CN106160684B - 一种高线性度可变增益放大器 - Google Patents

一种高线性度可变增益放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN106160684B
CN106160684B CN201610524511.2A CN201610524511A CN106160684B CN 106160684 B CN106160684 B CN 106160684B CN 201610524511 A CN201610524511 A CN 201610524511A CN 106160684 B CN106160684 B CN 106160684B
Authority
CN
China
Prior art keywords
oxide
metal
semiconductor
pmos tube
gain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610524511.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106160684A (zh
Inventor
赵毅强
王景帅
赵公元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201610524511.2A priority Critical patent/CN106160684B/zh
Publication of CN106160684A publication Critical patent/CN106160684A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106160684B publication Critical patent/CN106160684B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
    • H03F3/45632—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45636—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with FET transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高线性度可变增益放大器，包括用以对信号进行放大或衰减的可变增益放大器，可变增益放大器采用闭环负反馈结构，同时还采用产生增益控制电压的指数增益控制电路，从而实现可变增益放大器的增益呈dB线性连续变化；可变增益放大器由全差分运算放大器和两个输入PMOS管和两个反馈PMOS管构成，全差分运算放大器采用两级结构，加入了偏置电路和共模反馈电路，采用了共源共栅补偿技术，以获得足够的相位裕度，保证反馈环路的稳定性。本发明在提高线性度的同时，实现了增益以指数形式连续可调。

Description

一种高线性度可变增益放大器
技术领域
本发明涉及一种集成电路的设计，尤其涉及一种可变增益放大器的设计。
背景技术
在无线通信系统中,由于信道衰落现象，导致接收机输入信号的幅值范围变化很大(高达几十个dB)。为了减小误码率,接收机通常设置有自动增益控制电路(AutomaticGain Control,AGC),而可变增益放大器则是AGC系统的主要部分。目前可变增益放大器的研究重点和难点主要体现为:宽带宽、高增益动态范围和高线性度。大部分设计者在实现宽带宽和高增益的范围内难以实现高线性度,而实现高线性度则可能牺牲了可带宽和增益。
现有技术中，可变增益放大器分为开环和闭环两种形式。开环可变增益放大器可以实现增益的连续可调，但稳定性较差,线性度较低,信号的动态范围较小；闭环结构的可变增益放大器使用负反馈的形式,性能较为稳定,其增益取决于电阻之比,线性度较高，但是难以实现增益的连续可调。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种高线性度可变增益放大器,可提高放大器的线性度,以及实现增益的连续可调。
为了解决上述问题,本发明提出的一种高线性度可变增益放大器，包括用以对信号进行放大或衰减的可变增益放大器，所述可变增益放大器采用闭环负反馈结构，同时还采用产生增益控制电压的指数增益控制电路，从而实现可变增益放大器的增益呈dB线性连续变化；所述可变增益放大器由全差分运算放大器A和第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4构成，所述第一PMOS管M1和第三PMOS管M3为输入PMOS管，所述第二PMOS管M2和第四PMOS管M4为反馈PMOS管；所述第一PMOS管M1的源端连接至第一输入信号VIP，所述第一PMOS管M1的漏端与所述全差分运算放大器A的正输入端相连；所述第二PMOS管M2的源端连接至第二输入信号VIN，所述第二PMOS管M2的漏端与所述全差分运算放大器A的负输入端相连；所述第三PMOS管M3的漏端与全差分运算放大器A的正输入端相连，所述第三PMOS管M3的源端与全差分运算放大器A的负输出端VON相连；所述第四PMOS M4的漏端与全差分运算放大器A的负输入端相连，所述第四PMOS管M4的源端与全差分运算放大器A的正输出端VOP相连；所述第一PMOS管M1和所述第三PMOS管M3的栅极均与第一增益控制电压Vc1相连，第二PMOS管M2和第四PMOS管M4的栅极均与第二增益控制电压Vc2相连；所述全差分运算放大器A包括第一级和第二级两级结构及偏置电路和共模反馈电路，其中，第一级为套筒式共源共栅结构，第二级为共源级；所述可变增益放大器中的第一PMOS管M1、第三PMOS管M3、第二PMOS管M2、第四PMOS管M4均工作在线性区，其中，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的等效电阻为Rin：
