CN113122147A - 一种化学机械抛光液及其使用方法 - Google Patents
一种化学机械抛光液及其使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113122147A CN113122147A CN201911409281.5A CN201911409281A CN113122147A CN 113122147 A CN113122147 A CN 113122147A CN 201911409281 A CN201911409281 A CN 201911409281A CN 113122147 A CN113122147 A CN 113122147A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- polishing
- polishing solution
- phosphonic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 116
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 3
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 2
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 2
- 229940090960 diethylenetriamine pentamethylene phosphonic acid Drugs 0.000 claims description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 methylene phosphonic acid Chemical compound 0.000 claims description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 16
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- CVMIVKAWUQZOBP-UHFFFAOYSA-L manganic acid Chemical compound O[Mn](O)(=O)=O CVMIVKAWUQZOBP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LMHAGAHDHRQIMB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloro-1,2,3,3,4,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(Cl)C1(F)Cl LMHAGAHDHRQIMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明旨在提供一种用于含碳材料的抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，包含磨料、氧化剂和有机膦酸，该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，避免抛光过程的副产物在抛光垫上沉积，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其使用方法。
背景技术
随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台相同的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。
碳化硅、无定形碳等含碳材料作为新一代宽带隙半导体材料，具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率、高化学稳定性等特点，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力。然而含碳材料在常温下非常稳定，不易发生化学反应，对机械力研磨的耐受性很好，因此常用的化学机械抛光液在抛光含碳材料时，难以获得较高的抛光速度。
通常需要用氧化剂将含碳材料氧化后去除。常用的氧化剂为双氧水，但双氧水的氧化能力较弱，无法获得理想的去除速率。CN102464944A在抛光液中添加高锰酸、锰酸及其盐类等强氧化剂来提高含碳材料的化学机械抛光速率。在使用高锰酸、锰酸及其盐类作为氧化剂对含碳材料抛光过程中，由于高锰酸、锰酸等氧化剂被还原后会不可避免地生成颜色较深的副产物，而且容易沉积在抛光垫的表面和孔洞中，从而造成抛光副产物在抛光垫上的聚集，影响抛光垫寿命，而且导致抛光后的表面缺陷增加。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种抛光液及其使用方法，通过在抛光液中加入有机膦酸，在较少影响去除速率的情况下，使得抛光过程副产物可以直接和有机膦酸发生反应，形成可溶性的锰络合物，从而避免抛光过程的副产物在抛光垫上沉积，延长了抛光垫的使用寿命，同时降低了抛光后晶圆表面的缺陷。
具体的，本发明中的化学机械抛光液包含磨料、氧化剂和有机膦酸，其中，有机膦酸选自氨基三亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、2-羟基膦酸基乙酸、亚乙基二胺四亚甲基膦酸、多氨基多醚基亚甲基膦酸和/或二乙烯三胺五亚甲基膦酸中的一种或多种；所述氧化剂为高锰酸钾。
所述磨料选自二氧化锰、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛单组分磨料以及表面包覆二氧化锰、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛的复合磨料中一种或多种。
本发明中，所述磨料的质量百分比浓度为0.1～10％。
本发明中，所述磨粒的粒径范围为50～500nm。
本发明中，所述氧化剂的质量百分比浓度为0.01～1％。
本发明中，所述有机膦酸的质量百分比浓度为0.01～2％，优选为0.1～0.5％。
本发明中，所述化学机械抛光液的pH值为2～6。
本发明的抛光液可以将除氧化剂以外的组分浓缩配置，使用前用去离子水稀释并加入氧化剂至本发明的浓度范围。
另一方面，本发明提供了一种本发明中化学机械抛光液的使用方法，包括：将本发明的化学机械抛光液用于含碳材料的化学机械抛光。
与现有技术相比较，本发明的优势在于：在所述化学机械抛光液中加入有机膦酸，减少了抛光后的副产物残留，同时降低了抛光后晶圆表面的缺陷。
具体实施方式
下面结合具体实施例，详细阐述本发明的优势。
根据表1中所给配方，配置本申请对比例1～4与实施例1～23的抛光液，随后将一定浓度的氧化剂溶液、有机膦酸与研磨颗粒混合均匀，用水补足质量百分比至100％，使用KOH或HNO3将抛光液调节至所需pH值即可。
表1对比例1～4和实施例1～23的抛光液成分、含量及其pH
效果实施例1
采用对比例1～4和实施例15～23的抛光液，按照下述条件对空片无定形碳进行抛光。具体抛光条件：抛光机台为Reflexion LK，抛光垫IC1010抛光垫，300mm晶圆，研磨压力2.5psi，研磨盘转速93转/分钟，研磨头转速87转/分钟，抛光液流速为300ml/min，抛光时间为1min。测得对比例1～4和实施例15～23的抛光效果数据记于表2。
表2对比例1～4和实施例15～23的抛光效果数据
其中抛光垫表面清洁程度按以下方式进行描述：
++++抛光垫表面有严重污染；+++抛光垫表面有明显污染；++抛光垫表面有少量污染；+抛光垫表面无明显污染。
由表2可见，与对比例相比，本发明实施例的抛光液具有较高的无定形碳去除速率。对比例1～3的抛光液含有单组分的研磨颗粒，对比例4抛光液选用了复合研磨颗粒和高锰酸钾作为氧化剂，具有一定的无定形碳的去除速率，但抛光后抛光垫表面清洁程度较差。与对比例2、3和4的抛光液相比，实施例15、16和18的抛光液添加了有机膦酸，其无定形碳的去除速率略有降低，但能够抑制抛光副产物的生成，减少抛光垫表面的污染，抛光垫表面清洁程度显著提升。
由此可见，本发明的实施例15～23抛光液通过选择合适的粒径的研磨颗粒、氧化剂及有机膦酸，并调节合适的pH值，在保证较高的无定形碳去除速率的同时，减少抛光副产物，在抛光垫表面清洁程度显著改善。
效果实施例2
采用对比例1～4和本发明实施例20～23的抛光液，按照下述条件对空片无定形碳进行抛光并检测表面缺陷数量。具体抛光条件：
抛光条件：抛光机台为Reflexion LK，抛光垫IC1010抛光垫，300mm晶圆，研磨压力2.5psi，研磨盘转速93转/分钟，研磨头转速87转/分钟，抛光液流速为300ml/min，抛光时间为1min。用表面缺陷扫描仪SP2检测抛光后空白晶圆的表面缺陷数，所得的表面缺陷数的结果列于表3。
表3对比例1～4和实施例20～23的抛光后无定形碳表面缺陷数
| 抛光液 | 无定形碳表面缺陷数(>80nm)(颗) |
| 对比例1 | 396 |
| 对比例2 | 419 |
| 对比例3 | 387 |
| 对比例4 | 425 |
| 实施例20 | 66 |
| 实施例21 | 52 |
| 实施例22 | 33 |
| 实施例23 | 47 |
由表3可见，对比例1～4未使用有机膦酸，抛光后无定形碳晶圆表面的缺陷数量450～450颗的范围内，而在本发明中使用有机膦酸的实施例20～23的抛光液对抛光后无定形碳表面缺陷有显著改善，表面缺陷数量减少至30～70颗的范围内，无定形碳表面缺陷数量大幅度降低。
效果实施例3
采用对比例1～4和实施例20～23的抛光液，按照下述条件对空片碳化硅进行抛光。具体抛光条件：抛光机台为Reflexion LK，抛光垫IC1010抛光垫，300mm晶圆，研磨压力2.5psi，研磨盘转速93转/分钟，研磨头转速87转/分钟，抛光液流速为300ml/min，抛光时间为1min。测得对比例1～4和实施例20～23的抛光效果数据记于表4。
表4对比例1～4和实施例20～23的碳化硅抛光效果数据
| 抛光液 | 碳化硅去除速率(A/min) | 抛光垫表面清洁程度 |
| 对比例1 | 220 | +++ |
| 对比例2 | 674 | +++ |
| 对比例3 | 281 | ++++ |
| 对比例4 | 659 | +++ |
| 实施例20 | 782 | ++ |
| 实施例21 | 728 | + |
| 实施例22 | 663 | + |
| 实施例23 | 679 | + |
由表4可见，与未添加有机膦酸的对比例1～4相比，本发明使用有机膦酸的实施例20～23的抛光液，仍有较高的碳化硅的去除速率，同时抑制抛光副产物的生成，减少抛光垫表面的污染，提高抛光垫表面清洁程度。
综上所述，本发明通过添加有机膦酸，在酸性条件下保证抛光液对含碳材料具有较高的去除速率，减少抛光后的副产物残留，同时降低抛光后晶圆表面的缺陷。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种化学机械抛光液，包含磨料、氧化剂和有机膦酸，其特征在于，
所述有机膦酸选自氨基三亚甲基膦酸、羟基亚乙基二膦酸、2-羟基膦酸基乙酸、亚乙基二胺四亚甲基膦酸、多氨基多醚基亚甲基膦酸和/或二乙烯三胺五亚甲基膦酸中的一种或多种；
所述氧化剂为高锰酸钾。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述磨料选自二氧化锰、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛单组分磨料以及表面包覆二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛的复合磨料中一种或多种。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述磨料的质量百分比浓度为0.1～10％。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述磨粒的粒径范围为50～500nm。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述氧化剂的质量百分比浓度为0.01～1％。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述有机膦酸的质量百分比浓度为0.01～2％。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述有机膦酸的质量百分比浓度为0.1～0.5％。
8.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述化学机械抛光液的pH值为2～6。
9.一种化学机械抛光液的使用方法，其特征在于，
将如权利要求1～8中任一项所述的化学机械抛光液用于含碳材料的化学机械抛光。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911409281.5A CN113122147B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
| PCT/CN2020/133617 WO2021135808A1 (zh) | 2019-12-31 | 2020-12-03 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
| TW109145996A TW202134362A (zh) | 2019-12-31 | 2020-12-24 | 化學機械拋光液及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911409281.5A CN113122147B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113122147A true CN113122147A (zh) | 2021-07-16 |
| CN113122147B CN113122147B (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=76686455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911409281.5A Active CN113122147B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 一种化学机械抛光液及其使用方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113122147B (zh) |
| TW (1) | TW202134362A (zh) |
| WO (1) | WO2021135808A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114574106A (zh) * | 2022-04-11 | 2022-06-03 | 宁波日晟新材料有限公司 | 一种醇醚碳化硅抛光液及其制备方法和应用 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1281023A (zh) * | 1999-07-16 | 2001-01-24 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体加工用化学机械研磨组合物 |
| US20020194789A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-12-26 | Kao Corporation | Polishing composition |
| CN1513931A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-07-21 | ������������ʽ���� | 抛光液组合物 |
| US20080200033A1 (en) * | 2005-09-09 | 2008-08-21 | Asahi Glass Company Limited | Polishing compound, method for polishing surface to be polished, and process for producing semiconductor integrated circuit device |
| CN101333417A (zh) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | 富士胶片株式会社 | 抛光液及使用该抛光液的抛光方法 |
| US20140057438A1 (en) * | 2011-04-26 | 2014-02-27 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing method of non-oxide single-crystal substrate |
| CN103897600A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| US20140308155A1 (en) * | 2011-11-25 | 2014-10-16 | Fujimi Incorporated | Method for polishing alloy material and method for producing alloy material |
| CN105273636A (zh) * | 2014-07-23 | 2016-01-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| EP3101076A1 (en) * | 2015-06-05 | 2016-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Barrier chemical mechanical planarization slurries using ceria-coated silica abrasives |
| CN106928859A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| US20190077991A1 (en) * | 2015-10-09 | 2019-03-14 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method using same, and method for producing polishing-completed object to be polished using same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010039936A2 (en) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Use of surfactant/defoamer mixtures for enhanced metals loading and surface passivation of silicon substrates |
| JP4887418B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2012-02-29 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| JP5961357B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2016-08-02 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
| CN104312440B (zh) * | 2014-10-28 | 2016-04-27 | 清华大学 | 一种化学机械抛光组合物 |
| KR20170044522A (ko) * | 2015-10-15 | 2017-04-25 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물, 그의 제조 방법, 그를 이용한 연마 방법 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911409281.5A patent/CN113122147B/zh active Active
-
2020
- 2020-12-03 WO PCT/CN2020/133617 patent/WO2021135808A1/zh active Application Filing
- 2020-12-24 TW TW109145996A patent/TW202134362A/zh unknown
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1281023A (zh) * | 1999-07-16 | 2001-01-24 | 长兴化学工业股份有限公司 | 半导体加工用化学机械研磨组合物 |
| US20020194789A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-12-26 | Kao Corporation | Polishing composition |
| CN1513931A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-07-21 | ������������ʽ���� | 抛光液组合物 |
| US20080200033A1 (en) * | 2005-09-09 | 2008-08-21 | Asahi Glass Company Limited | Polishing compound, method for polishing surface to be polished, and process for producing semiconductor integrated circuit device |
| CN101333417A (zh) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | 富士胶片株式会社 | 抛光液及使用该抛光液的抛光方法 |
| US20140057438A1 (en) * | 2011-04-26 | 2014-02-27 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing method of non-oxide single-crystal substrate |
| US20140308155A1 (en) * | 2011-11-25 | 2014-10-16 | Fujimi Incorporated | Method for polishing alloy material and method for producing alloy material |
| CN103897600A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
| CN105273636A (zh) * | 2014-07-23 | 2016-01-27 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| EP3101076A1 (en) * | 2015-06-05 | 2016-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Barrier chemical mechanical planarization slurries using ceria-coated silica abrasives |
| US20190077991A1 (en) * | 2015-10-09 | 2019-03-14 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method using same, and method for producing polishing-completed object to be polished using same |
| CN106928859A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021135808A1 (zh) | 2021-07-08 |
| CN113122147B (zh) | 2024-03-12 |
| TW202134362A (zh) | 2021-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101065457B (zh) | 化学机械研磨方法与研磨液组合物 | |
| Kondo et al. | Abrasive‐Free Polishing for Copper Damascene Interconnection | |
| JP5539934B2 (ja) | 銅基材に有益な化学機械的研磨スラリー | |
| CN102623327B (zh) | 一种化学机械研磨方法 | |
| CN114686115A (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
| WO2013112490A1 (en) | Slurry for cobalt applications | |
| TWI294456B (zh) | ||
| CN113122147B (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
| CN101955732A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| JP2013038211A (ja) | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
| CN114686113A (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
| JP2010087454A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤及びこれを用いた研磨方法 | |
| CN101665663B (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN103849318A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN113122146B (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
| CN113122139B (zh) | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | |
| CN113122141A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN111378373A (zh) | 一种用于抛光钨的化学机械抛光液 | |
| CN111745532A (zh) | 以高钴移除速率和减少的钴腐蚀的钴化学机械抛光方法 | |
| TWI838447B (zh) | 用於拋光鎢的化學機械拋光液 | |
| CN102850937A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN117965102A (zh) | 一种化学机械抛光液及其用途 | |
| CN118256156A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
| CN116333686A (zh) | 化学机械研磨用组合物及研磨方法 | |
| Zhang et al. | Effect of ammonium molybdate concentration on chemical mechanical polishing of glass substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |