CN113050751A - 一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路。本发明的用于提高电路稳定性的电阻调节电路，通过电流采样单元采集稳定性待提高的电路的输出电流，通过电阻调节单元根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，以防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化。由于所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响该电路稳定性的电阻，本发明的用于提高电路稳定性的电阻调节电路能够有效地解决现有电路因输出特性受负载变化影响较大而导致自身稳定性差的问题。
Description
技术领域
本发明属于稳定性补偿电路技术领域，更具体地，涉及一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路。
背景技术
现有的一些电路，其输出特性受负载变化的影响较大，容易出现输出电压偏差变大或者宽带噪声增加的问题。
例如图1所示的基于CMOS的三级放大器，该放大器的输出级设置有旁路电容CL(>10nF)，其主极点在输出级。该放大器的中间级是跨阻放大，阻值固定的电阻R1可有效地降低NA节点和NB节点的阻抗，使NA节点和NB节点的极点在单位增益带宽积(GBW)外，进而使得放大器稳定工作。然而，该放大器却存在以下问题：
由于电路稳定性的限制，电阻R1的值不能取得太大，其最大值与输出级的电容负载和最大电流负载有关。当负载电流最大时，电路稳定性达到最差，此时主极点频率较高，次极点位置变化小。当负载电流变小时，主极点往低频移动，电路愈加稳定。当负载电流变化时，NB节点的电压也随之变化。负载电流越大，NB点电压越低，因此流过电阻R1的电流也随负载电流而变化。这种电流的变化反应到输入，电路的电压偏差随着负载变化而增大，导致电压输出的精度降低。
又例如图2所示的Class-AB类型的两级放大器，其主极点在内部，需要使用密勒补偿(Miller-compensation)稳定环路。C1和C2为密勒电容，密勒电容会产生位于右半平面的零点，降低电路稳定性。对于单纯的电容补偿，输出级跨导Gm要比较大，通常是输入级的5倍以上。电阻R1和电阻R2可以使零点移动到左半平面，同时抵消次极点，降低输出级跨导的要求，降低功耗。然而，该放大器却存在以下问题：
电阻R1和电阻R2的阻值根据零点补偿计算得到，可以给定一个条件，比如电路空载的时候，左零点正好抵消次极点。然而，输出级的跨导Gm跟负载电流相关。如果负载电流变化很大，在重载情况下，输出级Gm远大于空载时，会导致电路过补偿，带宽变大，稳定性下降，宽带积分噪声上升，不利于噪声敏感的应用。
发明内容
本发明的目的在于解决现有电路因输出特性受负载变化影响较大而导致自身稳定性差的问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路。
本发明的用于提高电路稳定性的电阻调节电路包括：
电流采样单元，用于采集稳定性待提高的电路的输出电流；
电阻调节单元，用于根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，所述调节用于防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化；
所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响该电路稳定性的电阻。
作为优选的是，所述电流采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连，所述第一PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的电流输出端相连，所述第一PMOS管的漏极同时与所述第一NMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的栅极相连；
所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第二NMOS管的漏极同时与所述第二PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第二PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的漏极和栅极相连，所述第三PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
作为优选的是，所述电阻调节单元包括第一电阻和第四PMOS管；
所述第一电阻串接入所述目标电阻的所在支路；
所述第四PMOS管的源极与所述第一电阻的电流流入端相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第一电阻的电流流出端相连，所述第四PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
作为优选的是，所述稳定性待提高的电路为三级放大电路，所述三级放大电路包括第一输入级、中间级和第一输出级；
所述第一输入级为CMOS差分放大电路，所述中间级和第一输出级均采用MOS管实现；
在所述第一输入级与所述中间级之间设置有用于实现两者之间跨阻放大的电阻，该电阻为所述目标电阻。
作为优选的是，所述电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
所述第三NMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第一电流输出端相连，所述第三NMOS管的源极同时与电源地和所述第四NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极同时与所述第五PMOS管的栅极和漏极以及所述第六PMOS管的栅极相连；
所述第四NMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的栅极和漏极均与所述第六PMOS管的漏极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
作为优选的是，所述电阻调节单元为第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第六NMOS管的源极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第六NMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
作为优选的是，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第二输入级和第二输出级；
所述第二输出级包括第七PMOS管和第七NMOS管，所述第七PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第七NMOS管的源极与电源地相连；
所述第七PMOS管和所述第七NMOS管分别配置有第一密勒补偿电路和第二密勒补偿电路；
所述第二密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
作为优选的是，所述电流采样单元包括第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管；
所述第八PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第二电流输出端相连，所述第八PMOS管的漏极同时与所述第八NMOS管的漏极和栅极以及所述第九NMOS管的栅极相连；
所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第九NMOS管的漏极同时与所述第九PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第九PMOS管的源极同时与所述第十PMOS管的漏极和栅极相连；
所述第十PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
作为优选的是，所述电阻调节单元为第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第十一PMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第十一PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
作为优选的是，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第三输入级和第三输出级；
所述第三输出级包括第十二PMOS管和第十NMOS管，所述第十二PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第十二PMOS管的漏极与所述第十NMOS管的漏极相连，所述第十NMOS管的源极与电源地相连；
所述第十二PMOS管和所述第十NMOS管分别配置有第三密勒补偿电路和第四密勒补偿电路；
所述第三密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
本发明的有益效果在于：
本发明的用于提高电路稳定性的电阻调节电路，通过电流采样单元采集稳定性待提高的电路的输出电流，通过电阻调节单元根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，以防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化。由于所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响该电路稳定性的电阻，本发明的用于提高电路稳定性的电阻调节电路能够有效地解决现有电路因输出特性受负载变化影响较大而导致自身稳定性差的问题。
本发明的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施方式进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了根据本发明的背景技术的基于CMOS的三级放大器的电路原理图。
图2示出了根据本发明的背景技术的Class-AB类型的两级放大器的电路原理图。
图3示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路的原理框图。
图4示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路应用于基于CMOS的三级放大器时的电路原理图。
图5示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路应用于Class-AB类型的两级放大器的电路原理图。
具体实施方式
下面将更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然以下描述了本发明的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。
实施例：图3示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路的原理框图。参照图3，本实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路包括：
电流采样单元，用于采集稳定性待提高的电路的输出电流；
电阻调节单元，用于根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，所述调节用于防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化；
所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响该电路稳定性的电阻。
本实施例中，所述电流采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连，所述第一PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的电流输出端相连，所述第一PMOS管的漏极同时与所述第一NMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的栅极相连；
所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第二NMOS管的漏极同时与所述第二PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第二PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的漏极和栅极相连，所述第三PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
本实施例中，所述电阻调节单元包括第一电阻和第四PMOS管；
所述第一电阻串接入所述目标电阻的所在支路；
所述第四PMOS管的源极与所述第一电阻的电流流入端相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第一电阻的电流流出端相连，所述第四PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
本实施例中，所述稳定性待提高的电路为三级放大电路，所述三级放大电路包括第一输入级、中间级和第一输出级；
所述第一输入级为CMOS差分放大电路，所述中间级和第一输出级均采用MOS管实现；
在所述第一输入级与所述中间级之间设置有用于实现两者之间跨阻放大的电阻，该电阻为所述目标电阻。
在本发明的另一实施例中，所述电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
所述第三NMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第一电流输出端相连，所述第三NMOS管的源极同时与电源地和所述第四NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极同时与所述第五PMOS管的栅极和漏极以及所述第六PMOS管的栅极相连；
所述第四NMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的栅极和漏极均与所述第六PMOS管的漏极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
本实施例中，所述电阻调节单元为第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第六NMOS管的源极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第六NMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
本实施例中，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第二输入级和第二输出级；
所述第二输出级包括第七PMOS管和第七NMOS管，所述第七PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第七NMOS管的源极与电源地相连；
所述第七PMOS管和所述第七NMOS管分别配置有第一密勒补偿电路和第二密勒补偿电路；
所述第二密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
在本发明的另一实施例中，所述电流采样单元包括第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管；
所述第八PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第二电流输出端相连，所述第八PMOS管的漏极同时与所述第八NMOS管的漏极和栅极以及所述第九NMOS管的栅极相连；
所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第九NMOS管的漏极同时与所述第九PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第九PMOS管的源极同时与所述第十PMOS管的漏极和栅极相连；
所述第十PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
本实施例中，所述电阻调节单元为第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第十一PMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第十一PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
本实施例中，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第三输入级和第三输出级；
所述第三输出级包括第十二PMOS管和第十NMOS管，所述第十二PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第十二PMOS管的漏极与所述第十NMOS管的漏极相连，所述第十NMOS管的源极与电源地相连；
所述第十二PMOS管和所述第十NMOS管分别配置有第三密勒补偿电路和第四密勒补偿电路；
所述第三密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
以下对上述实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路进行更为详细的原理说明：
图4示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路应用于基于CMOS的三级放大器时的电路原理图。图4中，MOS管M2-MOS管M6构成电流采样单元，MOS管M7和电阻R2构成电阻调节单元，以上元器件共同构成电阻调节电路。图4是对图1的改进，相对于图1的电阻R1，图4增加了一个电阻R2，同时MOS管M7与电阻R2并联。作为放大电路输出级的MOS管M1的电流，通过MOS管M2镜像，镜像比例很大(比如500：1)以节省电流面积。MOS管M2的电流再通过MOS管M3，MOS管M4镜像输入到MOS管M5，MOS管M6。MOS管M6的栅极连接到MOS管M7的栅极。当电流负载很小时，MOS管M7的导通电阻远远大于电阻R2，NA节点与NB节点之间的有效电阻为R1+R2。而当负载电流变大时，MOS管M7的阻抗会跟随负载电流变大而变小，电阻R2与MOS管M7的并联电阻也逐渐变小。在负载最大时，MOS管M7的阻抗远小于电阻R2，NA节点与NB节点之间的电阻接近于电阻R1。由此可知，随着负载电流的变化，NA节点与NB节点之间的电阻在R1和R1+R2之间变化。在负载电流很小时，电路最稳定，NA节点和NB节点的阻抗可以变大。通过动态调节NA节点与NB节点之间的电阻，中间级的输入电压偏差也会降低，通常可以提高3倍以上的精度。在实际应用时，图4中的MOS管M2-MOS管M7的类型可根据所述基于CMOS的三级放大器的差分对管的类型进行相应的调整。
图5示出了根据本发明的实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路应用于Class-AB类型的两级放大器的电路原理图。图5中，MOS管M1-MOS管M5构成第一电流采样单元，MOS管M6构成第一电阻调节单元，以上元器件共同构成第一电阻调节电路。同时，MOS管M8-MOS管M12构成第二电流采样单元，MOS管M13构成第二电阻调节单元，以上元器件共同构成第二电阻调节电路。图5是对图2的改进，电阻R1和电阻R2分别增加了并联的MOS管M13和MOS管M6。原理和之前介绍类似，只是这里输出级为Cass-AB，电流负载可以流进或流出。MOS管M1-MOS管M5构成的环路监测MOS管M0的电流，MOS管M8-MOS管M12构成的环路监测MOS管M7的电流。以MOS管M13为例，在电流空载时，电阻R1的阻值远小于MOS管M13的阻抗，左零点很好地抵消了次极点，环路稳定性良好。当负载电流(流出)变得很大时，MOS管M7的跨导变得远远大于空载时，图2中会导致过补偿。而图5中，MOS管M13的阻抗在满载时远小于电阻R1，密勒补偿退化成最传统的方式，左零点补偿消失。由于MOS管M7的Gm足够大，右零点不再是困扰稳定性的问题。因此，采用本实施例的用于提高电路稳定性的电阻调节电路后，放大器的增益带宽积随负载电流变化大大减小，稳定性提高。
本实施例提出一种基于MOS管的环路可调节电阻，可动态跟随负载电流的变化，使电路更加稳定。
以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。
Claims (10)
1.一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路，其特征在于，包括：
电流采样单元，用于采集稳定性待提高的电路的输出电流；
电阻调节单元，用于根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，所述调节用于防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化；
所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响该电路稳定性的电阻。
2.根据权利要求1所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电流采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；
所述第一PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连，所述第一PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的电流输出端相连，所述第一PMOS管的漏极同时与所述第一NMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的栅极相连；
所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第二NMOS管的漏极同时与所述第二PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第二PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的漏极和栅极相连，所述第三PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
3.根据权利要求2所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电阻调节单元包括第一电阻和第四PMOS管；
所述第一电阻串接入所述目标电阻的所在支路；
所述第四PMOS管的源极与所述第一电阻的电流流入端相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第一电阻的电流流出端相连，所述第四PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
4.根据权利要求3所述的电阻调节电路，其特征在于，所述稳定性待提高的电路为三级放大电路，所述三级放大电路包括第一输入级、中间级和第一输出级；
所述第一输入级为CMOS差分放大电路，所述中间级和第一输出级均采用MOS管实现；
在所述第一输入级与所述中间级之间设置有用于实现两者之间跨阻放大的电阻，该电阻为所述目标电阻。
5.根据权利要求1所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
所述第三NMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第一电流输出端相连，所述第三NMOS管的源极同时与电源地和所述第四NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极同时与所述第五PMOS管的栅极和漏极以及所述第六PMOS管的栅极相连；
所述第四NMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的栅极和漏极均与所述第六PMOS管的漏极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
6.根据权利要求5所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电阻调节单元为第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第六NMOS管的源极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第六NMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
7.根据权利要求6所述的电阻调节电路，其特征在于，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第二输入级和第二输出级；
所述第二输出级包括第七PMOS管和第七NMOS管，所述第七PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第七NMOS管的源极与电源地相连；
所述第七PMOS管和所述第七NMOS管分别配置有第一密勒补偿电路和第二密勒补偿电路；
所述第二密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
8.根据权利要求1所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电流采样单元包括第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管；
所述第八PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第二电流输出端相连，所述第八PMOS管的漏极同时与所述第八NMOS管的漏极和栅极以及所述第九NMOS管的栅极相连；
所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均与电源地相连；
所述第九NMOS管的漏极同时与所述第九PMOS管的漏极和栅极相连，三者的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；
所述第九PMOS管的源极同时与所述第十PMOS管的漏极和栅极相连；
所述第十PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连。
9.根据权利要求8所述的电阻调节电路，其特征在于，所述电阻调节单元为第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第十一PMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第十一PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连。
10.根据权利要求9所述的电阻调节电路，其特征在于，所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第三输入级和第三输出级；
所述第三输出级包括第十二PMOS管和第十NMOS管，所述第十二PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第十二PMOS管的漏极与所述第十NMOS管的漏极相连，所述第十NMOS管的源极与电源地相连；
所述第十二PMOS管和所述第十NMOS管分别配置有第三密勒补偿电路和第四密勒补偿电路；
所述第三密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。
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| CN202110335212.5A Active CN113050751B (zh) | 2021-03-29 | 2021-03-29 | 一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路 |
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| CN200979668Y (zh) * | 2006-12-01 | 2007-11-21 | 华中科技大学 | 一种双环低压差线性稳压器电路 |
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-
2021
- 2021-03-29 CN CN202110335212.5A patent/CN113050751B/zh active Active
Patent Citations (9)
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