一个可选组成结构示意图;
图5为本发明实施例加热电路的示意图;
图6为本发明实施例加热电路的示意图;
图7为本发明实施例加热电路的又一个可选组成结构示意图。
具体实施方式
下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图1所示,本发明实施例提供一种加热电路,所述加热电路包括:逆变电路11、至少一个子电路12、第一电源13及第二电源14,其中,所述子电路12包括:第一开关元件121、第二开关元件122、加热元件123及检测元件124;
所述加热元件123和所述检测元件124,并联在第一节点和第二节点之间;所述第一节点与所述第一电源13连接,其中,所述第一开关元件121位于所述第一节点和所述第一电源13的连接上;所述第二节点与接地点连接,其中,所述第二开关元件122位于所述第二节点和所述接地点之间;
若所述第一开关元件121导通、所述第二开关元件122导通,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件123连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述第一开关元件121断开、所述第二开关元件122断开,所述第二电源13、所述检测元件124与所述加热元件123连接成第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件123及所述检测元件124供电。
在本发明实施例中,所述逆变电路的第二端为与接地点(Ground,GND)连接(此处未表明在所述图1中)。
其中,所述逆变电路用于基于第一电源的直流信号转换为交流信号,例如,转换为频率高于预设值的高频电信号。
在本发明实施例中,所述检测元件124基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件123的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件123的供电。
在上述图1中,仅描述了一个子电路,可以理解的是,在本发明实施例中,可以为多个子电路;所述多个子电路都并联在所述逆变电路两端。
在一些实施例中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接,其中,所述N为大于1的整数。
如图2所示,示出了所述加热电路包括的子电路为2个,这里,2个子电路并联连接。在其它实施例中,可以依据如图2所示子电路类似的连接方式,并联3个或3个以上的所述子电路。
这里,N个所述子电路并连接时,N个子电路共用一个第二电源14。在其它实施例中,所述N个子电路可以分别接一个第二电源;或者,N个子电路中部分子电路共用一个第二电源,其它部分子电路共用另一个第二电源。
这里,所述加热元件123可以为:线圈、电热线、电热板、电热棒或电热片,等等。
例如,所述加热元件为电磁炉中的线圈。若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件断开,所述加热电路的第二通回路导通,所述第二电源对所述线圈及所述检测元件供电;利用一电压表对所述检测元件上的电压进行检测,将检测到的电压与预设电压进行比较,以确定出所述电磁炉的线圈上是否存在一定阻抗的烹饪设备;其中,所述预定电压为所述线圈上不存在烹饪设备时的检测到所述检测元件上的电压。若确定出所述线圈上存在一定阻抗的烹饪设备;可使得所述第一开关元件导通、所述第二开关元件导通,从而利用第一电源对所述电磁炉进行加热。
这里,所述加热元件123可以为一个或多个。
在一实施例中,所述第一开关元件为单刀单掷开关,所述第二开关元件为单刀单掷开关。
在另一实施例中,所述第一开关元件为单刀双掷开关,所述第二开关元件为单刀单掷开关。
在又一实施例中,所述第一开关元件为单刀单掷继电器,所述第二开关元件为单刀单掷继电器。
在又一实施例中,所述第一开关元件为单刀双掷继电器,所述第二开关元件为单刀单掷继电器。
在本发明实施例中,若使用继电器作为第一开关元件或第二开关元件来实现第一导通回路或第二导通回路的导通与否,能够大大降低由于人力去选择导通的所带来的危险。
且,若第一开关元件为单刀双掷继电器或单刀双掷开关,则所述第一开关元件还包括三端,该三端分别与加热元件、检测元件和逆变电路连接;如此,可以通过使用一个第一开关元件,实现所述加热元件与所述逆变电路之间连接的导通,或者实现所述加热元件与所述检测元件之间连接的导通。
在本发明实施例中,可以通过第一开关元件和第二开关元件的导通与否,实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通,或者第二电源、检测元件与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通;如此,所述第一导通回路和所述第二导通回路没有电气连接点,所述第一导通回路和所述第二导通回路相互隔离、互不影响。
如此,在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时,不受第一电源的影响,提高了检测所述加热元件是否存在阻抗的准确性;且,在第一电源通过所述第一导通回路对所述加热元件进行加热时,也不会受到第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件中电流过大的影响。
更进一步地,若所述子电路为多个时,多个子电路在共用一个逆变电路时,多个子电路中各子电路的第一导通回路与第二导通回路也不会相互影响;也就是说,能够实现多个子电路中部分子电路对所述加热元件加热,以及另外部分子电路对检测元件进行检测,两者互不影响。例如,若第一个子电路基于第一电源对第一子电路的加热元件进行加热的同时,第二个子电路基于第二电源对第二子电路的检测元件进行检测,则此时,第一个子电路的加热元件并不会受第一个子电路的第二电源的影响,也不会受到第二个子电路的第二电源的影响;且,第二个子电路的检测元件并不会受到第一电源的影响。如此,该第一个子电路的加热加热元件和第二电路检测检测元件可以同时进行,且,相互之间并不会受影响。
且,若所述子电路为多个,多个子电路共用一个逆变电路,可以提高子电路的利用率。且,若在本发明实施例中,所述多个子电路均与一个第二电源连接,或者其中部分子电路与一个第二电源连接,还可以实现多个子电路或多个子电路中的部分子电路共用一个第二电源,提高所述第二电源的利用率。
如图3所述,在一些实施例中,所述子电路12,还包括:第三开关元件125;
所述第三开关元件125连接在所述第一节点和所述检测元件之间;
若所述第一开关元件121导通、所述第二开关元件122导通、及所述第三开关元件125断开,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件123连接成所述第一导通回路;
若所述第一开关元件121断开、所述第二开关元件断开、及所述第三开关元件导通,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成所述第二导通回路。
在本发明实施例中,所述第一开关元件、所述第三开关元件均为单刀单掷开关,或者单刀单掷继电器等。
在本发明实施例中,若开关元件(例如第一开关元件、第二开关元件或第三开关元件)为单刀单掷开关,能够使得整个加热电路的硬件成本降低,以及能够减轻整个加热电路的重量。若开关元件为单刀单掷继电器,则能够降低因人力去开启或关闭开关元件所带来的危险。
在本发明实施例中,可通过第一开关元件和第二开关元件导通、第三开关元件断开,实现所述第一导通回路的导通。且利用第一电源对所述加热元件进行加热时,不受所述第二电源的影响,降低了所述加热元件电流过大情况出现的概率。
且,在本发明实施例中,可通过第一开关元件和第二开关元件断开、第三开关元件导通,实现所述第二导通回路的导通、且可利用第二电源对所述加热元件的阻抗进行检测时,不受到第一电源的影响,提高检测所述加热元件的阻抗的准确性。
如此,可以实现第一导通回路和第二导通回路隔离。
且,若本发明实施例中的加热电路包括多个子电路,则多个子电路同时工作时,各个子电路的第一导通回路和第二导通回路也都不受相互影响,从而提高各个子电路检测所述加热元件存在阻抗的准确性以及加热所述加热元件电路的稳定性。
如图4所示,在一些实施例中,所述第一开关元件121包括:
第一端,与所述加热元件123连接;
第二端,与所述逆变电路11连接;
第三端,与所述检测元件124连接;
若所述第一端与所述第二端连接且所述第二开关元件122导通,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件123连接成形成所述第一导通回路;
若所述第一端与所述第三端连接且所述第二开关元件122断开,所述第二电源14、所述检测元件124与所述加热元件123连接成所述形成所述第二导通回路。
在本发明实施例中,可基于所述第一开关元件的第一端与第二端连接、且所述第二开关元件导通,实现第一导通回路的导通;基于所述第一开关元件的第一端与第三端连接、且所述第二开关元件的导通,实现第二导通回路的导通。如此,本发明实施例中一个子电路中可仅包括一个第一开元件和一个第二开关元件,无需再增加一个第三开关元件来实现第一导通回路和第二导通回路的彻底断开,从而能够在一定程度上减少所述加热电路元器件的个数,降低所述加热电路的硬件成本。
可以理解的是,在实际应用中,若所述第一端与所述第三端连接、且所述第二开关元件导通,则所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件虽然也能连成所述第二导通回路。但此时,利用第二电源检测所述加热元件上是否存在一定阻抗的烹饪设备时,仍会在一定程度上受到所述第一电源的影响,导致检测所述加热元件的阻抗并不是很准确。
而在本发明实施例中,可通过将所述第一端与所述第三端连接且所述第二开关元件断开,实现所述第二导通回路的导通。且利用第二电源对所述加热元件的阻抗进行检测时,不受到第一电源的影响,提高检测所述加热元件的阻抗的准确性。
且,在本发明实施例中,可通过所述第一端与所述第二端连接且所述第二开关元件导通,实现所述第一导通回路的导通。且利用第一电源对所述加热元件进行加热时,不受所述第二电源的影响,降低了所述加热元件电流过大情况出现的概率。
如此,可以实现第一导通回路或第二导通回路隔离。
且,若本发明实施例中的加热电路包括多个子电路,则多个子电路同时工作时,各个子电路的第一导通回路和第二导通回路也都不受相互影响,从而提高各个子电路检测所述加热元件存在阻抗的准确性以及加热所述加热元件电路的稳定性。
在一些实施例中,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
这里,所述第一电源用于获取大于或等于110V的电源,所述第二电源用于获取小于或等于36V的电源。
在一实施例中,所述第一电源用于获取220V的直流电压;所述第二电源用于获取3.5V的直流电压。
可以理解的是,若所述第一电源获取的电压大于110V,则所述第一电源获取的电压为强电电压;若所述第二电源获取的电压小于36V,则所述第二电源获取的电压为弱电电压;若在第一电源和第二电源的供电情况下,若第一导通回路与所述第二导通回路均导通,则所述第一导通回路的噪音会串扰到第二导通回路,从而使得检测到加热元件上存在阻抗不准确。且,在第二导通回路对加热元件的阻抗进行检测时,第二导通回路实际上的电压可能为大于110V的强电电压,如此,也给会给加热电路附近的人带来了一定危险。
而本发明实施例,由于通过第一开关元件和第二开关元件的导通与否,使得第一导通回路导通时、第二导通回路断开,或者使得第二导通回路导通时、第一导通回路断开;从而实现强电和弱电的隔离,以及降低了由于弱电电路的绝缘性能低而带来的危险。
如图5所示,在一些实施例中,所述子电路12还包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源14连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述第一开关元件121连接;
所述第二MOS管的源极分别与所述接地点DGND及所述检测元件124连接。
这里,在图5所示中,所述接地点DGND与所述接地点PGND均为接地点,两者的电压通常为0。
这里,图5中示出的加热电路包括2个子电路。
这里,所述MOS管为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)管。
这里,所述若所述第一MOS管为N沟道型MOS管,则所述第二MOS管为N沟道型MOS管;若所述第一MOS管为P沟道型MOS管,则所述第二MOS管为P沟道型MOS管。
在一实施例中,所述第一MOS管和所述第二MOS管也可以由两个三极管替换。
这里,所述第一开关元件为包括第一端、第二端以及第三端的开关元件;其中,所述第一MOS管的源极与所述第一开关元件连接为:所述第一MOS管的源极与所述第一开关元件的所述第三端连接。
在另一实施例中,若所述子电路还包括第三开关元件125,例如,如图6所示,则所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极与所述第三开关元件连接。
在本发明实施例中,若所述第二导通回路导通时,所述第二电源通过所述第一MOS管和所述第二MOS管给所述加热元件提供低压高频电信号。如此,可通过流经所述检测元件上的检测电流或检测电压来确定出所述加热元件上是否存在具有一定阻抗的烹饪设备。进一步地,若预设所述加热元件上不存在一定阻抗的烹饪设备时的检测电流为第一检测电流值,检测到的检测电流为第二检测电流值,还可以根据第一检测电流值和第二检测电流值等,计算出所述烹饪设备的阻抗值。或者,若预设所述加热元件上不存在一定阻抗的烹饪设备时检测电压为第一检测电压值,检测到检测电压为第二检测电压值,还可以根据第一检测电压值和第二检测电压值,计算出所述烹饪设备的阻抗值。
在本发明实施例中,还可以通过在第一MOS管与第二MOS管设置一个第四开关元件,所述第四开关元件可以用于断开所述第一MOS管与所述第二MOS管的连接。
这里,所述第四开关元件可以为单刀单掷开关,基于用户的操作开启或断开。或者,所述第四开关元件为一个受控开关,所述受控开关与控制电路连接,所述控制电路控制所述受控开关的开启或断开。
这里,所述第四开关元件可以替代所述第三开关元件。如此,当所述第一开关元件和所述第二开关元件导通、且所述第四开关元件断开时,所述第一导通回路导通;当所述第一开关元件和所述第二开关元件断开、且所述第四开关元件导通时,所述第二导通回路导通。
