JP7424683B2 - 加熱回路 - Google Patents
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Description
本願は、2019年12月31日に提出された出願番号が201911416405.2である中国特許出願、2019年12月31日に提出された出願番号が201911417576.7である中国特許出願、及び2019年12月31日に提出された出願番号が201911417898.1である中国特許出願に基づいて提出され、そしてこれらの中国特許出願に基づいく優先権を主張し、これらの中国特許の全ての内容が参照として本願に組み込まれる。
前記スイッチモジュールはそれぞれ前記加熱素子及び前記検出素子に接続され、
前記スイッチモジュールが第1スイッチ状態にある場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュールが第2スイッチ状態にある場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第2オン回路になるように接続され、前記第2電源は前記第2オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
前記加熱素子及び前記検出素子は、第1ノードと第2ノードとの間に並列接続され、前記第1ノードは前記第1電源に接続され、ここで、前記第1スイッチ素子は前記第1ノードと前記第1電源との接続に位置し、前記第2ノードは接地点に接続され、ここで、前記第2スイッチ素子は前記第2ノードと前記接地点との間に位置し、
前記第1スイッチ素子がオンにされ、前記第2スイッチ素子がオンにされる場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ素子がオフにされ、前記第2スイッチ素子がオフにされる場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第2オン回路になるように接続され、前記第2電源は前記第2オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する。
前記第1スイッチ部品の第1端は前記加熱素子の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品の第2端は前記インバータ回路の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品の第3端は前記検出回路の第1端に接続され、
前記第2スイッチ部品の第1端は前記加熱素子の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第2端は前記インバータ回路の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第3端は前記検出回路の第2端に接続され、
前記第1スイッチ部品の第1端が前記第1スイッチ部品の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第1端が前記第2スイッチ部品の第2端に接続される場合、前記第1電源、前記加熱素子及び前記インバータ回路は第1回路を形成し、前記第1電源は前記第1回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ部品の第1端が前記第1スイッチ部品の第3端に接続され、前記第2スイッチ部品の第1端が前記第2スイッチ部品の第3端に接続される場合、前記第2電源、前記検出回路及び前記加熱素子は第2回路を形成し、前記第2電源は前記第2回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する。
前記スイッチモジュール121はそれぞれ前記加熱素子122及び前記検出素子123に接続され、
前記スイッチモジュール121が第1スイッチ状態にある場合、前記第1電源13、前記インバータ回路11及び前記加熱素子122は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール121が第2スイッチ状態にある場合、前記第2電源14、前記検出素子123及び前記加熱素子122は第2オン回路になるように接続され、前記第2電源14は前記第2オン回路を介して前記加熱素子122及び前記検出素子123に給電する。
前記第1スイッチ素子1210は前記加熱素子122に接続され、
前記第2スイッチ素子1211は前記検出素子123に接続され、
前記第1スイッチ素子1210がオンにされ、前記第2スイッチ素子1211がオフにされる場合、前記スイッチモジュール121は前記第1スイッチ状態にあり、
前記第1スイッチ素子1210がオフにされ、前記第2スイッチ素子1211がオンにされる場合、前記スイッチモジュール121が前記第2スイッチ状態にある。
前記加熱素子122に接続される第1端と、
前記インバータ回路11に接続される第2端と、
前記検出素子123に接続される第3端と、を含み、
前記第1端が前記第2端に接続される場合、前記スイッチモジュール121は前記第1スイッチ状態にあり、
前記第1端が前記第3端に接続され場合、前記スイッチモジュール121は前記第2スイッチ状態にある。
前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源に接続され、前記第1IGBTのエミッタはそれぞれ前記スイッチモジュール121及び前記第2IGBTのコレクタに接続され、
前記第2IGBTのエミッタは接地される。
又は、
前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第1電流であり、
前記第2電源は前記第2オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第2電流であり、
ここで、前記第1電流は前記第2電流より大きいものである。
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記第2MOSトランジスタのドレイン及び前記検出素子123に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは前記接地点に接続される。
前記第1コンデンサC1は前記スイッチモジュール121と前記検出素子123との間に位置するように接続され、ここで、前記第1コンデンサC1は、前記加熱素子122の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第1抵抗R1は前記第3MOSトランジスタのドレインと前記第2電源14との間に接続され、
前記第2抵抗R2は前記第4MOSトランジスタのソースと前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記第3MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記第4MOSトランジスタのドレイン及び前記スイッチモジュール121に接続され、
ここで、第2抵抗R2は前記第2電源14の給電に基づいて、前記加熱素子122のインピーダンスを検出する。
前記第2コンデンサC2は前記加熱元122件と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記スイッチモジュール121が前記第1スイッチ状態にある場合、前記第2コンデンサC2は前記加熱素子122の加熱電流の交番周波数を制御するように構成され、