式(1)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的等效电阻为Rf：
式(2)中，式(1)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；所述可変增益放大器A的增益为A：
所述指数增益控制电路用于产生两个所述的第一增益控制电压Vc1和第二Vc2增益控制电压，所述指数增益控制电路的输入为外部控制信号Vc，其中，第一PMOS管M1、第三PMOS管M3的栅极与第一增益控制电压Vc1相连，第二PMOS管M2、第四PMOS管M4的栅极与第二增益控制电压Vc2相连；所述指数增益控制电路的外部基准电流为I0；所述指数增益控制电路包括17个MOS管和两个电阻，17个MOS管分别记作MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M 11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20和MOS管M21，两个电阻为电阻R1和电阻R2；外部控制信号Vc与所述MOS管M5和所述MOS管M6的栅极相连；通过电流镜形式，所述MOS管M14和MOS管M15将外部基准电流I0镜像给所述MOS管M11和MOS管M12，则流过所述MOS管M8的电流为所述MOS管M5和MOS管M12的电流之和，然后，通过所述MOS管M10的漏电流镜像给所述MOS管M9，然后，镜像给MOS管M21；同时，所述MOS管M9镜像得到外部基准电流I0与所述MOS管M6的电流之和流过所述MOS管M7，然后，镜像给所述MOS管M20；电阻R1的一端与所述MOS管M20的漏端相连，电阻R1的另一端接地Vss；电阻R2的一端与M21的漏端相连，电阻R2的另一端接地Vss，从而，流经电阻R1的电流Ic1和流经电阻R2的电流Ic2分别为：
式(4)中，μN为NMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；为NMOS的宽长比；VTHN为NMOS的阈值电压，单位V；
式(5)中，第一增益控制电压Vc1和第二增益控制电压Vc2分别为：
VC1＝IC1·R1 (6)
VC2＝IC2·R2 (7)
令：电阻R1和电阻R2的阻值相等，设KN＝KP＝K，VTHN＝|VTHP|＝VTH，VDD＝-VSS，则第一增益控制电压Vc1和第二增益控制电压Vc2的比值为：
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的可变增益放大器采用闭环负反馈结构，在提高线性度的同时，实现了增益以指数形式连续可调。
附图说明
图1是本发明高线性度可変增益放大器的整体架构图；
图2是本发明中的指数增益控制电路结构图；
图3是本发明中可变增益放大器的控制信号VC和输入1dB压缩点(P1dB)的关系图；
图4是本发明中可变增益放大器的控制信号VC和增益的dB值之间关系图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案作进一步详细描述，所描述的具体实施例仅对本发明进行解释说明，并不用以限制本发明。
如图1所示，本发明一种高线性度可变增益放大器，包括用以对信号进行放大或衰减的可变增益放大器，其特征在于：所述可变增益放大器采用闭环负反馈结构，同时还采用产生增益控制电压的指数增益控制电路，从而实现可变增益放大器的增益呈dB线性连续变化。
如图1所示，所述可变增益放大器由全差分运算放大器A和第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4构成，所述第一PMOS管M1和第三PMOS管M3为输入PMOS管，所述第二PMOS管M2和第四PMOS管M4为反馈PMOS管；所述第一PMOS管M1的源端连接至第一输入信号VIP，所述第一PMOS管M1的漏端与所述全差分运算放大器A的正输入端相连；所述第二PMOS管M2的源端连接至第二输入信号VIN，所述第二PMOS管M2的漏端与所述全差分运算放大器A的负输入端相连；所述第三PMOS管M3的漏端与全差分运算放大器A的正输入端相连，所述第三PMOS管M3的源端与全差分运算放大器A的负输出端VON相连；所述第四PMOS M4的漏端与全差分运算放大器A的负输入端相连，所述第四PMOS管M4的源端与全差分运算放大器A的正输出端VOP相连；所述第一PMOS管M1和所述第三PMOS管M3的栅极均与第一增益控制电压Vc1相连，第二PMOS管M2和第四PMOS管M4的栅极均与第二增益控制电压Vc2相连。
所述全差分运算放大器A包括第一级和第二级两级结构及偏置电路和共模反馈电路，其中，第一级为套筒式共源共栅结构，第二级为共源级；加入了偏置电路和共模反馈电路，采用了共源共栅补偿技术，以获得足够的相位裕度，保证反馈环路的稳定性。
所述可变增益放大器中的输入PMOS即第一PMOS管M1和第三PMOS管M3，及反馈PMOS即第二PMOS管M2、第四PMOS管M4均工作在线性区，其中，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的等效电阻为Rin：
式(1)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；
第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的等效电阻为Rf：
式(2)中，式(1)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；
所述可変增益放大器A的增益为A：
如图2所示，本发明中所述指数增益控制电路的输入为外部控制信号Vc，通过所述指数增益控制电路产生两个增益控制电压，即第一增益控制电压Vc1和第二增益控制电压Vc2，其中，第一PMOS管M1、第三PMOS管M3的栅极与第一增益控制电压Vc1相连，第二PMOS管M2、第四PMOS管M4的栅极与第二增益控制电压Vc2相连。所述指数增益控制电路的外部基准电流为I0；所述指数增益控制电路包括17个MOS管和两个电阻，其中，17个MOS管分别记作MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M 11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20和MOS管M21，两个电阻为电阻R1和电阻R2；各器件的连接关系如图2所示，其中，MOS管M5、MOS管M7、MOS管M9、MOS管M11、MOS管M14、MOS管M17、MOS管M20、MOS管M21的源端接电源电压VDD；MOS管M6、MOS管M8、MOS管M10、MOS管M13、MOS管M16、MOS管M18、MOS管M19的源端接地Vss；MOS管M5的栅极接外部控制信号VC，MOS管M6的漏端与MOS管M8的栅漏、MOS管M12的漏端相连；MOS管M6的栅极接外部控制信号VC，MOS管M6的漏端与MOS管M7的栅漏、MOS管M13的漏端相连；MOS管M7的栅漏短接，与MOS管M6的漏端、MOS管M13的漏端、MOS管M20的栅极相连；MOS管M8的栅漏短接，与MOS管M5的漏端、MOS管M10的栅极、MOS管M12的漏端相连；MOS管M9的栅漏短接与MOS管M10的漏端、MOS管M21的栅极相连；MOS管M10的栅极与MOS管M8的栅极相连，MOS管M10的漏端与MOS管M9的漏端相连；MOS管M11的栅极与MOS管M14的栅极、MOS管M15的漏端相连，MOS管M11的漏端与MOS管M12的源端相连；MOS管M12的源端与MOS管M11的漏端相连，MOS管M12的栅极与MOS管M15的栅极、MOS管M17的栅漏相连，MOS管M12的漏端与MOS管M5的漏端、MOS管M8的漏端相连；MOS管M13的漏端与MOS管M6的漏端、MOS管M7的漏端相连，MOS管M13的栅极与MOS管M16的栅极、MOS管M18的栅极、MOS管M19的栅极相连；MOS管M14的栅极与MOS管M11的栅极、MOS管M15的漏端相连，MOS管M14的漏端与MOS管M15的源端相连；MOS管M15的源端与MOS管M14的漏端相连，MOS管M15的漏端与MOS管M11的栅极、MOS管M14的栅极、MOS管M16的漏端相连，MOS管M15的栅极与MOS管M12的栅极、MOS管M17的栅漏相连；MOS管M16的漏端与MOS管M15的漏端相连，MOS管M16的栅极与MOS管M13的栅极、MOS管M18的栅极、MOS管M19的栅极相连；MOS管M17的栅漏短接与MOS管M12的栅极、MOS管M15的栅极、MOS管M18的漏端相连；MOS管M18的漏端与MOS管M17的漏端相连，MOS管M18的栅极与MOS管M13的栅极、MOS管M16的栅极、MOS管M19的栅极相连；MOS管M19的栅漏短接，与外部电流基准源相连；MOS管M20的栅极与MOS管M7的栅极相连，MOS管M20的漏端与电阻R1的一端相连，接到输出控制电压Vc1；MOS管M21的栅极与MOS管M9的栅极相连，MOS管M21的漏端与电阻R2的一端相连，接到输出控制电压Vc2；电阻R1和电阻R2的另一端接地Vss。本发明的外部控制信号Vc与所述MOS管M5和所述MOS管M6的栅极相连；通过电流镜形式，所述MOS管M14和MOS管M15将外部基准电流I0镜像给所述MOS管M11和MOS管M12，则流过所述MOS管M8的电流为所述MOS管M5和MOS管M12的电流之和，然后，通过所述MOS管M10的漏电流镜像给所述MOS管M9，然后，镜像给MOS管M21；同时，所述MOS管M9镜像得到外部基准电流I0与所述MOS管M6的电流之和流过所述MOS管M7，然后，镜像给所述MOS管M20；从而，流经电阻R1的电流Ic1和流经电阻R2的电流Ic2分别为：
式(4)中，μN为NMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；为NMOS的宽长比；VTHN为NMOS的阈值电压，单位V；
式(5)中，第一增益控制电压Vc1和第二增益控制电压Vc2分别为：
VC1＝IC1·R1 (6)
VC2＝IC2·R2 (7)
令：电阻R1和电阻R2的阻值相等，设KN＝KP＝K，VTHN＝|VTHP|＝VTH，VDD＝-VSS，则第一增益控制电压Vc1和第二增益控制电压Vc2的比值为：
公式(8)是指数函数的一种近似表达式，因此本发明提供的可变增益放大器可以实现增益指数形式连续可调。
图3示出了本发明高线性度可变增益放大器的外部控制信号VC和输入1dB压缩点(P1dB)的关系，可以看出该可变增益放大器实现了较高的线性度。
图4示出了本发明高线性度可变增益放大器的外部控制信号VC和增益的dB值之间关系图,可以看出该可变增益放大器实现了很好的dB线性关系,并获得了22dB的连续增益范围。
尽管上面结合附图对本发明进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨的情况下，还可以做出很多变形，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (1)

1.一种高线性度可变增益放大器，包括用以对信号进行放大或衰减的可变增益放大器，其特征在于：所述可变增益放大器采用闭环负反馈结构，同时还采用产生增益控制电压的指数增益控制电路，从而实现可变增益放大器的增益呈dB线性连续变化；
所述可变增益放大器由全差分运算放大器A和第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4构成，所述第一PMOS管M1和第三PMOS管M3为输入PMOS管，所述第二PMOS管M2和第四PMOS管M4为反馈PMOS管；所述第一PMOS管M1的源端连接至第一输入信号VIP，所述第一PMOS管M1的漏端与所述全差分运算放大器A的正输入端相连；所述第二PMOS管M2的源端连接至第二输入信号VIN，所述第二PMOS管M2的漏端与所述全差分运算放大器A的负输入端相连；所述第三PMOS管M3的漏端与全差分运算放大器A的正输入端相连，所述第三PMOS管M3的源端与全差分运算放大器A的负输出端VON相连；所述第四PMOS M4的漏端与全差分运算放大器A的负输入端相连，所述第四PMOS管M4的源端与全差分运算放大器A的正输出端VOP相连；所述第一PMOS管M1和所述第三PMOS管M3的栅极均与第一增益控制电压VC1相连，第二PMOS管M2和第四PMOS管M4的栅极均与第二增益控制电压VC2相连；
所述全差分运算放大器A包括第一级和第二级两级结构及偏置电路和共模反馈电路，其中，第一级为套筒式共源共栅结构，第二级为共源级；
所述可变增益放大器中的第一PMOS管M1、第三PMOS管M3、第二PMOS管M2、第四PMOS管M4均工作在线性区，其中，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的等效电阻为Rin：
式(1)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；
第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的等效电阻为Rf：
式(2)中，μP为PMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；Cox为单位面积的栅氧化层电容，单位为F/cm2；为PMOS的宽长比；VTHP为PMOS的阈值电压，单位为V；
所述可变增益放大器的增益为A：
所述指数增益控制电路用于产生两个所述的第一增益控制电压VC1和第二增益控制电压VC2，所述指数增益控制电路的输入为外部控制信号VC，其中，第一PMOS管M1、第三PMOS管M3的栅极与第一增益控制电压VC1相连，第二PMOS管M2、第四PMOS管M4的栅极与第二增益控制电压VC2相连；所述指数增益控制电路的外部基准电流为I0；所述指数增益控制电路包括17个MOS管和两个电阻，17个MOS管分别记作MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20和MOS管M21，两个电阻为电阻R1和电阻R2；外部控制信号VC与所述MOS管M5和所述MOS管M6的栅极相连；通过电流镜形式，所述MOS管M14和MOS管M15将外部基准电流I0镜像给所述MOS管M11和MOS管M12，则流过所述MOS管M8的电流为所述MOS管M5和MOS管M12的电流之和，然后，通过所述MOS管M10的漏电流镜像给所述MOS管M9，然后，镜像给MOS管M21；同时，所述MOS管M9镜像得到外部基准电流I0与所述MOS管M6的电流之和流过所述MOS管M7，然后，镜像给所述MOS管M20；电阻R1的一端与所述MOS管M20的漏端相连，电阻R1的另一端接地Vss；电阻R2的一端与M21的漏端相连，电阻R2的另一端接地Vss，从而，流经电阻R1的电流IC1和流经电阻R2的电流IC2分别为：
式(4)中，μN为NMOS的空穴迁移率，单位为cm2/V-s；为NMOS的宽长比；VTHN为NMOS的阈值电压，单位V；
式(5)中，第一增益控制电压VC1和第二增益控制电压VC2分别为：
VC1＝IC1·R1 (6)
VC2＝IC2·R2 (7)
令：电阻R1和电阻R2的阻值相等，设KN＝KP＝K，VTHN＝|VTHP|＝VTH，VDD＝-VSS，则第一增益控制电压VC1和第二增益控制电压VC2的比值为：
CN201610524511.2A 2016-07-05 2016-07-05 一种高线性度可变增益放大器 Expired - Fee Related CN106160684B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610524511.2A CN106160684B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 一种高线性度可变增益放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610524511.2A CN106160684B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 一种高线性度可变增益放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106160684A CN106160684A (zh) 2016-11-23
CN106160684B true CN106160684B (zh) 2018-12-04

Family

ID=58062886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610524511.2A Expired - Fee Related CN106160684B (zh) 2016-07-05 2016-07-05 一种高线性度可变增益放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106160684B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109067371B (zh) * 2018-06-22 2021-11-12 东南大学 一种无电阻网络可编程增益放大器电路
CN114337568A (zh) * 2021-12-28 2022-04-12 上海烨映微电子科技股份有限公司 可变增益放大器及其增益调节方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6346857B1 (en) * 1999-04-23 2002-02-12 Nec Corporation Gamma conversion circuit changeable gain rate and amplifing capable range thereof
CN1636319A (zh) * 2000-10-10 2005-07-06 高通股份有限公司 可变增益放大器的增益线性器
CN101056093A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 松下电器产业株式会社 可变增益放大器
CN103036517A (zh) * 2012-12-19 2013-04-10 天津大学 一种dB线性可变增益放大器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6346857B1 (en) * 1999-04-23 2002-02-12 Nec Corporation Gamma conversion circuit changeable gain rate and amplifing capable range thereof
CN1636319A (zh) * 2000-10-10 2005-07-06 高通股份有限公司 可变增益放大器的增益线性器
CN101056093A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 松下电器产业株式会社 可变增益放大器
CN103036517A (zh) * 2012-12-19 2013-04-10 天津大学 一种dB线性可变增益放大器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A 0.1-1.2 GHz CMOS Ultra-Broadband Power Amplifier;HaiFeng Wu et al;《 Microwave Symposium (IMS), 2014 IEEE MTT-S International》;20140710;全文 *
一种带消失调电路的dB线性可变增益放大器设计;盛云等;《南开大学学报（自然科学版）》;20150831;第48卷(第4期);16-20 *
一种高线性度的电流调节式CMOS中频可变增益放大器;恽廷华等;《应用科学学报》;20051130;第23卷(第6期);595-599 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106160684A (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101951236B (zh) 一种数字可变增益放大器
CN109586675B (zh) 低噪声跨阻放大器
CN110011627B (zh) 一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器
CN103873001B (zh) 一种低电源电压可编程增益放大器
CN105720936A (zh) 一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器
WO2017211134A1 (zh) 两级运算放大器
CN107733382A (zh) 自偏置轨到轨恒定跨导放大器
CN201846315U (zh) 一种数字可变增益放大器
CN106160684B (zh) 一种高线性度可变增益放大器
CN106059512A (zh) 一种新型低复杂度宽带可变增益放大器
CN209692711U (zh) 一种宽输入范围高共模抑制比运算跨导放大器
US7183849B2 (en) Variable gain amplifier having linear-in-decibel transconductance
CN110798203A (zh) 纳米级cmos工艺下高线性度单位增益电压缓冲器
US7227416B2 (en) Current mirror with low static current and transconductance amplifier thereof
CN111384940B (zh) 一种高线性度宽摆幅cmos电压跟随器
CN104617890B (zh) 调整射频放大器线性度的电路设计
CN106374858A (zh) 一种高速差分放大电路
CN211089632U (zh) 一种高线性度宽摆幅cmos电压跟随器
CN111697936B (zh) 一种低功耗互补型数字可变增益放大器
CN114362688A (zh) 带动态偏置电流共模反馈的轨到轨放大器
CN114598273A (zh) 一种具有温度稳定性的全SiC CMOS运算放大器
CN110798163B (zh) 一种宽摆幅单位增益电压缓冲器
CN210724703U (zh) 一种宽摆幅单位增益电压缓冲器
CN210724750U (zh) 纳米级cmos工艺下高线性度单位增益电压缓冲器
CN203406838U (zh) 新型指数可变增益放大电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181204