CN113109971A - 显示面板与显示装置 - Google Patents
显示面板与显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113109971A CN113109971A CN202110276361.9A CN202110276361A CN113109971A CN 113109971 A CN113109971 A CN 113109971A CN 202110276361 A CN202110276361 A CN 202110276361A CN 113109971 A CN113109971 A CN 113109971A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- display panel
- spacer
- electrode
- panel according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 234
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 158
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 28
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 18
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13396—Spacers having different sizes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板与显示装置。显示面板包括:阵列基板、对置基板和隔垫物;阵列基板包括:第一衬底、多行扫描线和多列数据线,第一衬底包括多个子像素区、第一布线区以及第二布线区;多行扫描线形成在第一衬底上,至少一行扫描线位于一第一布线区内;多列数据线形成在第一衬底上,至少一列数据线位于一第二布线区内;数据线背离第一衬底的一侧与第一衬底之间的距离大于扫描线背离第一衬底的一侧与第一衬底之间的距离;至少部分隔垫物在第一衬底上的正投影与至少两列第二布线区内的数据线在第一衬底上的正投影具有重叠部分。本方案的显示面板避免了在对其进行压力测试时出现色斑及黑色不良问题,提高生产良率。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板与显示装置。
背景技术
液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)是一种重要的平板显示设备,在手机、车载、显示器、电视和公共显示等领域已得到广泛的应用,市场对大尺寸的液晶显示面板需求也越来越大。
目前,随着液晶显示面板尺寸的增大,在对其进行压力测试时更加容易出现色斑以及黑色不良等问题,降低了产品良率。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种显示面板与显示装置,能够在显示面板满足大尺寸的同时,避免在对其进行压力测试时出现色斑以及黑色不良等问题,提高生产良率。
本公开第一方面提供了一种显示面板,该显示面板包括:阵列基板与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述对置基板与所述阵列基板之间的多个隔垫物;
其中,所述阵列基板包括:
第一衬底,所述第一衬底包括沿行方向和列方向呈阵列排布的多个子像素区、位于相邻两行所述子像素区之间的第一布线区以及位于相邻两列之间的第二布线区;
多行扫描线,形成在所述第一衬底上,至少一行所述扫描线位于一所述第一布线区内;所述扫描线被配置为提供扫描信号;
多列数据线,形成在所述第一衬底上,至少一列所述数据线位于一所述第二布线区内,所述数据线被配置提供数据信号;且所述数据线背离所述第一衬底的一侧与所述第一衬底之间的距离,大于所述扫描线背离所述第一衬底的一侧与所述第一衬底之间的距离;
其中,至少部分所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影,与至少两列所述第二布线区内的所述数据线在所述第一衬底上的正投影具有重叠部分。
在本公开的一种示例性实施例中,至少部分所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影,与相邻两列所述第二布线区内的所述数据线在所述第一衬底上的正投影具有重叠部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述多个隔垫物在所述第一衬底上的正投影,均与至少两列所述第二布线区内的所述数据线在所述第一衬底上的正投影具有重叠部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影位于所述第一布线区中。
在本公开的一种示例性实施例中,所述隔垫物为透明材料。
在本公开的一种示例性实施例中,所述隔垫物与所述扫描线间隔设置。
在本公开的一种示例性实施例中,每一所述第二布线区内设置有一行所述数据线;所述隔垫物在所述第一衬底上的正投影,与相邻两条所述数据线在所述第一衬底上的正投影具有重叠部分。
在本公开的一种示例性实施例中,所述多个隔垫物中包括主隔垫物与辅隔垫物;在所述阵列基板朝向所述对置基板的方向上,所述主隔垫物的长度大于所述辅隔垫物的长度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述主隔垫物的一端与所述对置基板连接,另一端与所述数据线连接;所述辅隔垫物的一端与所述对置基板连接,另一端与所述数据线之间具有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中,所述主隔垫物的一端与所述数据线连接,另一端与所述对置基板连接;所述辅隔垫物的一端与所述数据线连接,另一端与所述对置基板之间具有间隙。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:
多个子像素单元,形成在所述第一衬底上,各所述子像素单元包括至少部分位于所述子像素区内的像素电极、公共电极以及至少部分位于所述第一布线区的晶体管;所述晶体管包括栅极、第一极和第二极,所述第一极与所述像素电极连接,所述第二极与所述数据线连接,所述栅极与所述扫描线连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述阵列基板还包括:
多行公共线,形成在所述第一衬底上,至少一行所述公共线位于一所述第一布线区内,所述公共线与所述公共电极连接,被配置为向所述子像素单元提供公共信号。
在本公开的一种示例性实施例中,每一所述第一布线区内设置有一行所述扫描线和一行所述公共线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述像素电极位于所述公共电极靠近所述第一衬底的一侧,且所述公共电极为狭缝电极。
在本公开的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:
液晶分子,位于所述对置基板与所述阵列基板之间。
在本公开的一种示例性实施例中,所述对置基板包括:
第二衬底,包括多个显示区以及围绕所述显示区的非显示区,所述多个显示区与所述多个子像素单元一一对应设置;
彩膜层,设于所述第二衬底上,且位于所述显示区;
黑矩阵,设于所述第二衬底上,且位于所述非显示区。
在本公开的一种示例性实施例中,所述隔垫物在所述第二衬底上的正投影,与所述黑矩阵在所述第二衬底上的正投影具有重叠部分。
本公开第二方面提供了一种显示装置,该显示装置包括上述任一实施例所述的显示面板。
本公开提供的显示面板,在显示面板进行压力测试时,由于隔垫物被位于不同列中的数据线架起,使得隔垫物位于阵列基板的子像素单元的上方,因此隔垫物不会接触到显示区域,从而避免了隔垫物与显示区域接触而发生“色斑”的问题;同时,由于可以彻底改善“色斑”问题,隔垫物周边原有的光阻结构也可去除,由于黑矩阵不用遮挡光阻结构,进而黑矩阵的面积可以减小,可以显著提升开口大小,从而提升子像素单元的开口率。
此外,由于隔垫物被位于不同列中的数据线架起,可以通过调节隔垫物在数据线延伸方向上的宽度来增加隔垫物与阵列基板的接触面积,从而增加抗压能力,进而增加显示面板的抗黑Gap能力,尤其是对于高PPI产品而言。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1示出了本公开一实施例所述的显示面板中阵列基板与隔垫物的结构示意图。
图2示出了图1中所示的A区域的放大结构示意图。
图3示出了本公开一实施例所述的图1的局部剖视图。
图4示出了本公开另一实施例所述的图1的局部剖视图。
图5示出了图1中所示的晶体管的放大结构示意图。
图6示出了图1中所示的阵列基板与黑矩阵之间的位置关系示意图。
图7示出了图6中所示的黑矩阵的结构示意图。
图8示出了本公开实施例中所述的隔垫物与阵列基板及对置基板之间的位置关系示意图。
附图标记说明:
10、阵列基板;110、第一衬底;111、子像素区;112、第一布线区;113、第二布线区;120、扫描线;130、数据线;140、公共线;150、晶体管;151、栅极;152、有源层;153、第一极;154、第二极;155、栅绝缘层;160、像素电极;170、公共电极;
20、对置基板;210、黑矩阵;211、第一遮挡部;212、第二遮挡部;213、透光孔;
30、隔垫物;
40、液晶分子。
具体实施方式
面通过实施例,并结合附图,对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体发明构思进行解释,而不应当理解为对本公开的一种限制。
另外,在下面的详细描述中,为便于解释,阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地,一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。
相关技术中,为了避免随着面板尺寸的增大使其在压力测试中更加容易出现蓝斑以及黑色不良(黑Gap)问题,主要通过增加黑矩阵(BM)的宽度和增加隔垫物(PS)的尺寸(Size)来解决,但是降低了显示面板的透过率,使得产品的竞争力下降。
为解决上述问题,本公开的实施方式提供了一种显示面板,该显示面板可以是液晶显示面板。如图1、图2和图8所示,显示面板可包括阵列基板10、与阵列基板10对盒设置的对置基板20以及位于对置基板20与阵列基板10之间的多个隔垫物30;多个隔垫物30设置可以提高显示面板整体厚度的均一性,提高显示面板对液晶分子波动的容忍度,进而提高显示面板的良率。
其中,阵列基板10可包括:第一衬底110以及形成在第一衬底110上的多行扫描线120和多列数据线130。第一衬底110包括沿行方向和列方向呈阵列排布的多个子像素区111、位于相邻两行子像素区111之间的第一布线区112以及位于相邻两列之间的第二布线区113;多行扫描线120形成在第一衬底110上,至少一行扫描线120位于一第一布线区112内;扫描线120被配置为提供扫描信号;多列数据线130形成在第一衬底110上,至少一列数据线130位于一第二布线区113内,数据线130被配置提供数据信号;且数据线130背离第一衬底110的一侧与第一衬底110之间的距离,大于扫描线120背离第一衬底110的一侧与第一衬底110之间的距离,即数据线130在第一衬底110上的高度大于扫描线120。
其中,至少部分隔垫物30在第一衬底110上的正投影,与至少两列第二布线区113内的数据线130在第一衬底110上的正投影具有重叠部分,即隔垫物30被位于不同列中的数据线130架起。
本公开提供的显示面板,在显示面板进行压力测试时,由于隔垫物被位于不同列中的数据线架起,使得隔垫物位于阵列基板的子像素单元的上方,因此隔垫物不会接触到显示区域,从而避免了隔垫物与显示区域接触而发生“色斑”的问题;同时,由于可以彻底改善“色斑”问题,隔垫物周边原有的光阻结构(Barrier)也可去除,由于黑矩阵不用遮挡光阻结构,进而黑矩阵的面积可以减小,可以显著提升开口大小,从而提升子像素单元的开口率。
此外,由于隔垫物30被位于不同列中的数据线130架起,可以通过调节隔垫物30在数据线130延伸方向上的宽度来增加隔垫物30与阵列基板10的接触面积,从而增加抗压能力,进而增加显示面板的抗黑Gap能力,尤其是对于高PPI产品(例如目前最高PPI 65 8K产品)而言。
在本公开的实施例中,如图8所示,显示面板还包括液晶分子40,液晶分子40位于对置基板20与阵列基板10之间。举例而言,液晶分子40可为负性液晶分子,但不限于此,也可为正性液晶分子。
在本公开的实施例中,阵列基板10还包括多个子像素单元,多个子像素单元形成在第一衬底110上,各子像素单元包括至少部分位于子像素区111内的像素电极160、公共电极170以及至少部分位于第一布线区112的晶体管150;晶体管150包括栅极151、第一极153和第二极154,第一极153与像素电极160连接,第二极154与数据线130连接,栅极151与扫描线120连接。此外,子像素单元中还可包括电容器(图中未示出)。
如图1所示,第一衬底110可具有沿行方向X和列方向Y呈阵列排布的多个子像素区111、位于相邻两行子像素区111之间的第一布线区112以及位于相邻两列之间的第二布线区113,第一布线区112与第二布线区113之间存在交叠。
在本公开的实施例中,第一衬底110的材料可为无机材料,无机材料例如为钠钙玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料,或是不锈钢、铝、镍等各种金属或其合金的金属材料。在另一些实施例中,第一衬底110的材料也可为有机材料,有机材料例如为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或其组合。在其他实施例中,第一衬底110的材料也可以是可挠曲材料,例如聚酰亚胺(PI)。第一衬底110可为单层结构或多层结构,多层结构可采用不同材料形成。
在本公开的实施例中,如图3和图5所示,晶体管150可包括有源层152、栅极151及同层设置的第一极153和第二极154;其中,栅极151与有源层152之间还可设置栅绝缘层155,以使栅极151与有源层152之间相互绝缘。需要说明的是,栅极151可与扫描线120同层设置,栅极151可属于前述提到的扫描线120的一部分。
示例的,栅极151的材料可以是导电材料。导电材料例如是金属、导电性金属氧化物、导电性高分子、导电性复合材料或其组合。举例来说,金属可以是铂、金、银、铝、铬、镍、铜、钼、钛、镁、钙、钡、钠、钯、铁、锰或其组合。导电性金属氧化物可以是InO2、SnO2、铟锡氧化物(ITO)、掺氟的氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)、掺镓的氧化锌(GZO)或其组合。导电性高分子可以是聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔、聚(3,4-伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)或其组合。导电性复合材料可以是分散有碳黑、石墨粉、金属微粒子等的导电性复合材料等。栅极151的形成方法例如是物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、旋涂法(spin coating)或其组合。
示例的,栅绝缘层155可以是氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其他适合的绝缘物质(例如有机高分子化合物)或上述材料的组合。栅绝缘层155的形成方法例如是物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋涂法或其组合。
示例的,第一极153和第二极154材料可以包括金属、导电氧化物或其组合。举例来说,金属可以是钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜、钕、铬、钽或其合金或上述材料的组合。导电氧化物可以是铟锌氧化物(IZO)、掺铝的氧化锌(AZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌镓(GZO)、氧化锌锡(ZTO)或其组合。第一极153和第二极154的形成方法例如是PVD、CVD或其组合。第一极153和第二极154的材料可相同或不同,采用相同的材料,能够降低第一极153和第二极154形成的工艺成本和难度。
示例的,有源层152的材料可以是非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、氧化物半导体材料、有机硅材料、有机氧化物半导体材料或其组合。有源层152的形成方法例如是PVD、CVD或其组合。
在本公开的实施例中,晶体管150可为顶栅型,也可为底栅型。在本公开的实施例中主要以晶体管150为底栅型为例进行说明。在晶体管150为底栅型时,栅极151形成在第一衬底110上,此栅极151可包括金属材料或者合金材料,例如包括钼、铝及钛等,以保证其良好的导电性能;栅绝缘层155形成在第一衬底110上并覆盖栅极151;有源层152形成在绝缘层背离第一衬底110的一侧,第一极153和第二极154分别与有源层152的两掺杂区连接。
应当理解的是,子像素单元中晶体管150的数量可设置有多个,此晶体管150还分为N型和P型等。
在本公开的实施例中,像素电极160可与第一极153连接;其中,在与像素电极160连接的晶体管150为N型时,晶体管150的第一极153可为漏电极,第二极154可为源电极;在与像素电极160连接的晶体管150为P型时,晶体管150的第一极153可为源电极,第二极154可为漏电极。公共电极170在第一衬底110上的正投影与像素电极160在第一衬底110上的正投影存在交叠。
在本公开的实施例中,像素电极160可位于公共电极170靠近第一衬底110的一侧,也就是说,像素电极160可先于公共电极170制作在第一衬底110上;举例而言,此像素电极160可为板状电极;即:像素电极160为一整块并未开设狭缝;而公共电极170可为具有狭缝结构的狭缝电极;通过像素电极160和公共电极170之间产生的电场,使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子40发生偏转,可提高液晶的工作效率,且增加了透光效率。但不限于此,也可像素电极160位于公共电极170远离第一衬底110的一侧,此像素电极160为具有狭缝结构的狭缝电极,公共电极170为板状电极。
需要说明的是,本公开实施例主要以像素电极160位于公共电极170靠近第一衬底110的一侧,且像素电极160可为板状电极,而公共电极170可为具有狭缝结构的狭缝电极。
其中,为了保证阵列基板10的透光率,像素电极160可采用ITO材料制作而成,但不限于此,也可采用氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成;也就是说,由于像素电极160采用的材料与晶体管150的栅极151、第一极153和第二极154的材料不同,因此,该像素电极160与晶体管150的栅极151、第一极153和第二极154可采用不同构图工艺制作而成。
举例而言,像素电极160可位于晶体管150的第一极153和第二极154靠近第一衬底110的一侧,像素电极160可通过过孔结构与晶体管150的第一极153连接。其中,像素电极160可在形成晶体管150的栅极151之前形成在第一衬底110上,也就是说,在制作阵列基板10时,可先采用一构图工艺在第一衬底110上形成像素电极160,然后再采用另一构图工艺在第一衬底110上形成晶体管150的栅极151。需要说明的是,像素电极160与栅极151虽然都形成在第一衬底110上,但像素电极160与栅极151之间相互断开(即:无连接)。但不限于此,像素电极160还可在形成晶体管150的栅极151之后形成在第一衬底110上,且此像素电极160还可位于栅极151远离第一衬底110的一侧。
同理,为了保证阵列基板10的透光率,公共电极170也可采用ITO等透明导电材料制作而成;此公共电极170可形成在晶体管150的第一极153和第二极154远离第一衬底110的一侧,应当理解的是,此公共电极170和晶体管150的第一极153和第二极154之间还具有一层绝缘层。
具体地,至少一行扫描线120可位于一第一布线区112内,换言之,每一第一布线区112内可设置有至少一行扫描线120;其中,扫描线120与子像素单元中晶体管150的栅极151连接,前述提到扫描线120可与晶体管150的栅极151同层设置且为一体式结构,此扫描线120被配置为向子像素单元提供扫描信号。
具体地,至少一行公共线140可位于一第一布线区112内,换言之,每一第一布线区112内可设置有至少一行公共线140;其中,公共线140与公共电极170连接,其被配置为向子像素单元提供公共信号;举例而言,公共线140可与扫描线120同层设置,也就是说,公共线140可位于公共电极170靠近第一衬底110的一侧,此公共线140可通过过孔结构与公共电极170连接;具体地,公共线140可通过过孔结构与公共电极170的信号连接条连接;应当理解的是,此信号连接条可位于第一布线区112内。
举例而言,如图1所示,每一第一布线区112内可设置有一行扫描线120和一行公共线140,应当理解的是,此扫描线120与公共线140之间相互断开,即:扫描线120在第一衬底110上的正投影与公共线140在第一衬底110上行的正投影不交叠。需要说明的是,第一布线区112内不限于设置一行扫描线120和一行公共线140,也可设置两行扫描线120,或不设置公共线140等等,视具体情况而定。本公开实施例主要以每一第一布线区112内设置有一行扫描线120和一行公共线140进行说明。
至少一列数据线130可位于一第二布线区113内,换言之,每一第二布线区113内设置至少一列数据线130,此数据线130可与子像素单元中晶体管150的第二极154连接,其被配置为向子像素单元提供数据信号。其中,数据线130在第一衬底110上的正投影与扫描线120和公共线140在第一衬底110上的正投影存在交叠。需要说明的是,本公开实施例的数据线130可与子像素单元中晶体管150的第一极153和第二极154同层设置,即:可采用同一构图工艺制作而成,以降低掩膜成本;但不限于此,也可采用不同构图工艺制作而成,视具体情况而定。
在本公开的一实施例中,至少部分隔垫物30在第一衬底110上的正投影,与相邻两列第二布线区113内的数据线130在第一衬底110上的正投影具有重叠部分。换言之,至少部分隔垫物30横跨在相邻两列第二布线区113上。优选地,所有隔垫物30横跨在相邻两列第二布线区113上。
可选地,至少部分隔垫物30横跨在相邻三列、四列或更多列的第二布线区113上,本公开对此不做限制,视具体情况而定。
在本公开的一实施例中,隔垫物30在第一衬底110上的正投影位于第一布线区112中,即将隔垫物30设置在第二布线区113上,从而避免对显示区域造成遮挡,提升光线的透过率。但不限于此,隔垫物30在第一衬底110上的正投影部分可位于子像素区111中,即将隔垫物30设置在子像素单元上,使得隔垫物30的接触密度不受对位精度的影响。其中,隔垫物30与扫描线120间隔设置,即隔垫物30未与扫描线120直接抵接。需要注意的是,隔垫物30与扫描线120之间可设置其它功能层。
在本公开的一实施例中,隔垫物30在第一衬底110上的正投影位于第一布线区112中,且隔垫物30在第一衬底110上的正投影与扫描线120在第一衬底110上的正投影具有重叠部分,即隔垫物30位于扫描线120与数据线130重叠的上方。扫描线120与数据线130交叠的部位相对第一衬底110的高度较高,将隔垫物30设置在扫描线120与数据线130重叠的部位,能够增加隔垫物30与阵列基板10之间的距离。
在本公开的一实施例中,隔垫物30在第一衬底110上的正投影位于第一布线区112中,且隔垫物30在第一衬底110上的正投影与公共线140在第一衬底110上的正投影具有重叠部分,即隔垫物30位于公共线140与数据线130重叠的上方。公共线140与数据线130交叠的部位相对第一衬底110的高度较高,将隔垫物30设置在扫描线120与数据线130重叠的部位,能够增加隔垫物30与阵列基板10之间的距离。
需要主要的是,如图4所示,当隔垫物30设置在子像素单元上,隔垫物30为透明材料形成,例如由透明的树脂材料形成,可避免对光线造成遮挡。当然,将隔垫物30设置在第二布线区113上时,隔垫物30可采用透明材料或非透明材料形成,本公开对此不做限制。此外,隔垫物30还可为具有弹性的材料,以使隔垫物30收到挤压后,能够产生一定的形变,从而吸收一部分挤压力,进而避免对阵列基板10的挤压力过大,同时通过隔垫物30的恢复力,使得外力对阵列基板10造成的影响能迅速恢复。
在本公开的一实施例中,隔垫物30形成在阵列基板10上,隔垫物30在第一衬底110上的正投影部分位于子像素区111中,可在彩膜基板20与数据线130对应位置上设置垫高层,使隔垫物30位于数据线130与垫高层之间,以减小隔垫物30与彩膜基板20之间的距离。其中,垫高层可形成在彩膜基板20的黑矩阵、彩膜层或保护层(Over Coating,OC)上;垫高层的高度可根据隔垫物30与彩膜基板20之间的目标距离进行设定,视具体情况而定。
其中,垫高层可由金属材料形成,举例来说,金属可以是钛、铂、钌、金、银、钼、铝、钨、铜、铟锌氧化物(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌镓(GZO)、氧化锌锡(ZTO)或其组合。垫高层还可由非金属材料形成,例如树脂等材料。其中,垫高层的材料可与数据线的材料相同;垫高层可为单层结构,也可为多层结构,多层结构的材料可相同或不同。
在本公开的另一实施例中,隔垫物30形成在彩膜基板20上,隔垫物30在第一衬底110上的正投影部分位于子像素区111中,可在数据线130上与隔垫物30对应的位置设置垫高层,使垫高层位于数据线130与隔垫物30之间,以减小隔垫物30与阵列基板10之间的距离。其中,垫高层的高度可根据隔垫物30与阵列基板10之间的目标距离进行设定,视具体情况而定。
在本公开的一实施例中,隔垫物30形成在阵列基板10上,隔垫物30在第一衬底110上的正投影位于子像素区111中,可在彩膜基板20上与子像素区111对应的位置设置垫高层,垫高层位于彩膜基板20与隔垫物30之间,以减小隔垫物30与彩膜基板20之间的距离。其中,垫高层可形成在彩膜基板20的黑矩阵、彩膜层或保护层上;垫高层的高度可根据隔垫物30与彩膜基板20之间的目标距离进行设定,视具体情况而定。
在本公开的另一实施例中,隔垫物30形成在彩膜基板20上,隔垫物30在第一衬底110上的正投影位于子像素区111中,隔垫物30位于彩膜基板20与子像素区111对应的位置上,可在阵列基板10上与隔垫物30对应的位置设置垫高层,垫高层位于阵列基板10与隔垫物30之间,以减小隔垫物30与阵列基板10之间的距离。其中,垫高层可形成在第一衬底110上,或形成在其它金属层或有机膜层上;垫高层的高度可根据隔垫物30与阵列基板10之间的目标距离进行设定,视具体情况而定。
举例而言,如图1所示,每一第二布线区113内可设置一列数据线130,此数据线130可与同一列中各子像素单元的第二极154连接,也就是说,数据线130可为同一列子像素单元提供数据信号。其中,至少部分隔垫物30在第一衬底110上的正投影,与相邻两条多列数据线130在第一衬底110上的正投影具有重叠部分,即隔垫物30横跨在两列相邻的第二布线区113上。
可选地,位于数据线130在行方向X上相对两侧且相邻的两个第一极153与数据线130在行方向X上的间距可相等,以保证数据线130与两侧晶体管150耦合电容接近一致,从而保证数据线130两侧光效均一性。
同理,位于数据线130在行方向X上相对两侧且相邻的像素电极160可关于数据线130呈对称设置,位于数据线130在行方向X上相对两侧且相邻的两个公共电极170关于数据线130呈对称设置,以保证数据线130与两侧的像素电极160和公共电极170耦合电容接近一致,从而保证数据线130两侧光效均一性。
可选地,在一列子像素单元中,各子像素单元的第一极153和与其相连的数据线130在行方向X上的间距相等,以保证每列中各子像素单元的晶体管150和数据线130之间的耦合电容接近一致,保证每列各子像素单元处的光效均一性。需要说明的是,在一列子像素单元中各子像素单元的第一极153和与其相连的数据线130在行方向X上的间距相等的同时,该列第一极153与栅极151交叠面积需要与其他列保持一致。
在本公开的一实施例中,对置基板20可包括位于隔垫物30远离阵列基板10一侧的第二衬底(图中未标示出)及位于第二衬底靠近阵列基板10一侧的黑矩阵210,此黑矩阵210具有沿列方向Y的第一遮挡部211、沿行方向X的第二遮挡部212;需要说明的是,第一遮挡部211与第二遮挡部212具有交叉遮挡部,交叉遮挡部在第一衬底110上的正投影至少覆盖第一布线区112与第二布线区113的交叠区域,而第一遮挡部211在第一衬底110上的正投影至少覆盖第一布线区112且位于与第二布线区113之外,第二遮挡部212在第一衬底110上的正投影至少覆盖第二布线区113且位于第一布线区112之外。但不限于此,黑矩阵210也可形成于第二衬底背离阵列基板10一侧。
其中,结合图6和图7所示,黑矩阵210中第一遮挡部211、第二遮挡部212和交叉遮挡部可呈阵列排布,阵列排布的第一遮挡部211、第二遮挡部212和交叉遮挡部可围成透光孔213,此透光孔213在第一衬底110上的正投影位于子像素区111内,该透光孔213用于允许光线透过。在整个显示面板的面积一定时,透光孔213的面积总和越大,也就是说,遮挡部的面积总和越小,则显示面板的光透过率越高,显示效果越好。
需要说明的是,为了保证黑矩阵210能够将阵列基板10上布线区完全遮盖,可使黑矩阵210中第一遮挡部211、第二遮挡部212和交叉遮挡部在第一衬底110上的正投影还可覆盖部分子像素区111。
在本公开的实施例中,黑矩阵210除了覆盖数据线130、公共线140、扫描线120、晶体管150和部分公共电极170之外,还可覆盖部分像素电极160。其中,像素电极160边缘靠近扫描线120、数据线130区域存在耦合电场,显示过程中会导致液晶排布紊乱,产生失效区,导致暗态像素边缘漏光,因此需要黑矩阵对这部分失效区进行遮挡。
需要说明的是,第二衬底包括多个显示区以及围绕显示区的非显示区,多个显示区与多个子像素单元一一对应设置;黑矩阵210设于第二衬底上,且位于非显示区;彩膜层设于第二衬底上且位于显示区,即黑矩阵210形成在对应于彩膜层的相邻子像素单元的边界的位置,由此防止不同子像素之间的串扰。其中,彩膜层可形成于第二衬底靠近阵列基板10的一侧,或形成于第二衬底背离阵列基板10的一侧,本公开对此不作限定,视具体情况而定。
在本公开的实施例中,黑矩阵210可以采用金属铬或氧化铬等材料,也可以采用掺入黑色颜料(例如碳)的丙烯树脂,黑矩阵的具体形式在此不做限定。
其中,隔垫物30在第二衬底上的正投影,与黑矩阵210在第二衬底上的正投影具有重叠部分。隔垫物30可形成于黑矩阵210上。
在本公开的实施例中,多个隔垫物30中可包括主隔垫物和辅隔垫物,该主隔垫物在显示面板未收到外界压力时,其两端可分别与阵列基板10和对置基板20相接触,主要起到支撑作用;而辅隔垫物在显示面板未收到外界压力时,辅隔垫物若形成在对置基板20上,隔垫物30的一端与对置基板20连接,另一端与数据线130之间具有间隙,即该辅隔垫物与阵列基板10之间具有一定的间距,也就是说,主隔垫物与辅隔垫物之间存在段差(高度差),通过调节主隔垫物与辅隔垫物之间的段差可以对显示面板的厚度进行微调。辅隔垫物若形成在阵列基板10上,辅隔垫物的一端与数据线130对置基板20连接,另一端与对置基板20之间具有间隙,即该辅隔垫物与对置基板20之间具有一定的间距。
示例地,在阵列基板10朝向对置基板20的方向上,主隔垫物的高度大于辅隔垫物的高度,当显示面板受到外界压力时,主隔垫物先承受所有压力并压缩,当主隔垫物压缩至主隔垫物与辅隔垫物之间的段差降为0时,主隔垫物和辅隔垫物共同承受外界压力。
需要说明的是,主隔垫物和辅隔垫物这两种可按照一定周期排布。工艺制作过程中需要对不同种类隔垫物的尺寸高度进行监控。因隔垫物尺寸较小,且主隔垫物一般较少,单独依靠尺寸,设备很难准确识别主隔垫物位置,通常将主隔垫物周围某个位置空缺隔垫物设计(即:不设置任何隔垫物),以方便更快更准确的识别主隔垫物位置对其进行监控,例如:在设计时将主隔垫物下方不设置任何隔垫物,在监控时,可先快速确定不设置任何隔垫物的位置,然后前述提到的设计规则,可明确不设置任何隔垫物的上方位置处的隔垫物即为主隔垫物。
本公开的实施例还提供了一种显示装置,其包括上述任一实施例所描述的显示面板。此显示装置可为液晶显示装置。
根据本公开的实施例,该显示装置的具体类型不受特别的限制,本领域常用的显示装置类型均可,具体例如液晶显示屏、手机、笔记本电脑等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等,本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择,在此不再赘述。
需要说明的是,该显示装置除了显示面板以外,还包括其他必要的部件和组成,以显示器为例,还可包括背光模组、外壳、主电路板、电源线,等等,本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充,在此不再赘述。
需要说明的是,本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
需要说明的是,虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种区域、层和/或部分,但是这些区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是,这些术语用于将一个区域、层和/或部分与另一个相区分。
在本公开中,除非另有说明,所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。
在本公开中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后,将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (18)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:阵列基板(10)与所述阵列基板(10)对盒设置的对置基板(20)以及位于所述对置基板(20)与所述阵列基板(10)之间的多个隔垫物(30);
其中,所述阵列基板(10)包括:
第一衬底(110),所述第一衬底(110)包括沿行方向和列方向呈阵列排布的多个子像素区(111)、位于相邻两行所述子像素区(111)之间的第一布线区(112)以及位于相邻两列之间的第二布线区(113);
多行扫描线(120),形成在所述第一衬底(110)上,至少一行所述扫描线(120)位于一所述第一布线区(112)内;所述扫描线(120)被配置为提供扫描信号;
多列数据线(130),形成在所述第一衬底(110)上,至少一列所述数据线(130)位于一所述第二布线区(113)内,所述数据线(130)被配置提供数据信号;且所述数据线(130)背离所述第一衬底(110)的一侧与所述第一衬底(110)之间的距离,大于所述扫描线(120)背离所述第一衬底(110)的一侧与所述第一衬底(110)之间的距离;
其中,至少部分所述隔垫物(30)在所述第一衬底(110)上的正投影,与至少两列所述第二布线区(113)内的所述数据线(130)在所述第一衬底(110)上的正投影具有重叠部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,至少部分所述隔垫物(30)在所述第一衬底(110)上的正投影,与相邻两列所述第二布线区(113)内的所述数据线(130)在所述第一衬底(110)上的正投影具有重叠部分。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个隔垫物(30)在所述第一衬底(110)上的正投影,均与至少两列所述第二布线区(113)内的所述数据线(130)在所述第一衬底(110)上的正投影具有重叠部分。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物(30)在所述第一衬底(110)上的正投影位于所述第一布线区(112)中。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物(30)为透明材料。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物(30)与所述扫描线(120)间隔设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每一所述第二布线区(113)内设置有一行所述数据线(130);所述隔垫物(30)在所述第一衬底(110)上的正投影,与相邻两条所述数据线(130)在所述第一衬底(110)上的正投影具有重叠部分。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个隔垫物(30)中包括主隔垫物(30)与辅隔垫物(30);在所述阵列基板(10)朝向所述对置基板(20)的方向上,所述主隔垫物(30)的长度大于所述辅隔垫物(30)的长度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述主隔垫物(30)的一端与所述对置基板(20)连接,另一端与所述数据线(130)连接;所述辅隔垫物(30)的一端与所述对置基板(20)连接,另一端与所述数据线(130)之间具有间隙。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述主隔垫物(30)的一端与所述数据线(130)连接,另一端与所述对置基板(20)连接;所述辅隔垫物(30)的一端与所述数据线(130)连接,另一端与所述对置基板(20)之间具有间隙。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板(10)还包括:
多个子像素单元,形成在所述第一衬底(110)上,各所述子像素单元包括至少部分位于所述子像素区(111)内的像素电极(160)、公共电极(170)以及至少部分位于所述第一布线区(112)的晶体管(150);所述晶体管(150)包括栅极(151)、第一极(153)和第二极(154),所述第一极(153)与所述像素电极(160)连接,所述第二极(154)与所述数据线(130)连接,所述栅极(151)与所述扫描线(120)连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板(10)还包括:
多行公共线(140),形成在所述第一衬底(110)上,至少一行所述公共线(140)位于一所述第一布线区(112)内,所述公共线(140)与所述公共电极(170)连接,被配置为向所述子像素单元提供公共信号。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,每一所述第一布线区(112)内设置有一行所述扫描线(120)和一行所述公共线(140)。
14.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极(160)位于所述公共电极(170)靠近所述第一衬底(110)的一侧,且所述公共电极(170)为狭缝电极。
15.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
液晶分子(40),位于所述对置基板(20)与所述阵列基板(10)之间。
16.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述对置基板(20)包括:
第二衬底,包括多个显示区以及围绕所述显示区的非显示区,所述多个显示区与所述多个子像素单元一一对应设置;
彩膜层,设于所述第二衬底上,且位于所述显示区;
黑矩阵(210),设于所述第二衬底上,且位于所述非显示区。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫物(30)在所述第二衬底上的正投影,与所述黑矩阵(210)在所述第二衬底上的正投影具有重叠部分。
18.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至17中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110276361.9A CN113109971A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 显示面板与显示装置 |
US18/027,939 US20230367163A1 (en) | 2021-03-15 | 2021-11-11 | Display panel and display device |
PCT/CN2021/130154 WO2022193692A1 (zh) | 2021-03-15 | 2021-11-11 | 显示面板与显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110276361.9A CN113109971A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 显示面板与显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113109971A true CN113109971A (zh) | 2021-07-13 |
Family
ID=76711330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110276361.9A Pending CN113109971A (zh) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 显示面板与显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230367163A1 (zh) |
CN (1) | CN113109971A (zh) |
WO (1) | WO2022193692A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114063340A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-18 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制作方法 |
WO2022193692A1 (zh) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板与显示装置 |
WO2024060240A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板与制造显示面板的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100652063B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2009003358A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 強誘電性液晶用基板、強誘電性液晶用tft基板、液晶表示素子、および、液晶表示素子の製造方法 |
CN202472183U (zh) * | 2012-03-16 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明液晶显示面板及透明液晶显示器 |
KR102107544B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시 패널 |
KR102229505B1 (ko) * | 2015-01-09 | 2021-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN209297067U (zh) * | 2019-02-22 | 2019-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、显示基板、显示面板及显示装置 |
CN112462556B (zh) * | 2019-09-09 | 2024-07-12 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 显示面板 |
CN113109971A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-07-13 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
CN214896130U (zh) * | 2021-03-15 | 2021-11-26 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
-
2021
- 2021-03-15 CN CN202110276361.9A patent/CN113109971A/zh active Pending
- 2021-11-11 US US18/027,939 patent/US20230367163A1/en active Pending
- 2021-11-11 WO PCT/CN2021/130154 patent/WO2022193692A1/zh active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022193692A1 (zh) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板与显示装置 |
CN114063340A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-02-18 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 彩膜基板、显示面板、显示装置及彩膜基板的制作方法 |
WO2024060240A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板与制造显示面板的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022193692A1 (zh) | 2022-09-22 |
US20230367163A1 (en) | 2023-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101978326B1 (ko) | 어레이 기판, 그 제조 방법 및 구동 방법, 및 디스플레이 디바이스 | |
US9638975B2 (en) | Method for manufacturing COA liquid crystal panel comprising color resist blocks having first and second intersection zones and COA liquid crystal panel | |
CN113109971A (zh) | 显示面板与显示装置 | |
CN107275288B (zh) | Tft基板的制作方法及tft基板 | |
US20140085558A1 (en) | Color filter substrate and liquid crystal display device including the same | |
CN104238207A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
JP2014528598A (ja) | 画素ユニット、アレイ基板、液晶パネル及びアレイ基板の製造方法 | |
US8890157B2 (en) | Pixel structure having patterned transparent conductive layer | |
US9933671B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display device | |
KR101622655B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
CN214375724U (zh) | 显示面板及电子设备 | |
US11287711B2 (en) | Display panel, method for manufacturing the same and display device | |
US20090040449A1 (en) | Liquid crystal display and method for fabricating the same | |
US20240126122A1 (en) | Electrode structure, display panel and display device | |
US7046315B2 (en) | Array substrate of liquid crystal display device having color filter on thin film transistor structure and method of fabricating the same | |
KR20130015735A (ko) | 액정표시장치 | |
EP3992703A1 (en) | Display substrate and liquid crystal panel | |
CN214896130U (zh) | 显示面板与显示装置 | |
CN212569352U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN107918221A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
WO2022151836A1 (zh) | 显示面板及电子设备 | |
CN215006188U (zh) | 阵列基板与显示装置 | |
US20230152635A1 (en) | Display panel and display device | |
US8717528B2 (en) | Liquid crystal display panel and liquid crystal display | |
KR20180013594A (ko) | 액정 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |