CN113113355A - 显示面板的制备方法及显示面板 - Google Patents

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CN113113355A CN202110294643.1A CN202110294643A CN113113355A CN 113113355 A CN113113355 A CN 113113355A CN 202110294643 A CN202110294643 A CN 202110294643A CN 113113355 A CN113113355 A CN 113113355A
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Abstract

本申请公开了一种显示面板的制备方法及显示面板,所述方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成阵列功能层;在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层;在所述第一源漏极金属层上形成第一平坦化层;在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层;在所述第二源漏极金属层上形成第二平坦化层;采用一次构图工艺,在所述第二平坦化层上形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔。本申请通过采用一次构图工艺,形成第一过孔和第二过孔,减少在制备第一过孔和第二过孔过程中所需的掩膜板的数量,进而达到减小制备成本,增加制备效率的技术效果。

Description

显示面板的制备方法及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有高稳定性等优点。OLED显示面板主流驱动方式为电流驱动,工作电流由显示面板的下边框处通过源漏极(SD:Source Drain)进行传输,因源漏极自身存在一定电阻,信号传输存在电压下降(IR Drop)现象,即相对于下边框而言,沿远离下边框的方向电压逐渐变小,输入电流相应减小,最终导致显示面板出现亮度不均现象,影响产品的使用性能。
目前,一种解决OLED显示面板发光亮度不均的方法采用,从而减小源漏极的电阻,改善IR Drop现象。但是在双层的SD走线结构的制备过程中,其所需掩膜板数量较多,导致制备效率降低,成本增加。
因此,急需提供一种显示面板的制备方法及显示面板,解决现有技术中存在的由于在双层的SD走线结构的制备过程中,其所需掩膜板数量较多,导致制备效率降低,成本增加的技术问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板的制备方法及显示面板,旨在解决现有技术存在的由于在双层的SD走线结构的制备过程中,其所需掩膜板数量较多,导致制备效率降低,成本增加的技术问题。
第一方面,本申请提供一种显示面板的制备方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成阵列功能层;
在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层;
在所述第一源漏极金属层上形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层;
在所述第二源漏极金属层上形成第二平坦化层;
采用一次构图工艺,在所述第二平坦化层上形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔。
在本申请一些实现方式中,所述采用一次构图工艺形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔包括:
提供第一掩膜板;
将所述第一掩膜板设于所述第二平坦化层的上方;
对所述第二平坦化层进行曝光;
对曝光后的所述第二平坦化层进行显影,获得所述第一过孔和所述第二过孔;
对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化。
在本申请一些实现方式中,在所述对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化之后还包括:
对固化后的所述第一过孔和所述第二过孔进行灰化。
在本申请一些实现方式中,所述第一掩膜板包括第一透光区、第二透光区以及不透光区,所述第一透光区的光通量大于所述第二透光区的光通量,所述不透光区的光通量为零,所述第一过孔与所述第二透光区相对应,所述第二过孔与所述第一透光区相对应。
在本申请一些实现方式中,所述第一透光区的光通量与所述第二透光区的光通量的比值为2。
在本申请一些实现方式中,所述第一透光区的光通量为100%,所述第二透光区的光通量为50%。
在本申请一些实现方式中,所述阵列功能层包括依次层叠设置的缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层;
所述在所述衬底基板上形成阵列功能层包括:在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层。
在本申请一些实现方式中,所述在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层之后还包括:
提供第二掩膜板,所述第二掩膜板包括第一光通区、第二光通区以及不通光区,所述第一光通区的光通量大于所述第二光通区的光通量,所述不通光区的光通量为零;
将所述第二掩膜板设于所述层间介质层的上方;
将光线通过所述第二掩膜板照射所述层间介质层,对所述层间介质层进行曝光;
对曝光后的所述层间介质层进行显影,获得第三过孔和第四过孔,所述第三过孔与所述第二光通区相对应,所述第四过孔与所述第一光通区相对应;
对所述第三过孔和所述第四过孔进行固化;
其中,所述第一源漏极金属层通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述有源层和所述第二栅极层连接。
在本申请一些实现方式中,所述在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层包括:
在所述阵列功能层上形成第一金属层;
采用第三掩膜板将所述第一金属层进行图案化,形成第一源漏极金属层;
所述在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层包括:
在所述第一平坦化层上形成第二金属层;
采用第四掩膜板将所述第二金属层进行图案化,形成第二源漏极金属层。
第二方面,本申请还提供了一种显示面板,采用如第一方面任意一种实施方式中的显示面板的制备方法制备形成。
本申请通过设置采用一次构图工艺,在所述第二平坦化层上形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔,减少在制备第一过孔和第二过孔过程中所需的掩膜板的数量,进而达到减小制备成本,增加制备效率的技术效果。
附图说明
图1为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图;
图2为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的工艺流程示意图;
图3为本申请实施例提供的彩膜基板和阵列基板的俯视图;
图4为本申请实施例提供的显示面板的俯视图;
图5为本申请实施例提供的显示面板的制备方法步骤S300的流程示意图;
图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法步骤S330后的流程示意图;
图7为本申请实施例提供的显示面板的制备方法步骤S400后的流程示意图;
图8为本申请实施例提供的显示面板的制备方法在步骤S400后的结构示意图
图9为本申请实施例提供的显示面板的制备方法步骤S500的流程示意图;
图10为本申请实施例提供的显示面板的制备方法步骤S的工艺流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请,给出了以下描述。在以下描述中,为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是,本领域普通技术人员可以认识到,在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实例中,不会对公知的结构和过程进行详细阐述,以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此,本申请并非旨在限于所示的实施例,而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
需要说明的是,本申请实施例所涉及的术语“第一\第二”仅仅是区别类似的对象,不代表针对对象的特定排序,可以理解地,“第一\第二”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序。应该理解“第一\第二”区分的对象在适当情况下可以互换,以使这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法及显示面板。以下进行详细说明。
本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法,如图1和图2所示,显示面板的制备方法包括:
步骤S100、提供衬底基板100;
步骤S200、在衬底基板100上形成阵列功能层200;
步骤S300、在阵列功能层200上形成第一源漏极金属层300;
步骤S400、在第一源漏极金属层300上形成第一平坦化层400;
步骤S500、在第一平坦化层400上形成第二源漏极金属层500;
步骤S600、在第二源漏极金属层500上形成第二平坦化层600;
步骤S700、采用一次构图工艺,在第二平坦化层600上形成暴露第二源漏极金属层500的第一过孔700和暴露第一源漏极金属层300的第二过孔800。
本申请实施例通过设置采用一次构图工艺,在第二平坦化层600上形成暴露第二源漏极金属层500的第一过孔700和暴露第一源漏极金属层300的第二过孔800,减少在制备第一过孔700和第二过孔800过程中所需的掩膜板的数量,进而达到减小制备成本,增加制备效率的技术效果。
具体地,在步骤S100中,衬底基板100可以为硬质衬底基板,硬质衬底基板的材料可以是玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种;衬底基板100还可以为柔性衬底基板,柔性衬底基板的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide,PI)。
在步骤S300和步骤S500中,第一源漏极金属层300和第二源漏极金属层500的材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜或钛铝合金等金属中的一种,也可以使用上述几种金属材料的组合物。在本申请的一些实施例中,第一源漏极金属层300和第二源漏极金属层500的材料是钛铝合金。
进一步地,在本申请的一些实施例中,如图3和图4所示,步骤S700包括:
步骤S710、提供第一掩膜板10,具体地,第一掩膜板10包括第一透光区11、第二透光区12以及不透光区13;其中,第一透光区11的光通量大于第二透光区12的光通量,不透光区13的光通量为零;
步骤S720、将第一掩膜板10设于第二平坦化层600的上方;其中,第二平坦化层600为有机光阻材料,有机光阻材料指的是在经过光照或辐射后,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料;
步骤S730、对第二平坦化层600进行曝光;具体地,将光线通过第一掩膜板10照射第二平坦化层600实现曝光,由于第二平坦化层600为有机光阻材料,因此,当光线通过第一掩膜板10照射到第二平坦化层600上时,第二平坦化层600对应第一透光区11、第二透光区12以及不透光区13的溶解度不同;
步骤S740、对曝光后的第二平坦化层600进行显影,形成第一过孔700和第二过孔800,第一过孔700与所述第二透光区12相对应,第二过孔800与第一透光区11相对应;其中,显影就是通过显影液对第二平坦化层600进行溶解,由于第二平坦化层600不同区域的溶液度不同,因此,经过显影后即可形成第一过孔700和第二过孔800,显影液可以是有机溶剂,例如:二甲苯等;
步骤S750、对第一过孔700和第二过孔800进行固化。由于经过显影液显影后,形成的第一过孔700和第二过孔800表面会存在残留的显影液,通过固化可将第一过孔700和第二过孔800表面的显影液去除并提高第一过孔700和第二过孔800表面的强度。
具体地,在本申请的一些实施例中,第一透光区11的光通量与第二透光区12的光通量的比值为2。具体地,第一透光区11的光通量为100%,第二透光区12的光通量为50%,且当第一透光区11的光通量为100%时,第二过孔800的深度为3微米,当第二透光区12的光通量为50%时,第一过孔700的深度为1.5微米。
需要说明的是:第一透光区11的光通量与第二透光区12的光通量应当根据第一过孔700和第二过孔800的深度进行调整,可不限于上述对应关系,在此不做一一赘述。
应当理解的是:第一掩膜板10为半色调掩膜板或灰色调掩膜板中的任意一种。
其中,第一平坦化层400和第二平坦化层600的材料相同。
进一步地,为了去除第一过孔700和第二过孔800上残留的第二平坦化层600,提高显示面板的可靠性,在本申请的一些实施例中,如图3所示,在步骤S750后还包括:
步骤S760、对固化后的第一过孔700和第二过孔800进行灰化。具体地,灰化是利用诸如氧气(O2)的气体去除第一过孔700和第二过孔800的表面的一部分,通过对第一过孔700和第二过孔800进行灰化,去除残留在第一过孔700和第二过孔800表面的第二平坦化层600,同时,可修整第一过孔700和第二过孔800的表面,使第一过孔700和第二过孔800的坡度角(taper角)满足要求。
进一步地,如图2所示,在本申请的一些实施例中,阵列功能层200包括依次层叠设置的缓冲层210、有源层220、第一绝缘层230、第一栅极层240、第二绝缘层250、第二栅极层260以及层间介质层270;
则步骤S200具体包括:在衬底基板100上依次形成缓冲层210、有源层220、第一绝缘层230、第一栅极层240、第二绝缘层250、第二栅极层260以及层间介质层270。
其中,缓冲层210主要用于缓冲膜层质结构之间的压力,并且还可以具有一定阻水氧的功能。且缓冲层210可以包括有机缓冲层,和/或,无机缓冲层,在本申请的一些实施例中,缓冲层210包括一层有机缓冲层211和两层无机缓冲层,两层无机缓冲层分别为氮化硅层212或氧化硅层213。
进一步地,第一栅极层240和第二栅极层260的材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种,也可以使用上述几种金属材料的组合物。应当理解的是:第一栅极层240和第二栅极层260的材料可以相同也可以不相同,在本申请的一些实施例中,第一栅极层240和第二栅极层260的材料均为钼。第一绝缘层230和第二绝缘层250的材料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等其他绝缘的无机材料。层间介质层270的材料可以与第一绝缘层230的材料相同。
进一步地,第一源漏极金属层300需与有源层220和第二栅极层260连接,但有源层220和第二栅极层260并不位于同一膜层中,因此,为了减少掩膜板的数量,由于本申请实施例中,如图5和图6所示,在步骤S200之后还包括:
步骤S210、提供第二掩膜板20,第二掩膜板20包括第一光通区21、第二光通区22以及不通光区23,第一光通区21的光通量大于第二光通区22的光通量,不通光区23的光通量为0;
步骤S220、将第二掩膜板20设于层间介质层270的上方;
步骤S230、将光线通过第二掩膜板20照射所述层间介质层270,对层间介质层270进行曝光;
步骤S240、对曝光后的层间介质层270进行显影,形成暴露有源层220的第三过孔271和暴露第二栅极层260第四过孔272,第三过孔271与第二光通区22相对应,第四过孔272与第一光通区21相对应;
步骤S250、对第三过孔271和第四过孔272进行固化;
其中,第一源漏极金属层300通过第三过孔271和第四过孔272分别与有源层220和第二栅极层260连接。
应当理解的是,步骤S230中的曝光显影与步骤S730和步骤S740中的曝光显影的原理和工艺均相同,步骤S250中的固化和步骤S750中的固化的原理和工艺也相同。
进一步地,为了提高第三过孔271和第四过孔272的可靠性,在本申请的一些实施例中,可对第三过孔271和第四过孔272进行灰化,通过灰化去除第三过孔271和第四过孔272区域内的层间介质层270,并可通过灰化修整第三过孔271和第四过孔272的坡度角,使第一过孔700和第二过孔800的坡度角(taper角)满足要求。
进一步地,在本申请的一些实施例中,如图7所示,步骤S300包括:
步骤S310、在阵列功能层200上形成第一金属层;
步骤S320、采用第三掩膜板将第一金属层进行图案化,形成第一源漏极金属层300;
如图8和图10所示,步骤S500包括:
步骤S510、在第一平坦化层400上形成第二金属层501;
步骤S520、采用第四掩膜板40将第二金属层501进行图案化,形成第二源漏极金属层500。
具体地,如图9和图10所示,在本申请的一些实施例中,第四掩膜板40包括第一区域41和第二区域42,第一区域41的光通量大于第二区域42的光通量,步骤S520具体包括:
步骤S521、在第二金属层501上涂布光刻胶50;
步骤S522、使用第四掩膜板40对光刻胶50进行曝光和显影,将与第一区域41对应的光刻胶50去除,暴露出与第一区域41对应的部分第二金属层501;
步骤S523、对暴露出的部分第二金属层501进行干法刻蚀,使得与第一区域41对应的第一平坦化层400暴露;
步骤S524、将与第二区域42对应的光刻胶50进行剥离,形成第二源漏极金属层500。
进一步地,如图2所示,在本申请的一些实施例中,在步骤S700后还包括:
在第二平坦化层600上形成电极层900,并将电极层900进行图案化,形成第一电极910和第二电极920,并将第一电极910连接至第一源漏极金属层300,将第二电极920分别连接至第一源漏极金属层300和第二源漏极金属层500。
在电极层900上形成像素定义层1000,并将像素定义层1000进行图案化,形成像素区1001和非像素区1002;
在像素定义层1000上形成多个隔离柱1100。其中,多个隔离柱1100之间可以等距间隔设置也可不等距间隔设置,根据实际情况进行调整,在此不做一一赘述。
需要说明的是:第二掩膜板20、第三掩膜板和第四掩膜板40均可为半色调掩膜板或灰色调掩膜板。
第二方面,本申请实施例还提供了一种显示面板,显示面板采用如上述任一实施例中所述的显示面板的制备方法制备形成。
综上所述,本申请实施例通过设置采用一次构图工艺,形成贯穿第二平坦化层600的第一过孔700和贯穿第二平坦化层600和第一平坦化层400的第二过孔800,减少在制备第一过孔700和第二过孔800过程中所需的掩膜板的数量,进而达到减小制备成本,增加制备效率的技术效果。
以上对本申请所提供的显示面板的制备方法及显示面板进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本申请的核心思想,而并不用于限制本申请。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本申请,但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本申请意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改,凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成阵列功能层;
在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层;
在所述第一源漏极金属层上形成第一平坦化层;
在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层;
在所述第二源漏极金属层上形成第二平坦化层;
采用一次构图工艺,在所述第二平坦化层上形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述采用一次构图工艺形成暴露所述第二源漏极金属层的第一过孔和暴露所述第一源漏极金属层的第二过孔包括:
提供第一掩膜板;
将所述第一掩膜板设于所述第二平坦化层的上方;
对所述第二平坦化层进行曝光;
对曝光后的所述第二平坦化层进行显影,形成所述第一过孔和所述第二过孔;
对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述对所述第一过孔和所述第二过孔进行固化之后还包括:
对固化后的所述第一过孔和所述第二过孔进行灰化。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一掩膜板包括第一透光区、第二透光区以及不透光区,所述第一透光区的光通量大于所述第二透光区的光通量,所述不透光区的光通量为零,所述第一过孔与所述第二透光区相对应,所述第二过孔与所述第一透光区相对应。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一透光区的光通量与所述第二透光区的光通量的比值为2。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一透光区的光通量为100%,所述第二透光区的光通量为50%。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述阵列功能层包括依次层叠设置的缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层;
所述在所述衬底基板上形成阵列功能层包括:在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上依次形成缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层以及层间介质层之后还包括:
提供第二掩膜板,所述第二掩膜板包括第一光通区、第二光通区以及不通光区,所述第一光通区的光通量大于所述第二光通区的光通量,所述不通光区的光通量为零;
将所述第二掩膜板设于所述层间介质层的上方;
将光线通过所述第二掩膜板照射所述层间介质层,对所述层间介质层进行曝光;
对曝光后的所述层间介质层进行显影,形成暴露所述有源层的第三过孔和暴露所述第二栅极层的第四过孔,所述第三过孔与所述第二光通区相对应,所述第四过孔与所述第一光通区相对应;
对所述第三过孔和所述第四过孔进行固化;
其中,所述第一源漏极金属层通过所述第三过孔和所述第四过孔分别与所述有源层和所述第二栅极层连接。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述阵列功能层上形成第一源漏极金属层包括:
在所述阵列功能层上形成第一金属层;
采用第三掩膜板将所述第一金属层进行图案化,形成第一源漏极金属层;
所述在所述第一平坦化层上形成第二源漏极金属层包括:
在所述第一平坦化层上形成第二金属层;
采用第四掩膜板将所述第二金属层进行图案化,形成第二源漏极金属层。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制备方法制备形成。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203871327U (zh) * 2014-05-28 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN105895581A (zh) * 2016-06-22 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法
CN112259555A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203871327U (zh) * 2014-05-28 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN105895581A (zh) * 2016-06-22 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法
CN112259555A (zh) * 2020-10-13 2021-01-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

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