CN211481489U

CN211481489U - 一种加热电路

Info

Publication number: CN211481489U
Application number: CN201922501834.1U
Authority: CN
Inventors: 左远洋; 侯俊峰; 尹坤任
Original assignee: Midea Group Co Ltd; Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd
Current assignee: Midea Group Co Ltd; Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd
Priority date: 2019-12-31
Filing date: 2019-12-31
Publication date: 2020-09-11
Anticipated expiration: 2029-12-31

Abstract

本实用新型实施例公开了一种加热电路，包括：逆变电路、第一开关器件、加热元件和检测电路、第一电源和第二电源；其中，第一开关器件的第一端与逆变电路的第一端连接，第一开关器件的第二端与加热元件的第一端连接；加热元件的第二端与逆变电路的第二端连接；检测电路与加热元件并联连接；若第一开关器件导通，第一电源、逆变电路与加热元件形成第一导通回路，第一电源通过第一导通回路给加热元件供电；若所述第二电源、所述检测电路与所述加热元件形成第二导通回路，所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测电路供电。

Description

一种加热电路

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种加热电路。

背景技术

对家电进行加热前，可以对家电的加热元件阻抗进行检测而确定所述加热元件上是否存在烹饪设备等，从而可以大大降低当加热元件上不存在烹饪设备等而进行加热的情况的发生。而用于提供加热电流的逆变电路与用于检测加热元件是否存在烹饪设备等的检测电路都需要连接到加热元件；如此，逆变电路与检测电路会相互影响，会导致检测加热元件阻抗的不准确或者导致加热元件加热的电流过大或过小等情况的发生。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种加热电路。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

一种加热电路，所述加热电路包括：逆变电路、第一开关器件、加热元件和检测电路、第一电源和第二电源；其中，

所述第一开关器件的第一端与所述逆变电路的第一端连接，所述第一开关器件的第二端与所述加热元件的第一端连接；

所述加热元件的第二端与所述逆变电路的第二端连接；

所述检测电路与所述加热元件并联连接；

若所述第一开关器件导通，所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件形成第一导通回路，所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电，所述加热元件基于所述第一电源的供电发热；

若所述第一开关器件断开，所述第一导通回路断开，所述第二电源、所述检测电路与所述加热元件形成第二导通回路，所述第二电源通过所述第二导通回路向所述加热元件及所述检测电路供电。

上述方案中，所述加热电路还包括：第一控制电路；

所述第一控制电路，与所述第一开关器件连接，用于发出导通所述第一开关器件的第一控制信号，或者，用于发出断开所述第一开关器件的第二控制信号。

上述方案中，所述第一开关器件包括：继电器；

其中，所述继电器用于若输入电流超过第一阈值时，导通所述第一导通回路。

上述方案中，所述检测电路包括：第一MOS管、第二MOS管和第一电阻；

所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接，所述第一MOS管的源极分别与第二MOS管的漏极及所述加热元件的第一端连接；

所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的源极还与所述第一电阻的第一端连接；

所述第一电阻的第二端与所述加热元件的第二端连接。

上述方案中，所述检测电路还包括：第一电容；

所述第一电容连接在所述第一电阻的第二端与所述加热元件的第二端之间；其中，所述第一电容用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。

上述方案中，所述加热电路还包括：第二开关器件和第二控制电路；其中，

所述第二开关器件连接在所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极之间；

所述第二控制电路与所述第二开关器件连接，用于发出断开所述第二开关器件的第三控制信号。

上述方案中，所述逆变电路包括：第一IGBT和第二IGBT；

所述第一IGBT的集电极与所述第一电源连接，所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接；所述第二IGBT的发射极接地；

所述第一开关器件的第一端与所述第一IGBT的发射极连接，所述加热元件的第二端与所述第一IGBT的集电极连接。

上述方案中，所述逆变电路包括：第三MOS管和第四MOS管；

所述第三MOS管的漏极与所述第一电源连接，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接；所述第四MOS管的源极接地；

