CN115050754A - 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 - Google Patents
一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115050754A CN115050754A CN202210646094.4A CN202210646094A CN115050754A CN 115050754 A CN115050754 A CN 115050754A CN 202210646094 A CN202210646094 A CN 202210646094A CN 115050754 A CN115050754 A CN 115050754A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal line
- display panel
- initialization
- opening
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims abstract description 109
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 32
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 27
- 208000032005 Spinocerebellar ataxia with axonal neuropathy type 2 Diseases 0.000 description 46
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置,显示面板包括第一信号传输部以及连接部,连接部与第一信号传输部的端部电连接;至少部分连接部中设置有截断开口,沿第一方向以及显示面板的厚度方向,截断开口贯穿连接部;第一方向与显示面板的厚度方向相交且与连接部的延伸方向相交。采用上述技术方案,通过增设连接部同时设置连接部与第一信号传输部的端部电连接,通过连接部将各第一信号传输部短接形成电均势,消除第一信号传输部中的静电差,避免第一信号传输部中的静电差影响薄膜晶体管的特性;进一步的,通过在连接部中设置截断开口,通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。
背景技术
现有技术中显示面板在制程过程中会产生静电,并且静电在信号走线中分布不均,导致不同区域的静电荷量存在差异。静电差异会导致显示面板中不同区域的像素电路的特性产生差异,影响显示面板的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置,显示面板包括相互连接的第一信号传输部以及连接部,通过连接部将各第一信号传输部短接形成电均势,消除第一信号传输部中的静电差,避免第一信号传输部中的静电差影响薄膜晶体管的特性;同时连接部中设置有截断开口,通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括第一信号传输部以及连接部,所述连接部与所述第一信号传输部的端部电连接;
至少部分所述连接部中设置有截断开口,沿第一方向以及所述显示面板的厚度方向,所述截断开口贯穿所述连接部;所述第一方向与所述显示面板的厚度方向相交且与所述连接部的延伸方向相交。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,用于制备第一方面所述的显示面板,所述制备方法包括:
制备第一信号传输部以及与所述第一信号传输部的端部电连接的连接部;
在至少部分所述连接部中制备截断开口,沿第一方向以及所述显示面板的厚度方向,所述截断开口贯穿所述连接部;所述第一方向与所述显示面板的厚度方向相交且与所述连接部的延伸方向相交。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第一方面所述的显示面板。
本发明提供的显示面板包括相互连接的第一信号传输部和连接部,通过连接部将各第一信号传输部短接形成电均势,消除第一信号传输部中的静电差,避免第一信号传输部中的静电差影响薄膜晶体管的特性;进一步的,通过在连接部中设置截断开口,通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图虽然是本发明的一些具体的实施例,对于本领域的技术人员来说,可以根据本发明的各种实施例所揭示和提示的器件结构,驱动方法和制造方法的基本概念,拓展和延伸到其它的结构和附图,毋庸置疑这些都应该是在本发明的权利要求范围之内。
图1是本发明实施例提供的一种显示显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种像素电路的结构版图示意图;
图3是本发明实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图;
图4是图3提供的像素电路中扫描信号和发光控制信号的时序示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图6是图5提供的像素电路沿剖面线A-A’的剖面结构示意图;
图7是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图8是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图9本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图10是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图11是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图12是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图13是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图;
图14是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图15本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图;
图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将参照本发明实施例中的附图,通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例所揭示和提示的基本概念,本领域的技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,图2是本发明实施例提供的一种像素电路的结构版图示意图,图3是本发明实施例提供的一种像素电路的电路结构示意图,图4是图3提供的像素电路中扫描信号和发光控制信号的时序示意图,结合图1、图2、图3和图4所示,对显示面板以及像素电路的结构进行简单说明。
如图1所示,本申请实施例提供的显示面板100包括多个像素电路10,多个像素电路10可以呈阵列分布。例如,多个像素电路10可以在相交的行方向X和列方向Y上呈阵列分布。进一步的,显示面板100还可以包括驱动芯片IC、像素驱动电路VSR、电源电压信号线PVDD、数据信号线Vdata、初始化信号线Vref、扫描信号线Scan1、Scan2以及发光控制信号线Emit。像素驱动电路VSR可以包括多个级联的移位寄存器VSR(移位寄存器VSR具体可以包括扫描以为寄存器S-VSR和发光控制移位寄存器E-VSR,图中未示出),各移位寄存器VSR通过扫描信号线Scan和发光控制信号线E-mit与像素电路10连接,用于向像素电路10提供扫描信号和发光控制信号。驱动芯片IC为像素驱动电路VSR提供起始信号STV(图中未示出)。另外,如图1所示,多个级联的移位寄存器VSR中除第一级和最后一级移位寄存器VSR之外,其余移位寄存器VSR可以为相邻两行像素电路10提供扫描信号。此时,可以在阵列基板上设置dummy像素电路(图1中未示出),分别与移位寄存器VSR中第一级和最后一级移位寄存器VSR的扫描线对应连接,但dummy像素电路并不用于显示。另外,像素驱动电路VSR与驱动芯片IC之间可以连接有时钟信号线(图中未示出)、高电平信号线(VGH)(图中未示出)、低电平信号线(VGL)(图中未示出),驱动芯片IC向像素驱动电路VSR提供时钟信号、高电平信号以及低电平信号,保证像素驱动电路VSR可以正常输出扫描信号和发光控制信号。进一步的,像素驱动电路VSR可以包括多种不同的设置方式,例如如图1所示,像素驱动电路VSR设置在显示面板100一侧;或者,像素驱动电路VSR设置在显示面板100相对设置的两侧,本发明实施例对此不进行限定。
结合图2、图3和图4所示,各像素电路10可以包括多个薄膜晶体管,其中,图2和图3示例性的以像素电路10包括七个薄膜晶体管和一个存储电容,即7T1C电路为了进行说明。结合图2、图3和图4所示,下面对像素电路的工作过程进行简单说明。参考图2和图3,以任一行像素电路为例,第一扫描信号线Scan1控制该像素电路的复位晶体管T5的导通或关断,并在复位晶体管T5导通时对驱动晶体管T3的栅极电位进行重置。第二扫描信号线Scan2控制该像素电路的数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T4的导通和关断,并在数据写入晶体管T2和阈值补偿晶体管T4的导通时,将数据信号线Vdata上的数据信号写到驱动晶体管T1的栅极,且对驱动晶体管T3的阈值电压进行补偿。在一些可选的像素电路设计中,扫描信号Scan n还可以复用为控制该像素电路的初始化晶体管T7的导通或关断,并在初始化晶体管T7导通时,对发光元件的阳极电位进行重置,此时,无需再单独为初始化晶体管T7设置扫描信号线。
换句话说,第一扫描信号线可以理解为与像素电路10中的复位晶体管的控制端所连接的扫描信号线,第二扫描信号线可以理解为与像素电路10中的数据写入晶体管的控制端、补偿晶体管的控制端以及初始化晶体管的控制端所连接的扫描信号线。一般而言,用于显示的每行像素电路10均至少对应连接有第一扫描信号线和第二扫描信号线。
电源电压信号线PVDD用于向驱动晶体管T3提供电源电压,电源电压信号线PVDD上的电压可以为正电压。公共电源信号端PVEE上的电压可以为负电压。初始化信号线Vref用于提供重置电压信号,初始化信号线Vref上的电压可以为负电压。
上述实施例以像素电路10中的各晶体管均为P型晶体管为例进行说明,在其它可选的实施例中,像素电路10中的各晶体管也可以均为N型晶体管,或者部分为P型晶体管,部分为N型晶体管。可以根据不同类型的晶体管提供不同的使能电平,使能电平为能够使晶体管导通的电平。例如,对于N型晶体管,使能电平为高电平,对于P型晶体管,使能电平为低电平。
如图4所示,像素电路10的驱动过程可以包括初始化阶段、数据写入阶段及发光阶段。在初始化阶段,第一扫描信号线Scan1提供低电平信号,复位晶体管T5导通,重置驱动晶体管T3的栅极电位。在数据写入阶段,第二扫描信号线Scan2提供低电平信号,数据写入晶体管T2及阈值补偿晶体管T4导通,数据信号线Vdata上的数据信号写到驱动晶体管T1的栅极,且对驱动晶体管T3的阈值电压进行补偿;且初始化晶体管T7导通,重置发光元件的阳极电位。在发光阶段,发光控制信号线Emit提供低电平信号,发光控制晶体管T1和T6导通,驱动晶体管T3产生的驱动电流传输至发光元件,发光元件发光。
需要说明的是,图2、图3和图4仅仅是一种示例,并不用于限定本申请。
在上述实施例的基础上,发明人发现,在显示面板的制程中存在静电,信号走线不同位置处累计的静电量不同,尤其对于信号走线延伸长度较长的情况,例如扫描信号线、发光控制信号线或者初始化信号线,基于尖端放电效应,静电会在长信号线两端聚集,导致中间和两端静电荷量存在差异。信号走线不同的静电对TFT的影响不同,造成不同位置处的TFT特性存在差异,影响显示均一性。
基于上述技术问题,本发明实施例提供一种显示面板,以消除信号走线不同位置处累计的静电差,避免信号走线不同位置处累计的静电差影响薄膜晶体管的特性。具体的,图5为本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图。参见图5,该显示面板包括:第一信号传输部120以及连接部13,连接部13与第一信号传输部120的端部电连接,至少部分连接部13中设置有截断开口14,沿第一方向以及显示面板的厚度方向,截断开口14贯穿连接部13,第一方向与显示面板10的厚度方向相交且与连接部13的延伸方向相交。
具体的,显示面板在制程中存在静电,如扫描信号线(M1)以及初始化信号线(MC)制程中,信号走线不同位置处累积的静电量不同,尤其对于信号走线延伸长度较长的情况,基于尖端放电效应,静电会在长信号线两端聚集,导致中间和两端静电荷量存在差异,信号走线不同的静电对TFT的影响不同,造成不同位置处的TFT特性存在差异,影响显示均一性。因此,在显示面板制备不同膜层之间的跨接结构制程前,设置连接部13与第一信号传输部120的两个端部短接形成电均势,消除第一信号传输部120中的静电差,从而避免了第一信号传输部120中的静电差影响薄膜晶体管的特性,并在跨接结构制程后,在至少部分连接部13中设置截断开口14,沿第一方向以及显示面板的厚度方向,截断开口14贯穿连接部13,即若第一信号传输部120沿水平延伸,则在竖直方向以及显示面板的厚度方向,截断开口14完全贯穿连接部13,使得截断开口14完全断开不同第一信号传输部120之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板的正常工作,其中,第一方向与显示面板的厚度方向相交且与连接部的延伸方向相交,图5中示例性的描述了第一方向与显示面板的厚度方向垂直且与连接部的延伸方向垂直,但不构成对本申请的限制。
需要说明的是,由于显示面板中不同膜层之间可以通过跨接结构进行电连接,例如薄膜晶体管中的源级和漏极需要与有源层电连接,像素电路中的参考信号线与薄膜晶体管的源级(或者漏极)通过跨接结构进行电连接实现参数信号的写入等等,因此通过跨接结构可以实现显示面板不同膜层之间的电连接,进而通过跨接结构形式不同膜层之间的静电相互转移,保证整个显示面板不同膜层之间的静电均衡。并且由于第一信号传输部120是在跨接结构的制程工艺之间制备的,因此在跨接结构制程前,需要通过连接部13实现不同第一信号传输部120中的静电均衡。进一步的,由于不同第一信号传输部120中可能传输不同的信号,因此在跨接结构支撑之后,显示面板已经通过跨接结构实现静电在不同膜层之间的传输之后,可以通过截断开口14完全断开不同第一信号传输部120之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板的正常工作。
还需要说明的是,至少部分连接部13中设置有截断开口14,是指在跨接结构制程后,部分第一信号传输部120与连接部13的电连接关系会导致不同信号之间短路,需要设置截断开口14,断开电连接关系,还有部分第一信号传输部120与连接部13的电连接关系,不影响显示面板的正常工作,可以不设置截断开口。
综上,本发明实施例提供的显示面板,通过在第一信号传输部的端部设置连接部,使得连接部将各第一信号传输部短接形成电均势,消除第一信号传输部中的静电差,避免第一信号传输部中的静电差影响薄膜晶体管的特性;进一步的,通过在连接部中设置截断开口,通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
可选地,图6是图5提供的像素电路沿剖面线A-A’的剖面结构示意图,参考图6所示,显示面板100还包括位于连接部13远离衬底一侧的至少一层绝缘层15,沿显示面板100的厚度方向(如图中所示的Z方向),截断开口14贯穿绝缘层。
具体的,结合上述实施例的说明可以知道,第一信号传输部120是在跨接结构的制程工艺之间制备的,因此跨接结构位于第一信号传输部120远离衬底的一侧,且第一信号传输部120与跨接结构之间设置有至少一层绝缘层15。由于截断开口是在跨接结构制程之后形成的,因此截断开口14至少贯穿连接部12上的绝缘层,以保证截断开口14的设置是在跨接结构制程工艺之后形成的,一方面保证截断开口14的设置不会影响不同第一信号传输部120中的静电均衡,另一方面通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
继续参考结合图2、图3和图5所示,显示面板100还包括像素电路10,像素电路10包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括有源层11和栅极,有源层11包括源区,显示面板100还包括与栅极连接的扫描信号线Scan和发光控制信号线Emit以及与部分源区连接的初始化信号线Vref,第一信号传输部120包括有源层、扫描信号线Scan、发光控制信号线Emit以及初始化信号线Vref中的至少一种。
在显示面板的制备过程中,有源层11中掺杂形成源区和漏区,源区和漏区之间为沟道区,沟道区对应栅极。具体的,显示面板中,有源层11、扫描信号线Scan、发光控制信号线Emit以及初始化信号线Vref均具备较长的延伸长度,因此容易在延伸方向的两端累积较多静电荷,较多的静电荷容易对薄膜晶体管造成干扰,因此本发明实施例中的第一信号传输部120可以包括有源层、扫描信号线Scan、发光控制信号线Emit以及初始化信号线Vref中的至少一种,通过连接部13连接第一信号传输部120的端部实际静电荷的重新分布,保证第一信号传输部120中形成电均势。
下面对第一信号传输部以及截断开口多种不同的实施方式进行分别说明。首先以第一信号传输部位于第一金属层M1为例进行说明。
继续参见图5所示,扫描信号线Scan包括与同一像素电路电连接的第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit依次交替循环排布,第一信号传输部120包括第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit,连接部13包括第一信号连接部131,第一信号连接部131分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit的端部电连接。
具体的,扫描信号线Scan包括与同一像素电路电连接的第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2。其中,参见图1相邻两行像素电路中,本行像素电路中第一扫描信号线Scan1对应连接上一行像素电路中第二扫描信号线Scan2,即本行像素电路中的第一扫描信号线Scan1与上一行像素电路中第二扫描信号线Scan2是同一信号,也就是说,除第一级和最后一级移位寄存器VSR之外,其余移位寄存器VSR可以同时为相邻两行像素电路10提供扫描信号。同一行像素电路第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit同层设置(例如设置在显示面板的第一金属层M1中)且依次排布,多行像素电路中的第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit依次交替循环排布。此外,第一信号传输部120包括同层设置沿延伸方向相同的第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit,相应的,连接部13包括第一信号连接部131,第一信号连接部131分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit的两个端部电连接,避免了在第一金属层M1制程中,由于尖端放电效应,静电会在第一金属层M1中的长信号线两端聚集,导致中间和两端静电荷量存在差异,进而造成不同位置处的TFT特性存在差异,影响显示均一性。
需要说明的是,由于第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit,输出的信号不同,因此第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit与第一信号连接部131的电连接关系,会导致不同信号之间短路,影响显示面板的正常工作,因此,第一信号连接部131中设置有第一截断开口141,第一截断开口141用于断开第一扫描信号线Scan1与第二扫描信号线Scan2、第二扫描信号线Scan2与发光控制信号线Emit以及发光控制信号线Emit与下一级第一扫描信号线Scan1之间的电连接。
图7是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参见图7,第一截断开口一体141设置,沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit中的至少两者与第一截断开口141交叠。
由于需要避免不同信号之间短路,因此可以通过设置较大的第一截断开口141,在沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit中的至少两者与第一截断开口141交叠,如此可以通过一个较大的第一截断开口141可以同时实现第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit之间的断开设置,第一截断开口141设置数量少,设置方式简单。。
需要说明的是,图7中以沿扫描信号线的延伸方向,第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit与第一截断开口141交叠为例,但不构成对本申请的限制,在其他实施例中,沿扫描信号线的延伸方向,第一截断开口141还可以同时与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit交叠;或者,沿扫描信号线的延伸方向,第一截断开口141还可以同时与第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2交叠。
图8是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参见图8,第一截断开口141包括多个分立设置的第一子截断开口1411,沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线中Emit的至少两者与第一子截断开口1411交叠。
具体的,由于需要避免不同信号之间短路,因此可以通过设置多个分立设置的第一子截断开口1411,在沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit中的至少两者分别与不同的第一子截断开口1411交叠,如此可以通过多个分立设置的第一子截断开口1411实现第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit之间的断开设置。进一步的,通过多个分立设置的第一子截断开口1411断开不同信号之间的电连接,相比于第一截断开口的一体设置,分立设置的第一子截断开口1411可保证第一子截断开口1411开口尺寸较小,对其周围的像素电路结构影响较小,避免较大的开口造成形成开口区域以及没有形成开口的区域之间因开口图形密度差异,从而导致的边缘TFT特效异常问题,提升显示面板的整体稳定性。
需要说明的是,图8中以沿扫描信号线的延伸方向,第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit分别与第一子截断开口1411交叠为例进行说明,但不构成对本申请的限制,在其他实施例中,还可以为第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2分别与第一子截断开口1411交叠,以及第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit分别与第一子截断开口1411交叠等。
图9本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参见图9,第一截断开口141包括多个分立设置的第二子截断开口1412,沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit均与第二子截断开口1412错开设置。
具体的,由于需要避免不同信号之间短路,因此可以通过设置多个分立设置的第二子截断开口1412,在沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit均与第二子截断开口1412错开设置,即第二子截断开口1412位于两个相邻信号线之间的第一连接部131上,也就是说第二子截断开口1412未设置于第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit的端部,因此,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit与像素驱动电路VSR连接时不需要跨线,可以直接电连接,连接方式简单且节省了工艺流程。
继续参考图7和图8,显示面板100还包括像素驱动电路VSR(图中未示出),沿扫描信号线的延伸方向,像素驱动电路VSR位于第一信号连接部141远离第一信号传输部120的一侧,也就是说第一信号连接部141位于像素驱动电路VSR和第一信号传输部120之间,由于在沿扫描信号线的延伸方向,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit中的至少两者与第一截断开口141或者第一子截断开口1411交叠,也就是说,第一连接信号部141在第一信号传输部的端部断开,因此,第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线Emit中的至少两者需要通过连接跨线分别与像素驱动电路VSR电连接。
需要说明的是,沿扫描信号线的延伸方向,端部设置有开口的第一信号传输部,需要通过连接跨线与像素驱动电路VSR电连接,而端部未设置开口的第一信号传输部,则可以直接与像素驱动电路电连接。
继续参考图7、图8和图9,显示面板100还包括像素驱动电路VSR(图中未示出),沿扫描信号线的延伸方向,像素驱动电路VSR位于第一信号连接部131与第一信号传输部120之间,即沿扫描信号线的延伸方向,像素驱动电路VSR设置于第一信号连接部131与第一信号传输部120之间,此时,第一信号连接部131上截断开口的设置,不影响像素驱动电路VSR与第一信号传输部120的连接关系,因此,第一信号传输部120直接与像素驱动电路VSR电连接,第一信号传输部120直接与像素驱动电路VSR之间的连接关系简单,不需要额外跨线,连接稳定性良好且节省了工艺流程。
综上所述,上述实施例以第一信号传输部位于第一金属层M1以及截断开口多种不同的实施方式进行了说明,接下来以第一信号传输部位于电容基板MC所在膜层为例进行说明。
图10是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参见图10,薄膜晶体管包括初始化晶体管T5和复位晶体管T7,初始化信号线Vref包括与初始化晶体管T5的源区连接的第一初始化信号线Vref1以及与复位晶体管T7的源区连接的第二初始化信号线Vref2,第一初始化信号线Vref1与第二初始化信号线中Vref2的初始化信号电位不同,且第一初始化信号线Vref1与第二初始化信号线Vref2依次交替循环排布。第一信号传输部120包括第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2,连接部13包括第二信号连接部132,第二信号连接部132分别与第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2的端部电连接。
具体的,初始化信号线包括第一初始化信号线Vref1与第二初始化信号线中Vref2,第一初始化信号线Vref1用于向初始化晶体管T5的源区写入初始化信号,进而向驱动晶体管T3的栅极写入初始化信号;第二初始化信号线Vref2用于向复位晶体管T7的源区写入复位信号,进而向发光元件的阳极写入复位信号。一般来说,第一初始化信号线Vref1与第二初始化信号线中Vref2设置于电容基板MC层,基于存储电容Cst的其中一个电容基板同层设置,为解决尖端放电效应,改善显示均一性,在电容基板MC制程中,设置第二信号连接部132分别与第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2的端部电连接,形成电均势,消除初始化信号线Vref间的静电差,避免了初始化信号线Vref中的静电差影响薄膜晶体管的特性。但由于第一初始化信号线Vref1与第二初始化信号线中Vref2的初始化信号电位不同,第二信号连接部132分别与第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2的端部电连接关系,会导致初始信号线间的短路,因此,第二信号连接部132中设置有第二截断开口142,第二截断开口142用于断开第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2之间的电连接,避免不同信号之间短路,保证显示面板的正常工作。
需要说明的是,图10中示例性的描述了双初始化信号线,即第一初始化信号线Vref1和第二初始化信号线Vref2,但不构成对本申请的限制,在其他实施例中初始化信号线可以为单初始化信号线,此时,同一初始化信号线通过第二信号连接部132电连接,不会造成短路,不影响正常显示。因此,在单初始化信号线时,可以不设置截断开口。
图11是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参考图3和图11,扫描信号线Scan包括与同一像素电路电连接的第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2,第一信号传输部120包括第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2、发光控制信号线E-mit和初始化信号线Vref,即第一信号传输部120包括位于第一金属层M1的走线和位于电容基板层MC的走线。
连接部13包括第一信号连接部131和第二信号连接部132,其中,第一信号连接部131连接位于第一金属层M1的第一信号传输部120,即分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的端部电连接,第二信号连接部132连接位于电容基板层MC的第一信号传输部120,即与初始化信号线Vref的端部电连接。
具体的,为避免尖端放电效应,造成不同位置处的TFT特性存在差异,在第一金属层M1制程中,设置第一信号连接部131分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的端部电连接,在电容基板MC制程中,设置第二信号连接部132与初始化信号线Vref的端部电连接,使整面第一金属层M1和电容基板MC均各自相互导通,形成电均势,避免了第一信号传输部120中的静电差影响薄膜晶体管的特性。而由于连接部13与第一信号传输部120的电连接关系,会导致后续不同信号之间的短路,因此,在跨接结构制程后,还需要在第一信号连接部131中设置第一截断开口141,断开第一信号连接部131与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的电连接关系,在第二信号连接部132中设置第二截断开口142,以断开第二信号连接部132与初始化信号线Vref的电连接关系,并且沿显示面板的厚度方向,第二截断开口142与第一截断开口141至少部分交叠,即可以通过一次过孔工艺,同时形成第一截断开口141和第二截断开口142,保证第一截断开口141和第二截断开口142的开孔工艺简单,通过一次mask工艺即可,并且节省开孔成本。
需要说明的是,本实施例中,由于MC层为单初始化信号线,进而连接部与第一信号传输部的电连接关系不会导致初始化信号线短路。此处在第二信号连接部132中设置有第二截断开口142,可以使截断开口的设置均匀。
图12是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图。参见图3和图12,扫描信号线Scan包括与同一像素电路电连接的第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2,第一信号传输部120包括第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2、发光控制信号线E-mit和初始化信号线Vref。
连接部13包括第一信号连接部131和第二信号连接部132,第一信号连接部131分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的端部电连接,第二信号连接部132与初始化信号线Vref的端部电连接。
具体的,为避免尖端放电效应,造成不同位置处的TFT特性存在差异,在第一金属层M1制程中,设置第一信号连接部131分别与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的端部电连接,在电容基板MC制程中,设置第二信号连接部132与初始化信号线Vref的端部电连接,使整面第一金属层M1和电容基板MC均各自相互导通,形成电均势,避免了第一信号传输部120中的静电差影响薄膜晶体管的特性。而由于连接部13与第一信号传输部120的电连接关系,会导致后续不同信号之间的短路,因此,在跨接结构制程后,还需要在第一信号连接部131中设置有第一截断开口141,以断开第一信号连接部131与第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和发光控制信号线E-mit的电连接关系,在第二信号连接部132中设置有第二截断开口142,以断开第二信号连接部132与初始化信号线Vref的电连接关系,并且沿扫描信号线的延伸方向,第二截断开口142与第一截断开口141至少部分错开设置,可以均衡开口的设置位置,避免开口开在相同位置造成开口周围TFT特效异常问题,保证显示面板稳定性良好。
图13是本发明实施例提供的另一种像素电路的结构版图示意图,参见图2和图13,薄膜晶体管包括初始化晶体管T5、复位晶体管T7和发光控制晶体管T1,初始化晶体管T5的源区以及复位晶体管T7的源区均与初始化信号Vref的电连接,发光控制晶体管T1的源区与电源电压信号线PVDD电连接,第一信号传输部120包括有源层11,则初始化晶体管T5的源区、复位晶体管T7的源区或者发光控制晶体管T1的源区与连接部13电连接。
具体的,初始化晶体管的源区、复位晶体管的源区以及发光控制晶体管的源区都对应有源层的端点处,且初始化晶体管T5的源区以及复位晶体管T7的源区均与初始化信号Vref的电连接,发光控制晶体管T1的源区与电源电压信号线PVDD电连接,也就是说这三个位置连接固定电位,后续可以不用截断开口断开,有源层短接的实现方式简单。
需要说明的是,图13中以复位晶体的源区与连接部电连接为例,在其他实施例中还可以为初始化晶体管的源区与连接部电连接,或者发光控制晶体管的源区与连接部电连接。
可选的,第一信号传输部120与连接部13同层设置,第一信号传输部120与连接部13可以利用同一个掩膜版在同一道制作工艺中制作形成,减少了制程数量,节省了成本,提高了生产效率;并且,第一信号传输部120与连接部13同层设置,可以保证显示面板膜层结构简单,有利于实现显示面板的薄型化设计。
可选的,在上述实施例的基础上,第一信号传输部120沿第一方向延伸,连接部13包括第一连接部和第二连接部,沿第一方向,第一连接部和第二连接部分别位于第一信号传输部120的两侧,换句话说,连接部13与第一信号传输部120两侧的端部分别电连接,以形成电均势,进一步保证第一信号传输部120中静电分布均匀,保证静电对不同位置的TFT特性影响相同,保证显示面板稳定性良好,显示均一性良好。
可选的,图14是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,如图14所示,显示面板100包括显示区AA以及围绕至少部分显示区AA的非显示区NAA;第一信号传输部120位于显示区AA,连接部13位于非显示区NAA。
具体的,设置连接部13位于非显示区NAA,保证连接部13的设置不会影响显示面板的正常显示区域,不会影响显示面板的显示面板,保证显示面板显示良好良好。
基于同上的发明构思,本发明实施例还提供了一显示面板的制备方法,用于制备上述实施例中提及的显示面板。图15本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图,如图15所示,该显示面板的制备方法包括:
S110、制备第一信号传输部以及与第一信号传输部的端部电连接的连接部。
按照工艺流程顺序制备第一信号传输部,其中第一信号传输部可以包括有源层、扫描信号线、发光控制信号线以及初始化信号线中的至少一种。具体的,在第一金属层M1制程中,制备扫描信号线Scan和发光控制信号线E-mit,同时,制备与扫描信号线Scan和发光控制信号线E-mit端部电连接的连接部,之后在电容基板MC制程中,制备与有源层部分源区连接的初始化信号线Vref,以及制备与初始化信号线Vref电连接的连接部,也就是说,第一信号传输部可以与连接部同层设置,通过制备第一信号传输部以及与第一信号传输部的端部电连接的连接部,来防止静电在长信号线两端聚集,导致中间和两端静电荷量存在差异,造成不同位置处的TFT特性存在差异,影响显示均一性的问题。
S210、在至少部分连接部中制备截断开口。
具体的,第一信号传输部与连接部的电连接关系,后续会导致不同信号之间短路,因此在跨接结构制程后,需要在至少部分连接部中制备截断开口,沿第一方向以及显示面板的厚度方向,截断开口贯穿连接部,使得截断开口完全断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,其中第一方向与显示面板的厚度方向相交且与所述连接部的延伸方向相交。
需要说明的是,至少部分连接部中设置有截断开口,是指在跨接结构制程后,部分第一信号传输部与连接部的电连接关系会导致不同信号之间短路,需要设置截断开口,断开电连接关系,还有部分第一信号传输部与连接部的电连接关系,不影响显示面板的正常工作,可以不设置截断开口。
进一步的,在至少部分连接部中制备截断开口,可以包括:
在第一信号传输部以及连接部远离衬底的一侧制备至少一层绝缘层;
在绝缘层远离衬底的一侧制备第二信号传输部;
在至少部分连接部中制备截断开口,截断开口贯穿该绝缘层。
具体的,第二信号传输部可以是显示面板的第二金属层M2,薄膜晶体管中的源级以及漏极设置在第二金属层M2中,同时跨接结构一般设置在第二金属层M2中,通过跨接结构实现不同膜层之间的电连接以及静电传输,可以均衡各个膜层不同位置处的静电荷量。如此,在制备完成第二信号传输部之后,可以在至少部分连接部中制备截断开口,以避免不同信号传输部之间的信号相互短路,相互串扰的问题。
综上,本发明实施例提供的制备显示面板的制备方法,通过第一信号传输部的端部设置连接部,使连接部将各第一信号传输部短接形成电均势,消除第一信号传输部中的静电差,避免第一信号传输部中的静电差影响薄膜晶体管的特性;进一步的,通过在连接部中设置截断开口,通过截断开口断开不同第一信号传输部之间的电连接关系,避免不同信号之间短路,保证显示面板正常工作。
基于同上的发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置。图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图16所示,显示装置包括上述实施例中的显示面板100。该显示装置包括本发明任一实施例的显示面板,因此,本发明实施例提供的显示装置具备本发明实施例提供的显示面板相应的有益效果,这里不再赘述。示例性的,该显示装置可以是手机、电脑、智能可穿戴设备(例如,智能手表)以及车载显示设备等电子设备,本发明实施例对此不作限定。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互组合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一信号传输部以及连接部,所述连接部与所述第一信号传输部的端部电连接;
至少部分所述连接部中设置有截断开口,沿第一方向以及所述显示面板的厚度方向,所述截断开口贯穿所述连接部;所述第一方向与所述显示面板的厚度方向相交且与所述连接部的延伸方向相交。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述连接部远离衬底一侧的至少一层绝缘层;
沿所述显示面板的厚度方向,所述截断开口贯穿所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素电路,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层和栅极,所述有源层包括源区;
所述显示面板还包括与所述栅极连接的扫描信号线和发光控制信号线以及与部分所述源区连接的初始化信号线;
所述第一信号传输部包括所述有源层、所述扫描信号线、所述发光控制信号线以及所述初始化信号线中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述扫描信号线包括与同一所述像素电路电连接的第一扫描信号线和第二扫描信号线;所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线依次交替循环排布;
所述第一信号传输部包括所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线,所述连接部包括第一信号连接部,所述第一信号连接部分别与所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线的端部电连接;
所述第一信号连接部中设置有第一截断开口,所述第一截断开口用于断开所述第一扫描信号线与所述第二扫描信号线、所述第二扫描信号线与所述发光控制信号线以及所述发光控制信号线与下一级所述第一扫描信号线之间的电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一截断开口一体设置;
沿所述扫描信号线的延伸方向,所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线中的至少两者与所述第一截断开口交叠。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一截断开口包括多个分立设置的第一子截断开口;
沿所述扫描信号线的延伸方向,所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线中的至少两者与所述第一子截断开口交叠。
7.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一截断开口包括多个分立设置的第二子截断开口;
沿所述扫描信号线的延伸方向,所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线均与所述第二子截断开口错开设置。
8.根据权利要求5或者6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素驱动电路,沿所述扫描信号线的延伸方向,所述像素驱动电路位于所述第一信号连接部远离所述第一信号传输部的一侧;
所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线中的至少两者通过连接跨线分别与所述像素驱动电路电连接。
9.根据权利要求5-7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括像素驱动电路,沿所述扫描信号线的延伸方向,所述像素驱动电路位于所述第一信号连接部与所述第一信号传输部之间;
所述第一信号传输部直接与所述像素驱动电路电连接。
10.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括初始化晶体管和复位晶体管;
所述初始化信号线包括与所述初始化晶体管的源区连接的第一初始化信号线以及与所述复位晶体管的源区连接的第二初始化信号线,所述第一初始化信号线与所述第二初始化信号线中的初始化信号电位不同,且所述第一初始化信号线与所述第二初始化信号线依次交替循环排布;
所述第一信号传输部包括所述第一初始化信号线和所述第二初始化信号线,所述连接部包括第二信号连接部,所述第二信号连接部分别与所述第一初始化信号线和所述第二初始化信号线的端部电连接;
所述第二信号连接部中设置有第二截断开口,所述第二截断开口用于断开所述第一初始化信号线和所述第二初始化信号线之间的电连接。
11.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述扫描信号线包括与同一所述像素电路电连接的第一扫描信号线和第二扫描信号线;
所述第一信号传输部包括所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述发光控制信号线和所述初始化信号线;
所述连接部包括第一信号连接部和第二信号连接部,所述第一信号连接部分别与所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线的端部电连接,所述第二信号连接部与所述初始化信号线的端部电连接;
所述第一信号连接部中设置有第一截断开口,所述第二信号连接部中设置有第二截断开口,沿所述显示面板的厚度方向,所述第二截断开口与所述第一截断开口至少部分交叠。
12.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述扫描信号线包括与同一所述像素电路电连接的第一扫描信号线和第二扫描信号线;
所述第一信号传输部包括所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线、所述发光控制信号线和所述初始化信号线;
所述连接部包括第一信号连接部和第二信号连接部,所述第一信号连接部分别与所述第一扫描信号线、所述第二扫描信号线和所述发光控制信号线的端部电连接,所述第二信号连接部与所述初始化信号线的端部电连接;
所述第一信号连接部中设置有第一截断开口,所述第二信号连接部中设置有第二截断开口,沿所述扫描信号线的延伸方向,所述第二截断开口与所述第一截断开口至少部分错开设置。
13.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括初始化晶体管、复位晶体管和发光控制晶体管;
所述初始化晶体管的源区以及所述复位晶体管的源区均与所述初始化信号电连接,所述发光控制晶体管的源区与电源电压信号线电连接;
所述第一信号传输部包括所述有源层,所述初始化晶体管的源区、所述复位晶体管的源区或者所述发光控制晶体管的源区与所述连接部电连接。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号传输部与所述连接部同层设置。
15.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一信号传输部沿所述第一方向延伸;
所述连接部包括第一连接部和第二连接部,沿所述第一方向,所述第一连接部和所述第二连接部分别位于所述第一信号传输部的两侧。
16.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区以及围绕至少部分所述显示区的非显示区;
所述第一信号传输部位于所述显示区,所述连接部位于所述非显示区。
17.一种显示面板的制备方法,用于制备权利要求1-16任一项所述的显示面板,其特征在于,所述制备方法包括:
制备第一信号传输部以及与所述第一信号传输部的端部电连接的连接部;
在至少部分所述连接部中制备截断开口,沿第一方向以及所述显示面板的厚度方向,所述截断开口贯穿所述连接部;所述第一方向与所述显示面板的厚度方向相交且与所述连接部的延伸方向相交。
18.根据权利要求17所述的制备方法,其特征在于,在至少部分所述连接部中制备截断开口,包括:
在所述第一信号传输部以及所述连接部远离衬底的一侧制备至少一层绝缘层;
在所述绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二信号传输部;
在至少部分所述连接部中制备截断开口,所述截断开口贯穿所述绝缘层。
19.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-16任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210646094.4A CN115050754A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210646094.4A CN115050754A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115050754A true CN115050754A (zh) | 2022-09-13 |
Family
ID=83160653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210646094.4A Pending CN115050754A (zh) | 2022-06-08 | 2022-06-08 | 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115050754A (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130107607A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 화소 전류 측정라인의 정전용량 측정 방법 |
CN103926769A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示器 |
CN107221289A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种像素驱动电路及其控制方法和显示面板、显示装置 |
CN107256690A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种电致发光显示面板、其驱动方法及显示装置 |
US20190197963A1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-06-27 | Raydium Semiconductor Corporation | Display driving circuit and brightness control method applied to organic light-emitting diode panel |
CN210224021U (zh) * | 2019-06-11 | 2020-03-31 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种显示面板的外围走线结构、显示面板和显示装置 |
CN210323696U (zh) * | 2019-06-11 | 2020-04-14 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种显示面板的外围走线结构、显示面板和显示装置 |
CN113130544A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN113571557A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114446260A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-05-06 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2022
- 2022-06-08 CN CN202210646094.4A patent/CN115050754A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130107607A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 화소 전류 측정라인의 정전용량 측정 방법 |
CN103926769A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-07-16 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示器 |
CN107256690A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-10-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种电致发光显示面板、其驱动方法及显示装置 |
CN107221289A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种像素驱动电路及其控制方法和显示面板、显示装置 |
US20190197963A1 (en) * | 2017-12-26 | 2019-06-27 | Raydium Semiconductor Corporation | Display driving circuit and brightness control method applied to organic light-emitting diode panel |
CN210224021U (zh) * | 2019-06-11 | 2020-03-31 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种显示面板的外围走线结构、显示面板和显示装置 |
CN210323696U (zh) * | 2019-06-11 | 2020-04-14 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种显示面板的外围走线结构、显示面板和显示装置 |
CN113130544A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置 |
CN113571557A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114446260A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-05-06 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113078174B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
JP2024056691A (ja) | アレイ基板、表示パネル、スプライシング表示パネル、及び表示駆動方法 | |
EP3255672B1 (en) | Display device | |
CN113471265B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN115152030B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN111627976B (zh) | 有机发光显示装置 | |
US20230028746A1 (en) | Light-Emitting Substrate and Display Device | |
CN114026489A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN114639328A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
JP2024517197A (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
CN113823671B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US11910678B1 (en) | Display panel and display device | |
CN115346443B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115050754A (zh) | 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置 | |
CN115360227A (zh) | 阵列基板和显示装置 | |
CN114725181A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN112397564B (zh) | 有机发光显示面板以及有机发光显示装置 | |
CN219285937U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN117577040A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN116645908A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN116171072A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN118298755A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN115497409A (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
CN116190388A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN116998245A (zh) | 显示面板、显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |