CN113130544A - 电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种电致发光显示装置，包括：用于显示图像的有源区域；设置在有源区域的外围中的虚拟区域，其中在虚拟区域中不显示图像；在虚拟区域中沿第一方向布置的扫描线、初始化线和发光线；在虚拟区域中沿与第一方向交叉的第二方向布置的高功率电源线和数据线；和制备在虚拟区域中的多个薄膜晶体管，其中多个薄膜晶体管包括：驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管，其设置成将驱动薄膜晶体管和数据线彼此连接；和操作控制薄膜晶体管，其设置成将驱动薄膜晶体管和高功率电源线彼此连接，其中开关薄膜晶体管和操作控制薄膜晶体管彼此断开。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2019年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0179696的权益，通过引用将该专利申请整体并入本文，如同在本文完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种电致发光显示装置，更具体地，本发明涉及一种包括虚拟区域的电致发光显示装置。
背景技术
电致发光显示装置设置成在阳极电极与阴极电极之间形成发光层。随着发光层利用在前述两个电极之间产生的电场发光，在电致发光显示装置上显示图像。
电致发光显示装置可包括用于显示图像的有源区域和不显示图像的虚拟区域(dummy area)。
在有源区域中，图案化有诸如栅极线和数据线之类的多条信号线以及多个薄膜晶体管。此外，在虚拟区域中，图案化有与有源区域的那些类似的信号线和薄膜晶体管。
然而，由于在虚拟区域上不显示图像，所以制备在虚拟区域中的虚拟像素配置成不发光。在相关技术的电致发光显示装置中，异常信号可能施加至虚拟区域中的信号线，由此异常信号可能被传输至有源区域。在这种情况下，在有源区域中会具有线性云纹(mura)的问题。
发明内容
鉴于上述问题进行了本发明，本发明的一个目的是提供一种能够防止云纹发生的电致发光显示装置。
根据本发明的一个方面，可通过提供一种电致发光显示装置来实现上述目的和其他目的，所述电致发光显示装置包括：用于显示图像的有源区域；设置在所述有源区域的外围中的虚拟区域，其中在所述虚拟区域中不显示图像；在所述虚拟区域中沿第一方向布置的扫描线、初始化线和发光线；在所述虚拟区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向布置的高功率电源线和数据线；和制备在所述虚拟区域中的多个薄膜晶体管，其中所述多个薄膜晶体管包括：驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管设置成将所述驱动薄膜晶体管和所述数据线彼此连接；和操作控制薄膜晶体管，所述操作控制薄膜晶体管设置成将所述驱动薄膜晶体管和所述高功率电源线彼此连接，其中所述开关薄膜晶体管和所述操作控制薄膜晶体管彼此断开。
根据本发明的另一个方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：用于显示图像的有源区域；设置在所述有源区域的外围中的虚拟区域，其中在所述虚拟区域中不显示图像；设置在所述有源区域中的有源层，所述有源层配置成形成多个薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域；和设置在所述虚拟区域中的虚拟有源层，所述虚拟有源层配置成形成多个虚拟薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，其中所述有源层的图案与所述虚拟有源层的图案不同。
附图说明
将从下面结合附图的详细描述更清楚地理解本发明的上述和其他的目的、特征和其他优点，其中：
图1是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图；
图2是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的有源区域的单位电路图；
图3是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的有源区域中的子像素的平面图；
图4是沿图3的A-B线的剖面图；
图5是沿图3的C-D线的剖面图；
图6是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域中的虚拟像素的平面图；
图7是沿图6的E-F线的剖面图；
图8是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域的单位电路图；
图9是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域中的虚拟像素的平面图；
图10是沿图9的A-B线的剖面图；
图11是沿图9的G-B线的剖面图。
具体实施方式
现在将参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本发明的公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关的已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在这两个部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来将元件彼此区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一元件可能被称为第二元件，相似地，第二元件可能被称为第一元件。
如所属领域技术人员能够充分理解的，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明实施方式的电致发光显示装置。
图1是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的示意性平面图。
如图1中所示，根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置可包括有源区域AA、虚拟区域DA和焊盘区域PA。
有源区域AA用作显示图像的显示区域。有源区域AA设置有多个子像素。在多个子像素的每一个中具有发光区域。在设置于有源区域AA中的多个子像素中，设置有诸如扫描线、数据线、发光线、电源线和基准线之类的信号线，并且设置有用于切换经由信号线施加的信号的传输的多个薄膜晶体管。此外，在设置于有源区域AA中的多个子像素中，可设置有包括阳极、阴极和发光层的有机发光器件，其中有机发光器件被多个薄膜晶体管驱动，然后实现光发射。
虚拟区域DA设置成围绕有源区域AA。详细地说，虚拟区域DA设置在有源区域AA的左外围侧、右外围侧、下外围侧和上外围侧。在虚拟区域DA中设置有多个虚拟像素。由于虚拟区域DA不是显示图像的显示区域，所以设置在虚拟区域DA中的虚拟像素配置成不发光，由此设置在虚拟区域DA的虚拟像素的结构不同于设置在有源区域AA中的子像素的结构。例如，在虚拟区域DA的虚拟像素中未设置有机发光器件。此外，在虚拟区域DA的虚拟像素中可不完整地设置信号线和薄膜晶体管中的至少之一。
虚拟区域DA防止有源区域AA的中央部分与有源区域AA的边缘部分之间的制造误差。这将在下面详细描述。为了在有源区域AA中形成多个子像素，执行多个沉积工艺和掩模工艺。可通过使用物理沉积工艺、化学沉积工艺、涂布工艺或喷墨工艺执行沉积工艺，从而形成预定绝缘层、金属层或有机层。可通过使用所属领域技术人员通常已知的光刻工艺执行掩模工艺，从而在由沉积工艺形成的绝缘层、金属层或有机层中形成具有预定形状的预定图案。当在有源区域AA中执行多个沉积工艺和掩模工艺时，在有源区域AA的中央部分与有源区域AA的边缘部分之间可能存在制造误差。由于在有源区域AA的外围中设置虚拟区域DA，所以即使在制造误差的情况下，制造误差也可产生在虚拟区域DA中，而不是产生在有源区域AA的内部。
焊盘区域PA设置在虚拟区域DA的外围中。可在焊盘区域PA中制备诸如栅极驱动器或数据驱动器之类的电路驱动器。电路驱动器可设置在虚拟区域DA的左侧、右侧、下侧和上侧之中的至少一侧的外围中。制备在焊盘区域PA中的电路驱动器可经由虚拟区域DA与有源区域AA的内部的电路器件连接。
图2是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的有源区域的单位电路图。
如图2中所示，根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置包括多条信号线、多个薄膜晶体管T1～T7、存储电容器Cst和有机发光器件OLED。
多条信号线可包括扫描线Scan(n)、在前扫描线Scan(n-1)、发光线EM、第一初始化线Vini1、第二初始化线Vini2、高功率电源线VDD、低功率电源线VSS和数据线Vdata。
扫描线Scan(n)向第二薄膜晶体管T2、第一薄膜晶体管T1和第六薄膜晶体管T6提供扫描信号。
在前扫描线Scan(n-1)向第五薄膜晶体管T5提供在前扫描信号。
发光线EM(n)向第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4提供发光控制信号。
第一初始化线Vini1和第二初始化Vini2提供用于将第七薄膜晶体管T7初始化的初始化电压。
高功率电源线VDD向第七薄膜晶体管T7提供驱动电压。
低功率电源线VSS向有机发光器件OLED的阴极电极提供低电压。
数据线Vdata向第二薄膜晶体管T2提供数据电压。
多个薄膜晶体管T1～T7可包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7。
第一薄膜晶体管T1对应于补偿薄膜晶体管。在图中，第一薄膜晶体管T1形成为包括两个串联连接的晶体管的结构，但不限于此结构。第一薄膜晶体管T1可由一个晶体管形成。第一薄膜晶体管T1的栅极电极与扫描线Scan(n)连接，第一薄膜晶体管T1的源极电极经由第三节点N3与第七薄膜晶体管T7的漏极电极连接，并且第一薄膜晶体管T1的漏极电极经由第二节点N2与第五薄膜晶体管T5的漏极电极和存储电容器Cst的第一电容器电极连接，并且还与第七薄膜晶体管T7的栅极电极连接。在这种情况下，随着第一薄膜晶体管T1被经由扫描线Scan(n)传输的扫描信号导通，第一薄膜晶体管T1将第七薄膜晶体管T7的栅极电极和漏极电极彼此电连接，由此能实现第七薄膜晶体管T7的二极管连接。
第二薄膜晶体管T2对应于开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管T2的栅极电极与扫描线Scan(n)连接，第二薄膜晶体管T2的源极电极与数据线Vdata连接，并且第二薄膜晶体管T2的漏极电极经由第一节点N1与第三薄膜晶体管T3的漏极电极和第七薄膜晶体管T7的源极电极连接。在这种情况下，随着第二薄膜晶体管T2被经由扫描线Scan(n)传输的扫描信号导通，第二薄膜晶体管T2执行用于将传输至数据线Vdata的数据信号传输至用作驱动薄膜晶体管的第七薄膜晶体管T7的源极电极的开关操作。
第三薄膜晶体管T3对应于操作控制薄膜晶体管。第三薄膜晶体管T3的栅极电极与发光线EM(n)连接，第三薄膜晶体管T3的源极电极与高功率电源线VDD连接，并且第三薄膜晶体管T3的漏极电极经由第一节点N1与第二薄膜晶体管T2的漏极电极和第七薄膜晶体管T7的源极电极连接。
第四薄膜晶体管T4对应于发光控制薄膜晶体管。第四薄膜晶体管T4的栅极电极与发光线EM(n)连接，第四薄膜晶体管T4的源极电极经由第三节点N3与第一薄膜晶体管T1的源极电极和第七薄膜晶体管T7的漏极电极连接，并且第四薄膜晶体管T4的漏极电极经由第四节点N4与有机发光器件OLED的阳极电极和第六薄膜晶体管T6的源极电极电连接。在这种情况下，随着第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4被经由发光线EM(n)传输的发光控制信号同时导通，驱动电压传输至有机发光器件OLED，由此使发光电流流入有机发光器件OLED。
第五薄膜晶体管T5对应于初始化薄膜晶体管。在图中，第五薄膜晶体管T5形成为包括两个串联连接的晶体管的结构，但不限于此结构。第五薄膜晶体管T5可由一个晶体管形成。第五薄膜晶体管T5的栅极电极与在前扫描线Scan(n-1)连接，第五薄膜晶体管T5的源极电极与第一初始化线Vini1连接，并且第五薄膜晶体管T5的漏极电极与存储电容器Cst的第一电容器电极连接，并且还经由第二节点N2与第七薄膜晶体管T7的栅极电极和第一薄膜晶体管T1的漏极电极连接。在这种情况下，随着第五薄膜晶体管T5被经由在前扫描线Scan(n-1)传输的在前扫描信号导通，第五薄膜晶体管T5将初始化电压传输至第七薄膜晶体管T7的栅极电极，由此执行用于将第七薄膜晶体管T7的栅极电极中的电压初始化的初始化操作。
第六薄膜晶体管T6对应于旁路薄膜晶体管(bypass thin film transistor)。第六薄膜晶体管T6的栅极电极与扫描线Scan(n)连接，第六薄膜晶体管T6的源极电极经由第四节点N4与有机发光器件OLED的阳极电极和第四薄膜晶体管T4的漏极电极连接，并且第六薄膜晶体管T6的漏极电极与第二初始化线Vini2连接。即使在第七薄膜晶体管T7的用以显示黑色图像的最小电流作为驱动电流的情况下，如果有机发光器件OLED发光，则也不会恰当地显示黑图像。在此，第七薄膜晶体管T7的最小电流表示在第七薄膜晶体管T7被阈值电压(Vth)以下的栅极-源极电压(VGS)截止的情况下的电流。因而，如果流动最小电流的驱动电流，则为了防止有机发光器件OLED发光，第六薄膜晶体管T6可使用从第七薄膜晶体管T7流动的部分电流作为旁路电流并且可将其分散到除了朝向有机发光器件OLED的电路路径之外的其他电流路径。
第七薄膜晶体管T7对应于驱动薄膜晶体管。第七薄膜晶体管T7的栅极电极经由第二节点N2与存储电容器Cst的第一电容器电极连接，第七薄膜晶体管T7的源极电极经由第三薄膜晶体管T3与高功率电源线VDD连接，并且第七薄膜晶体管T7的漏极电极经由第四薄膜晶体管T4与有机发光器件OLED的阳极电极电连接。第七薄膜晶体管T7根据第二薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号，并且向有机发光器件OLED提供发光电流。