所述第一开关器件的第一端与所述第三MOS管的源极连接，所述加热元件的第二端与所述第三MOS管的漏极连接。

上述方案中，所述加热电路还包括：第二电容和第三电容；其中，

所述第二电容连接在所述第一电源与所述加热元件的第二端之间；

所述第三电容的第一端与所述加热元件的第二端，所述第三电容的第二端接地；

其中，所述第二电容和所述第三电容共同用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率。

上述方案中，所述检测电路的第二端连接在所述第三电容的第二端。

本实用新型实施例提供了一种加热电路，通过逆变电路与加热元件中的之间的第一开关器件的导通，实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通；以及通过逆变电路与所述加热元件之间的第一开关器件的断开，实现了所述第一导通回路的断开，且实现第二电源、检测电路与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通、且所述第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的断开，使得在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时，不受到第一电源的影响，提高了检测所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。

且，由于仅在逆变电路与加热元件中设置第一开关器件，可以使用较少的第一开关器件，从而还可以减少加热电路的第一开关器件的元器件个数以及降低加热电路的体积。

附图说明

图1为本实用新型实施例加热电路一个可选组成结构示意图；

图2为本实用新型实施例加热电路的另一个可选组成结构示意图；

图3为本实用新型加热电路示意图；

图4为本实用新型加热电路示意图；

图5为本实用新型加热电路示意图；

图6为本实用新型加热电路示意图。

具体实施方式

下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1所示，本实用新型提供一种加热电路，所述加热电路包括：逆变电路11、第一开关器件12、加热元件13和检测电路14、第一电源15和第二电源16；其中，

所述第一开关器件12的第一端与所述逆变电路11的第一端连接，所述第一开关器件12的第二端与所述加热元件13的第一端连接；

所述加热元件13的第二端与所述逆变电路11的第二端连接；

所述检测电路14与所述加热元件13并联连接；

若所述第一开关器件12导通，所述第一电源15、所述逆变电路11与所述加热元件13形成第一导通回路，所述第一电源15通过所述第一导通回路给所述加热元件13供电，所述加热元件13基于所述第一电源15的供电发热；

若所述第一开关器件12断开，所述第一开关器件12断开，第二电源16、所述检测电路14与所述加热元件13形成第二导通回路，所述第二电源16通过所述第二导通回路向所述加热元件13及所述检测电路14供电。

在本实用新型实施例中，所述检测电路14基于所述第二电源16的供电，检测所述加热元件13的阻抗；其中，检测到的阻抗，用于控制所述第一电源15向所述加热元件的供电。

在本实用新型实施例中，所述加热元件13的第二端与所述逆变电路11的第二端连接：所述加热元件13的第二端与接地点GND连接，所述逆变电路的第二端与所述接地点GND连接(此处未标明在所述图1中)。

其中，所述第一电源用于获取大于或等于110V的电源，所述第二电源用于获取小于或等于36V的电源。

在一实施例中，所述第一电源用于获取220V的直流电压；所述220V的直流电压经过所述逆变电流后，输出220V的交流电压。所述第二电源用于提供或获取3.5V的交流电压。

在另一实施例中，所述第一电源用于获取220V的交流电压，所述220V的交流电压为只有正相电压(正半波)的交流电压。所述第一电源获取的电压经过所述逆变电路11之后，输出具有正、负两相的交流电压。

在又一实施例中，所述第一电源用于获取220V的交流电压(市电)。在所述第一电源15与所述逆变电路11之间还包括整流电路，所述整流电路将220V交流电压变换为220V直流电压；所述逆变电路11将所述220V直流电压变换为220V的交流电压。

其中，所述交流电源包括但不限于以下之一：正弦波交流电源、方波交流电源。

其中，所述加热元件13包括但不限于以下至少之一：线圈、线盘、电热线、电热板、电热棒、电热片。

例如，所述加热元件13为电磁炉中的线圈。若所述第一开关器件断开，利用所述第二电源给所述加热元件及检测电路加热供电；所述检测电路基于所述第二电源的供电，确定所述检测电路中检测电流或者所述加热电路中检测电阻的上电压的大小。基于所述检测电流或者所述检测电阻上电压的大小，确定所述电磁炉的线圈上是否有阻抗；若存在阻抗，则确定所述电磁炉上具有烹饪设备；从而基于所述第一开关器件的导通，利用所述第一电源给所述电磁炉加热。