前記スイッチモジュール121が前記第2スイッチ状態にある場合、前記第2コンデンサC2は前記加熱素子122の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
再び図5を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路11、2つのサブ回路12、第1電源13、第2電源14及び第2コンデンサC2を含み、
ここで、前記サブ回路12は、スイッチモジュール121、加熱素子122、検出素子123、第1コンデンサC1、第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタを含み、
前記インバータ回路11は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源13に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地点PGNDに接続され、
前記スイッチモジュール121は、第1端、第2端及び第3端を含み、ここで、前記第1端は前記加熱素子122に接続され、前記第2端は前記第1IGBのエミッタに接続され、前記第3端は前記第1コンデンサC1に接続され、
前記第1コンデンサC1は前記検出素子123に接続され、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源14に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記第2MOSトランジスタのドレイン及び前記検出素子123に接続され、前記第2MOSトランジスタのソースは前記接地点PGNDに接続され、
前記第2コンデンサC2は、前記加熱素子122と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記スイッチモジュール121の前記第1端が前記第2端に接続される場合、前記スイッチモジュール121は第1スイッチ状態にあり、前記第1電源13、前記インバータ回路11及び前記加熱素子122は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源13は前記第1オン回路を介して前記加熱素子122に給電し、前記加熱素子122は前記第1電源13の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュール121の前記第1端が前記第3端に接続される場合、前記スイッチモジュール121は第2スイッチ状態にあり、前記第2電源14、前記検出素子123及び前記加熱素子122は第2オン回路になるように接続され、前記第2電源14は前記第2オン回路を介して前記加熱素子122及び前記検出素子123に給電する。
再び図6を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路11、2つのサブ回路12、第1電源13、第2電源14及び第2コンデンサC2を含み、
ここで、前記サブ回路12は、スイッチモジュール121、加熱素子122、第1抵抗R1、第2抵抗R2、第1コンデンサC1、第3MOSトランジスタ及び第4MOSトランジスタを含み、
前記インバータ回路11は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源13に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地点PGNDに接続され、
前記スイッチモジュール121は、第1スイッチ素子1210及び第2スイッチ素子1211を含み、ここで、前記第1スイッチ素子1210は、前記加熱素子122と前記第1IGBTのエミッタとの間に接続され、前記第2スイッチ素子1211は、前記加熱素子122と前記第1コンデンサC1との間に接続され、
前記第1コンデンサC1はさらに、第3MOSトランジスタのソースに接続され、
前記第1抵抗R1は、前記第3MOSトランジスタのドレインと前記第2電源14との間に接続され、前記第2抵抗R2は、前記第4MOSトランジスタのソースと前記接地点PGNDとの間に接続され、前記第3MOSトランジスタのソースはさらに、前記第4MOSトランジスタのドレインに接続され、ここで、前記第2抵抗は前記第2電源14の給電に基づいて前記加熱素子のインピーダンスを検出し、
前記第2コンデンサC2は、前記加熱素子122と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記第1スイッチ素子1210がオンにされ、前記第2スイッチ素子1211がオフにされる場合、前記スイッチモジュール121は前記第1スイッチ状態にあり、前記第1電源13、前記インバータ回路11及び前記加熱素子122は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源13は前記第1オン回路を介して前記加熱素子122に給電し、前記加熱素子122は前記第1電源13の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ素子1210がオフにされ、前記第2スイッチ素子1211がオンにされる場合、前記スイッチモジュール121は前記第2スイッチ状態にあり、前記第2電源14、前記第1抵抗R1、前記第2抵抗R2及び前記加熱素子122は第2オン回路になるように接続され、前記第2電源14は前記第2オン回路を介して前記加熱素子122、第1抵抗R1及び前記第2抵抗R2に給電する。
前記加熱素子223及び前記検出素子224は、第1ノードと第2ノードとの間に並列接続され、前記第1ノードは前記第1電源23に接続され、ここで、前記第1スイッチ素子221は前記第1ノードと前記第1電源23との接続に位置し、前記第2ノードは接地点に接続され、ここで、前記第2スイッチ素子222は前記第2ノードと前記接地点と間に位置し、
前記第1スイッチ素子221がオンにされ、前記第2スイッチ素子222がオンにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記加熱素子223は第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第3スイッチ素子225は、前記第1ノードと前記検出素子との間に接続され、
前記第1スイッチ素子221がオンにされ、前記第2スイッチ素子222がオンにされ、前記第3スイッチ素子225がオフにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記加熱素子223は前記第1オン回路になるように接続され、
前記第1スイッチ素子221がオフにされ、前記第2スイッチ素子がオフにされ、前記第3スイッチ素子がオンにされる場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は第2オン回路になるように接続される。
前記加熱素子223に接続される第1端と、
前記インバータ回路21に接続される第2端と、
前記検出素子224に接続される第3端と、を含み、
前記第1端が前記第2端に接続され、前記第2スイッチ素子222がオンにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記加熱素子223は前記第1オン回路を形成するように接続され、
前記第1端が前記第3端に接続され、前記第2スイッチ素子222がオフにされる場合、前記第2電源24、前記検出素子224及び前記加熱素子223は前記第2オン回路を形成するように接続される。
又は、
前記第1電源は前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第1電流であり、