存储电容器Cst包括与第二节点N2连接的第一电容器电极、和与高功率电源线VDD连接的第二电容器电极。
有机发光器件OLED包括与第四节点N4连接的阳极电极、与低功率电源线VSS连接的阴极电极、和设置在阳极电极与阴极电极之间的发光层。
图3是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的有源区域中的子像素的平面图。
如图3中所示，第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、第一初始化线Vini1、第二初始化线Vini2和发光线EM(n)沿第一方向，例如水平或长度方向布置。
在每一子像素设置有两条扫描线Scan1(n)和Scan2(n)，其中第一扫描线Scan1(n)和第二扫描线Scan2(n)在与有源区域的外围对应的非显示区域，例如焊盘区域中彼此连接。因而，对第一扫描线Scan1(n)和第二扫描线Scan2(n)同时施加相同的扫描信号。第一初始化线Vini1设置在第一扫描线Scan1(n)与发光线EM(n)之间，发光线EM(n)设置在第一初始化线Vini1与第二扫描线Scan2(n)之间，并且第二初始化线Vini2可设置在第二扫描线Scan2(n)与第一在前扫描线Scan1(n-1)之间。
在第一在前扫描线Scan1(n-1)下方，按每个子像素重复设置沿前述第一方向布置的信号线的布置。就是说，在第一在前扫描线Scan1(n-1)下方，可顺序地布置第一初始化线Vini1、发光线EM(n)、第二在前扫描线和第二初始化线Vini2。在这种情况下，第一在前扫描线Scan1(n-1)和第二在前扫描线在与有源区域的外围对应的非显示区域，例如焊盘区域中彼此连接。
第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)可设置在相同层，可由相同材料形成并且可通过同一工艺被图案化。第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2可设置在相同层，可由相同材料形成并且可通过同一工艺被图案化。第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2可设置在与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)不同的层中。尤其是，与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)相比，第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2可设置在相对靠上的层中。
高功率电源线VDD和数据线Vdata沿与第一方向垂直的方向，例如垂直或宽度方向布置。高功率电源线VDD和数据线Vdata可设置在相同层中，可由相同材料形成并且可通过同一工艺被图案化。高功率电源线VDD和数据线Vdata可设置在与第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2不同的层中。例如，与第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2相比，高功率电源线VDD和数据线Vdata可设置在相对靠上的层中。
每个子像素设置有第一至第七薄膜晶体管T1～T7以及存储电容器电极Cst1和Cst2。
对应于开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2制备在其中第二扫描线Scan2(n)和第一有源层Active1彼此交叠的交叠区域中。第二扫描线Scan2(n)成为第二薄膜晶体管T2的栅极电极。
相对于第二扫描线Scan2(n)，第一有源层Active1的一侧成为第二薄膜晶体管T2的源极区域，其中源极区域经由接触孔与数据线Vdata连接，并且第一有源层Active1的另一侧成为第二薄膜晶体管T2的漏极区域，其中漏极区域与第一节点N1连接。第一有源层Active1的与第二扫描线Scan2(n)交叠的区域成为第二薄膜晶体管T2的沟道区域。在本申请中，源极区域和漏极区域可分别用作源极电极和漏极电极。
对应于操作控制薄膜晶体管的第三薄膜晶体管T3制备在其中发光线EM(n)和第一有源层Active1彼此交叠的交叠区域中。发光线EM(n)成为第三薄膜晶体管T3的栅极电极。
相对于发光线EM(n)，第一有源层Active1的一侧成为第三薄膜晶体管T3的源极区域，其中源极区域经由接触孔X与高功率电源线VDD连接，并且第一有源层Active1的另一侧成为第三薄膜晶体管T3的漏极区域，其中漏极区域与第一节点N1连接。第一有源层Active1的与发光线EM(n)交叠的区域成为第三薄膜晶体管T3的沟道区域。
如上所述，第一有源层Active1沿第二方向延伸，并且与第二扫描线Scan2(n)和发光线EM(n)交叉。此外，第一有源层Active1的一端，例如，第一有源层Active1的上端经由接触孔X与高功率电源线VDD连接，并且第一有源层Active1的另一端，例如，第一有源层Active1的下端经由接触孔X与数据线Vdata连接。此外，第一有源层Active1在第一节点N1处与第三有源层Active3连接。
第一有源层Active1形成第二薄膜晶体管T2的沟道区域、源极区域和漏极区域，并且还形成第三薄膜晶体管T3的沟道区域、源极区域和漏极区域。
第一有源层Active1可设置在与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)不同的层中。例如，与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)相比，第一有源层Active1可设置在相对靠下的层中。
对应于补偿薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1制备在其中第二扫描线Scan2(n)和第二有源层Active2彼此交叠的交叠区域中。第二扫描线Scan2(n)成为第一薄膜晶体管T1的栅极电极。
第二扫描线Scan2(n)可包括沿第一方向延伸的延伸部分、以及沿第二方向从延伸部分突出的突出部分。第二有源层Active2可包括两个晶体管，这两个晶体管与第二扫描线Scan2(n)的延伸部分和突出部分的每一个交叉并且串联连接，但不限于此结构。例如，在第二扫描线Scan2(n)中可不设置突出部分。在这种情况下，第一薄膜晶体管T1可设置有一个晶体管。
相对于第二扫描线Scan2(n)，第二有源层Active2的一侧成为第一薄膜晶体管T1的源极区域，其中源极区域与第三节点N3连接，并且第二有源层Active2的另一侧成为第一薄膜晶体管T1的漏极区域，其中漏极区域在第二节点N2处经由接触孔X与第一连接电极CE1连接。第一连接电极CE1的一端经由接触孔X与第二有源层Active2连接，并且第一连接电极CE1的另一端可经由接触孔X与第七薄膜晶体管T7的栅极电极电连接。
因而，第一薄膜晶体管T1的漏极区域可经由第一连接电极CE1与第七薄膜晶体管T7的栅极电极电连接。第一连接电极CE1可与高功率电源线VDD和数据线Vdata设置在相同层中，并且可由与高功率电源线VDD和数据线Vdata相同的材料形成，并且第一连接电极CE1、高功率电源线VDD和数据线Vdata可通过同一工艺被图案化。第二有源层Active2的与第二扫描线Scan2(n)交叠的区域成为第一薄膜晶体管T1的沟道区域。
对应于初始化薄膜晶体管的第五薄膜晶体管T5制备在其中第一在前扫描线Scan1(n-1)和第二有源层Active2彼此交叠的交叠区域中。第一在前扫描线Scan1(n-1)成为第五薄膜晶体管T5的栅极电极。
随着第二有源层Active2在与第一在前扫描线Scan1(n-1)交叉两次的同时弯折，第五薄膜晶体管T5可形成为包括串联连接的两个晶体管的结构，但不是必须的。随着第二有源层Active2在与第一在前扫描线Scan1(n-1)交叉一次的同时弯折，第五薄膜晶体管T5可形成为包括一个晶体管的结构。
相对于第一在前扫描线Scan1(n-1)，第二有源层Active2的一侧成为第五薄膜晶体管T5的源极区域，其中源极区域经由接触孔X与第二连接电极CE2连接。第二连接电极CE2的一端经由接触孔X与第二有源层Active2连接，并且第二连接电极CE2的另一端经由接触孔X与第一初始化线Vini1连接。因而，第五薄膜晶体管T5的源极区域经由第二连接电极CE2与第一初始化线Vini1连接。第二连接电极CE2可与高功率电源线VDD和数据线Vdata设置在相同层中，可由与高功率电源线VDD和数据线Vdata相同的材料形成，并且第二连接电极CE2、高功率电源线VDD和数据线Vdata可通过同一工艺被图案化。此外，相对于第一在前扫描线Scan1(n-1)，第二有源层Active2的另一侧成为第五薄膜晶体管T5的漏极区域，其中漏极区域在第二节点N2处经由接触孔X与第一连接电极CE1连接。因而，第五薄膜晶体管T5的漏极区域经由第一连接电极CE1与第七薄膜晶体管T7的栅极电极电连接。第二有源层Active2的与第一在前扫描线Scan1(n-1)交叠的区域成为第五薄膜晶体管T5的沟道区域。
对应于发光控制薄膜晶体管的第四薄膜晶体管T4可制备在其中发光线EM(n)和第二有源层Active2彼此交叠的交叠区域中。发光线EM(n)成为第四薄膜晶体管T4的栅极电极。
相对于发光线EM(n)，第二有源层Active2的一侧成为第四薄膜晶体管T4的源极区域，其中源极区域与第三节点N3连接，并且第二有源层Active2的另一侧成为第四薄膜晶体管T4的漏极区域，其中漏极区域在第四节点N4处经由接触孔X与第三连接电极CE3连接。第三连接电极CE3将第四节点N4和有机发光器件OLED的阳极电极彼此连接。因而，第四薄膜晶体管T4的漏极区域经由第三连接电极CE3与有机发光器件OLED的阳极电极电连接。第三连接电极CE3可与高功率电源线VDD和数据线Vdata设置在相同层中，可由与高功率电源线VDD和数据线Vdata相同的材料形成，并且第三连接电极CE3、高功率电源线VDD和数据线Vdata可通过同一工艺被图案化。第二有源层Active2的与发光线EM(n)交叠的区域成为第四薄膜晶体管T4的沟道区域。
对应于旁路薄膜晶体管的第六薄膜晶体管T6制备在第一扫描线Scan1(n)与第二有源层Active2之间的交叠区域中。第一扫描线Scan1(n)成为第六薄膜晶体管T6的栅极电极。
相对于第一扫描线Scan1(n)，第二有源层Active2的一侧成为第六薄膜晶体管T6的源极区域，并且源极区域与第四节点N4连接。因而，第六薄膜晶体管T6的源极区域经由第三连接电极CE3与有机发光器件OLED的阳极电极电连接。此外，相对于第一扫描线Scan1(n)，第二有源层Active2的另一侧成为第六薄膜晶体管T6的漏极区域，并且漏极区域经由接触孔X与第四连接电极CE4连接。第四连接电极CE4的一端经由接触孔X与第二有源层Active2连接，并且第四连接电极CE4的另一端经由接触孔X与第二初始化线Vini2连接。因而，第六薄膜晶体管T6的漏极区域经由第四连接电极CE4与第二初始化线Vini2连接。第四连接电极CE4可与高功率电源线VDD和数据线Vdata设置在相同层中，可由与高功率电源线VDD和数据线Vdata相同的材料形成，并且第四连接电极CE4、高功率电源线VDD和数据线Vdata可通过同一工艺被图案化。第二有源层Active2的与第一扫描线Scan1(n)交叠的区域成为第六薄膜晶体管T6的沟道区域。
如上所述，第二有源层Active2沿第二方向延伸并且与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)交叉。此外，第二有源层Active2的一端，例如，第二有源层Active2的上端通过接触孔X经由第四连接电极CE4与第二初始化线Vini2连接，并且第二有源层Active2的另一端，例如，第二有源层Active2的下端通过接触孔X经由第二连接电极CE2与第一初始化线Vini1连接。此外，第二有源层Active2在第四节点N4处通过接触孔X经由第三连接电极CE3与有机发光器件OLED的阳极电极连接，并且在第二节点N2处通过接触孔X经由第一连接电极CE1与第七薄膜晶体管T7的栅极电极连接，并且还在第三节点N3处与第三有源层Active3连接。
第二有源层Active2形成第一薄膜晶体管T1的沟道区域、源极区域和漏极区域；第四薄膜晶体管T4的沟道区域、源极区域和漏极区域；第五薄膜晶体管T5的沟道区域、源极区域和漏极区域；以及第六薄膜晶体管T6的沟道区域、源极区域和漏极区域。
以与第一有源层Active1相同的方式，第二有源层Active2可设置在与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)不同的层中。例如，与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)相比，第二有源层Active2可设置在相对靠下的层中。第二有源层Active2可与第一有源层Active1平行地延伸。
对应于驱动薄膜晶体管的第七薄膜晶体管T7制备在第一电容器电极Cst1与第三有源层Active3之间的交叠区域中。第一电容器电极Cst1成为第七薄膜晶体管T7的栅极电极。第一电容器电极Cst1经由接触孔X与第一连接电极CE1连接。
相对于第一电容器电极Cst1，第三有源层Active3的一侧成为第七薄膜晶体管T7的漏极区域，并且漏极区域与第三节点N3连接。此外，相对于第一电容器电极Cst1，第三有源层Active3的另一侧成为第七薄膜晶体管T7的源极区域，并且源极区域与第一节点N1连接。因而，第七薄膜晶体管T7的源极区域经由第一节点N1和第三薄膜晶体管T3与高功率电源线VDD连接，并且第七薄膜晶体管T7的漏极区域经由第三节点N3、第四薄膜晶体管T4、第四节点N4和第三连接电极CE3与有机发光器件OLED的阳极电极电连接。这种情况示出了第七薄膜晶体管T7由P型晶体管形成。当第七薄膜晶体管T7由N型晶体管形成时，源极区域与有机发光器件OLED的阳极电极电连接，并且漏极区域与高功率电源线VDD连接。第三有源层Active3的与第一电容器电极Cst1交叠的区域成为第七薄膜晶体管T7的沟道区域。
第三有源层Active3形成第七薄膜晶体管T7的沟道区域、源极区域和漏极区域。
以与第一有源层Active1相同的方式，第三有源层Active3可设置在与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)不同的层中。例如，与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)相比，第三有源层Active3可设置在相对靠下的层中。第三有源层Active3的一端在第三节点N3处与第二有源层Active2连接，并且第三有源层Active3的另一端在第一节点N1处与第一有源层Active1连接。
第三有源层Active3可与第一有源层Active1和第二有源层Active2设置在相同层中，可由与第一有源层Active1和第二有源层Active2相同的材料形成，并且第一有源层Active1、第二有源层Active2和第三有源层Active3可通过同一工艺被图案化。因此，第一有源层Active1、第二有源层Active2和第三有源层Active3可形成为一体。
存储电容器Cst1和Cst2包括彼此交叠的第一电容器电极Cst1和第二电容器电极Cst2。
第一电容器电极Cst1可用作第七薄膜晶体管T7的栅极电极，并且第一电容器电极Cst1可经由接触孔X与第一连接电极CE1连接。第一电容器电极Cst1可与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)形成在相同层中，可由与第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)相同的材料形成，并且第一电容器电极Cst1、第一扫描线Scan1(n)、第二扫描线Scan2(n)、发光线EM(n)和第一在前扫描线Scan1(n-1)可通过同一工艺被图案化。
第二电容器电极Cst2经由接触孔X与高功率电源线VDD连接。第二电容器电极Cst2可设置在与第一电容器电极Cst1不同的层中。例如，与第一电容器电极Cst1相比，第二电容器电极Cst2可设置在相对靠上的层中。尤其是，第二电容器电极Cst2可与第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2设置在相同层中，可由与第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2相同的材料形成，并且第二电容器电极Cst2、第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2可通过同一工艺被图案化。因而，第二电容器电极Cst2可设置在第一电容器电极Cst1与第一连接电极CE1之间的层中。为了防止短路，第二电容器电极Cst2可在配置成将第一电容器电极Cst1和第一连接电极CE1彼此连接的接触孔X的区域中设置有开口区域。
图4是沿图3的A-B线的剖面图。就是说，图4是有源区域中的第四薄膜晶体管T4、第七薄膜晶体管T7和第二薄膜晶体管T2的剖面图。
如图4中所示，第二有源层Active2、第三有源层Active3和第一有源层Active1形成在基板100上。第二有源层Active2形成第四薄膜晶体管T4的沟道区域、源极区域和漏极区域，第三有源层Active3形成第七薄膜晶体管T7的沟道区域、源极区域和漏极区域，并且第一有源层Active1形成第二薄膜晶体管T2的沟道区域、源极区域和漏极区域。
第三节点N3设置在第二有源层Active2与第三有源层Active3之间的边界区域中，并且第一节点N1设置在第三有源层Active3与第一有源层Active1之间的边界区域中。第二有源层Active2、第三有源层Active3和第一有源层Active1彼此连接并且形成为一体。尽管未示出，但可在第二有源层Active2、第三有源层Active3和第一有源层Active1的下方设置用于防止环境光的渗透的遮光层。当遮光层由导电材料形成时，在遮光层与有源层Active2、Active3和Active1之间设置缓冲层。
栅极绝缘层210形成在第二有源层Active2、第三有源层Active3和第一有源层Active1上。然后，发光线EM(n)、第一电容器电极Cst1和第二扫描线Scan2(n)形成在栅极绝缘层210上。发光线EM(n)用作第四薄膜晶体管T4的栅极电极，第一电容器电极Cst1用作第七薄膜晶体管T7的栅极电极，并且第二扫描线Scan2(n)用作第二薄膜晶体管T2的栅极电极。
第一层间绝缘层220形成在发光线EM(n)、第一电容器电极Cst1和第二扫描线Scan2(n)上，并且第二电容器电极Cst2形成在第一层间绝缘层220上。第二电容器电极Cst2与第一电容器电极Cst1在之间夹有第一层间绝缘层220的情况下交叠，由此形成存储电容器。
第二层间绝缘层230形成在第二电容器电极Cst2上。然后，第三连接电极CE3、高功率电源线VDD和数据线Vdata形成在第二层间绝缘层230上。第三连接电极CE3经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第二有源层Active2连接。数据线Vdata经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第一有源层Active1连接。
钝化层240形成在第三连接电极CE3、高功率电源线VDD和数据线Vdata上，并且平坦化层250形成在钝化层240上。
阳极电极300形成在平坦化层250上。阳极电极300可经由设置在钝化层240和平坦化层250中的接触孔与第三连接电极CE3连接。尽管未示出，但平坦化层250可形成为包括第一平坦化层和第二平坦化层的双层结构，其中在第一平坦化层与第二平坦化层之间设置有附加的连接电极层，并且通过使用附加的连接电极层实现第三连接电极CE3与阳极电极300之间的电连接。
堤部400形成在阳极电极300的两端的每一个上。阳极电极300的未设置有堤部400的开口区域成为发光区域。当根据本发明的电致发光显示装置形成为底部发光结构时，开口区域可制备在不与多个薄膜晶体管T1～T7交叠的区域中。当根据本发明的电致发光显示装置形成为顶部发光结构时，开口区域可制备在与多个薄膜晶体管T1～T7交叠的区域中。
有机发光层500形成在阳极电极300上，并且阴极电极600形成在有机发光层500上。有机发光层500形成在堤部400上并且设置成在多个子像素之间连接。在这种情况下，有机发光层500可配置成发射白色光，并且可按照每个子像素设置附加的红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。配置成发射白色光的有机发光层500可包括用于发射蓝色光的第一叠层、用于发射黄绿色光的第二叠层、以及设置在第一叠层与第二叠层之间的电荷生成层。
图5是沿图3的C-D线的剖面图。就是说，图5对应于第一连接电极CE1的剖面图。
