CN113078236A - 一种大尺寸硅片热氧工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;进舟后,进行升温;进行稳定温度,便于硅片氧化;进行硅片氧化,形成氧化层;降温出炉。本发明的有益效果是应用于硅片的氧化时使用,对硅片进行氧化,减少硅片中心与边缘温差,改善氧化时温度差异,提高表面钝化效果,提高电池片转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池制备技术领域,尤其是涉及一种大尺寸硅片热氧工艺。
背景技术
目前,太阳能电池片制造业中,热氧为制作SIO2层,主要为表面钝化及抗PID。大尺寸的硅片大大降低了电池制造的成本,但管式热处理随着硅片尺寸的增大,制作过程中均匀性不可控,表面度化效果不好,电池片转换效率低。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种大尺寸硅片热氧工艺,应用于硅片的氧化时使用,对硅片进行氧化,减少硅片中心与边缘温差,改善氧化时温度差异,提高表面钝化效果,提高电池片转换效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;
进舟后,进行升温;
进行稳定温度,便于硅片氧化;
进行硅片氧化,形成氧化层;
降温出炉。
进一步的,设定炉口至炉尾的待机温度步骤中,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。
进一步的,第一温区间设定的温度为790-810℃,第二温区间设定的温度为770-790℃,第三温区间设定的温度为740-760℃,第四温区间设定的温度为710-730℃,第五温区间设定的温度为690-710℃。
进一步的,进行升温步骤中,将氧化炉温度升温至氧化温度,并通入氮气,设定升温时间。
进一步的,进行升温步骤中,氧化温度为700-740℃,升温时间为8-12min,氮气流量为8-12slm。
进一步的,进行稳定温度步骤中,按照氧化温度维持氧化炉温度,并通入氮气,设定维持时间。
进一步的,进行稳定温度步骤中,氮气流量为8-12slm,维持时间为1-3min。
进一步的,进行硅片氧化步骤中,按照氧化温度维持氧化炉温度,并通入氮气和氧气,设定氧化时间。
进一步的,进行硅片氧化步骤中,氮气流量为7-9slm,氧气流量为1-3slm,氧化时间为10-15min。
进一步的,降温出炉步骤中,将氧化炉温度降低至出炉温度,进行出舟,出炉温度为680-720℃。
由于采用上述技术方案,在氧化炉待机时设定炉管各个温区间的待机温度,减少炉温各个温区间的差异,减少硅片中心与边缘的温差,并进行温度维持,便于对硅片进行氧化,氧化时的温度差异小,硅片氧化均匀性好,氧化膜层均匀,提高表面钝化效果,减少硅片之间的差异,提高电池片转化效率。
附图说明
图1是现有技术中进出舟时各温区间温度差异示意图;
图2是本发明一实施例的进出舟时各温区间温度差异示意图。
图中:
1、碳化硅桨 2、炉门 3、硅片
4、石英舟 5、各温区间温度 6、氧化炉管
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。
图1示出了本发明的一实施例的示意图,本实施例涉及一种大尺寸硅片热氧工艺,用于对硅片制作二氧化硅层,进行表面钝化及抗PID,在进行氧化初始时,设定氧化炉的炉口至炉尾的待机温度,减少大尺寸中心与边缘温差,提高硅片的氧化均匀性,减少氧化时温度差异,氧化膜层均匀,提高表面钝化效果,提升电池片转换效率。
一种大尺寸硅片热氧工艺,包括以下步骤,
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度:在该设定炉口至炉尾的待机温度步骤中,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,由于氧化炉炉门的打开与关闭导致炉口的温度降温较快,为减少整个氧化炉炉管各个温区间的温度差异,减少硅片中心与边缘的温差,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,该各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间,其中,第一温区间设定的温度为790-810℃,第二温区间设定的温度为770-790℃,第三温区间设定的温度为740-760℃,第四温区间设定的温度为710-730℃,第五温区间设定的温度为690-710℃,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
进出舟:当氧化炉各个温区间的温度达到设定温度后,打开氧化炉炉门,碳化硅桨将装载大尺寸硅片放入氧化炉中,放置完毕后,关闭氧化炉炉门。
进舟后,进行升温:在该进行升温步骤中,将氧化炉温度升温至氧化温度,并通入氮气,设定升温时间,由于在待机时设定了氧化炉炉管内各个温区间的温度,氧化炉的炉管在待机时具有温度,进行升温时,可以快速将氧化炉温度升至氧化温度,各个温区间的温差小,升温时间缩短,降低了能耗。氮气的通入,将氧化炉中的空气排出,便于对硅片进行氧化。
在该进行升温步骤中,氧化温度为700-740℃,升温时间为8-12min,氮气流量为8-12slm,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
进行稳定温度,便于硅片氧化:进行稳定温度步骤中,按照氧化温度维持氧化炉温度,并通入氮气,设定维持时间,为后续氧化提供稳定的氛围。氮气的通入,将氧化炉中的空气排出,便于对硅片进行氧化。
在该稳定温度步骤中,氮气流量为8-12slm,维持时间为1-3min,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
进行硅片氧化,形成氧化层:在该进行硅片氧化步骤中,按照氧化温度维持氧化炉温度,并通入氮气和氧气,设定氧化时间,进行硅片的氧化,在硅片表面形成氧化膜层,进行表面钝化及抗PID。
在该进行硅片氧化步骤中,氮气流量为7-9slm,氧气流量为1-3slm,氧化时间为10-15min,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
降温出炉:在该降温出炉步骤中,将氧化炉温度降低至出炉温度,进行出舟,完成硅片氧化,该出炉温度为680-720℃,根据实际需求进行选择,这里不做具体要求。
将刻蚀后的硅片3装载在石英舟4上,并通过碳化硅桨1放置到氧化炉6,送入时,炉管6炉门2为打开状态,故第一温区间zone1急速降温,呈一个递减趋势在降温。如图1和2所示,在现有技术中,氧化炉的各个温区间5的温度全部设定为720℃,则进出舟时各温区间温度如下表:
温区间 | 第一温区间 | 第二温区间 | 第三温区间 | 第四温区间 | 第五温区间 |
温度 | 606℃ | 628℃ | 668℃ | 705℃ | 718℃ |
由上表可以知道,第一温区间zone1与第五温区间zone5差异将近100℃,硅片片间温度差异大,硅片在氧化均匀性不好。
采用上述大尺寸硅片热氧工艺,设定待机温度炉口到炉尾的待机温度,设定第一温区间的温度为800℃,第二温区间的温度为780℃,第三温区间的温度为750℃,第四温区间的温度为720℃,第五温区间的温度为700℃,则在进出舟时各温区间的温度如下表:
温区间 | 第一温区间 | 第二温区间 | 第三温区间 | 第四温区间 | 第五温区间 |
温度 | 686℃ | 683℃ | 695℃ | 703℃ | 705℃ |
温度差缩小至20℃,后续氧化时硅片片间温度差得到改善,制膜均匀性好,提升了整个钝化效果。
现有的热氧工艺氧化的硅片,电池片的转换效率是21.83%,在本实施例中,电池片的转换效率是21.85%,提升整体电池片转换效率0.02%。
下面以三个实施例进行具体说明。
实施例一
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度,沿着氧化炉的炉口至炉尾,依次设定第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间的温度,设定第一温区间的温度为790℃,设定第二温区间的温度为770℃,设定第三温区间的温度为750℃,设定第四温区间的温度为710℃,设定第五温区间的温度为690℃,进行氧化炉加热,将氧化炉的由炉口至炉尾各个温区间的温度达到设定的待机温度。
进出舟:当氧化炉各个温区间的温度达到设定温度后,打开氧化炉炉门,碳化硅桨将装载大尺寸硅片的石英舟放入氧化炉中,放置完毕后,关闭氧化炉炉门。
进舟后,进行升温,将氧化炉的温度升至氧化温度,该氧化温度为700℃,并通入氮气,该氮气的流量为8slm,升温时间为8min,使得氧化炉温度达到氧化温度,为后续氧化做准备。
进行稳定温度,便于硅片氧化,按照氧化温度进行氧化炉温度的维持,同时通入氮气,氮气的流量为8slm,维持时间为1min,为后续氧化提供稳定的范围。
进行硅片氧化,形成氧化层,将扩散炉的温度维持在氧化温度,并通入氮气和氧气,氮气的流量为7slm,氧气的流量为1slm,并进行维持,设定氧化时间,进行氧化,氧化时间为10min。
降温出炉,硅片氧化后,进行氧化炉降温,将氧化炉的温度下降至680℃,出舟,将硅片从氧化炉中取出,完成氧化。
实施例二
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度,沿着氧化炉的炉口至炉尾,依次设定第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间的温度,设定第一温区间的温度为810℃,设定第二温区间的温度为790℃,设定第三温区间的温度为760℃,设定第四温区间的温度为730℃,设定第五温区间的温度为710℃,进行氧化炉加热,将氧化炉的由炉口至炉尾各个温区间的温度达到设定的待机温度。
进出舟:当氧化炉各个温区间的温度达到设定温度后,打开氧化炉炉门,碳化硅桨将装载大尺寸硅片的石英舟放入氧化炉中,放置完毕后,关闭氧化炉炉门。
进舟后,进行升温,将氧化炉的温度升至氧化温度,该氧化温度为740℃,并通入氮气,该氮气的流量为12slm,升温时间为12min,使得氧化炉温度达到氧化温度,为后续氧化做准备。
进行稳定温度,便于硅片氧化,按照氧化温度进行氧化炉温度的维持,同时通入氮气,氮气的流量为12slm,维持时间为3min,为后续氧化提供稳定的范围。
进行硅片氧化,形成氧化层,将扩散炉的温度维持在氧化温度,并通入氮气和氧气,氮气的流量为9slm,氧气的流量为3slm,并进行维持,设定氧化时间,进行氧化,氧化时间为15min。
降温出炉,硅片氧化后,进行氧化炉降温,将氧化炉的温度下降至720℃,出舟,将硅片从氧化炉中取出,完成氧化。
实施例三
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度,沿着氧化炉的炉口至炉尾,依次设定第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间的温度,设定第一温区间的温度为800℃,设定第二温区间的温度为780℃,设定第三温区间的温度为750℃,设定第四温区间的温度为720℃,设定第五温区间的温度为700℃,进行氧化炉加热,将氧化炉的由炉口至炉尾各个温区间的温度达到设定的待机温度。
进出舟:当氧化炉各个温区间的温度达到设定温度后,打开氧化炉炉门,碳化硅桨将装载大尺寸硅片的石英舟放入氧化炉中,放置完毕后,关闭氧化炉炉门。
进舟后,进行升温,将氧化炉的温度升至氧化温度,该氧化温度为720℃,并通入氮气,该氮气的流量为10slm,升温时间为10min,使得氧化炉温度达到氧化温度,为后续氧化做准备。
进行稳定温度,便于硅片氧化,按照氧化温度进行氧化炉温度的维持,同时通入氮气,氮气的流量为10slm,维持时间为2min,为后续氧化提供稳定的范围。
进行硅片氧化,形成氧化层,将扩散炉的温度维持在氧化温度,并通入氮气和氧气,氮气的流量为8slm,氧气的流量为2slm,并进行维持,设定氧化时间,进行氧化,氧化时间为13min。
降温出炉,硅片氧化后,进行氧化炉降温,将氧化炉的温度下降至700℃,出舟,将硅片从氧化炉中取出,完成氧化。
由于采用上述技术方案,在氧化炉待机时设定炉管各个温区间的待机温度,减少炉温各个温区间的差异,减少硅片中心与边缘的温差,并进行温度维持,便于对硅片进行氧化,氧化时的温度差异小,硅片氧化均匀性好,氧化膜层均匀,提高表面钝化效果,减少硅片之间的差异,提高电池片转化效率。
以上对本发明的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:包括以下步骤,
在氧化炉待机时,设定炉口至炉尾的待机温度;
进舟后,进行升温;
进行稳定温度,便于硅片氧化;
进行硅片氧化,形成氧化层;
降温出炉。
2.根据权利要求1所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述设定炉口至炉尾的待机温度步骤中,设定炉口至炉尾的各个温区间的温度,所述各个温区间包括沿着从炉口至炉尾依次设置的第一温区间、第二温区间、第三温区间、第四温区间和第五温区间。
3.根据权利要求2所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述第一温区间设定的温度为790-810℃,所述第二温区间设定的温度为770-790℃,所述第三温区间设定的温度为740-760℃,所述第四温区间设定的温度为710-730℃,所述第五温区间设定的温度为690-710℃。
4.根据权利要求1-3任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行升温步骤中,将氧化炉温度升温至氧化温度,并通入氮气,设定升温时间。
5.根据权利要求4所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行升温步骤中,所述氧化温度为700-740℃,所述升温时间为8-12min,所述氮气流量为8-12slm。
6.根据权利要求5所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行稳定温度步骤中,按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度,并通入氮气,设定维持时间。
7.根据权利要求6所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行稳定温度步骤中,所述氮气流量为8-12slm,所述维持时间为1-3min。
8.根据权利要求5-7任一项所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行硅片氧化步骤中,按照所述氧化温度维持所述氧化炉温度,并通入氮气和氧气,设定氧化时间。
9.根据权利要求8所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述进行硅片氧化步骤中,所述氮气流量为7-9slm,所述氧气流量为1-3slm,所述氧化时间为10-15min。
10.根据权利要求9所述的大尺寸硅片热氧工艺,其特征在于:所述降温出炉步骤中,将所述氧化炉温度降低至出炉温度,进行出舟,所述出炉温度为680-720℃。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003292398A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Canon Inc | 単結晶シリコンウェファの製造方法 |
CN101447529A (zh) * | 2008-12-22 | 2009-06-03 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 |
CN104835881A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池减反射膜的制作方法以及太阳能电池 |
CN107086254A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-08-22 | 北京捷宸阳光科技发展有限公司 | 用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 |
CN107316831A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-11-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 石英舟及太阳能电池扩散工艺 |
CN110211872A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-09-06 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法 |
-
2020
- 2020-01-03 CN CN202010003639.0A patent/CN113078236A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003292398A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-15 | Canon Inc | 単結晶シリコンウェファの製造方法 |
CN101447529A (zh) * | 2008-12-22 | 2009-06-03 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 |
CN104835881A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池减反射膜的制作方法以及太阳能电池 |
CN107086254A (zh) * | 2017-05-03 | 2017-08-22 | 北京捷宸阳光科技发展有限公司 | 用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 |
CN107316831A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-11-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 石英舟及太阳能电池扩散工艺 |
CN110211872A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-09-06 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法 |
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