前記第2電源は前記第2オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第2電流であり、
ここで、前記第1電流は前記第2電流より大きいものである。
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源24に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記第2MOSトランジスタのドレイン及び前記第1スイッチ素子221に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点DGND及び前記検出素子224に接続される。
前記第1コンデンサC1は、前記第2ノードと前記検出素子224との間に接続され、ここで、前記第1コンデンサC1は前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成される。
前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源23に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地され、
前記第1スイッチ素子221は前記第1IGBTのエミッタに接続され、前記第2スイッチ素子は前記第1IGBTのコレクタに接続される。
ここで、前記インバータ回路21は、前記直流電圧を交流電圧にインバータするように構成されることができる。例えば、前記110Vの直流電圧を110Vの正弦波電圧又は方形波電圧にインバータする。
前記第2コンデンサC2は、前記第1電源23と前記第2スイッチ素子222との間に接続され、
前記第3コンデンサC3は、前記第2コンデンサC2と前記接地点PGNDとの間に接続され、
ここで、前記第2コンデンサC2及び前記第3コンデンサC3は共通に前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
図13に示すように、本願の実施例はさらに加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路21、サブ回路22、第1電源23、第2コンデンサC2及び第3コンデンサC3を含み、
ここで、前記サブ回路22は、検出サブ回路、コイルL、第1スイッチ素子K1、第2開素子K2及び第3スイッチ素子K3を含み、
前記インバータ回路は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、ここで、前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源23に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地点PGNDに接続され、
前記第1スイッチ素子K1は前記コイルLと前記第1IGBTのエミッタとの間に接続され、前記第2スイッチ素子K2は前記コイルLに接続され、前記第3スイッチ素子K3は、前記検出サブ回路に接続され、前記コイルLに並列接続され、
前記第2コンデンサC2は、前記第1電源23と前記第2スイッチ素子K2との間に接続され、前記第3コンデンサC3は、前記第2コンデンサC2と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記第1スイッチ素子K1がオンにされ、前記第2スイッチ素子K2がオンにされ、そして前記第3スイッチ素子K3がオフにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記コイルLは前記第1オン回路になるように接続され、前記第1電源23は前記第1オン回路を介して前記コイルLに給電し、前記コイルLは前記第1電源23の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ素子K1がオフにされ、前記第2スイッチ素子K2がオフにされ、そして前記第3スイッチ素子K3がオンにされる場合、前記検出サブ回路と前記コイルLは第2オン回路になるように接続され、前記検出サブ回路は前記第2オン回路を介して前記コイルLに給電する。
再び図11を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路21、2つのサブ回路22、第1電源23、第2電源24、第2コンデンサC2及び第3コンデンサC3を含み、ここで、前記サブ回路21は、第1スイッチ素子221、第2スイッチ素子222、加熱素子223、検出素子224、第1コンデンサC1、第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタを含み、
前記インバータ回路21は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、ここで、前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源23に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地点PGNDに接続され、
前記第1スイッチ素子221は、第1端、第2端及び第3端を含み、ここで、前記第1端は前記加熱素子223に接続され、前記第2端は前記第1IGBTのエミッタに接続され、前記第3端は第1MOSトランジスタソースに接続され、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源24に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第2MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第2MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点DGND及び前記検出素子224に接続され、
前記第1コンデンサC1は前記加熱素子223と前記検出素子224との間に接続され、
前記第2コンデンサC2は前記第1電源23と前記第2スイッチ素子222との間に接続され、前記第3コンデンサC3は前記第2コンデンサC2と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記第1端が前記第2端に接続され、前記第2スイッチ素子222がオンにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記加熱素子223は、前記第1オン回路になるように接続され、前記第1電源23は、前記第1オン回路を介して前記加熱素子223に給電し、前記加熱素子223は前記第1電源23の給電に基づいて発熱し、
前記第1端が前記第3端に接続され、前記第2スイッチ素子222がオフにされる場合、前記第2電源24、前記検出素子224及び前記加熱素子223は、前記第2オン回路になるように接続され、前記第2電源24は、前記第2オン回路を介して前記加熱素子23及び前記検出素子24に給電する。
再び図12を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路21、2つのサブ回路22、第1電源23、第2電源24、第2コンデンサC2及び第3コンデンサC3を含み、ここで、前記サブ回路21は、第1スイッチ素子221、第2スイッチ素子222、第3スイッチ素子225、加熱素子223、検出素子224、第1コンデンサC1、第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタを含み、
前記インバータ回路21は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、ここで、前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源23に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地点PGNDに接続され、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源24に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第2MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第2MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記接地点DGND及び前記検出素子224に接続され、
前記第1スイッチ素子221は、前記加熱素子223と前記第1IGBTのエミッタとの間に接続され、前記第2スイッチ素子222は前記加熱素子223に接続され、前記第3スイッチ素子225は、前記加熱素子223と前記第1MOSトランジスタのソースとの間に接続され、
前記第1コンデンサC1は、前記加熱素子223と前記検出素子224との間に接続され、
前記第2コンデンサC2は、前記第1電源23と前記第2スイッチ素子222との間に接続され、前記第3コンデンサC3は、前記第2コンデンサC2と前記接地点PGNDとの間に接続され、
前記第1スイッチ素子221がオンにされ、前記第2スイッチ素子222がオンにされ、そして前記第3スイッチ素子225がオフにされる場合、前記第1電源23、前記インバータ回路21及び前記加熱素子223は、前記第1オン回路になるように接続され、前記第1電源23は前記第1オン回路を介して前記加熱素子223に給電し、前記加熱素子223は前記第1電源23の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ素子221がオフにされ、前記第2スイッチ素子222がオフにされ、そして前記第3スイッチ素子223がオンにされる場合、前記第2電源24、前記検出素子224及び前記加熱素子223は、前記第2オン回路になるように接続され、前記第2電源24は前記第2オン回路を介して前記加熱素子23及び前記検出素子24に給電する。
前記第1スイッチ部品32の第1端は前記加熱素子33の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品32の第2端は前記インバータ回路31の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品32の第3端は前記検出回路35の第1端に接続され、
前記第2スイッチ部品34の第1端は前記加熱素子33の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品34の第2端は前記インバータ回路31の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品34の第3端は前記検出回路35の第2端に接続され、
前記第1スイッチ部品32の第1端が前記第1スイッチ部品32の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品34の第1端が前記第2スイッチ部品34の第2端に接続される場合、前記第1電源36、前記加熱素子33及び前記インバータ回路31は第1回路を形成し、前記第1電源36は前記第1回路を介して前記加熱素子33に給電し、前記加熱素子33は前記第1電源36の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ部品32の第1端が前記第1スイッチ部品32の第3端に接続され、前記第2スイッチ部品34の第1端が前記第2スイッチ部品34の第3端に接続される場合、前記第2電源37、前記検出回路35及び前記加熱素子33は第2回路を形成し、前記第2電源37は前記第2回路を介して前記加熱素子33及び前記検出回路35に給電する。
前記第2電源37が前記第2回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は第2電流であり、
ここで、前記第1電流は前記第2電流より大きいものである。
前記第1制御回路38は、前記第1スイッチ部品32に接続され、前記第1スイッチ部品32の第1端と前記第1スイッチ部品32の第2端とをオンにする第1制御信号を発信するように構成され、又は、前記第1スイッチ部品32の第1端と前記第1スイッチ部品32の第3端とをオンにする第2制御信号を発信するように構成され、
前記第2制御回路39は、前記第2スイッチ部品34に接続され、前記第2スイッチ部品34の第1端と前記第2スイッチ部品34の第2端とをオンにする第3制御信号を発信するように構成され、又は、前記第2スイッチ部品34の第1端と前記第2スイッチ部品34の第3端とをオンにする第4制御信号を発信するように構成される。
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源37に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースはそれぞれ第2MOSトランジスタのドレイン及び前記第1スイッチ部品32の第3端に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは接地され、前記第2MOSトランジスタのソースはさらに前記第1抵抗R1の第1端に接続され、
前記第1抵抗R1の第2端は前記第1スイッチ部品34の第3端に接続される。
前記検出回路は、第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタを含み、前記第2電源は第4電圧を提供するための電源であり、ここで、前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第2MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第2MOSトランジスタのソースは接地され、
ここで、前記第3電圧は前記第4電圧より大きいものである。
前記第1コンデンサC1の第1端は前記第2電源37に接続され、前記第1コンデンサC1の第2端はそれぞれ前記第2コンデンサC2の第1端及び前記第1スイッチ部品32の第3端に接続され、
前記第2コンデンサC2の第2端は接地点DGNDに接続され、前記第2コンデンサC2の第2端はさらに前記第2抵抗R2の第1端に接続され、
前記第2抵抗R2の第2端は前記第2スイッチ部品34の第3端に接続される。
前記第1IGBTのコレクタは前記第1電源36に接続され、前記第1IGBTのエミッタは前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは接地され、
前記第1スイッチ部品K1の第1端は前記第1IGBTのエミッタに接続され、前記第2スイッチ部品K2の第2端は前記第1IGBTのコレクタに接続される。
前記第3MOSトランジスタのドレインは前記第1電源36に接続され、前記第3MOSトランジスタのソースは前記第4MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第4MOSトランジスタのソースは接地点PGNDに接続され、
前記第1スイッチ部品K1の第1端は前記第3MOSトランジスタのソースに接続され、前記第2スイッチ部品K2の第2端は前記第3MOSトランジスタのドレインに接続される。
ここで、前記第5コンデンサC5の第1端は前記第2抵抗R2の第2端に接続され、前記第5コンデンサC5の第2端は前記第2スイッチ部品K2の第3端に接続される。
前記第3コンデンサC3は、前記第1電源36と前記第2スイッチ部品K2の第2端との間に接続され、
前記第4コンデンサC4の第1端は前記第2スイッチ部品K2の第2端に接続され、前記第4コンデンサC4の第2端は接地され、
ここで、前記第3コンデンサC3及び前記第4コンデンサC4は共通に前記加熱素子L1の加熱電流の交番周波数を制御するように構成される。
再び図18を参照し、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路31、第1スイッチ部品K1、加熱素子L1、第2スイッチ部品K2、検出回路35、第1電源36、第2電源37、第3コンデンサC3、第4コンデンサC4を含み、ここで、
前記インバータ回路31は、第1IGBT(IGBT1)及び第2IGBT(IGBT2)を含み、
前記検出回路は、第1コンデンサC1、第2コンデンサC2、第1抵抗R1、第1MOSトランジスタ(MOSFET1)、第2MOSトランジスタ(MOSFET2)を含み、
前記第1スイッチ部品K1の第1端は前記加熱素子L1の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品K1の第2端は前記第1IGBTエミッタに接続され、前記第1スイッチ部品K1の第3端は前記第1コンデンサC1の第2端に接続され、
前記第2スイッチ部品K2の第1端は前記加熱素子L1の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第2端は前記第1IGBTのコレクタに接続され、前記第2スイッチ部品K2の第3端は前記第1抵抗R1の第2端に接続され、
前記第1IGBTのコレクタはさらに前記第1電源36に接続され、前記第2IGBTのエミッタはさらに接地点PGNDに接続され、
前記第1コンデンサC1の第1端は前記第2電源37に接続され、前記第1コンデンサC1の第2端は前記第2コンデンサC2の第1端に接続され、前記第2コンデンサC2の第2端はそれぞれ前記第1抵抗R1及び接地点DGNDに接続され、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源37に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第2MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第2MOSトランジスタのドレインは第2スイッチ部品に接続され、前記第2MOSトランジスタのソースは前記第1抵抗R1の第2端に接続され、
前記第1スイッチ部品K1の第1端が前記第1スイッチ部品K1の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第1端が前記第2スイッチ部品K2の第2端に接続される場合、前記第1電源36、前記加熱素子L1及び前記インバータ回路11は第1回路を形成し、前記第1電源36は前記第1回路を介して前記加熱素子L1に給電し、前記加熱素子L1は前記第1電源36の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ部品K1の第1端が前記第1スイッチ部品K1の第3端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第1端が前記第2スイッチ部品K2の第3端に接続される場合、前記第2電源37、前記検出回路35及び前記加熱素子L1は第2回路を形成し、前記第2電源37は前記第2回路を介して前記加熱素子L1及び前記検出回路35に給電し、ここで、前記検出回路35は前記第2電源37の給電に基づいて前記加熱素子L1のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第1電源36から加熱素子L2への給電を制御するように構成される。
図19に示すように、本願の実施例は加熱回路を提供し、前記加熱回路は、インバータ回路31、第1スイッチ部品K1、加熱素子L1、第2スイッチ部品K2、検出回路35、第1電源36、第2電源37、第3コンデンサC3、及び第4コンデンサC4を含み、ここで、
前記インバータ回路31は、第1IGBT(IGBT1)及び第2IGBT(IGBT2)を含み、
前記検出回路は、第1MOSトランジスタ(MOSFET1)、第2MOSトランジスタ(MOSFET2)、第2抵抗R2及び第5コンデンサC5を含み、
前記第1スイッチ部品K1の第1端は前記加熱素子L1の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品K1の第2端は前記第1IGBTエミッタに接続され、前記第1スイッチ部品K1の第3端は前記第1MOSトランジスタのソースに接続され、
前記第2スイッチ部品K2の第1端は前記加熱素子L1の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第2端は前記第1IGBTのコレクタに接続され、前記第2スイッチ部品K2の第3端は前記第5コンデンサC5の第2端に接続され、
前記第1IGBTのコレクタはさらに前記第1電源36に接続され、前記第2IGBTのエミッタはさらに接地点PGNDに接続され、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源37に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第2MOSトランジスタのドレインに接続され、前記第2MOSトランジスタのソースはそれぞれ前記第2抵抗R2の第1端及び接地点DGNDに接続され、前記第2抵抗R2の第1端は前記第5コンデンサC5の第1端に接続され、
前記第1スイッチ部品K1の第1端が前記第1スイッチ部品K1の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第1端が前記第2スイッチ部品K2の第2端に接続される場合、前記第1電源36、前記加熱素子L1及び前記インバータ回路31は第1回路を形成し、前記第1電源36は前記第1回路を介して前記加熱素子L1に給電し、前記加熱素子L1は前記第1電源36の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ部品K1の第1端が前記第1スイッチ部品K1の第3端に接続され、前記第2スイッチ部品K2の第1端が前記第2スイッチ部品K2の第3端に接続される場合、前記第2電源37、前記検出回路35及び前記加熱素子L1は第2回路を形成し、前記第2電源37は前記第2回路を介して前記加熱素子L1及び前記検出回路35に給電し、ここで、前記検出回路35は前記第2電源17の給電に基づいて前記加熱素子L1のインピーダンスを検出し、検出したインピーダンスは前記第1電源36から加熱素子L2への給電を制御するように構成される。
前記第1スイッチ部品32は、第1サブスイッチ部品321及び第2サブスイッチ部品322を含み、前記第2スイッチ部品34は、第3サブスイッチ部品341及び第3サブスイッチ部品342を含み、
前記第1サブスイッチ部品321の第1端は前記加熱素子33の第1端に接続され、前記第1サブスイッチ部品321の第2端は前記インバータ回路31の第1端に接続され、前記第2サブスイッチ部品322の第1端は前記加熱素子33の第1端に接続され、前記第2サブスイッチ部品322の第2端は前記検出回路35の第1端に接続され、