如图5中所示，第二有源层Active2形成在基板100上。第二有源层Active2对应于第二节点N2的区域。尽管未示出，但可在第二有源层Active2下方设置用于防止环境光的渗透的遮光层，并且可在遮光层与有源层Active2、Active3和Active1之间设置缓冲层。
栅极绝缘层210形成在第二有源层Active2上，并且第二扫描线Scan2(n)和第一电容器电极Cst1形成在栅极绝缘层210上。
第一层间绝缘层220形成在第二扫描线Scan2(n)和第一电容器电极Cst1上，并且第二电容器电极Cst2形成在第一层间绝缘层220上。在这种情况下，第二电容器电极Cst2设置有开口区域，由此可经由开口区域暴露第一电容器电极Cst1。
第二层间绝缘层230形成在第二电容器电极Cst2上，并且第一连接电极CE1形成在第二层间绝缘层230上。
第一连接电极CE1的一端经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第二有源层Active2连接。此外，第一连接电极CE1的另一端经由设置在第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第一电容器电极Cst1连接。在这种情况下，设置在第二电容器电极Cst2中的开口区域在与接触孔相比具有相对更大尺寸的同时与接触孔交叠。因而，当第一连接电极CE1经由接触孔与第一电容器电极Cst1连接时，第一连接电极CE1不与第二电容器电极Cst2接触。因此，可防止第一电容器电极Cst1与第二电容器电极Cst2之间的短路。
钝化层240形成在第一连接电极CE1上，并且平坦化层250形成在钝化层240上。尽管未示出，但以与上面图4相同的方式，可在平坦化层250上形成阳极电极300、堤部400、有机发光层500和阴极电极600。
图6是图解根据本发明一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域中的虚拟像素的平面图。虚拟像素可位于有源区域下方。图6中所示的虚拟区域的虚拟像素可与图3中所示的有源区域的子像素的电路配置的结构相同。然而，虚拟区域不是显示图像的区域，由此制备在虚拟区域中的虚拟像素配置成不产生光发射。因此，在虚拟像素中不包括具有阳极电极、有机发光层和阴极电极的有机发光器件。此外，设置在虚拟像素中的信号线可形成为不完整的状态。尤其是，虚拟区域的发光线EM(n)形成为浮置状态，由此可防止信号照常施加至发光线EM(n)。
在本申请中，浮置状态的信号线表示：信号线与电路驱动器之间的电连接被阻止并且从电路驱动器正常提供信号变得不可能。
在包括权利要求书在内的整个申请中，具体部件前面添加虚拟表示该具体部件设置在虚拟区域中。例如，虚拟扫描线表示设置在虚拟区域中的扫描线Scan1(n)、Scan2(n)，虚拟有源层表示设置在虚拟区域中的有源层Active1、Active2、Active3，虚拟薄膜晶体管表示设置在虚拟区域中的薄膜晶体管T1～T7。
此外，如图中所示，在虚拟区域的信号线之中，对有源区域的光发射具有影响的位于上侧的第一扫描线Scan1(n)以及初始化线Vini1和Vini2可配置成具有正常的信号施加，然而，对有源区域的光发射没有影响的位于下侧的第二扫描线Scan2(n)、初始化线Vini1和Vini2、以及第一在前扫描线Scan1(n-1)可配置成未被正常施加信号的浮置状态。
根据本发明的一个实施方式，设置在虚拟区域中的多条信号线，尤其是发光线EM(n)配置成具有浮置状态，并且在虚拟区域中不设置有机发光器件，由此在虚拟像素中不产生光发射。
同时，由于诸如制造工艺的静电之类的各种原因，异常信号施加至浮置状态的发光线EM(n)，并且异常信号流入数据线，由此在有源区域中可发生与垂直线性云纹相关的问题。这将参照图7描述。
图7是沿图6的E-F线的剖面图。就是说，图7对应于虚拟区域中的第六薄膜晶体管T6的剖面。
如图7中所示，第二有源层Active2形成在基板100上。第二有源层Active2形成第六薄膜晶体管T6的沟道区域、源极区域和漏极区域。尽管未示出，但可在第二有源层Active2的下方设置用于防止环境光的渗透的遮光层，并且在遮光层与第二有源层Active2之间设置缓冲层。
栅极绝缘层210形成在第二有源层Active2上。然后，第一扫描线Scan1(n)和发光线EM(n)形成在栅极绝缘层210上。第一扫描线Scan1(n)用作第六薄膜晶体管T6的栅极电极。
第一层间绝缘层220形成在第一扫描线Scan1(n)和发光线EM(n)上，并且第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2形成在第一层间绝缘层220上。
第二层间绝缘层230形成在第一初始化线Vini1和第二初始化线Vini2上，并且第四连接电极CE4和第三连接电极CE3形成在第二层间绝缘层230上。
第四连接电极CE4经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第二有源层Active2的一端连接。此外，第三连接电极CE3经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第二有源层Active2的另一端连接。
钝化层240形成在第四连接电极CE4和第三连接电极CE3上，平坦化层250形成在钝化层240上，并且堤部400形成在平坦化层250上。就是说，由于在虚拟区域中不设置有机发光器件，所以堤部400可形成在平坦化层250的整个上表面上。
在这种情况下，通过接触孔延伸的第三连接电极CE3与第二有源层Active2的另一端连接，由此第三连接电极CE3和发光线EM(n)在之间夹有绝缘层210、220和230的同时彼此相邻设置。此外，第三连接电极CE3和第一初始化线Vini1在之间夹有绝缘层210、220和230的同时彼此相邻设置。同时，由于制造工艺的各种原因，在绝缘层210、220和230的一些部分中可能产生裂纹，由此在第三连接电极CE3与发光线EM(n)之间可产生短路。此外，在第三连接电极CE3与第一初始化线Vini1之间可产生短路。结果，通过第三连接电极CE3，在发光线EM(n)与第一初始化线Vini1之间可产生短路。
当在发光线EM(n)与第一初始化线Vini1之间产生短路时，第一初始化线Vini1的信号异常地施加至发光线EM(n)，由此前述第三薄膜晶体管T3可被异常施加至发光线EM(n)的信号导通。因而，异常信号经由第二薄膜晶体管T2流入数据线Vdata中，由此可在整个有源区域中发生垂直线性云纹。
根据本发明的另一个实施方式，如下提出了一种即使在虚拟区域中的发光线EM(n)与第一初始化线Vini1之间发生短路的情况下仍可防止云纹发生的方法。
图8是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域的单位电路图。
除了未设置有机发光器件OLED以及第一节点N1断开之外，图8中所示的虚拟区域的单位电路图与图2中所示的有源区域的单位电路图相同，从而将仅详细描述不同的部分。
如图8中所示，在根据本发明另一个实施方式的虚拟区域中未设置与第四节点N4连接的有机发光器件OLED。