请再次参见图5,在一些实施例中,所述子电路12还包括:第一电容C1;
所述第一电容C1连接在所述第二节点与所述检测元件124之间;其中,所述第一电容C1用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
这里,所述第一电容C1为所述加热元件匹配电容。这里,可以通过调节所述第一电容C1的容抗、加热元件的阻抗和检测元件的阻抗来调节所述第二导通回路的中加热元件的检测电流的振荡频率(即交变频率)。
在本发明实施例中,可以通过调节所述第一电容C1的容抗、加热元件的阻抗和检测元件的阻抗,来调节所述第二导通回路中检测电流的交变频率,从而能够提高检测到所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。
且,若所述述第一电容C1的容抗与所述加热元件的阻抗的值相同;则所述第一电容C1与所述加热元件在所述第二导通回路中阻抗等效于0(相当于C1与L1构成了串联振荡)。如此,所述第二电源只需要给所述检测电阻,以及加热元件上存在一定阻抗的烹饪设备的阻抗(若存在烹饪设备)功能,也能进一步提高检测所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。
请再次参见图5,在一些实施例中,所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地;
所述第一开关元件121与所述第一IGBT的发射极连接,所述第二开关元件与所述第一IGBT的集电极连接。
这里,所述逆变电路11可以用于将所述直流电压逆变为交流电压。例如,将所述110V的直流电压逆变为110V的正弦波电压或者方波电压。
所述逆变电路11还可以用于正半波的交流电压转变为完整波形的交流电压(完整波形的交流电压为具有正半波和负半波的电压)。例如,将220V的正半波的方波电压转变为220V的正半波、负半波的方波电压。
在本发明实施例中,可以通过所述第一IGBT和所述第二IGBT的导通与关断的频率,调节所述第一电源输出的电信号频率。可以通过所述第一IGBT和所述第二IGBT组成的逆变电路,将第一电源的直流信号转变为交流信号,或者进一步地,转换为高于预设值的高频电信号。
且,由于所述逆变电路采用的IGBT,因而其兼有MOS管高输入阻抗和功率晶体管的低导通压降两方面的优点。从而,本发明实施例可以提高给所述加热元件供电的稳定性和安全工作电压区域,进而提高给所述加热元件供电的安全性。
需要说明的是,所述高频与后续实施例中提到的低频是相对而言的,在同一参考标准下,所述高频的频率大于所述低频的频率。
可以理解的是,所述逆变电路可以由两MOS管组成,或者,所述逆变电路可以由两个三极管组成。
例如,在一些实施例中,所述逆变电路还可以包括:第三MOS管和第四MOS管;
所述第三MOS管的漏极与所述第一电源13连接,所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接;所述第四MOS管的源极接地;
所述第一开关元件与所述第三MOS管的源极连接,所述第二开关元件与所述第三MOS管的漏极连接。
如此,在本发明实施例中,可以通过所述第三MOS管和所述第四MOS管的交替导通,为所述加热元件提供高频电信号。
请再次参见图5,在一些实施例中,所述加热电路还包括:第二电容C2和第三电容C3;其中,
所述第二电容C2连接在所述第一电源13与所述第二开关元件122之间;
所述第三电容C3连接在所述第二电容C2与所述接地点PGND之间;
其中,所述第二电容C2和所述第三电容C3共同用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率。
这里,所述第二电容C2与所述第三电容C3为所述加热元件的匹配电容。这里,可以通过调节所述第二电容C2和所述第三电容C3的容抗、加热元件的阻抗来调节所述第一导通回路中加热元件的加热电流的振荡频率(交变频率)。
在本发明实施例中,可以通过调节所述第二电容C2和所述第三电容C2的容抗、加热元件的阻抗,来调节所述第一导通回路中加热电流的交变频率。若调节到所述第二电容和所述第三电容的容抗、与所述加热元件的阻抗等效,则所述第二电容和第三电容的电场能,能与所述加热元件的磁场能相互转化,还能够节省第一电源给所述第一导通回路功能的能耗。
示例1
如图7所示,本发明实施例还提供一种加热电路;所述加热电路包括:逆变电路11、子电路12、第一电源13、第二电容C2及第三电容C3;
其中,所述子电路12包括:检测子电路、线圈L、第一开关元件K1、第二开元件K2及第三开关元件K3;
所述逆变电路包括:第一IGBT和第二IGBT;其中,所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地PGND;
所述第一开关元件K1连接在所述线圈L与所述第一IGBT的发射极之间;所述第二开关元件K2与所述线圈L连接;所述第三开关元件K3与所述检测子电路连接,与所述线圈L并联;
所述第二电容C2连接在所述第一电源13与所述第二开关元件K2之间;所述第三电容C3连接在所述第二电容C2与所述接地点PGND之间;
若所述第一开关元件K1导通、所述第二开关元件K2导通、及所述第三开关元件K3断开,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述线圈L连接成所述第一导通回路,所述第一电源13通过所述第一导通回路给所述线圈L供电,所述线圈L基于所述第一电源13的供电发热;
若所述第一开关元件K1断开、所述第二开关元件K2断开、及所述第三开关元件K3导通,所述检测子电路与所述线圈L连接成所述第二导通回路,所述检测子电路通过所述第二导通回路向所述线圈L供电。
这里,所述检测子电路用于检测所述线圈L的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述线圈L的供电。
这里,所述检测子电路可以包括上述实施例中的第二电源、第一电容及检测元件。其中,所述第二电源用于给所述第二导通回路供电;所述检测元件基于所述第二电源供电,检测所述线圈L的阻抗;所述第一电容用于控制第二导通回路中所述线圈L的检测电流的交变频率。
当然,所述检测子电路也可以包括上述实施例中第一MOS管和第二MOS管;所述第一MOS管和所述第二MOS管用于输出高频低压脉冲信号。
在本发明实施例中,可以通过第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件的导通与否,实现第一电源、逆变电路与线圈连接成的第一导通回路的导通,或者检测子电路及线圈连接成的第二导通回路的导通;如此,所述第一导通回路和所述第二导通回路没有电气连接点,所述第一导通回路和所述第二导通回路相互隔离、互不影响。
如此,在第二电源通过所述第二导通回路对所述线圈进行检测时,不受第一电源的影响,提高了检测所述线圈上是否存在阻抗的准确性;且,在第一电源通过所述第一导通回路对所述线圈进行加热时,也不会受到检测子电路中电源的影响,大大降低了所述检测子电路中电源对所述线圈进行加热而导致所述线圈中电流过大的影响。
示例2
请再次参见图5,本发明实施例提供了一种加热电路,所述加热电路,包括:
逆变电路11、2个子电路12、第一电源13、第二电源14、第二电容C2及第三电容C3,其中,所述子电路11包括:第一开关元件121、第二开关元件122、加热元件123、检测元件124、第一电容C1、第一MOS管及第二MOS管;
所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;其中,所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地PGND;
所述第一开关元件121包括:第一端、第二端及第三端;其中,所述第一端与所述加热元件123连接;所述第二端与所述第一IGBT的发射极连接;所述第三端与第一MOS管源极连接;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源14连接,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接;所述第二MOS管的源极分别与所述接地点DGND及所述检测元件124连接;
所述第一电容C1连接在所述加热元件123与所述检测元件124之间;
所述第二电容C2连接在所述第一电源13与所述第二开关元件122之间;所述第三电容C3连接在所述第二电容C2与所述接地点PGND之间;
若所述第一端与所述第二端连接且所述第二开关元件122导通,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件123连接成所述第一导通回路,所述第一电源13通过所述第一导通回路给所述加热元件123供电,所述加热元件123基于所述第一电源13的供电发热;
若所述第一端与所述第三端连接且所述第二开关元件122断开,所述第二电源14、所述检测元件124与所述加热元件123连接成所述第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件13及所述检测元件14供电。
这里,所述检测元件124基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件123的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件123的供电。
在本发明实施例中,可以通过第一开关元件的第一端与第二端或第一端与第二端的连接与否、以及第二开关元件的导通与否,实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通,或者第二电源、检测元件与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通;如此,所述第一导通回路和所述第二导通回路没有电气连接点,所述第一导通回路和所述第二导通回路相互隔离、互不影响。
如此,在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时,不受第一电源的影响,提高了检测所述加热元件是否存在阻抗的准确性;且,在第一电源通过所述第一导通回路对所述加热元件进行加热时,也不会受到第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件中电流过大的影响。
且,由于本发明实施例中,一个子电路中只可基于一个包括三端的第一开关元件,基于第一开关元件的第一端与第二端、第一端与第二端的连接与否,实现第一导通回路或第二导通回路的导通,还能够减少所述加热电路的元器件个数,从而能够大大降低所述加热电路的硬件成本。
示例3
请再次参见图6,本发明实施例提供了一种加热电路,所述加热电路,包括:
逆变电路11、2个子电路12、第一电源13、第二电源14、第二电容C2及第三电容C3,其中,所述子电路11包括:第一开关元件121、第二开关元件122、第三开关元件125、加热元件123、检测元件124、第一电容C1、第一MOS管及第二MOS管;
所述逆变电路11包括:第一IGBT和第二IGBT;其中,所述第一IGBT的集电极与所述第一电源13连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地PGND;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源14连接,所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极连接;所述第二MOS管的源极分别与所述接地点DGND及所述检测元件124连接;
所述第一开关元件121连接在所述加热元件123与所述第一IGBT的发射极之间;所述第二开关元件122与所述加热元件123连接;所述第三开关元件125连接在所述加热元件123与所述第一MOS管的源极之间;
所述第一电容C1连接在所述加热元件123与所述检测元件124之间;
所述第二电容C2连接在所述第一电源13与所述第二开关元件122之间;所述第三电容C3连接在所述第二电容C2与所述接地点PGND之间;
若所述第一开关元件121导通、所述第二开关元件122导通、及所述第三开关元件125断开,所述第一电源13、所述逆变电路11与所述加热元件123连接成所述第一导通回路,所述第一电源13通过所述第一导通回路给所述加热元件123供电,所述加热元件123基于所述第一电源13的供电发热;
若所述第一开关元件121断开、所述第二开关元件122断开、及所述第三开关元件123导通,所述第二电源14、所述检测元件124与所述加热元件123连接成所述第二导通回路,所述第二电源14通过所述第二导通回路向所述加热元件13及所述检测元件14供电。
这里,所述检测元件124基于所述第二电源14的供电,检测所述加热元件123的阻抗;其中,检测到的阻抗,用于控制所述第一电源13向所述加热元件123的供电。
在本发明实施例中,可以通过第一开关元件、第二开关元件及第三开关元件的导通与否,实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通,或者第二电源、检测元件与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通;如此,所述第一导通回路和所述第二导通回路没有电气连接点,所述第一导通回路和所述第二导通回路相互隔离、互不影响。
如此,在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时,不受第一电源的影响,提高了检测所述加热元件是否存在阻抗的准确性;且,在第一电源通过所述第一导通回路对所述加热元件进行加热时,也不会受到第二电源的影响,大大降低了由于第二电源对所述加热元件进行加热而导致所述加热元件中电流过大的影响。
本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的产品实施例。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种加热电路,其特征在于,所述加热电路包括:逆变电路、至少一个子电路、第一电源及第二电源,其中,所述子电路包括:第一开关元件、第二开关元件、加热元件及检测元件;
所述加热元件和所述检测元件,并联在第一节点和第二节点之间;所述第一节点与所述第一电源连接,其中,所述第一开关元件位于所述第一节点和所述第一电源的连接上;所述第二节点与接地点连接,其中,所述第二开关元件位于所述第二节点和所述接地点之间;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件导通,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成第一导通回路,所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电,所述加热元件基于所述第一电源的供电发热;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件断开,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成第二导通回路,所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测元件供电。
2.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,其中,所述子电路为N个,N个子电路并联连接;
其中,所述N为大于1的整数。
3.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述子电路,还包括:第三开关元件;
所述第三开关元件连接在所述第一节点和所述检测元件之间;
若所述第一开关元件导通、所述第二开关元件导通、及所述第三开关元件断开,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成所述第一导通回路;
若所述第一开关元件断开、所述第二开关元件断开、及所述第三开关元件导通,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成所述第二导通回路。
4.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述第一开关元件包括:
第一端,与所述加热元件连接;
第二端,与所述逆变电路连接;
第三端,与所述检测元件连接;
若所述第一端与所述第二端连接且所述第二开关元件导通,所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件连接成所述第一导通回路;
若所述第一端与所述第三端连接且所述第二开关元件断开,所述第二电源、所述检测元件与所述加热元件连接成所述第二导通回路。
5.根据权利要求1至4任一项所述的加热电路,其特征在于,所述第一电源为用于提供第一电压的电源,所述第二电源为用于提供第二电压的电源;其中,所述第一电压大于所述第二电压;
或者,
所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电时,流经所述第加热元件的电流为第一电流;
所述第二电源通过所述第二导通回路给所述加热元件供电时,流经所述加热元件的电流为第二电流;
其中,所述第一电流大于所述第二电流。
6.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述子电路还包括:第一MOS管、第二MOS管;
所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第二MOS管的漏极及所述第一开关元件连接;
所述第二MOS管的源极分别与所述接地点及所述检测元件连接。
7.根据权利要求1或6所述的加热电路,其特征在于,所述子电路还包括:第一电容;
所述第一电容连接在所述第二节点与所述检测元件之间;其中,所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。
8.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述逆变电路包括:第一IGBT和第二IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接,所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接;所述第二IGBT的发射极接地;
所述第一开关元件与所述第一IGBT的发射极连接,所述第二开关元件与所述第一IGBT的集电极连接。
9.根据权利要求1所述的加热电路,其特征在于,所述加热电路还包括:第二电容和第三电容;其中,
所述第二电容连接在所述第一电源与所述第二开关元件之间;
所述第三电容连接在所述第二电容与所述接地点之间;
其中,所述第二电容和所述第三电容共同用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率。
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