这里，所述加热元件13可以为一个或多个。

在一实施例中，若所述加热元件为多个，多个所述加热元件串联连接。

在本实用新型实施例中，通过逆变电路与加热元件的之间的第一开关器件的导通，实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通；通过逆变电路与加热元件之间的第一开关器件的断开，实现第二电源、检测电路与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通、且第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的断开。如此，在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时，不受到第一电源的影响，提高了检测所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。

如图2所示，在一些实施例中，所述加热电流还包括：第一控制电路17；

所述第一控制电路17，与所述第一开关器件12连接，用于发出导通所述第一开关器件的第一控制信号，或者，用于发出断开所述第一开关器件的第二控制信号.

这里，所述第一控制信号为低电平信号，所述第二控制信号为高电平信号。在本实用新型所有实施例中，所述高电平和低电平是相对而言的，在同一参考标准下，所述高电平的电压大于所述低电平的电压。

这里，所述第一控制电路17可以为具有信号处理能力的控制电路。

这里，所述第一控制电路17也可以包括控制芯片或者控制器。所述控制芯片可以为：中央处理器的处理芯片、微控制器芯片、数据信号处理芯片或可编程阵列处理芯片等。

例如，通过所述第一控制电路发出的低电平信号，控制所述第一开关器件的断开。又如，通过所述第一控制电流发出的高电平信号，控制所述第一开关器件的断开。

其中，所述第一开关器件为：单刀单掷开关。

本实用新型实施例中，通过第一控制电路向所述第一开关器件发生的控制信号，以断开所述第一开关器件或导通所述第一开关器件。如此，可以大大降低若第一电源大于36V时，通过人力去开启或断开所述第一开关器件所带来的危险。

在另一些实施例中，所述第一开关器件包括：继电器；

这里，所述输入电流为所述继电器的输入电流。

这里，所述输入电流可以由所述逆变电路产生。如此，若所述逆变电路产生的电流超过一定阈值时，便可实现所述继电器的导通。

这里，所述输入电流也可以为第一控制电路产生的电流。在本示例中，所述继电器与所述第一控制电路连接，如此，当所述第一控制电路产生的电流超过第一阈值时，便可实现所述继电器的导通；当所述第一控制电路产生的电流未超过第一阈值时，便可实现所述继电器的关断。

在一实施例中，所述继电器为：单刀单掷继电器。

在本实用新型实施例中，可以通过继电器来实现第一开关器件的自动开关，从而导通所述第一导通回路，或者导通所述第二导通回路；如此，能够大大降低由于人去开启或断开所述第一开关器件所带来的危险。

且，本实用新型实施例可以仅通过一个单刀单掷继电器就能控制所述逆变电路与所述加热元件之间的连接与否。本实用新型实施例相对于现有技术中，需要通过两个单刀单掷继电器或者一个单刀双掷继电器来说，其继电器的体积相应减少，提高了加热电路的可靠性。

如图3所示，在一些实施例中，所述检测电路14包括：第一MOS管(MOSEFE1)、第二MOS管(MOSEFE2)和第一电阻R1；

所述第一MOS管的漏极与所述第二电源连接，所述第一MOS管的源极分别与第二MOS管的漏极及所述加热元件L1的第一端连接；

所述第二MOS管的源极接地DGND，所述第二MOS管的源极还与所述第一电阻R1的第一端连接；

所述第一电阻R1的第二端与所述加热元件L1的第二端连接。

这里，所述加热元件L1为上述实施例中的加热元件13。

这里，所述第一电阻R1为检测元件。

这里，所述第一MOS管和所述第二MOS管均可以是金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)。可以理解的是，在本实用新型实施例中，所述第一MOS管和所述第二MOS管，组成低压高频信号产生电源模块。

这里，若所述第一MOS管为N沟道型MOS管，则所述第二MOS管为N沟道型MOS管；若所述第一MOS管为P沟道型MOS管，则所述第二MOS管为P沟道型MOS管。例如，如图3所示中，所述第一MOS管和所述第二MOS管都为N沟道型MOS管。

在一实施例中，所述第二电源为提供或获取3.3V的直流电源。

在本实用新型实施例中，第二电源通过所述第一MOS管和所述第二MOS管给所述加热元件提供低压高频脉冲波。如此，若所述加热元件(除了自身加热元件的阻抗外)上不存在阻抗时，流经所述第一电阻的检测电流为第一电流值；若所述加热元件(除了自身加热元件的阻抗外)上还存在阻抗时，流经所述第一电阻的检测电流为第二电流值；从而通过电流计检测到所述第一电阻R1的电流的大小，确定出所述加热元件上是否存在阻抗。

或者，由于加热元件(除了自身加热元件的阻抗外)上存在或不存其它阻抗(例如，烹饪设备的阻抗)，而会导致流经第一电阻上的电流发生变化，其所述第一电阻上两端的电压发生变化，通过电压计所述第一电组R1的两端的电压的大小，也能确定出所述加热元件上是否存在阻抗。

在本实用新型实施例中，如图3所示，由于所述第一电阻R1的第一端是接地的，相对于该第一电阻的第一端的为0电压。如此，可通过仅检测第一电阻的第二端的电位(例如，在所述第一电阻的第二端设置一电压传感器，检测所述第一电阻的第二端的电位)，计算出所述第一电阻上的电压。如此，本实用新型实施例还能简化测量所述第一电阻的两端电压的操作。

需要说明的是，在本实用新型所有实施例中，所述高频和低频是相对而言的，在同一参考标准下，所述高频的频率大于所述低频的频率。

在一些实施例中，所述高频为大于50Hz的频率。

请再次参见图3，在一些实施例中，所述检测电路14，还包括：第一电容C1；

所述第一电容C1连接在所述第一电阻R1的第二端与所述加热元件L1的第二端之间；其中，所述第一电容C1用于控制所述加热元件L1的检测电流的交变频率。

这里，所述第一电容C1为所述加热元件L1的匹配电容。这里，可以通过调节所述第一电容的容抗、加热元件的阻抗和第一电阻的阻抗来调节所述第二导通回路的中加热元件的振荡频率(即交变频率)。

在本实用新型实施例中，可以通过第一电容C1与加热元件L1匹配，调节所述第二导通回路中加热元件的交变频率；从而提高检测到所述加热元件上是否有阻抗的准确性。

在另一实施例中，若调节到所述交变频率与所述第二电源的信号频率相同，使得若所述第一电容C1的容抗与所述加热元件L1的阻抗的值相同；则所述第一电容C1与所述加热元件L1在所述第二导通回路中阻抗等效于0(相当于C1与L1构成了串联振荡)。如此，所述第二导通回路中，所述第一电容C1的电场能与加热元件L1的磁场能相互转换，所述第二电源不必向所述第一电容C1和所述加热元件L1往返转换能量，只需给第一电阻或者加热元件上的电阻(若加热元件上存在阻抗)供能。如此，也可以提高检测到所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。

如图4所示，在一些实施例中，所述加热电路还包括：第二开关器件18及第二控制电路19；其中，

所述第二开关器件18连接在所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极之间；

所述第二控制电路19与所述第二开关器件18连接，用于发出断开所述第二开关器件的第三控制信号。

在一实施例中，所述第二开关器件为继电器。

这里，所述第二控制电路可以为具有信号处理能力的控制电路。

这里，所述第二控制电路也可以包括控制芯片或者控制器。所述控制芯片可以为：中央处理器的处理芯片、微控制器芯片、数据信号处理芯片或可编程阵列处理芯片等。

这里，所述第三控制信号可以为低电平信号。

本实用新型实施例中，通过第三控制信号可以断开所述第二MOS管。如此，当第一电源给通过所述第一导通回路供电时，所述第二电源不会连接到所述加热元件上；从而使得所述第二电源不会给所述加热元件供电；从而大大降低了所述加热元件上的加热电流过大或过小情况的发生，提高了加热电路的可靠性。

在其它实施例中，也可以通过手动开或关所述第二开关器件。

这里，所述第二开关器件连接在所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极之间。如此，可以通过所述第二开关器件的导通，实现所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极的导通；可以通过所述第二开关器件的断开，实现所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的漏极的断开。

在另一些实施例中，也可以通过在所述第二MOS管的栅极提供一个低电压，使得所述第二MOS管断开。

需要说明的是，绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

请再次参见图3，在一些实施例中，所述逆变电路11包括：第一IGBT(IGBT1)和第二IGBT(IGBT2)；

所述第一IGBT的集电极与所述第一电源15连接，所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接；所述第二IGBT的发射极接地PGND；

所述第一开关器件K1的第一端与所述第一IGBT的发射极连接，所述加热元件L1的第二端与所述第一IGBT的集电极连接。

这里，所述逆变电路11可以用于将所述直流电压逆变为交流电压。例如，将所述220V的直流电压逆变为220V的正弦波电压或者方波电压。

所述逆变电路11还可以用于正半波的交流电压转变为完全的交流电压(具有正半波和负半波的电压)。例如，将220V的正半波的方波电压转变为220V的正半波、负半波的方波电压。

在本实用新型实施例中，可以通过所述第一IGBT和所述第二IGBT中导通与关断的频率，调节所述第一电源的信号频率。如此，可通过所述第一IGBT和所述第二IGBT的组成的逆变电路，将所述第一电源变为高频脉冲波，以实现给所述加热元件供电。

在本实用新型实施例中，由于逆变电路采用的是IGBT，因而其兼有MOS管高输入阻抗和功率晶体管的低导通压降两方面的优点。从而，本实用新型可以提高给所述加热元件供电的稳定性和安全工作电压区域，进而提高给所述加热元件供电的安全性。

在另一些实施例中，所述逆变电路11，也可以包括：第一三极管和第二三极管；

所述第一三极管的集电极与所述第一电源15连接，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的集电极连接；所述第二三极管的发射极接地PGND；

所述第一开关器件12的第一端与所述第一三极管的发射极连接，所述加热元件L1的第二端与所述第一三极管的集电极连接。

在另一些实施例中，如图5所示，所述逆变电路11，包括：所述逆变电路11包括：第三MOS管(MOSFET3)和第四MOS管(MOSFET4)；

所述第三MOS管的漏极与所述第一电源15连接，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极连接；所述第四MOS管的源极接地PGND；

所述第一开关器件K1的第一端与所述第三MOS管的源极连接，所述加热元件L1的第二端与所述第三MOS管的漏极连接。

这里，若所述第三MOS管为N沟道型MOS管，则所述第四MOS管为N沟道型MOS管；若所述第三MOS管为P沟道型MOS管，则所述第四MOS管为P沟道型MOS管。例如，如图5所示中，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为N沟道型MOS管。

在本实用新型实施例中，通过第三MOS管和第四MOS管的交替导通，可以给所述加热元件提供高频脉冲波。

请再次参见图3，所述加热电路还包括：第二电容C2和第三电容C3；其中，

所述第二电容C2连接在所述第一电源11与所述加热元件L1的第二端之间；

所述第三电容C3的第一端与所述加热元件L1的第二端，所述第三电容C2的第二端接地PGND；

其中，所述第二电容C2和所述第三电容C3共同用于控制所述加热元件L1的加热电流的交变频率。

这里，所述第二电容C2和所述第三电容C3为所述加热元件L1的匹配电容。这里，可以通过调节所述第二电容和所述第三电容的容抗、以及所述加热元件的阻抗，来调节所述第一导通回路中加热元件的振荡频率(即交变频率)。

在本实用新型实施例中，可以通过所述第二电容和所述第三电容来确定所述第一导通回路中加热元件的交变频率，从而使得加热元件工作在合适的交变频率以及使得加热元件具有合适的加热电流。

在一些实施例中，如图6所示，所述检测电路14的第二端连接在所述第三电容C3的第二端。

在本实用新型实施例中，通过所述检测电路的这种连接方式，可以若所述第一导通回路导通时，所述第三电容C3与所述第二电容C2共同用于控制所述加热元件的加热电流的交变频率；若所述第二导通回路导通时，使得所述第三电容C3也能作为所述加热元件的检测电流的交变频率；如此，可以充分利用第三电容，使得所述第三电容具备上述两种功能。

示例一

请再次参见图3，本实用新型实施例提供了一种加热电路，所述加热电路，包括：

所述加热电路包括：逆变电路11、第一开关器件K1、加热元件L1和检测电路14、第一电源15和第二电源16；

其中，所述逆变电路11，包括：第一IGBT(IGBT1)和第二IGBT(IGBT2)；

所述检测电路14，包括：第一MOS管(MOSFET1)、第二MOS管(MOSFET2)、第一电容C1、和第一电阻R1；

其中，所述第一IGBT的集电极与所述第一电源15连接，所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的集电极连接；所述第二IGBT的发射极接地PGND；

所述第一开关器件K1的第一端与所述第一IGBT的发射极连接，所述第一开关器件K1的第二端与所述加热元件L1的第一端连接；

所述加热元件L2的第二端与所述第三电容C3的第一端连接，所述第三电容C3的第二端接地PGND；

所述第二电容C2连接在所述第一电源15与所述加热元件L1的第二端之间；

所述第一MOS管的漏极与所述第二电源16连接，所述第一MOS管的源极分别与第二MOS管的漏极及所述加热元件L1的第一端连接；

所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的源极还与所述第一电阻R1的第一端连接；

所述第一电阻R1的第二端与第一电容C1的一端连接，所述第一电容C2的第二端与所述加热元件L1的第二端连接；

若所述第一开关器件K1导通，所述第一电源15、所述第一IGBT、所述第二IGBT、所述加热元件L1及所述第二电容C2形成第一导通回路，所述第一电源15通过所述第一导通回路给所述加热元件L1供电，所述加热元件L1基于所述第一电源15的供电发热；其中，所述第二电容C2和所述第三电容C3共同用于控制所述加热元件L1的加热电流的交变频率；

若所述第一开关器件K1断开，所述第二电源16、所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述加热元件L1形成第二导通回路，所述第二电源16通过所述第二导通回路向所述加热元件L1及所述第一电阻R1供电；其中，所述第一电阻R1基于所述第二电源16的供电，检测所述加热元件L1的阻抗；其中，检测到的阻抗，用于控制所述第一电源15向所述加热元件的供电；其中，所述第一电容C1用于控制所述加热元件的检测电流的交变频率。

在本实用新型实施例中，通过逆变电路与加热元件中的之间的第一开关器件的导通与否，实现第一电源、逆变电路与加热元件连接成的第一导通回路的导通或者第二电源、检测电路与所述加热元件连接成的第二导通回路的导通，使得第一导通回路与所述第二导通回路相互不受影响；如此，在第二电源通过所述第二导通回路对所述加热元件进行检测时，不受到第一电源的影响，提高了检测所述加热元件上是否存在阻抗的准确性。且，由于仅在逆变电路与加热元件中设置第一开关器件，可以使用较少的第一开关器件，从而还可以减少加热电路的第一开关器件的元器件个数以及降低加热电路的体积。

本申请所提供的几个产品实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的产品实施例。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种加热电路，其特征在于，所述加热电路包括：逆变电路、第一开关器件、加热元件和检测电路、第一电源和第二电源；其中，

所述加热元件的第二端与所述逆变电路的第二端连接；

所述检测电路与所述加热元件并联连接；

若所述第一开关器件导通，所述第一电源、所述逆变电路与所述加热元件形成第一导通回路，所述第一电源通过所述第一导通回路给所述加热元件供电，所述加热元件基于所述第一电源的供电发热，

2.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述加热电路还包括：第一控制电路；

3.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述第一开关器件包括：继电器；

4.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述检测电路包括：第一MOS管、第二MOS管和第一电阻；

所述第一电阻的第二端与所述加热元件的第二端连接。

5.根据权利要求4所述的加热电路，其特征在于，所述检测电路还包括：第一电容；

6.根据权利要求4所述的加热电路，其特征在于，所述加热电路还包括：第二开关器件和第二控制电路；其中，

7.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述逆变电路包括：第一IGBT和第二IGBT；

8.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述逆变电路包括：第三MOS管和第四MOS管；

9.根据权利要求1所述的加热电路，其特征在于，所述加热电路还包括：第二电容和第三电容；其中，

10.根据权利要求9所述的加热电路，其特征在于，所述检测电路的第二端连接在所述第三电容的第二端。