前記第3サブスイッチ部品341の第1端は前記加熱素子33の第2端に接続され、前記第3サブスイッチ部品341の第2端は前記インバータ回路31の第2端に接続され、前記第4サブスイッチ部品342の第1端は前記加熱素子33の第2端に接続され、前記第4サブスイッチ部品342の第2端は前記検出回路35の第2端に接続され、
前記第1サブスイッチ部品321がオンにされ、前記第2サブスイッチ部品322がオフにされ、前記第3サブスイッチ部品341がオンにされ、そして前記第4スイッチ部品342がオフにされる場合、前記第1電源36、前記インバータ回路31及び前記加熱素子33は第1回路を形成し、前記第1電源36は前記第1回路を介して前記加熱素子33に給電し、前記加熱素子33は前記第1電源36の給電に基づいて発熱し、
前記第1サブスイッチ部品321がオフにされ、前記第2サブスイッチ部品322がオンにされ、前記第3サブスイッチ部品341がオフにされ、そして前記第4スイッチ部品342がオンにされる場合、前記第2電源37は前記第2回路を介して前記加熱素子33及び前記検出回路35に給電する。
前記第1コンデンサC1の第1端は前記第2電源36に接続され、前記第1コンデンサC1の第2端はそれぞれ前記第2サブスイッチ部品321の第2端及び前記第2コンデンサC2の第1端に接続され、
前記第2コンデンサC2の第2端は接地され、前記第2コンデンサC2の第2端はさらに前記第2抵抗R1の第1端に接続され、
前記第2抵抗R2の第2端は前記第4サブスイッチ部品342の第2端に接続される。
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第2電源36に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースはそれぞれ第2MOSトランジスタのドレイン及び前記第2サブスイッチ部品322の第2端に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは接地され、前記第2MOSトランジスタのソースはさらに前記第2抵抗の第1端に接続され、
前記第2抵抗の第2端は前記第4サブスイッチ部品342の第2端に接続される。
2 サブ回路
11 インバータ回路
12 サブ回路
13 第1電源
14 第2電源
17 第2電源
21 インバータ回路
21 サブ回路
22 サブ回路
23 第1電源
23 第2電源
23 加熱素子
24 第2電源
24 検出素子
31 インバータ回路
32 第1スイッチ部品
33 加熱素子
34 第2スイッチ部品
34 第1スイッチ部品
35 検出回路
36 第1電源
36 第2電源
36V 電圧
37 第2電源
38 第1制御回路
39 第2制御回路
121 スイッチモジュール
122 加熱素子
123 検出素子
221 第1スイッチ素子
222 第2スイッチ素子
223 加熱素子
223 第3スイッチ素子
224 検出素子
225 第3スイッチ素子
321 第1サブスイッチ部品
321 第2サブスイッチ部品
322 第2サブスイッチ部品
341 第3サブスイッチ部品
342 第3サブスイッチ部品
342 第4サブスイッチ部品
342 第4スイッチ部品
1210 第1スイッチ素子
1211 第2スイッチ素子
Claims (29)
- インバータ回路、少なくとも1つのサブ回路、第1電源及び第2電源を含む加熱回路であって、
前記サブ回路は、スイッチモジュール、調理装置を加熱するための加熱素子及び前記加熱素子に前記調理装置が存在するか否かを検出するための検出素子を含み、
前記スイッチモジュールは、それぞれ前記加熱素子及び前記検出素子に接続され、
前記スイッチモジュールが第1スイッチ状態にある場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は、前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記スイッチモジュールが第2スイッチ状態にある場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、第2オン回路になるように接続され、前記第2電源は、前記第2オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する、加熱回路。 - 前記スイッチモジュールは、第1スイッチ素子及び第2スイッチ素子を含み、
前記第1スイッチ素子は、前記加熱素子に接続され、
前記第2スイッチ素子は、前記検出素子に接続され、
前記第1スイッチ素子がオンにされ、前記第2スイッチ素子がオフにされる場合、前記スイッチモジュールは、前記第1スイッチ状態にあり、
前記第1スイッチ素子がオフにされ、前記第2スイッチ素子がオンにされる場合、前記スイッチモジュールは、前記第2スイッチ状態にあることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記スイッチモジュールは、
前記加熱素子に接続される第1端と、
前記インバータ回路に接続される第2端と、
前記検出素子に接続される第3端と、を含み、
前記第1端が前記第2端に接続される場合、前記スイッチモジュールは、前記第1スイッチ状態にあり、
前記第1端が前記第3端に接続される場合、前記スイッチモジュールは、前記第2スイッチ状態にあることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、N個であり、N個のサブ回路は、並列接続され、
前記Nは、1より大きい整数であることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、第1MOSトランジスタ及び第2MOSトランジスタを含み、
前記第1MOSトランジスタのドレインが前記第2電源に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースがそれぞれ前記第2MOSトランジスタのドレイン及び前記検出素子に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは、接地点に接続されることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、第1コンデンサをさらに含み、
前記第1コンデンサは、前記スイッチモジュールと前記検出素子との間に位置するように接続され、
前記第1コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項1又は5に記載の加熱回路。 - 前記検出素子は、第1抵抗及び第2抵抗を含み、前記サブ回路は、第3MOSトランジスタ及び第4MOSトランジスタを含み、
前記第1抵抗は、前記第3MOSトランジスタのドレインと前記第2電源との間に接続され、
前記第2抵抗は、前記第4MOSトランジスタのソースと接地点との間に接続され、
前記第3MOSトランジスタのソースは、それぞれ前記第4MOSトランジスタのドレイン及び前記スイッチモジュールに接続され、
前記第2抵抗は、前記第2電源の給電に基づいて、前記加熱素子のインピーダンスを検出することを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記第1電源は、第1電圧を提供するための電源であり、前記第2電源は、第2電圧を提供するための電源であり、前記第1電圧は、前記第2電圧より大きいものであり、
又は、
前記第1電源が前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第1電流であり、
前記第2電源が前記第2オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第2電流であり、
前記第1電流は、前記第2電流より大きいものであることを特徴とする
請求項1~5、7のいずれか1項に記載の加熱回路。 - 前記インバータ回路は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、
前記第1IGBTのコレクタは、前記第1電源に接続され、前記第1IGBTのエミッタは、それぞれ前記スイッチモジュール及び前記第2IGBTのコレクタに接続され、
前記第2IGBTのエミッタは、接地されることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - 前記加熱回路は、第2コンデンサをさらに含み、
前記第2コンデンサは、前記加熱素子と接地点との間に接続され、
前記スイッチモジュールが前記第1スイッチ状態にある場合、前記第2コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を制御するように構成され、
前記スイッチモジュールが前記第2スイッチ状態にある場合、前記第2コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項1に記載の加熱回路。 - インバータ回路、少なくとも1つのサブ回路、第1電源及び第2電源を含む加熱回路であって、
前記サブ回路は、第1スイッチ素子、第2スイッチ素子、調理装置を加熱するための加熱素子及び前記加熱素子に前記調理装置が存在するか否かを検出するための検出素子を含み、
前記加熱素子及び前記検出素子は、第1ノードと第2ノードとの間に並列接続され、前記第1ノードは、前記第1電源に接続され、前記第1スイッチ素子は、前記第1ノードと前記第1電源との接続に位置し、前記第2ノードは、接地点に接続され、前記第2スイッチ素子は、前記第2ノードと前記接地点との間に位置し、
前記第1スイッチ素子がオンにされ、前記第2スイッチ素子がオンにされる場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第1オン回路になるように接続され、前記第1電源は、前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ素子がオフにされ、前記第2スイッチ素子がオフにされる場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、第2オン回路になるように接続され、前記第2電源は、前記第2オン回路を介して前記加熱素子及び前記検出素子に給電する、加熱回路。 - 前記サブ回路はN個であり、N個のサブ回路は、並列接続され、
前記Nは1より大きい整数であることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、第3スイッチ素子をさらに含み、
前記第3スイッチ素子は、前記第1ノードと前記検出素子との間に接続され、
前記第1スイッチ素子がオンにされ、前記第2スイッチ素子がオンにされ、そして前記第3スイッチ素子がオフにされる場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、前記第1オン回路になるように接続され、
前記第1スイッチ素子がオフにされ、前記第2スイッチ素子がオフにされ、そして前記第3スイッチ素子がオンにされる場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、前記第2オン回路になるように接続されることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - 前記第1スイッチ素子は、
前記加熱素子に接続される第1端と、
前記インバータ回路に接続される第2端と、
前記検出素子に接続される第3端と、を含み、
前記第1端が前記第2端に接続され、前記第2スイッチ素子がオンにされる場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、前記第1オン回路になるように接続され、
前記第1端が前記第3端に接続され、前記第2スイッチ素子がオフにされる場合、前記第2電源、前記検出素子及び前記加熱素子は、前記第2オン回路になるように接続されることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - 前記第1電源は、第1電圧を提供するための電源であり、前記第2電源は、第2電圧を提供するための電源であり、前記第1電圧は、前記第2電圧より大きいものであり、
又は、
前記第1電源が前記第1オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第1電流であり、
前記第2電源が前記第2オン回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第2電流であり、
前記第1電流は前記第2電流より大きいものであることを特徴とする
請求項11~14のいずれか1項に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、第1MOSトランジスタ、第2MOSトランジスタをさらに含み、
前記第1MOSトランジスタのドレインは、前記第2電源に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは、それぞれ前記第2MOSトランジスタのドレイン及び前記第1スイッチ素子に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは、それぞれ前記接地点及び前記検出素子に接続されることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - 前記サブ回路は、第1コンデンサをさらに含み、
前記第1コンデンサは、前記第2ノードと前記検出素子との間に接続され、前記第1コンデンサは、前記加熱素子の検出電流の交番周波数を制御するように構成されることを特徴とする
請求項11又は16に記載の加熱回路。 - 前記インバータ回路は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、
前記第1IGBTのコレクタは、前記第1電源に接続され、前記第1IGBTのエミッタは、前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは、接地され、
前記第1スイッチ素子は、前記第1IGBTのエミッタに接続され、前記第2スイッチ素子は、前記第1IGBTのコレクタに接続されることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - 前記加熱回路は、第2コンデンサ及び第3コンデンサをさらに含み、
前記第2コンデンサは、前記第1電源と前記第2スイッチ素子との間に接続され、
前記第3コンデンサは、前記第2コンデンサと前記接地点との間に接続され、
前記第2コンデンサ及び前記第3コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を共同で制御するように構成されることを特徴とする
請求項11に記載の加熱回路。 - インバータ回路、第1スイッチ部品、第2スイッチ部品、調理装置を加熱するための加熱素子、前記加熱素子に前記調理装置が存在するか否かを検出するための検出回路、第1電源及び第2電源を含む加熱回路であって、
前記第1スイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品の第2端は、前記インバータ回路の第1端に接続され、前記第1スイッチ部品の第3端は、前記検出回路の第1端に接続され、
前記第2スイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第2端は、前記インバータ回路の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第3端は、前記検出回路の第2端に接続され、
前記第1スイッチ部品の第1端が前記第1スイッチ部品の第2端に接続され、前記第2スイッチ部品の第1端が前記第2スイッチ部品の第2端に接続される場合、前記第1電源、前記加熱素子及び前記インバータ回路は、第1回路を形成し、前記第1電源は、前記第1回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第1スイッチ部品の第1端が前記第1スイッチ部品の第3端に接続され、前記第2スイッチ部品の第1端が前記第2スイッチ部品の第3端に接続される場合、前記第2電源、前記検出回路及び前記加熱素子は、第2回路を形成し、前記第2電源は、前記第2回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する、加熱回路。 - 前記第1電源は、第1電圧を取得するための電源であり、前記第2電源は、第2電圧を取得するための電源であり、前記第1電圧は、前記第2電圧より大きいものであり、
又は、
前記第1電源が前記第1回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第1電流であり、
前記第2電源が前記第2回路を介して前記加熱素子に給電するとき、前記加熱素子を流れる電流は、第2電流であり、
前記第1電流は前記第2電流より大きいものであることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記加熱回路は、第1制御回路及び第2制御回路を含み、
前記第1制御回路は、前記第1スイッチ部品の第1端と前記第1スイッチ部品の第2端とをオンにする第1制御信号を発信するように構成され、又は、前記第1スイッチ部品の第1端と前記第1スイッチ部品の第3端とをオンにする第2制御信号を発信するように構成されるために、前記第1スイッチ部品に接続されており、
前記第2制御回路は、前記第2スイッチ部品の第1端と前記第2スイッチ部品の第2端とをオンにする第3制御信号を発信するように構成され、又は、前記第2スイッチ部品の第1端と前記第2スイッチ部品の第3端とをオンにする第4制御信号を発信するように構成されるために、前記第2スイッチ部品に接続されていることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記第1スイッチ部品は、単極双投リレーを含み、前記第2スイッチ部品は、単極双投リレーを含むことを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記検出回路は、第1MOSトランジスタ、第2MOSトランジスタ及び第1抵抗を含み、
前記第1MOSトランジスタのドレインは、前記第2電源に接続され、前記第1MOSトランジスタのソースは、それぞれ第2MOSトランジスタのドレイン及び前記第1スイッチ部品の第3端に接続され、
前記第2MOSトランジスタのソースは、接地され、前記第2MOSトランジスタのソースは、さらに前記第1抵抗の第1端に接続され、
前記第1抵抗の第2端は、前記第2スイッチ部品の第3端に接続されることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記検出回路は、第1コンデンサ、第2コンデンサ及び第2抵抗を含み、
前記第1コンデンサの第1端は、前記第2電源に接続され、前記第1コンデンサの第2端は、それぞれ前記第2コンデンサの第1端及び前記第1スイッチ部品の第3端に接続され、
前記第2コンデンサの第2端は、接地され、前記第2コンデンサの第2端は、さらに前記第2抵抗の第1端に接続され、
前記第2抵抗の第2端は、前記第2スイッチ部品の第3端に接続されることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記インバータ回路は、第1IGBT及び第2IGBTを含み、
前記第1IGBTのコレクタは、前記第1電源に接続され、前記第1IGBTのエミッタは、前記第2IGBTのコレクタに接続され、前記第2IGBTのエミッタは、接地され、
前記第1スイッチ部品の第1端は、前記第1IGBTのエミッタに接続され、前記第2スイッチ部品の第2端は、前記第1IGBTのコレクタに接続されることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - 前記加熱回路は、第3コンデンサ及び第4コンデンサをさらに含み、
前記第3コンデンサは、前記第1電源と前記第2スイッチ部品の第2端との間に接続され、
前記第4コンデンサの第1端は、前記第2スイッチ部品の第2端に接続され、前記第4コンデンサの第2端は、接地され、
前記第3コンデンサ及び前記第4コンデンサは、前記加熱素子の加熱電流の交番周波数を共同で制御するように構成されることを特徴とする
請求項20に記載の加熱回路。 - インバータ回路、第1スイッチ部品、第2スイッチ部品、調理装置を加熱するための加熱素子、前記加熱素子に前記調理装置が存在するか否かを検出するための検出回路、第1電源及び第2電源を含む加熱回路であって、
前記第1スイッチ部品は、第1サブスイッチ部品及び第2サブスイッチ部品を含み、前記第2スイッチ部品は、第3サブスイッチ部品及び第4サブスイッチ部品を含み、
前記第1サブスイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第1端に接続され、前記第1サブスイッチ部品の第2端は、前記インバータ回路の第1端に接続され、前記第2サブスイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第1端に接続され、前記第2サブスイッチ部品の第2端は、前記検出回路の第1端に接続され、
前記第3サブスイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第2端に接続され、前記第3サブスイッチ部品の第2端は、前記インバータ回路の第2端に接続され、前記第4サブスイッチ部品の第1端は、前記加熱素子の第2端に接続され、前記第4サブスイッチ部品の第2端は、前記検出回路の第2端に接続され、
前記第1サブスイッチ部品がオンにされ、前記第2サブスイッチ部品がオフにされ、前記第3サブスイッチ部品がオンにされ、そして第4スイッチ部品がオフにされる場合、前記第1電源、前記インバータ回路及び前記加熱素子は、第1回路を形成し、前記第1電源は、前記第1回路を介して前記加熱素子に給電し、前記加熱素子は、前記第1電源の給電に基づいて発熱し、
前記第1サブスイッチ部品がオフにされ、前記第2サブスイッチ部品がオンにされ、前記第3サブスイッチ部品がオフにされ、そして第4スイッチ部品がオンにされる場合、前記第2電源、前記検出回路及び前記加熱素子は、第2回路を形成し、前記第2電源は、前記第2回路を介して前記加熱素子及び前記検出回路に給電する、加熱回路。 - 前記検出回路は、第1コンデンサ、第2コンデンサ及び第1抵抗を含み、
前記第1コンデンサの第1端は、前記第2電源に接続され、前記第1コンデンサの第2端は、それぞれ前記第2サブスイッチ部品の第2端及び前記第2コンデンサの第1端に接続され、
前記第2コンデンサの第2端は、接地され、前記第2コンデンサの第2端は、さらに前記第1抵抗の第1端に接続され、
前記第1抵抗の第2端は、前記第4サブスイッチ部品の第2端に接続されることを特徴とする
請求項28に記載の加熱回路。
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