此外，在根据本发明另一个实施方式的虚拟区域中，用于连接第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3和第七薄膜晶体管T7的第一节点N1断开。因而，即使第三薄膜晶体管T3被施加至发光线EM(n)的异常信号导通，也可防止异常信号经由第二薄膜晶体管T2流入数据线Vdata中，由此防止在有源区域中发生垂直线性云纹。
详细地说，根据本发明的另一个实施方式，第二薄膜晶体管T2与第三薄膜晶体管T3之间的连接断开，使得异常信号不会流经第二薄膜晶体管T2。此外，第二薄膜晶体管T2与第七薄膜晶体管T7之间的连接以及第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7之间的连接可附加地断开。
图9是图解根据本发明另一个实施方式的电致发光显示装置的虚拟区域中的虚拟像素的平面图。图9的虚拟像素示出了应用图8的具有断开的第一节点N1的单位电路图的详细实施方式。除了第一节点N1的有源层Active1和Active3断开之外，图9的虚拟像素与图6的虚拟像素相同。因而，将仅详细描述不同的部分。
参照上面的图6，第一有源层Active1连接在第二薄膜晶体管T2与第三薄膜晶体管T3之间，并且第一有源层Active1还与第三有源层Active3连接。
同时，参照图9，在第二薄膜晶体管T2与第三薄膜晶体管T3之间第一有源层Active1断开。此外，第一有源层Active1与第三有源层Active3断开。因而，参照图9，可防止异常信号经由第二薄膜晶体管T2流入数据线Vdata中。
图10是沿图9的A-B线的剖面图。除了第一有源层Active1和第三有源层Active3在第一节点N1处断开，堤部400形成在平坦化层250上，并且在平坦化层250上不形成阳极电极、发光层和阴极电极之外，图10的剖面图与图4的剖面图相同。
图11是沿图9的G-B线的剖面图。如图11中所示，第一有源层Active1在设置于基板100上的同时断开。就是说，第一有源层Active1的两个部分在之间夹有第一节点N1的同时彼此分隔开。
栅极绝缘层210形成在第一有源层Active1上，并且发光线EM(n)和第二扫描线Scan2(n)形成在栅极绝缘层210上。发光线EM(n)用作第三薄膜晶体管T3的栅极电极，并且第二扫描线Scan2(n)用作第二薄膜晶体管T2的栅极电极。
第一层间绝缘层220形成在发光线EM(n)和第二扫描线Scan2(n)上，并且第二电容器电极Cst2形成在第一层间绝缘层220上。
第二层间绝缘层230形成在第二电容器电极Cst2，并且高功率电源线VDD和数据线Vdata形成在第二层间绝缘层230上。
高功率电源线VDD经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第三薄膜晶体管T3的第一有源层Active1连接。数据线Vdata经由设置在栅极绝缘层210、第一层间绝缘层220和第二层间绝缘层230中的接触孔与第二薄膜晶体管T2的第一有源层Active1连接。
因此，第二薄膜晶体管T2的第一有源层Active1的一端经由接触孔与数据线Vdata连接，第三薄膜晶体管T3的第一有源层Active1的一端经由接触孔与高功率电源线VDD连接，并且第二薄膜晶体管T2的第一有源层Active1的另一端和第三薄膜晶体管T3的第一有源层Active1的另一端在之间夹有栅极绝缘层210的条件下彼此相对。
钝化层240形成在高功率电源线VDD和数据线Vdata上，平坦化层250形成在钝化层240上，并且堤部400形成在平坦化层250上。
如图11中所示，尽管异常信号施加至发光线EM(n)，但第三薄膜晶体管T3的第一有源层Active1与第二薄膜晶体管T2的第一有源层Active1断开，由此可防止异常信号经由第二薄膜晶体管T2流入数据线Vdata中。
根据本发明的一个实施方式，开关薄膜晶体管和操作控制薄膜晶体管彼此断开。因而，即使操作控制薄膜晶体管被施加至发光线的异常信号导通，也可防止异常信号经由开关薄膜晶体管流入数据线中，由此防止垂直线性云纹的发生。
本发明的上述特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施方式中，但不仅限于一个实施方式。此外，所属领域技术人员可通过组合或修改其他实施方式实现在本发明的至少一个实施方式中描述的特征、结构和效果。因此，涉及组合和修改的内容应当解释为在本发明的范围内。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中做出各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (24)

1.一种电致发光显示装置，包括：
用于显示图像的有源区域；
设置在所述有源区域的外围中的虚拟区域，其中在所述虚拟区域中不显示图像；
在所述虚拟区域中沿第一方向布置的扫描线、初始化线和发光线；
在所述虚拟区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向布置的高功率电源线和数据线；和
制备在所述虚拟区域中的多个薄膜晶体管，
其中所述多个薄膜晶体管包括：驱动薄膜晶体管；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管设置成将所述驱动薄膜晶体管和所述数据线彼此连接；和操作控制薄膜晶体管，所述操作控制薄膜晶体管设置成将所述驱动薄膜晶体管和所述高功率电源线彼此连接，
其中所述开关薄膜晶体管和所述操作控制薄膜晶体管彼此断开。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中所述开关薄膜晶体管和所述操作控制薄膜晶体管的每一个包括用于形成沟道区域、源极区域和漏极区域的第一有源层，
其中所述开关薄膜晶体管的第一有源层与所述操作控制薄膜晶体管的第一有源层断开。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，
其中所述开关薄膜晶体管的第一有源层沿所述第二方向延伸，并且所述开关薄膜晶体管的第一有源层的一端经由接触孔与所述数据线连接，
其中所述操作控制薄膜晶体管的第一有源层沿所述第二方向延伸，并且所述操作控制薄膜晶体管的第一有源层的一端经由接触孔与所述高功率电源线连接，并且
其中所述开关薄膜晶体管的第一有源层的另一端和所述操作控制薄膜晶体管的第一有源层的另一端在之间夹有绝缘层的条件下彼此相对。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述扫描线用作所述开关薄膜晶体管的栅极电极，并且所述发光线用作所述操作控制薄膜晶体管的栅极电极。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发光线处于浮置状态。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述发光线与所述初始化线电连接。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述开关薄膜晶体管与所述驱动薄膜晶体管断开。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，
其中所述开关薄膜晶体管包括用于形成沟道区域、源极区域和漏极区域的第一有源层，
所述驱动薄膜晶体管包括用于形成沟道区域、源极区域和漏极区域的第三有源层，并且
所述开关薄膜晶体管的第一有源层与所述驱动薄膜晶体管的第三有源层断开。
9.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，还包括：
与所述第一有源层平行地延伸的第二有源层、以及设置在所述第一有源层与所述第二有源层之间的第三有源层，
其中所述第二有源层形成彼此连接的多个薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，
所述第三有源层形成所述驱动薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，并且
所述第二有源层和所述第三有源层彼此连接。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置，其中所述第二有源层形成补偿薄膜晶体管、初始化薄膜晶体管、发光控制薄膜晶体管和旁路薄膜晶体管的每一个中的沟道区域、源极区域和漏极区域。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置，还包括：
第一连接电极，所述第一连接电极配置成将所述第二有源层和所述驱动薄膜晶体管的栅极电极彼此连接；
第二连接电极，所述第二连接电极配置成将所述第二有源层和所述初始化线中的第一初始化线连接；
第三连接电极，所述第三连接电极经由接触孔与所述第二有源层连接；和
第四连接电极，所述第四连接电极配置成将所述第二有源层和所述初始化线中的第二初始化线连接，
其中所述第一连接电极、所述第二连接电极、所述第三连接电极和所述第四连接电极与所述高功率电源线和所述数据线设置在相同层中，并且由与所述高功率电源线和所述数据线相同的材料形成。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中在所述虚拟区域中未设置有机发光器件。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中所述有源区域包括：
沿所述第一方向布置的附加扫描线、附加初始化线和附加发光线；
沿所述第二方向布置的附加高功率电源线和附加数据线；和
包括附加驱动薄膜晶体管、附加开关薄膜晶体管和附加操作控制薄膜晶体管的多个附加薄膜晶体管，
其中设置在所述有源区域中的附加操作控制薄膜晶体管和附加开关薄膜晶体管彼此连接。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置，
其中所述附加开关薄膜晶体管和所述附加操作控制薄膜晶体管的每一个包括用于形成沟道区域、源极区域和漏极区域的附加第一有源层，并且
所述附加开关薄膜晶体管的附加第一有源层与所述附加操作控制薄膜晶体管的附加第一有源层连接。
15.根据权利要求14所述的电致发光显示装置，
其中所述有源区域包括与所述附加第一有源层平行地延伸的附加第二有源层、以及设置在所述附加第一有源层与所述附加第二有源层之间的附加第三有源层，
所述附加第二有源层形成彼此连接的多个附加薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，
所述附加第三有源层形成所述附加驱动薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，并且
所述附加第一有源层、所述附加第二有源层和所述附加第三有源层彼此连接。
16.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述操作控制薄膜晶体管与所述驱动薄膜晶体管彼此断开。
17.一种电致发光显示装置，包括：
用于显示图像的有源区域；
设置在所述有源区域的外围中的虚拟区域，其中在所述虚拟区域中不显示图像；
设置在所述有源区域中的有源层，所述有源层用于形成多个薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域；和
设置在所述虚拟区域中的虚拟有源层，所述虚拟有源层用于形成多个虚拟薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，
其中所述有源层的图案与所述虚拟有源层的图案不同。
18.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，
其中所述有源层包括第一有源层，所述第一有源层用于形成两个薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，
所述虚拟有源层包括虚拟第一有源层，所述虚拟第一有源层用于形成两个虚拟薄膜晶体管的沟道区域、源极区域和漏极区域，并且
所述第一有源层连接在所述两个薄膜晶体管之间，并且所述虚拟第一有源层在所述两个虚拟薄膜晶体管之间断开。
19.根据权利要求18所述的电致发光显示装置，
其中所述有源层包括与所述第一有源层平行地延伸的第二有源层、以及设置在所述第一有源层与所述第二有源层之间并且与所述第一有源层和所述第二有源层的每一个连接的第三有源层，并且
其中所述虚拟有源层包括与所述虚拟第一有源层平行地延伸的虚拟第二有源层、以及设置在所述虚拟第一有源层与所述虚拟第二有源层之间并且与所述虚拟第二有源层连接而不与所述虚拟第一有源层连接的虚拟第三有源层。
20.根据权利要求18所述的电致发光显示装置，
其中所述虚拟区域包括沿预定方向布置的虚拟高功率电源线和虚拟数据线，
所述两个虚拟薄膜晶体管由虚拟开关薄膜晶体管和虚拟操作控制薄膜晶体管形成，所述虚拟开关薄膜晶体管与所述虚拟数据线连接，所述虚拟操作控制薄膜晶体管与所述虚拟高功率电源线连接。
21.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，
其中所述有源区域设置有包括阳极电极、发光层和阴极电极的有机发光器件，所述虚拟区域未设置有所述有机发光器件，
所述虚拟区域附加地包括沿第一方向布置的虚拟第一扫描线、虚拟第二扫描线、虚拟第一初始化线、虚拟第二初始化线和虚拟发光线，
所述虚拟区域附加地包括沿与所述第一方向交叉的第二方向布置的虚拟高功率电源线和虚拟数据线，并且
所述虚拟第二扫描线、所述虚拟发光线和所述虚拟第二初始化线处于浮置状态。
22.根据权利要求17所述的电致发光显示装置，其中所述多个虚拟薄膜晶体管包括虚拟开关薄膜晶体管和虚拟操作控制薄膜晶体管，并且所述虚拟开关薄膜晶体管和所述虚拟操作控制薄膜晶体管彼此断开。
23.根据权利要求22所述的电致发光显示装置，其中所述多个虚拟薄膜晶体管还包括虚拟驱动薄膜晶体管，其中所述虚拟开关薄膜晶体管与所述虚拟驱动薄膜晶体管彼此断开。
24.根据权利要求22所述的电致发光显示装置，其中所述多个虚拟薄膜晶体管还包括虚拟驱动薄膜晶体管，其中所述虚拟操作控制薄膜晶体管与所述虚拟驱动薄膜晶体管彼此断开。
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