CN107316831A - 石英舟及太阳能电池扩散工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种石英舟及太阳能电池扩散工艺，该石英舟包括至少三根槽棒，每一根槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽，槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。太阳能电池扩散工艺包括进舟工序、恒温工序和扩散工艺。本发明的石英舟可提高硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，且本发明太阳能电池扩散工艺，不仅可以降低扩散氮源的用量，还能提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性进而提高量产电池转换效率的一致性。相比常规扩散工艺，采用本发明石英舟和扩散工艺进行扩散后制成的电池片的平均效率提高了0.05％，同时电池转换效率＜18.0％的低效电池片比例降低了1.5％。
Description
技术领域
本发明属于晶体硅电池制备领域，具体涉及一种石英舟及太阳能电池扩散工艺。
背景技术
在晶体硅电池制备领域，通常采用高温扩散法制备电池的核心PN结，扩散PN结片内、片间均匀性直接影响电池性能的高低和量产电池电性能的稳定性。扩散PN结表面浓度和结深，即PN结的纵向浓度分布决定PN结测试方块电阻值的大小，从而影响PN结电性能。
目前普遍采用高温扩散炉进行高温扩散制备PN结。常用高温扩散炉是长管状结构，以石英舟承载硅片。现有石英舟共有200个齿槽，且由于齿槽之间的齿间距相等，当硅片竖直插在石英舟的齿槽中时呈等距排列。高温扩散时石英舟推进高温扩散炉的扩散管中，而扩散源气体通常是从炉尾进气、炉口出气，或者炉口进气、炉尾出气，由于管内处于常压状态，导致扩散源气体进气端密度大，出气端密度小，此时石英舟上承载的等距排列的硅片在扩散管内不同位置接触到的扩散源密度从进气端至出气端方向逐步减小。然而PN结电性能与硅片表面接触到的扩散源密度息息相关。当接触到的扩散源密度过大时，硅片表面容易形成死层，严重降低电池效率；当接触到的扩散源密度过小时，竖直放置的硅片表面不同位置接触扩散源的密度均匀性较差，无法改善扩散硅片片内方阻值的均匀性，且硅片表面不同区域PN结的表面浓度和结深会有较大的差别，即片内PN结电性能有较大差别，不仅降低了量产电池性能的稳定性，也不利于产线电池性能平均水平的提高。
为提高电池效率，需提高扩散方阻值，此时片间PN结电性能差别较大的现象愈加明显。扩散平均方阻值越大，为保持扩散方阻一致性，出气端设定温度值越高，尽管此时片间均匀性相对较好，但是片间PN结扩散掺杂纵向浓度分布一致性严重偏差，即片间PN结电性能一致性较差，严重影响前电极印刷烧结工艺的调试，对电池效率稳定性带来很大负面影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种齿间距成等比数列递增的石英舟，可提高硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，还提供了一种太阳能电池扩散工艺，不仅可以降低扩散氮源的用量，还能提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性进而提高量产电池转换效率的一致性。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种石英舟，包括至少三根槽棒，每一根所述槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽；所述槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。
上述的石英舟中，优选的，所述齿间距以公比为1.005～1.1成等比数列递增。
上述的石英舟中，优选的，所述齿间距的最小值为1.8mm～2.7mm。
上述的石英舟中，优选的，所述齿间距的最大值为10mm～15.5mm。
作为一个总的技术构思，本发明还提供了一种太阳能电池扩散工艺，包括以下步骤：
(1)进舟工序：将制绒后的硅片插入到石英舟的齿槽中，放入扩散炉，控制扩散炉管内温度为800℃～820℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为600s；
(2)恒温工序：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为780s～1500s；
(3)扩散工序：
(3.1)氧化：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，时间为100s～300s；
(3.2)第一次通源扩散：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，小氮500ml/min～1200ml/min，时间为480s～1000s；
(3.3)第一次推进：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为500s～1000s；
(3.4)第二次通源扩散：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，小氮500ml/min～1200ml/min，时间为420s～1000s；
(3.5)第二次推进：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为300s～1000s；
(3.6)降温：控制扩散炉管内温度为760℃～800℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，时间为1000s～2000s。
上述的太阳能电池扩散工艺中，优选的，所述步骤(1)中，所述石英舟包括至少三根槽棒；每一根所述槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽；所述槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。
上述的太阳能电池扩散工艺中，优选的，所述齿间距以公比为1.005～1.1成等比数列递增。
上述的太阳能电池扩散工艺中，优选的，所述齿间距的最小值为1.8mm～2.7mm。
上述的太阳能电池扩散工艺中，优选的，所述齿间距的最大值为10mm～15.5mm。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、本发明提供了一种石英舟，其齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增，在不改变扩散管结构、不增大扩散源流量、不减少每管扩散片数量、不增加石英舟长度的前提下，通过优化石英舟的齿间距，提高了石英舟上装载的硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，从而有利于提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性，有利于量产电池性能稳定性的提高和优化，即提高硅片PN结电性能的一致性。
2、本发明还提供了一种太阳能电池扩散工艺，包括进舟工序、恒温工序和扩散工序，其进舟工序中扩散管各温区温度完全相同；进舟后，通过增大恒温工序时间(常规扩散工艺中恒温时间通常只有1分钟，且由于炉管设备存在差异，通常情况下各温区温度无法达到恒定温度)，使各温区在通源扩散前保持温度一致状态，由于温区温度是影响方阻的重要因素，因而保持各温区温度一致有利于保障各温区硅片方阻的一致性；扩散工序中，通过两步通源扩散和两步推进，有效优化了扩散掺杂层的杂质再分布过程，有利于提高炉管内扩散方阻的稳定性和均匀性。相比常规扩散工艺，本发明扩散工艺没有增加大氮、氧气流量，小氮流量减少了30％以上，不仅降低了扩散氮源的用量，且提高了片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性，实现了量产电池性能稳定性的提高和优化，提高了量产电池转换效率的一致性。
附图说明
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
图1为本发明实施例1中石英舟的结构示意图。
图2为本发明实施例1中石英舟的侧面图。
图3为本发明实施例1中石英舟齿间距的放大示意图。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
以下实施例中所采用的材料和仪器均为市售。
实施例1
一种石英舟，如图1和图2所示，包括4根槽棒(实际应用过程中，石英舟的两端还包括两个石英板，用于固定槽棒)，每一根槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽，槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。
本实施例中，齿间距的最小值(L1)为2mm，如图1所示；齿间距的公比(Ln+1/Ln)为1.009，如图3所示；齿间距的最大值为11.895mm。
本实施例中，每一根槽棒上均有200个齿槽；该石英舟可装载200片硅片。
一种太阳能电池扩散工艺，在上述本实施例的石英舟中实现，包括以下步骤：
(1)进舟工序：将制绒后的硅片插入石英舟的齿槽中，放入扩散炉(该扩散炉为中国电子科技集团公司第48研究所生产的软着陆高温扩散炉)，该扩散炉内设有五个加热器，分为五个温区。在normal控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮15000ml/min，时间为600s。
(2)恒温工序：进舟工序完成后，在normal控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮15000ml/min，时间为600s；然后在profile控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮15000ml/min，时间为180s。
(3)扩散工序：
(3.1)氧化：恒温工序完成后，在profile控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮13500ml/min，氧气1500ml/min，时间为300s。
(3.2)第一次通源扩散：在profile控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮13500ml/min，氧气1000ml/min，小氮800ml/min，时间为480s。
(3.3)第一次推进：在normal控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为830℃，通入大氮15000ml/min，时间为600s。
(3.4)第二次通源扩散：在Dprofile控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为830℃，通入大氮13500ml/min，氧气1000ml/min，小氮800ml/min，时间为420s。
(3.5)第二次推进：在Dprofile控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为830℃，通入大氮15000ml/min，时间为300s。
(3.6)降温：在normal控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为760℃，通入大氮20000ml/min，氧气2000ml/min，时间为1800s。
(4)出舟工序：在normal控温模式下，控制扩散管各温区的温度同为820℃，通入大氮15000ml/min，时间为600s。
上述扩散工艺中，小氮为携扩散源(扩散源为三氯氧磷)的氮气，大氮为氮气，氧气为干燥的氧气。
制绒后的硅片经上述扩散工艺扩散后进行方阻测试，测试方法为：每管选取5片硅片，炉管的五个温区各一片；每片选取五个测试点，顶部中心区域、底部中心区域、左侧中心区域、右侧中心区域、中心区域。扩散均匀性依据Std标准偏差函数进行计算。
表1不同扩散工艺对硅片方阻和片内方阻不均匀性的对比结果
由表1可知，经本发明扩散工艺扩散后硅片的方阻值为87.2Ω/□～89Ω/□，片间方阻的不均匀性小，且片内方阻不均匀性平均值为2.3％，而常规扩散工艺扩散后硅片的方阻值为89.76Ω/□～98.5Ω/□，片间方阻的不均匀性较大，且片内方阻不均匀性平均值为6.4％，这说明采用本发明石英舟和扩散工艺进行扩散有利于提高片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性，提高了硅片方阻值的均匀性，这有利于优化和提高量产电池性能的稳定性，即优化和提高硅片PN结电性能的一致性。
采用上述石英舟及扩散工艺制备多晶硅片PN结，经后续相同工艺制备10000片多晶硅电池，和产线常规电池平均电性能对比，对比结果如表2所示。
表2不同扩散工艺扩散后的硅片制成电池片后的电性能参数
由表2可知，经本发明扩散工艺扩散后的硅片制成电池片，其开路电压、短路电流、填充因子均有提高；相比常规扩散工艺，本发明电池片的平均效率提高了0.05％，同时电池转换效率＜18.0％的低效电池片比例降低了1.5％，这说明采用本发明石英舟和扩散工艺进行扩散后制成的电池片，实现了量产电池性能稳定性的提高和优化，提高了量产电池转换效率的一致性。
总之，本发明通过优化石英舟的齿间距，提高了石英舟上装载的硅片在扩散管内不同区域接触扩散源几率的一致性，不用考虑进气扩散源在管内的密度梯度对硅片与之接触几率的影响，所以在采用该石英舟进行扩散处理时，进舟工序中扩散管各温区温度设定值完全相同，进舟以后，通过增大恒温工序时间，使各温区在通源扩散前保持温度一致状态。更为重要的是，本发明扩散工艺的扩散工序中，通过两步通源扩散和两步推进，有效优化了扩散掺杂层的杂质再分布过程，有利于提高炉管内扩散方阻的稳定性和均匀性。相比常规扩散工艺，本发明扩散工艺没有增加大氮、氧气流量，小氮流量减少了30％以上，不仅降低了扩散氮源的用量，且还提高了片内、片间扩散掺杂纵向浓度分布的一致性，实现了量产电池性能稳定性的提高和优化，提高了量产电池转换效率的一致性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种石英舟，其特征在于，包括至少三根槽棒，每一根所述槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽；所述槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。
2.根据权利要求1所述的石英舟，其特征在于，所述齿间距以公比为1.005～1.1成等比数列递增。
3.根据权利要求2所述的石英舟，其特征在于，所述齿间距的最小值为1.8mm～2.7mm。
4.根据权利要求2所述的石英舟，其特征在于，所述齿间距的最大值为10mm～15.5mm。
5.一种太阳能电池扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)进舟工序：将制绒后的硅片插入到石英舟的齿槽中，放入扩散炉，控制扩散炉管内温度为800℃～820℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为600s；
(2)恒温工序：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为780s～1500s；
(3)扩散工序：
(3.1)氧化：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，时间为100s～300s；
(3.2)第一次通源扩散：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，小氮500ml/min～1200ml/min，时间为480s～1000s；
(3.3)第一次推进：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为500s～1000s；
(3.4)第二次通源扩散：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，小氮500ml/min～1200ml/min，时间为420s～1000s；
(3.5)第二次推进：控制扩散炉管内温度为820℃～830℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，时间为300s～1000s；
(3.6)降温：控制扩散炉管内温度为760℃～800℃，通入大氮10000ml/min～20000ml/min，氧气1000ml/min～2000ml/min，时间为1000s～2000s。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述步骤(1)中，所述石英舟包括至少三根槽棒；每一根所述槽棒上设有若干相对应的用于放置硅片的齿槽；所述槽棒上相邻齿槽之间的齿间距以进气端第1个齿间距为基准成等比数列递增。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述齿间距以公比为1.005～1.1成等比数列递增。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述齿间距的最小值为1.8mm～2.7mm。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池扩散工艺，其特征在于，所述齿间距的最大值为10mm～15.5mm。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN109148648A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-04 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种黑硅太阳能电池的制备方法及黑硅太阳能电池 |
| CN113078236A (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-06 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种大尺寸硅片热氧工艺 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4566839A (en) * | 1983-05-18 | 1986-01-28 | Microglass, Inc. | Semiconductor wafer diffusion boat and method |
| JP2005166823A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板熱処理装置、半導体基板熱処理用ウェハボート、及び半導体基板の熱処理方法 |
| CN103618031A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-03-05 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种改善刻蚀后硅片外观的扩散工艺 |
| CN103681976A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-26 | 百力达太阳能股份有限公司 | 一种高效低成本太阳电池扩散工艺 |
| CN203967053U (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-26 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种太阳能电池片用石英舟 |
| CN104269459A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-07 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种制备高方阻电池片的减压扩散工艺 |
| CN104404626A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-11 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 |
| CN105118896A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 升温推结扩散工艺 |
-
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4566839A (en) * | 1983-05-18 | 1986-01-28 | Microglass, Inc. | Semiconductor wafer diffusion boat and method |
| JP2005166823A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板熱処理装置、半導体基板熱処理用ウェハボート、及び半導体基板の熱処理方法 |
| CN103618031A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-03-05 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种改善刻蚀后硅片外观的扩散工艺 |
| CN103681976A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-26 | 百力达太阳能股份有限公司 | 一种高效低成本太阳电池扩散工艺 |
| CN203967053U (zh) * | 2014-07-17 | 2014-11-26 | 苏州矽美仕绿色新能源有限公司 | 一种太阳能电池片用石英舟 |
| CN104269459A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-07 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种制备高方阻电池片的减压扩散工艺 |
| CN104404626A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-11 | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 | 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法 |
| CN105118896A (zh) * | 2015-09-17 | 2015-12-02 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 升温推结扩散工艺 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148648A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-01-04 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种黑硅太阳能电池的制备方法及黑硅太阳能电池 |
| CN113078236A (zh) * | 2020-01-03 | 2021-07-06 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种大尺寸硅片热氧工艺 |
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