CN113053609A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制导体与外部电极之间的杂质原子的迁移的电子部件。作为电子部件的线圈部件(1)包括：基体(10)；导体(25)；与导体(25)电连接的外部电极(21)；与导体(25)电连接的外部电极(22)；和位于导体(25)与外部电极(21)之间的金属膜(23)，当将金属膜(23)中含有的一个金属颗粒(MP)的、与交界面(BI)平行的方向上的尺寸设为a，将该一个金属颗粒(MP)的、与交界面(BI)垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。

Description

电子部件
技术领域
本说明书的发明涉及一种电子部件。
背景技术
作为电子部件，已知有例如电感器等的线圈部件。现有技术的线圈部件典型地包括：由磁性材料构成的磁性基体；设置在该磁性基体内的、绕线圈轴卷绕的导体；和连接于该导体的端部的外部电极。该线圈部件例如通过使用焊料将外部电极与基板电连接而安装，能够作为各种各样的电子设备的部件使用。现有技术的线圈部件例如在专利文献1中被公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-140371号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在电子部件的导体与外部电极之间，由于热或者电压施加等，有时发生焊料等中含有的杂质原子的迁移(migration)。当发生迁移时，由于杂质原子与导体或构成外部电极的材料形成合金，在导体和/或外部电极形成中空(void)。其结果是，存在导体与外部电极的接合强度降低这样的问题。
本发明的目的之一在于，提供能够抑制在导体与外部电极之间的杂质原子的迁移的电子部件。本发明的除此以外的目的，通过说明书整体的记载能够来明确。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个实施方式的电子部件，其包括：基体；设置于基体的内部或者外部的导体；与导体电连接的第一外部电极；与导体电连接的第二外部电极；和位于导体与第一外部电极之间的金属膜，当将金属膜中含有的一个金属颗粒的、与导体和金属膜的交界面平行的方向上的尺寸设为a，将该一个金属颗粒的、与交界面垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，导体与金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，在导体与金属膜之间具有氧化膜，氧化膜的厚度为200nm以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，在与交界面垂直的方向上，位于导体侧的金属颗粒的粒径比位于第一外部电极侧的金属颗粒的粒径小。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，金属膜为溅射膜。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，金属膜中含有的金属颗粒彼此的界面上的空隙，为5个构成金属颗粒的原子的相应量以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，金属膜包含Cu、Ag、或者含有Cu和Ag的至少一者的合金。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，包括位于导体与第二外部电极之间的其他金属膜，当将其他金属膜中含有的一个金属颗粒的、与导体和其他金属膜的其他交界面平行的方向上的尺寸设为a，将该一个金属颗粒的、与其他交界面垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，导体与其他金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，在导体与其他金属膜之间具有其他氧化膜，其他氧化膜的厚度为200nm以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，在与其他交界面垂直的方向上，位于导体侧的金属颗粒的粒径比位于第二外部电极侧的金属颗粒的粒径小。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，其他金属膜为溅射膜。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，其他金属膜中含有的金属颗粒彼此的界面中的空隙，为5个构成金属颗粒的原子的相应量以下。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，其他金属膜包含Cu、Ag、或者含有Cu和Ag的至少一者的合金。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，第一外部电极和第二外部电极中含有的金属的主成分的离子化趋势比导体中含有的金属的主成分的离子化趋势小。
在本发明的一个实施方式中，也可以为，导体包含绕线圈轴卷绕的部分。
本发明的一个实施方式涉及包括上述的任一电子部件的电路板。此外，本发明的一个实施方式涉及包括上述的电路板的电子设备。
发明效果
依照本发明，可提供能够抑制在导体与外部电极之间的杂质原子的迁移的电子部件。
附图说明
图1是示意性地表示作为本发明的一个实施方式的电子部件的线圈部件的立体图。
图2是将图1的线圈部件的磁性基体的截面放大并示意性地表示的放大截面图。
图3是将图1的线圈部件的导体的一个端部与外部电极的接合部分的周边的截面放大地表示的放大截面图。
图4是线圈部件的导体的端面与金属膜的接合部分的截面的电子显微镜像的示意图。
图5A是表示线圈部件的金属膜中含有的金属颗粒的透射电子显微镜像的示意图。
图5B是表示普通的金属膜中含有的金属颗粒的透射电子显微镜像的示意图。
图6A是示意性地表示图5A所示的金属膜的金属颗粒的晶界的图。
图6B是示意性地表示图5B所示的普通的金属膜的金属颗粒的晶界的图。
图7A是示意性地表示图5A所示的金属膜中的原子的移动路径的图。
图7B是示意性地表示图5B所示的普通的金属膜中的原子的移动路径的图。
图8是示意性地表示本发明的另一实施方式的线圈部件的立体图。
图9是示意性地表示作为本发明的另一实施方式的电子部件的电容器的截面图。
附图标记说明
1、100……线圈部件(电子部件)、10……磁性基体、11……第一金属磁性颗粒、12……第二金属磁性颗粒、13……结合材料、21……外部电极(第一外部电极)、22……外部电极(第二外部电极)、23……金属膜、25……导体、25a1……引出导体(一个端部)、25b1……引出导体(另一个端部)、200……电容器(电子部件)、BI……交界面。
具体实施方式
下面，参照适当的附图，对本发明的各种实施方式进行说明。其中，对于多个附图中相同的构成要素，在该多个附图中都标注相同的参照附图标记。为了方便说明，各附图并不一定严格地按比例尺记载，这一点请留意。
参照图1，对本发明的一个实施方式的电子部件即线圈部件1的概要进行说明。图1是示意性地表示线圈部件1的立体图。如图1所示，线圈部件1包括：基体10；设置于基体10的内部的线圈导体25；设置于基体10的表面的外部电极(第一外部电极)21；在基体10的表面设置于与外部电极21隔开间隔的位置的外部电极(第二外部电极)22。
在本说明书中，除了上下文有另外的解释的情况，将线圈部件1的“长度”方向、“宽度”方向和“厚度”方向分别作为图1的“L轴”方向、“W轴”方向和“T轴”方向。“厚度”方向有时也称为“高度”方向。
线圈部件1安装于未图示的电路板。在该电路板设置有2个焊盘部。线圈部件1通过将外部电极21、22与对应于该外部电极21、22的焊盘部分别接合而能够安装于电路板。可搭载该电路板的电子设备，包括智能手机、平板电脑、游戏机以及除此以外的各种电子设备。该电路板也可以搭载于作为一种电子设备的汽车的电子安装部件。
线圈部件1能够应用于电感器、变压器、滤波器、电抗器以及除此以外的各种线圈部件。线圈部件1也能够应用于耦合电感器、扼流线圈以及除此以外的各种磁耦合型线圈部件。线圈部件1的用途并不限定于本说明书中明确表示的部件。
基体10由绝缘材料构成。在一个实施方式中，基体10主要由磁性材料构成，形成为长方体直方体形状。本发明的一个实施方式的线圈部件1的基体10，以长度尺寸(L轴方向的尺寸)为1.0mm～4.5mm、宽度尺寸(W轴方向的尺寸)为0.5mm～3.2mm、高度尺寸(T轴方向的尺寸)为0.5mm～5.0mm的方式形成。基体10的尺寸并不限定于在本说明书中具体地说明的尺寸。在本说明书中，所谓“长方体”或者“长方体形状”，并不仅仅指数学上严格意义的“长方体”。
基体10具有第一主面10a、第二主面10b、第一端面10c、第二端面10d、第一侧面10e和第二侧面10f。基体10的外表面由这6个面规定出来。第一主面10a和第二主面10b分别形成高度方向两端的面，第一端面10c和第二端面10d分别形成长度方向两端的面，第一侧面10e和第二侧面10f分别形成宽度方向两端的面。
如图1所示，由于第一主面10a位于基体10的上侧，因此有时将第一主面10a称为“上表面”。同样地，有时将第二主面10b称为“下表面”。线圈部件1以第一主面10a与电路板相对的方式配置，因此有时将第一主面10a称为“安装面”。在提及线圈部件1的上下方向时，以图1的上下方向为基准。
接着，参照图2，对具有磁性的基体10进一步进行说明。图2是将基体10的截面放大并示意性地表示的放大截面图。如图所示，基体10包括多个第一金属磁性颗粒11、多个第二金属磁性颗粒12和结合材料13。结合材料13使多个第一金属磁性颗粒11和多个第二金属磁性颗粒12彼此黏合。换言之，基体10由结合材料13以及通过结合材料13黏合在一起的多个第一金属磁性颗粒11和多个第二金属磁性颗粒12构成。
多个第一金属磁性颗粒11具有比多个第二金属磁性颗粒12大的平均粒径。即，多个第一金属磁性颗粒11的平均粒径(以下称为第一平均粒径。)与多个第二金属磁性颗粒12的平均粒径(以下称为第二平均粒径。)不同。第一平均粒径例如为30μm，第二平均粒径例如为0.1μm，也可以分别是与它们不同的平均粒径。本发明的一个实施方式中，基体10也可以进一步包含具有与第一平均粒径和第二平均粒径不同的平均粒径的未图示的多个第三金属磁性颗粒(以下将第三金属磁性颗粒的平均粒径称为第三平均粒径。)。第三平均粒径可以比第一平均粒径小而比第二平均粒径大，也可以比第二平均粒径小。在以下的说明中，在本说明书中，在不需要将第一金属磁性颗粒11、第二金属磁性颗粒12和第三金属磁性颗粒彼此区别开的情况下，将磁性基体10中含有的第一金属磁性颗粒11、第二金属磁性颗粒12和第三金属磁性颗粒总称为“金属磁性颗粒”。
第一金属磁性颗粒11和第二金属磁性颗粒12由各种软磁性材料构成。第一金属磁性颗粒11例如以Fe为主成分。具体而言，第一金属磁性颗粒11为(1)Fe、Ni等的金属颗粒、(2)Fe-Si-Cr合金、Fe-Si-Al合金、Fe-Ni合金等的结晶合金颗粒、(3)Fe-Si-Cr-B-C合金、Fe-Si-Cr-B合金等的非晶质合金颗粒、或者(4)将它们混合而成的混合颗粒。磁性基体10中含有的金属磁性颗粒的组成并不限定于上述的组成。第一金属磁性颗粒11例如包含85wt％以上的Fe。由此，能够得到具有优异的磁导率的磁性基体10。第二金属磁性颗粒12的组成可以与第一金属磁性颗粒11的组成相同也可以不同。在磁性基体10包含未图示的多个第三金属磁性颗粒的情况下，第三金属磁性颗粒的组成，与第二金属磁性颗粒12的组成同样地可以与第一金属磁性颗粒11的组成相同也可以不同。
金属磁性颗粒其表面可以由未图示的绝缘膜覆盖。例如，该绝缘膜由玻璃、树脂或者除此以外的绝缘性优异的材料形成。该绝缘膜例如通过将第一金属磁性颗粒11和玻璃材料的粉末在未图示的摩擦混合机内混合而形成在第一金属磁性颗粒11的表面。由玻璃材料形成的绝缘膜在摩擦混合机内通过压缩摩擦作用而紧贴于第一金属磁性颗粒11的表面。玻璃材料可以包含ZnO和P2O5。该绝缘膜能够由各种玻璃材料形成。绝缘膜14可以代替玻璃粉末或者在玻璃粉末的基础上由氧化铝粉末、氧化锆粉末或者除此以外的绝缘性优异的氧化物的粉末形成。绝缘膜的厚度例如为100nm以下。
第二金属磁性颗粒12可以由与第一金属磁性颗粒11的绝缘膜不同的绝缘膜覆盖。该绝缘膜可以是第二金属磁性颗粒12氧化而能够形成的氧化膜。该绝缘膜的厚度例如为20nm以下。该绝缘膜也可以是通过在大气气氛下对第二金属磁性颗粒12进行热处理，而在第二金属磁性颗粒12的表面形成的氧化膜。该绝缘膜也可以是包含Fe和除此以外的第二金属磁性颗粒12中含有的元素的氧化物的氧化膜。该绝缘膜也可以是通过将第二金属磁性颗粒12投入磷酸并进行搅拌，而在第二金属磁性颗粒12的表面形成的磷酸铁膜。第一金属磁性颗粒11的绝缘膜可以是第一金属磁性颗粒11氧化而能够形成的氧化膜，第二金属磁性颗粒12的绝缘膜也可以是不依赖于第二金属磁性颗粒12的氧化，而另外设置的覆盖膜。
结合材料13例如是绝缘性优异的热固化性树脂。关于结合材料13，例如可以使用环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯乙烯(PS)树脂、高密度聚乙烯(HDPE)树脂、聚甲醛(POM)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚偏氟二乙烯(PVDF)树脂、酚醛(Phenolic)树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、或者聚并苯噁唑(PBO)树脂。此外，作为结合材料13也可以使用玻璃等，结合材料13也可以包含绝缘填料等。
导体25以具有规定的图案的方式形成。在图示的实施方式中，导体25绕线圈轴Ax卷绕(参照图1)。导体25例如在俯视时呈螺旋形状、弯曲形状、直线形状或者将它们组合而成的形状。
导体25通过由Cu、Ag或者除此以外的导电性材料通过镀敷法形成。导体25可以由绝缘膜覆盖端面25a2和端面25b2以外的表面的整个区域。如图所示，导体25绕线圈轴Ax卷绕了多匝的情况下，可以为导体25的各匝与相邻的其它匝隔开间隔。在该情况下，相邻的匝彼此之间存在基体10。
导体25在其一个端部具有引出导体25a1，在其另一个端部具有引出导体25b1。在引出导体25a1的端部形成有端面25a2，在引出导体25b1的端部形成有端面25b2。作为导体25的一个端部的引出导体25a1与外部电极21电连接，作为导体25的另一个端部的引出导体25b1与外部电极22电连接。
在本发明的一个实施方式中，外部电极21设置于基体10的第一主面10a、第二主面10b、第二端面10c、第一侧面10e和第二侧面10f的一部分。外部电极22设置于基体10的第一主面10a、第二主面10b、第二端面10d、第一侧面10e和第二侧面10f的一部分。外部电极21与外部电极22彼此隔开间隔地配置。各外部电极21、22的形状和配置并不限定于图示的例子。引出导体25a1和引出导体25b1分别被引出到基体10的第一主面(即安装面)10a，引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2在第一主面10a中从基体10露出。即，引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2在相同的面中从基体10露出。引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2也可以在彼此不同的面中从基体10露出。
外部电极21、22可以为整体是金属制的，也可以一部分含有树脂等金属以外的材料。作为一部分含有树脂等金属以外的材料的例子，有导电性树脂膜。在该导电性树脂膜的表面例如也可以设置镀层。镀层例如可以是Ni镀层、Sn镀层等的单层镀层，也可以是由镍镀层和形成在该镍镀层上的锡镀层这2层形成的镀层。
图3是将图1的线圈部件1的导体25的一个端部与外部电极21的接合部分的周边的截面放大地表示的放大截面图。如图3所示，线圈部件1具有位于外部电极21与导体25的一个端部(即，引出导体25a1)之间的金属膜23。即，外部电极21与导体25的一个端部经由金属膜23电连接。此外，线圈部件1具有位于外部电极22与导体25的另一个端部(即，引出导体25b1)之间的其它金属膜(未图示)。金属膜23和其它金属膜例如是溅射膜。在图示的实施方式中，金属膜23与其它金属膜具有相同的功能、材料、形状。在以下的说明中，除非有特殊的情况，金属膜23的说明也能够适用于其它金属膜。另外，图3～图7B是说明金属膜23的图，对于其它金属膜也能够适用。
金属膜23的材料例如是Ag、Au、Pd、Pt、Cu、Ni、Ti、Ta等的金属或者它们的合金。用于金属膜23的金属优选为不易氧化的金属或者即使氧化也能够容易还原的金属。此外，关于金属膜23，优选使用体积电阻率低的材料。金属膜23的厚度没有特别限定，例如可以为1μm以上5μm以下。优选金属膜23中含有的金属的主成分的离子化趋势比构成导体25的金属的离子化趋势小。此处，“金属膜23中含有的金属的主成分”是指构成金属膜23的金属之中按重量％占金属重量过半的金属成分。如果金属膜23中含有的金属的种类为一个种类，则主成分是指该金属成分。作为一例，在构成导体25的材料为Cu的情况下，金属膜23中含有的金属可以采用Ag。
金属膜23与导体25的一个端部(即，端面25a2)的至少一部分通过金属结合而连接。此处，“导体25的一个端部的至少一部分”是指端面25a2的任意区域。例如，金属膜23与端部25a1在端面25a2的周缘PP(参照图3)通过金属结合而连接。图3示出了在端面25a2的整个面中，金属膜23与导体25的端部25a1通过金属结合而连接的例子。在图3的例子中，金属膜23与端部25a1在端面25a2的周缘PP也进行了金属结合。
下面，参照图4、图5A、图6A，对金属膜23进行详细地说明。图4是线圈部件1的导体25的端面25a2与金属膜23的接合部分的截面的电子显微镜像的示意图。图5A是表示线圈部件1的金属膜23中含有的金属颗粒的透射电子显微镜像的示意图。图6A是示意性地表示图5A中所示的金属膜23的金属颗粒的晶界的图。
如图4所示，在垂直于金属膜23与导体25的端部25a1的交界面BI的方向(即，金属膜23的厚度方向Tn)上，位于端部25a1侧的金属颗粒MP的粒径比位于外部电极21侧的金属颗粒MP的粒径小。交界面BI在微观上看具有多个凹凸，在本说明书中在以交界面BI为基准规定方向的情况下，可以将交界面BI作为在一个方向上延伸的平坦的面来理解。作为一个例子，也可以为，位于比金属膜23的厚度方向Tn的一半靠端部25a1侧的金属颗粒MP的平均粒径为50nm以上100nm以下，位于比金属膜23的厚度方向Tn的一半靠外部电极21侧的金属颗粒MP的平均粒径为100nm以上500nm以下。也可以与图示的实施方式相反，位于端部25a1侧的金属颗粒MP的粒径比位于外部电极21侧的金属颗粒MP的粒径大。
如图5A所示，金属膜23中含有的金属颗粒MP的平均高宽比为0.8以上1.2以下。此处，金属颗粒MP的高宽比是指，将金属膜23中含有的一金属颗粒MP的、与交界面BI平行(水平)的方向(即，面方向Sf)上的尺寸设为a，将该一金属颗粒MP的、与交界面BI垂直的方向(即，厚度方向Tn)上的尺寸设为b的情况下的b/a的值。金属颗粒MP的平均高宽比例如能够采用5个、10个等多个金属颗粒MP的各高宽比的平均值。此外，如图6A所示，金属膜23中含有的金属颗粒MP彼此进行了金属结合。因此，金属膜23中含有的金属颗粒MP彼此的界面中的空隙，为5个构成金属颗粒MP的原子的相应量以下。在图示的实施方式中，在金属颗粒MP彼此的界面中不存在杂质或空隙等。在金属颗粒MP彼此的界面中，构成金属颗粒MP的原子周期性地排列，具有连续性。
下面，对本发明的一个实施方式的电子部件即线圈部件1的制造方法进行说明。首先，将由金属材料等形成为线圈状的导体25和混合树脂组成物放入成型模具中进行压缩成型，使得导体25的引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2露出于表面，其中，该混合树脂组成物是将包含第一金属磁性颗粒11及第二金属磁性颗粒12的颗粒组与由树脂等形成的结合材料13混合而制成的。形成为线圈状的导体25例如使用将导线绕线成螺旋状而形成的导体，不过除绕线以外，也可以形成为平面线圈，线圈形状没有特别的限定。导体25也可以具有绝缘覆盖层。通过使成型体中的树脂固化，能够得到埋入有导体25的磁性基体10。
接着，将露出有导体25的引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2的磁性基体10的表面平滑化，除去氧化物。此处，使用研磨剂进行研磨，然后进行了等离子体蚀刻。作为该研磨剂的粒径，优选使用比第一金属磁性颗粒11小的粒径的研磨剂。例如，若第一金属颗粒11的平均粒径为30μm，则优选25μm的粒径。蚀刻例如是等离子体蚀刻等能够将磁性基体的表面的氧化物除去的方法即可。
接着，形成金属膜23。作为形成金属膜23的方法，例如有溅射沉积法，尤其是高密度溅射沉积法。高密度溅射沉积法是指，通过仅短时间地施加大电能，防止溅射膜变得高温，并得到致密的膜的方法。在溅射时，通过冷却试样，能够施加更大的电能而能够得到更加致密的溅射膜。通过该方法，当使用上述的金属时，溅射效率高，能够高效地形成金属膜23。在本说明书中，将通过溅射沉积法形成的金属膜称为溅射膜。金属膜23的形成方法，只要是能够使导体25的端面25a2与金属膜23金属结合的方法即可，也可以通过溅射沉积法以外的方法形成金属膜23。
通过溅射沉积法形成的金属膜23，能够减小构成该金属膜23的金属颗粒MP的粒径。由此，金属膜23如图4所示，能够形成致密的膜。作为具体的例子，金属颗粒MP的平均粒径，从交界面BI起至金属膜23的厚度200nm为止为10nm～50nm，至金属膜23的厚度200nm～500nm为止为50nm～150nm，在金属膜23的厚度500nm以上为150nm～300nm。此外，在该方法中，能够使构成金属膜23的金属颗粒MP中的、金属膜23的厚度方向上的高宽比为例如0.8～1.5。更优选的是，能够使构成金属膜23的金属颗粒MP的高宽比为0.8～1.2。因此，能够形成在金属膜23中占据的金属颗粒MP的比例(密度)为99％以上的致密的膜。该比例能够通过用TEM(透过型电子显微镜)在50万倍的明视野像内的空隙的比例小于1％来确认。
在利用未图示的溅射装置实施溅射沉积法的情况下，例如装置的设定如以下所述。首先，在装置内放置部件，使装置内成为高真空状态，对装置内的氧进行排气，并将稀有气体离子化，通过逆溅射进行膜形成面的清洁，接着，对金属靶(成为金属膜23的材料的金属)进行溅射。从金属靶反跳出来的金属原子以高能量沉积于部件主体的安装面10a。如此一来，通过溅射沉积法，能够形成杂质少、不含氧化物的金属膜23。引出导体25a1的端面25a2和引出导体25b1的端面25b2分别裸露在安装面10a，因此该方法能够同时形成金属膜23和其它金属膜。此外，也能够使用易氧化的金属材料。尤其是，在金属靶的金属的离子化趋势比端面25a2、25b2的金属的离子化趋势小的情况下，从金属靶反跳出来的金属原子与端面25a2的金属相比难以氧化。因此，能够形成不含氧化物的金属膜23。
最后，通过溅射等形成外部电极21、22。根据以上内容能够制造线圈部件1。所制造的线圈部件1通过将外部电极21、22分别钎焊在电路板的焊盘部而被安装于电路板。
下面，参照图5A～图7B，对本发明的一个实施方式的线圈部件1的作用效果进行说明。图5B是表示普通的金属膜中含有的金属颗粒的透射电子显微镜像的示意图。图6B是示意性表示图5B所示的普通的金属膜的金属颗粒的晶界的图。图7A是示意性地表示图5A所示的金属膜23中的原子的移动路径的图。图7B是示意性地表示图5B所示的普通的金属膜中的原子的移动路径的图。
如图5A所示，本发明的一个实施方式的线圈部件1具有金属膜23，将金属膜23中含有的一金属颗粒MP的、与导体25的一个端部25a1和金属膜23的交界面BI平行(水平)的方向上的尺寸设为a，将该一金属颗粒MP的、与交界面BI垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。如图5B所示，普通的金属膜中含有的金属颗粒的平均高宽比大于2。因此，在普通的金属膜中，杂质原子在与交界面BI垂直的方向(即，厚度方向Tn)上移动时，与金属膜中含有的金属颗粒碰撞的概率低(参照图7B)。作为杂质原子的种类，例如能够举出用于将线圈部件1安装到电路板的焊料中含有的锡等。与此不同，如本发明的一个实施方式的线圈部件1那样通过使b/a的平均值为0.8以上1.2以下，杂质原子在与交界面垂直的方向上移动时，与金属膜中含有的金属颗粒碰撞的概率变大，平均自由行程进一步变短。其结果是，杂质原子在方向Sf上移动的次数增加，为了通过金属膜23所需的移动距离变长(参照图7A和图7B)。作为一例，在将金属膜23中的扩散速度设为1的情况下，普通的金属膜中的扩散速度为10e3～7程度。因此，能够抑制在导体25与外部电极21之间的迁移。
另外，如图6A所示，金属膜23中含有的金属颗粒MP彼此的界面上的空隙，可以为5个构成金属颗粒MP的原子的相应量以下。如图6B所示，在普通的金属膜中的金属颗粒彼此的界面中存在明显的空隙，晶格排列的连续性被截断。因此，当杂质原子在金属膜内移动时，容易通过金属颗粒彼此的界面。与此不同，在本发明的一个实施方式的线圈部件1的金属膜23中，金属颗粒MP彼此的界面上的空隙为5个原子的相应量以下，因此杂质原子在金属颗粒彼此的界面中不易移动。因此，能够抑制在导体25与外部电极21之间的迁移。
接着，参照图8，对本发明的另一实施方式的线圈部件100进行说明。图8是示意性地表示线圈部件100的立体图。如图所示，线圈部件100，与线圈部件1同样地具有：基体10；设置于基体10的内部的线圈导体25；设置于基体10的表面的外部电极21；在基体10的表面设置在与外部电极21隔开间隔的位置的外部电极22。线圈部件100包括设置于基体10内的绝缘板50，导体25设置于绝缘板50的上表面和下表面，这一点与线圈部件1不同。
线圈部件100，也与线圈部件1同样地具有位于外部电极21与导体25的一个端部之间的金属膜23，金属膜23中含有的金属颗粒MP的高宽比为0.8以上1.2以下。因此，出于与线圈部件1同样的理由，能够抑制导体25与外部电极21之间的杂质原子的迁移。
本发明的电子部件并不限定于线圈部件，例如也可以是电容器。图9是示意性地表示作为本发明的另一实施方式的电子部件的电容器200的截面图。如图9所示，电容器200包括：基体210；设置于基体210的内部的导体225；和设置于基体210的外侧的外部电极202、203。在图9所示的实施方式中，电容器200是所谓的MLCC，导体225包括多个第一电极层221和多个第二电极层222。第一电极层221与第二电极层222隔着基材210交替地配置。位于第一电极层221与第二电极层222之间的基材210的部分作为电介质发挥功能。电容器200，与线圈部件1同样地具有：位于外部电极202与导体225之间的金属膜23；和位于外部电极203与导体225之间的其他金属膜。
上述的电容器200，也与线圈部件1同样地具有位于导体225与外部电极202之间的金属膜23；和位于导体225与外部电极203之间的其他金属膜，金属膜23和其他金属膜中含有的金属颗粒MP的高宽比为0.8以上1.2以下。因此，出于与线圈部件1同样的理由，能够抑制导体225与外部电极202之间的杂质原子的迁移。
在上述的各个实施方式中所说明的各构成要素的尺寸、材料和配置都不限定于各实施方式中所明确说明的内容，该各构成要素能够以具有能够变形为可包含于本发明的范围的任意的尺寸、材料和配置。此外，也能够将在本说明书中没有明确说明的构成要素追加于上述的各实施方式中，也能够将在各实施方式中所说明的构成要素的一部分省略。
例如，线圈部件1和线圈部件100可以在导体25的一个端部25a1与金属膜23之间、以及导体25的另一个端部25b1与其他金属膜之间分别还具有氧化膜。氧化膜的厚度形成为能够供隧穿电流或者肖特基电流流过的厚度。作为一例，氧化膜的厚度能够形成为200nm以下。氧化膜中的扩散速度比外部电极21、22中的扩散速度慢，因此依照该结构，能够进一步抑制导体25与外部电极21、22之间的杂质原子的迁移。

Claims (18)

1.一种电子部件，其特征在于，包括：
基体；
设置于所述基体的内部或者外部的导体；
与所述导体电连接的第一外部电极；
与所述导体电连接的第二外部电极；和
位于所述导体与所述第一外部电极之间的金属膜，
当将所述金属膜中含有的一个金属颗粒的、与所述导体和所述金属膜的交界面平行的方向上的尺寸设为a，将该一个金属颗粒的、与所述交界面垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。
2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：
所述导体与所述金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。
3.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：
在所述导体与所述金属膜之间具有氧化膜，
所述氧化膜的厚度为200nm以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于：
在与所述交界面垂直的方向上，位于所述导体侧的金属颗粒的粒径比位于所述第一外部电极侧的金属颗粒的粒径小。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述金属膜为溅射膜。
6.如权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述金属膜中含有的金属颗粒彼此的界面上的空隙，为5个构成所述金属颗粒的原子的相应量以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述金属膜包含Cu、Ag、或者含有Cu和Ag的至少一者的合金。
8.如权利要求1～7中任一项所述的电子部件，其特征在于：
包括位于所述导体与所述第二外部电极之间的其他金属膜，
当将所述其他金属膜中含有的一个金属颗粒的、与所述导体和所述其他金属膜的其他交界面平行的方向上的尺寸设为a，将该一个金属颗粒的、与所述其他交界面垂直的方向上的尺寸设为b时，b/a的平均值为0.8以上1.2以下。
9.如权利要求8所述的电子部件，其特征在于：
所述导体与所述其他金属膜的至少一部分通过金属结合而连接。
10.如权利要求8所述的电子部件，其特征在于：
在所述导体与所述其他金属膜之间具有其他氧化膜，
所述其他氧化膜的厚度为200nm以下。
11.如权利要求8～10中任一项所述的电子部件，其特征在于：
在与所述其他交界面垂直的方向上，位于所述导体侧的金属颗粒的粒径比位于所述第二外部电极侧的金属颗粒的粒径小。
12.如权利要求8～11中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述其他金属膜为溅射膜。
13.如权利要求8～12中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述其他金属膜中含有的金属颗粒彼此的界面中的空隙，为5个构成所述金属颗粒的原子的相应量以下。
14.如权利要求8～13中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述其他金属膜包含Cu、Ag、或者含有Cu和Ag的至少一者的合金。
15.如权利要求1～14中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述第一外部电极和所述第二外部电极中含有的金属的主成分的离子化趋势比所述导体中含有的金属的主成分的离子化趋势小。
16.如权利要求1～15中任一项所述的电子部件，其特征在于：
所述导体包含绕线圈轴卷绕的部分。
17.一种电路板，其特征在于：
包括权利要求1～16中任一项所述的电子部件。
18.一种电子设备，其特征在于：
包括权利要求17所述的电路板。
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