CN113084454B - 一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；(3)热处理步骤(2)所得条状金属锭，冷却后进行轧制处理，得到金属板；(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到三角形蒸发料。本发明所得三角形蒸发料尺寸较小，且形状独特，不易与其他形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。

Description

一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种半导体蒸发料，尤其涉及一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法。
背景技术
真空蒸发镀膜是真空镀膜技术中应用最广的一种，蒸发热源包括电阻式加热、电子束轰击、高频感应以及激光加热等。电子束加热的原理是基于电子存在电位差的电场作用下，获得动能达到蒸发材料上，使材料加热气化实现蒸发镀膜。
蒸发镀膜所用材料形式较多，包括片状、颗粒状或块状。其中块状蒸发材料的形状包括锥台、环形、半环形、扇环状或盘状。与片状或颗粒状蒸发材料相比，块状蒸发材料在加热蒸发过程中，析出气体更加集中，块状蒸发材料更容易产生气体飞溅现象；且蒸发料熔化后，熔池液面易受到轰击电子电磁力的影响，容易发生波动，存在飞溅现象，不利于蒸发镀膜的顺利进行。
为了保证蒸发镀膜的质量，CN 108977770A公开了一种铜蒸发料的表面处理方法，包括：提供铜蒸发料；对所述铜蒸发料进行第一酸洗操作；在所述第一酸洗操作后，对所述铜蒸发料进行离心研磨操作；在所述离心研磨操作后，对所述铜蒸发料进行清洗操作；在所述清洗操作后，对所述铜蒸发料进行干燥处理。在第一酸洗操作后，对铜蒸发料进行离心研磨操作，所述离心研磨操作能够去除铜蒸发料表面的铜氧化物、降低所述铜蒸发料的表面粗糙度，提高所述铜蒸发料的表面光亮度和光滑度，减少铜蒸发料的表面微孔，降低铜蒸发料与空气的接触面积，提高铜蒸发料的抗氧化能力，进而提高所述铜蒸发料的纯度，相应提高铜蒸发料的质量和性能。
CN 111394697A公开了一种金属蒸发料的表面处理方法，所述表面处理方法包括如下步骤：将金属蒸发料采用有机溶剂进行超声波清洗；将超声波清洗后的金属蒸发料进行酸洗，酸洗所用酸洗液为无机混合酸；将酸洗后的金属蒸发料再次进行超声波清洗后进行干燥处理。所述表面处理方法通过对金属蒸发料依次进行超声波清洗与酸洗，有效去除蒸发料表面的杂质和氧化层，提高蒸发料的洁净度及纯度，有助于提高镀膜性能。
上述方法的思路均为清楚蒸发料表面的氧化层及杂质，未对蒸发料形状对蒸发镀膜的影响进行深入研究。
CN 202530153U公开了一种用于电子束蒸发镀膜的新结构蒸发材料，所述新结构蒸发材料在块状蒸发材料直接被电子束加热的端面加工一个具有一定尺寸和形状的凹槽，在使用时，将片状或颗粒状同材质蒸发料放入凹槽内一起熔融蒸发，可以有效减少和避免传统锥台蒸发料在蒸发起始时发生的熔体飞溅，和蒸发过程中的熔体外溢。所述新结构蒸发材料通过凹槽的设置，使新结构蒸发材料与片状或颗粒状蒸发材料相配合，共同提高了蒸发镀膜质量。
但在镀膜的实际操作工程中，存在镀多种材料的情况，而当所镀材料的形状相似或相同时，在使用过程中不易区分，容易造成混料的风险；而且在镀膜过程中也需要进一步提高所得蒸发料的粒径均一度，保证镀膜质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状独特，不易与其它形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；
(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；
(3)热处理步骤(2)所得条状金属锭，冷却后进行轧制处理，得到金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到三角形蒸发料。
本发明步骤(4)所得三角形蒸发料即为本发明所述用于半导体蒸发镀膜用蒸发料。本发明使所得蒸发料的形状为三角形，使所得三角形蒸发料的形状特殊，不易与其它形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险。
优选地，所述三角形蒸发料为正三角形蒸发料。
优选地，所述正三角形蒸发料的边长为5-8mm，例如可以是5mm、5.5mm、6mm、6.5mm、7mm、7.5mm或8mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述正三角形蒸发料的厚度为2-4mm，例如可以是2mm、2.5mm、3mm、3.5mm或4mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm，例如可以是0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm或0.6mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明通过使正三角形蒸发料的角为圆角，避免了加料过程中角的磨损，保证了蒸发料整体的形状一致性，减少了蒸镀过程中的溅锅风险。
优选地，步骤(1)所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N。
本发明所述Al-4％Cu合金是指，Cu的质量为合金质量的4wt％。所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N是指，合金中Al与Cu的质量之和为合金质量的99.999wt％以上。
优选地，步骤(1)所述金属圆锭的直径为160-200mm，例如可以是160mm、165mm、170mm、175mm、180mm、185mm、190mm、195mm或200mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述金属圆锭的厚度为40-60mm，例如可以是40mm、45mm、50mm、55mm或60mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述热处理的温度为180-210℃，例如可以是180℃、185℃、190℃、195℃、200℃、205℃或210℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述热处理的时间为50-70min，例如可以是50min、55min、60min、65min或70min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述热处理结束后，水冷至室温。
本发明步骤(1)所述热处理后，利用水直接将金属圆锭冷却至室温，消除了金属圆锭中的应力积累，便于后续锻伸等工序的进行；本发明所述室温的温度为10-30℃，例如可以是10℃、15℃、20℃、25℃或30℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(1)所述长方形金属锭的长为100-140mm，宽为500-550mm，厚度为15-25mm。
所述长方形金属锭的长为100-140mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm、120mm、125mm、130mm、135mm或140mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述长方形金属锭的宽为500-550mm，例如可以是500mm、510mm、520mm、530mm、540mm或550mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述长方形金属锭的厚度为15-25mm，例如可以是15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述机加工的方法包括切断处理。
优选地，步骤(2)所得条状金属锭的长为100-140mm，宽为40-60mm，厚度为15-25mm。
所述条状金属锭的长为100-140mm，例如可以是100mm、105mm、110mm、115mm、120mm、125mm、130mm、135mm或140mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述条状金属锭的宽为40-60mm，例如可以是40mm、42mm、45mm、48mm、50mm、54mm、55mm、56mm或60mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述条状金属锭的厚度为15-25mm，例如可以是15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm或25mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述热处理的温度为300-350℃，例如可以是300℃、310℃、320℃、330℃、340℃或350℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述热处理的时间为12-18min，例如可以是12min、13min、14min、15min、16min、17min或18min，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所得金属板的长为560-640mm，宽为50-70mm，厚度为2-4mm。
所述金属板的长为560-640mm，例如可以是560mm、570mm、580mm、590mm、600mm、610mm、620mm、630mm或640mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述金属板的宽为50-70mm，例如可以是50mm、55mm、60mm、65mm或70mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
所述金属板的厚度为2-4mm，例如可以是2mm、2.5mm、3mm、3.5mm或4mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述表面处理包括喷砂处理；
优选地，喷砂处理后的表面粗糙度为Ra为3-8μm，例如可以是3μm、4μm、5μm、6μm、7μm或8μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明通过喷砂处理增大了表面粗糙度，使得冲压过程能够更好地进行。
作为本发明所述制备方法的优选技术方案，所述制备方法包括如下步骤：
(1)180-210℃热处理直径为160-200mm且厚度为40-60mm的金属圆锭50-70min，水冷至室温，锻伸，得到长为100-140mm、宽为500-550mm且厚度为15-25mm的长方形金属锭；
(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为100-140mm、宽为40-60mm且厚度为15-25mm的条状金属锭；
(3)300-350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12-18min，冷却后进行轧制处理，得到长度为560-640mm、宽为50-70mm且厚度为2-4mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为5-8mm且厚度为2-4mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm。
第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述制备方法制备得到的半导体蒸发镀膜用蒸发料，所述半导体蒸发镀膜用蒸发料为三角形蒸发料。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明使所得蒸发料的形状为三角形，使所得三角形蒸发料的形状特殊，不易与其它形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险；
(2)本发明通过使正三角形蒸发料的角为圆角，避免了加料过程中角的磨损，保证了蒸发料整体的形状一致性，减少了蒸镀过程中的溅锅风险。
附图说明
图1为本发明制备得到的三角形蒸发料的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为6mm且厚度为3mm的正三角形蒸发料。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
实施例2
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)180℃热处理直径为160mm且厚度为40mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为100mm、宽为500mm且厚度为15mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为100mm、宽为40mm且厚度为15mm的条状金属锭；
(3)300℃热处理步骤(2)所得条状金属锭18min，冷却后进行轧制处理，得到长为560mm、宽为50mm且厚度为2mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为5mm且厚度为2mm的正三角形蒸发料。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
实施例3
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)210℃热处理直径为200mm且厚度为60mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为140mm、宽为550mm且厚度为25mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为140mm、宽为60mm且厚度为25mm的条状金属锭；
(3)350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12min，冷却后进行轧制处理，得到长为640mm、宽为70mm且厚度为4mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为8mm且厚度为4mm的正三角形蒸发料。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
实施例4
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为6mm且厚度为3mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.4mm。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
实施例5
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为6mm且厚度为3mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2mm。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
实施例6
本实施例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为6mm且厚度为3mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.6mm。
所述正三角形蒸发料的结构示意图如图1所示。
本实施例制备得到的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的形状特殊，尺寸较小，在镀膜过程中不易与其他材料混淆，避免了混料的风险；而且在坩埚中能够紧密结构，减小了蒸发料之间的孔隙，在蒸发镀膜过程中不易溅锅。
对比例1
本对比例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到边长为6mm且厚度为3mm的正方形蒸发料。
本对比例制备得到的正方形蒸发料形状普通，存在混料风险。而且正方形蒸发料堆料后的孔隙较大，蒸发镀膜过程中的溅锅风险高于实施例1。
对比例2
本对比例提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
(1)200℃热处理直径为180mm且厚度为50mm的金属圆锭，水冷至室温，锻伸，得到长为120mm、宽为520mm且厚度为20mm的长方形金属锭；所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N；
(2)切断处理步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为120mm、宽为50mm且厚度为20mm的条状金属锭；
(3)320℃热处理步骤(2)所得条状金属锭15min，冷却后进行轧制处理，得到长为600mm、宽为60mm且厚度为3mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行表面处理，冲压，得到直径为6mm且厚度为3mm的圆形蒸发料。
本对比例制备得到的圆形蒸发料形状普通，存在混料风险。而且圆形蒸发料堆料后的孔隙较大，蒸发镀膜过程中的溅锅风险高于实施例1。
应用实施例1-6以及对比例1-2提供的用于半导体蒸发镀膜用蒸发料进行蒸发镀膜，蒸发镀膜所用仪器为DM-300B真空镀膜仪，所得镀膜成品的良品率如表1所示。
表1
综上所述，本发明使所得蒸发料的形状为三角形，使所得三角形蒸发料的形状特殊，不易与其他形状的蒸发料混淆，避免了混料的风险；而且，在坩埚中能够紧密接触，避免了蒸镀过程中溅锅的风险；本发明通过使正三角形蒸发料的角为圆角，避免了加料过程中角的磨损，保证了蒸发料整体的形状一致性，减少了蒸镀过程中的溅锅风险。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (6)

1.一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)180-210℃热处理金属圆锭50-70min，水冷至室温，锻伸，得到长方形金属锭；所述长方形金属锭的长为100-140mm，宽为500-550mm，厚度为15-25mm；所述室温的温度为10-30℃；
(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；所得条状金属锭的长为100-140mm，宽为40-60mm，厚度为15-25mm；
(3)300-350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12-18min，冷却后进行轧制处理，得到金属板；所得金属板的长为560-640mm，宽为50-70mm，厚度为2-4mm；
(4)步骤(3)所得金属板进行喷砂处理使表面粗糙度Ra为3-8μm，冲压，得到正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的边长为5-8mm，厚度为2-4mm；正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的组成材料为Al-4％Cu合金，所述Al-4％Cu合金的纯度≥5N。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的直径为160-200mm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述金属圆锭的厚度为40-60mm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述机加工的方法包括切断处理。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)180-210℃热处理直径为160-200mm且厚度为40-60mm的金属圆锭50-70min，水冷至室温，锻伸，得到长为100-140mm、宽为500-550mm且厚度为15-25mm的长方形金属锭；所述室温的温度为10-30℃；
(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到长为100-140mm、宽为40-60mm且厚度为15-25mm的条状金属锭；
(3)300-350℃热处理步骤(2)所得条状金属锭12-18min，冷却后进行轧制处理，得到长为560-640mm、宽为50-70mm且厚度为2-4mm的金属板；
(4)步骤(3)所得金属板进行喷砂处理使表面粗糙度Ra为3-8μm，冲压，得到边长为5-8mm且厚度为2-4mm的正三角形蒸发料；所述正三角形蒸发料的角为圆角，所述圆角的半径为0.2-0.6mm。
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