CN113106406A - 一种SmCo永磁薄膜的制备方法 - Google Patents

一种SmCo永磁薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113106406A
CN113106406A CN202110301252.8A CN202110301252A CN113106406A CN 113106406 A CN113106406 A CN 113106406A CN 202110301252 A CN202110301252 A CN 202110301252A CN 113106406 A CN113106406 A CN 113106406A
Authority
CN
China
Prior art keywords
smco
film
magnetic
magnet
smco permanent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110301252.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113106406B (zh
Inventor
邱兆国
魏卢
张远慰
曾德长
郑志刚
王刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN202110301252.8A priority Critical patent/CN113106406B/zh
Publication of CN113106406A publication Critical patent/CN113106406A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113106406B publication Critical patent/CN113106406B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种SmCo永磁薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)选取磁体，进行有限元分析，模拟磁体的磁力线分布，计算得到磁通密度和磁场作用区域范围；2)将磁体固定在样品台上，再根据步骤1)的分析结果将基底固定在样品台上，并确保磁场垂直穿过基底，再采用SmCo合金靶进行磁控溅射镀膜，再对得到的薄膜进行热处理晶化，即得SmCo永磁薄膜。本发明在SmCo永磁薄膜沉积过程中引入外磁场使得溅射原子形成沿外磁场方向的织构，提高了SmCo永磁薄膜的垂直磁各向异性，且外磁场还可以细化晶粒，提高SmCo永磁薄膜的磁性能。

Description

一种SmCo永磁薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及磁性薄膜材料技术领域，具体涉及一种SmCo永磁薄膜的制备方法。
背景技术
随着高端电子信息产业迅猛发展，人们对于多功能化、微型化电子元器件以及微型存储器件的需求与日俱增。磁记录技术在信息存储技术中占据主要地位，自然也需要不断向微型化和高密度化的方向发展，而实现磁性材料的薄膜化为解决上述需求提供了可能。
为了突破超顺磁效应导致的磁记录密度极限，热辅助磁垂直记录技术得到了学术界和产业界的广泛关注。研究发现，将磁性材料薄膜化并调控其磁各向异性，不仅能够满足高密度热辅助垂直磁记录介质的性能需求，而且对于磁存储技术和磁性功能器件的应用也具有十分重要的意义。
SmCo具有高磁晶各向异性能和较高的居里温度，可以大幅降低外界热扰动对信息存储的影响，且具有良好的非易失性，此外，其超高的内禀矫顽力和较小的超顺磁临界尺寸保证了制备的磁性薄膜具有优良的磁性能，有着良好的应用前景。
目前，常用于制备SmCo基垂直磁各向异性薄膜的方法如下：先通过添加诱导层诱导晶粒择优生长以及通过多靶交替共溅形成多层复合膜结构，再在较高的退火温度下进行较长时间的热处理，使各膜层的原子扩散均匀。然而，由于该方法存在膜层结构较复杂、操作繁琐、高温热处理时间长、成本高等缺陷，难以实际应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种SmCo永磁薄膜的制备方法。
本发明所采取的技术方案是：
一种SmCo永磁薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)选取磁体，进行有限元分析，模拟磁体的磁力线分布，计算得到磁通密度和磁场作用区域范围；
2)将磁体固定在样品台上，再根据步骤1)的分析结果将基底固定在样品台上，并确保磁场垂直穿过基底，再采用SmCo合金靶进行磁控溅射镀膜，再对得到的薄膜进行热处理晶化，即得SmCo永磁薄膜。
优选的，步骤1)所述有限元分析采用的软件为ANSYS软件。
优选的，步骤1)所述磁体为钕铁硼磁体。
优选的，步骤2)所述样品台为不导磁且易加工的样品台。
进一步优选的，步骤2)所述样品台为铝质样品台。
优选的，步骤2)所述基底为单晶Si(100)基底、石英玻璃基底中的一种。
优选的，步骤2)所述SmCo合金靶中Sm、Co的摩尔比为1:3～1:8。
优选的，步骤2)所述SmCo合金靶至样品台中心距离为80mm～120mm。
优选的，步骤2)所述磁控溅射采用的磁控溅射系统为OBVTC450型磁控溅射机。
优选的，步骤2)所述磁控溅射的功率为60W～80W，工作气压为0.1Pa～1Pa。
优选的，步骤2)所述磁控溅射镀膜得到的SmCo薄膜的厚度为200nm～300nm。
优选的，步骤2)所述热处理在500℃～650℃下进行，处理时间为5min～60min。
本发明的理论基础：在SmCo基薄膜沉积过程中，添加垂直薄膜平面方向的外磁场，使得溅射原子沿着外磁场方向沉积到基底上，形成沿磁场方向的织构，并对制备态的薄膜进行原子热扩散，最终使磁矩沿外场方向排列从而获得垂直磁各向异性薄膜。此外，外加磁场可以提供额外的能量导致系统磁吉布斯自由能发生变化，从而促进晶粒细化，获得具有更小晶粒尺寸的SmCo基薄膜。
磁吉布斯自由能计算公式：
Figure BDA0002986345550000021
其中，μ0为真空磁导率，M为磁化强度，T为温度，H为磁场，χ为磁化率。
本发明的有益效果是：本发明在SmCo永磁薄膜沉积过程中引入外磁场使得溅射原子形成沿外磁场方向的织构，提高了SmCo永磁薄膜的垂直磁各向异性，且外磁场还可以细化晶粒，提高SmCo永磁薄膜的磁性能。
具体来说：
1)本发明引入外磁场辅助沉积SmCo永磁薄膜，能够诱导SmCo磁矩沿薄膜平面的法线方向(外磁场方向)生长，形成沿一定方向的织构，可以有效提高SmCo永磁薄膜的垂直磁各向异性，得到具有垂直磁各向异性的SmCo永磁薄膜；
2)本发明引入外磁场辅助沉积SmCo永磁薄膜，能够提供额外的能量引起系统磁吉布斯自由能的变化，可以促进晶粒细化，从而得到具有较小晶粒尺寸的SmCo基垂直磁各向异性薄膜，进一步提高了磁性能；
3)本发明引入外磁场辅助沉积SmCo永磁薄膜，相比现有技术需要插入过渡层和较复杂的多层结构设计，本发明只需通过设计样品台放置磁体来提供外磁场，薄膜制备过程易于操作，且生产成本更低，可以提高制备垂直各向异性SmCo永磁薄膜的效率，同时也为垂直磁各向异性稀土永磁薄膜的制备提供了新的思路。
附图说明
图1为模拟的磁体磁通密度分布图。
图2为搭有磁体和基底的样品台实物图。
图3为外加磁场沉积薄膜图。
图4为实施例的SmCo永磁薄膜的磁滞回线。
图5为实施例的SmCo永磁薄膜的扫描电镜图。
图6为对比例的SmCo永磁薄膜的磁滞回线。
图7为对比例的SmCo永磁薄膜的扫描电镜图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的解释和说明。
实施例：
一种SmCo永磁薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
1)选取大小规格18mm(长)×18mm(宽)×24mm(高)的钕铁硼磁体(牌号N50)，采用ANSYS软件进行有限元分析，模拟磁体的磁力线分布，计算得到磁通密度和磁场作用区域范围，极化方向沿高度方向，模拟计算的磁通密度最大为1T(模拟的磁体磁通密度分布图如图1所示)；
2)将钕铁硼磁体固定在尺寸3英寸的铝质样品台上，选取大小规格10mm×10mm的单晶Si(100)基底，用质量分数5％的氢氟酸超声清洗10min，再用丙酮超声清洗10min，再用无水乙醇超声清洗10min，再干燥除去单晶Si(100)基底表面的水，再根据步骤1)的分析结果将单晶Si(100)基底用银胶粘贴在样品台上(搭有磁体和基底的样品台实物图如图2所示)，并确保磁场垂直穿过基底，磁场垂直穿过基底区域不超过25mm×25mm，再采用SmCo合金靶(Sm、Co的摩尔比为1:4，合金靶纯度为99.5％)、Cr靶和Cu靶通过OBVTC450型磁控溅射机进行磁控溅射镀膜(外加磁场沉积薄膜图如图3所示)，Cr靶和SmCo合金靶为直流溅射，溅射的功率为80W，Cu靶为射频溅射，溅射功率为100W，靶至样品台中心距离为100mm，本底真空度抽至8×10-5Pa～1×10-4Pa之间，磁控磁控溅射的工作气压保持在0.5Pa，得到Cr(20nm)/Cu(10nm)/SmCo(300nm)/Cr(20nm)结构薄膜，再将得到的薄膜放入真空管式炉中，通入高纯氩气作为保护气，升温至550℃进行热处理，退火时间为900s，再随炉冷却至室温，即得SmCo永磁薄膜。
采用物理性能综合测试系统(PPMS)测试得到的SmCo永磁薄膜的磁滞回线(M-H曲线)如图4所示，采用高倍扫描电子显微镜观察到的SmCo永磁薄膜的扫描电镜图(SEM)如图5所示。
对比例：
一种SmCo永磁薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
选取大小规格10mm×10mm的单晶Si(100)基底，用质量分数5％的氢氟酸超声清洗10min，再用丙酮超声清洗10min，再用无水乙醇超声清洗10min，再干燥除去单晶Si(100)基底表面的水，再将单晶Si(100)基底用银胶粘贴在样品台上，再采用SmCo合金靶(Sm、Co的摩尔比为1:4，合金靶纯度为99.5％)、Cr靶和Cu靶通过OBVTC450型磁控溅射机进行磁控溅射镀膜，Cr靶和SmCo合金靶为直流溅射，溅射的功率为80W，Cu靶为射频溅射，溅射功率为100W，靶至样品台中心距离为100mm，本底真空度抽至8×10-5Pa～1×10-4Pa之间，磁控磁控溅射的工作气压保持在0.5Pa，得到Cr(20nm)/Cu(10nm)/SmCo(300nm)/Cr(20nm)结构薄膜，再将得到的薄膜放入真空管式炉中，通入高纯氩气作为保护气，升温至550℃进行热处理，退火时间为900s，再随炉冷却至室温，即得SmCo永磁薄膜。
采用物理性能综合测试系统(PPMS)测试得到的SmCo永磁薄膜的磁滞回线(M-H曲线)如图6所示，采用高倍扫描电子显微镜观察到的SmCo永磁薄膜的扫描电镜图(SEM)如图7所示。
由图4～7可知：引入外磁场制备的SmCo永磁薄膜表现出较好的垂直磁各向异性，其面外矫顽力有了很大提高，且在相同放大倍数下观察发现引入外磁场沉积的SmCo永磁薄膜表面的颗粒尺寸更小。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)选取磁体，进行有限元分析，模拟磁体的磁力线分布，计算得到磁通密度和磁场作用区域范围；
2)将磁体固定在样品台上，再根据步骤1)的分析结果将基底固定在样品台上，并确保磁场垂直穿过基底，再采用SmCo合金靶进行磁控溅射镀膜，再对得到的薄膜进行热处理晶化，即得SmCo永磁薄膜。
2.根据权利要求1所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)所述有限元分析采用的软件为ANSYS软件。
3.根据权利要求1或2所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)所述磁体为钕铁硼磁体。
4.根据权利要求1所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述样品台为不导磁且易加工的样品台。
5.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述基底为单晶Si(100)基底、石英玻璃基底中的一种。
6.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述SmCo合金靶中Sm、Co的摩尔比为1:3～1:8。
7.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述SmCo合金靶至样品台中心距离为80mm～120mm。
8.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述磁控溅射的功率为60W～80W，工作气压为0.1Pa～1Pa。
9.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述磁控溅射镀膜得到的SmCo薄膜的厚度为200nm～300nm。
10.根据权利要求1、2和4中任意一项所述的SmCo永磁薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)所述热处理在500℃～650℃下进行，处理时间为5min～60min。
CN202110301252.8A 2021-03-22 2021-03-22 一种SmCo永磁薄膜的制备方法 Active CN113106406B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110301252.8A CN113106406B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 一种SmCo永磁薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110301252.8A CN113106406B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 一种SmCo永磁薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113106406A true CN113106406A (zh) 2021-07-13
CN113106406B CN113106406B (zh) 2022-10-25

Family

ID=76710304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110301252.8A Active CN113106406B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 一种SmCo永磁薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113106406B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114875354A (zh) * 2022-05-05 2022-08-09 常州市方正型钢有限公司 一种高强度无缝异型钢及其加工工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101419806A (zh) * 2008-12-03 2009-04-29 北京航空航天大学 FeCoNbBSi磁记录软磁底层薄膜及其制备方法
CN102194472A (zh) * 2011-03-07 2011-09-21 南通万宝实业有限公司 一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜及其制备方法
CN105925937A (zh) * 2016-06-26 2016-09-07 彭晓领 取向磁性薄膜的制备方法
CN106591787A (zh) * 2016-11-17 2017-04-26 燕山大学 一种厚度渐变图案化薄膜的制备方法
CN108962523A (zh) * 2018-08-14 2018-12-07 徐靖才 一种掺杂SmCu合金的钐钴基纳米复合永磁体的制备方法
CN111962024A (zh) * 2020-07-17 2020-11-20 华南理工大学 一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101419806A (zh) * 2008-12-03 2009-04-29 北京航空航天大学 FeCoNbBSi磁记录软磁底层薄膜及其制备方法
CN102194472A (zh) * 2011-03-07 2011-09-21 南通万宝实业有限公司 一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜及其制备方法
CN105925937A (zh) * 2016-06-26 2016-09-07 彭晓领 取向磁性薄膜的制备方法
CN106591787A (zh) * 2016-11-17 2017-04-26 燕山大学 一种厚度渐变图案化薄膜的制备方法
CN108962523A (zh) * 2018-08-14 2018-12-07 徐靖才 一种掺杂SmCu合金的钐钴基纳米复合永磁体的制备方法
CN111962024A (zh) * 2020-07-17 2020-11-20 华南理工大学 一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114875354A (zh) * 2022-05-05 2022-08-09 常州市方正型钢有限公司 一种高强度无缝异型钢及其加工工艺
CN114875354B (zh) * 2022-05-05 2023-09-05 常州市方正型钢有限公司 一种高强度无缝异型钢及其加工工艺

Also Published As

Publication number Publication date
CN113106406B (zh) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Walther et al. Micro-patterning of NdFeB and SmCo magnet films for integration into micro-electro-mechanical-systems
CN105331942B (zh) 钇铁石榴石薄膜材料及其制备方法
CN113549884B (zh) 一种具有垂直磁各向异性的磁性薄膜制备方法及磁性薄膜
He et al. High-efficient selected area grain boundary diffusion for enhancing the coercivity of thick Nd-Fe-B magnets
CN113106406B (zh) 一种SmCo永磁薄膜的制备方法
Huang et al. Fabrication of MnAl thin films with perpendicular anisotropy on Si substrates
Naoe et al. Properties of amorphous Co–Ta and Co–W films deposited by rf sputtering
CN108914080B (zh) 一种制备具有室温交换偏置效应锰铋合金薄膜的方法
He et al. Direct synthesis of large size ferromagnetic SmCo5 nanoparticles by a gas-phase condensation method
Liu et al. Crystal structure and magnetic properties of Fe x Pd 1− x thin films annealed at 550° C
JP2013042004A (ja) α−Ｆｅ／Ｒ２ＴＭ１４Ｂ系ナノコンポジット磁石の製造方法
Belemuk et al. Comparative study of finite temperature demagnetization in Nd2Fe14B and SmCo5 based hard-soft composites
CN107134341A (zh) 一种垂直取向强磁性介质薄膜及其制备方法
TWI473129B (zh) 導磁材料之製備方法
Chen et al. Enhanced coercivity of HCP Co–Pt alloy thin films on a glass substrate at room temperature for patterned media
Koike et al. Effect of Dy/Nd double layer on coercivity in Nd-Fe-B thin films
CN104733179A (zh) 铁氧体基板FePt永磁薄膜的制备方法
CN113539607A (zh) 一种垂直膜面方向具有硬磁性能且在面内方向具有软磁性能的磁性薄膜及其制备方法
CN111962024B (zh) 一种SmCo垂直磁各向异性薄膜的制备方法
Wang et al. Embedded mask patterning: A nanopatterning process to fabricate FePt magnetic media
JP4483166B2 (ja) 永久磁石薄膜
CN110735119B (zh) 一种磁控溅射制备巨大矫顽力Mn3Ga薄膜的方法
CN104810146A (zh) 铁氧体基板永磁薄膜的快速退火方法
CN100507071C (zh) 一种用于制作磁性直流磁控溅射钴靶材的方法
JP4991981B2 (ja) ナノグラニュラー軟磁性膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant