CN108803761A - 一种含有高阶温度补偿的ldo电路 - Google Patents
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Abstract
一种含有高阶温度补偿的LDO电路，属于电子电路技术领域。包括启动电路、功率输出级、带隙‑误差放大器和自适应阻抗跟随器，启动电路用于控制系统的上电过程；带隙‑误差放大器在传统带隙放大器的基础上增加了温度补偿电路，不仅可以高效的降低静态电流，同时也对输出电压进行温度补偿，利用第三三极管在温度升高时产生高温补偿电流，电流流过第四电阻实现了对基准电压的高温补偿，限制基准电压的温度偏移；自适应阻抗跟随器在不同的输出负载电流下可以调整自己的输出电阻，在保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度，而且可以大大的降低片外电容值。本发明在低静态电流的情况下实现了环路稳定以及快速瞬态响应。
Description
技术领域
本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种含有高阶温度补偿的低静态电流高稳定性LDO电路。
背景技术
低压差线性稳压器(LDO)的设计都需要基准电压和误差放大器。传统LDO的带隙基准和误差放大器分开做不仅加大了功耗，而且带隙基准输出的基准电压随温度变化呈现开口向下的抛物线状，顶点设置在25℃位置。但是LDO属于电源管理芯片，环境温度高，功率管自身也会消耗功率，使芯片温度进一步升高；在基准电压远离抛物线顶点的位置上的温度系数并不理想。此外LDO通常将低静态功耗、足够的输出带载能力以及快速瞬态响应作为主要指标。但在低静态电流下，若不采取其他措施，电路转换速率(Slew Rate)不可避免的会很低，这势必限制了LDO的瞬态响应速度，瞬态响应慢会使输出电压上冲或下冲幅度过大，对后端设备造成错误甚至损坏。低静态电流下电路内部的低频极点会极大的影响系统稳定性，进而影响电路稳定输出。
发明内容
针对上述传统LDO电流存在的瞬态响应慢、功耗高和系统稳定性不足等问题，本发明提出一种含有高阶温度补偿的LDO电流，在传统的带隙基准和误差放大器的基础上提出了含有高温补偿的带隙-误差放大器，利用自适应阻抗跟随器在保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度。
本发明的技术方案为：
一种含有高阶温度补偿的LDO电路，包括启动电路、功率输出级、带隙-误差放大器和自适应阻抗跟随器，
所述带隙-误差放大器包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五第四PMOS管MP5、第六第四PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第十七NMOS管MS、第十八NMOS管MNB、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，
第四三极管Q4的发射级作为所述带隙-误差放大器的输入端连接反馈电压并通过第四电阻R4后连接第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极、第三三极管Q3的集电极以及所述启动电路的输出端，其基极连接第二NMOS管MN的漏极、第四PMOS管MP4的栅极、第三PMOS管MP3的栅极和漏极，其集电极连接第十七NMOS管MS的源极；
第一NMOS管MN1的栅极连接所述启动电路的输入端、第二NMOS管MN2和第十七NMOS管MS的栅极并连接使能信号EN，其漏极连接第一PMOS管MP1的漏极，其源极连接第一三极管Q1的集电极；
第二三极管Q2的集电极连接第二NMOS管MN2的源极，其发射极通过第一电阻R1后连接第一三极管Q1的发射极和第二电阻R2的一端；
第二电阻R2的另一端连接第三三极管Q3的基极并通过第三电阻R3后接地GND；
第三三极管Q3的发射极通过第五电阻R5后接地GND；
第五PMOS管MP5的栅极连接第六PMOS管MP6的栅极并连接第一偏置电压V1，其源极连接第四PMOS管MP4的漏极，其漏极连接第四NMOS管MN4的栅极、第三NMOS管MN3的栅极和漏极；
第二PMOS管MP2的栅极连接第一PMOS管MP1的栅极，其源极连接第十七NMOS管MS的漏极、第一PMOS管MP1、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极并连接电源电压VDD，其漏极连接第六PMOS管MP6的源极；
第十八NMOS管MNB的栅极连接第二偏置电压V2，其漏极连接第六PMOS管MP6的漏极并作为所述带隙-误差放大器的输出端，其源极连接第四NMOS管MN4的漏极；
第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4的源极接地GND；
所述自适应阻抗跟随器包括第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第七PMOS管MP7、第六电阻R6、第七电阻Rz、第一电容Cc和第二电容Cz，
第十一NMOS管MN11的栅极连接第十二NMOS管MN12的栅极并连接所述带隙-误差放大器的输出端，其漏极连接第十二NMOS管MN12的漏极并连接电源电压VDD，其源极连接第一PMOS管MP7的栅极和第九NMOS管MN9的漏极；
第七PMOS管MP7的源极通过第六电阻R6后连接电源电压VDD，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极、第五NMOS管MN5的栅极和漏极；
第十NMOS管MN10的栅极连接第九NMOS管MN9的栅极并连接第二偏置电压V2，其源极连接第六NMOS管MN6和第八NMOS管MN8的漏极，其漏极连接第十二NMOS管MN12的源极并作为所述自适应阻抗跟随器的输出端连接所述功率输出级的输入端；
所述功率输出级的输出端作为所述LDO电路的输出端；
第七电阻Rz和第二电容Cz并联，其并联结构一端连接所述带隙-误差放大器中第十八NMOS管MNB的漏极，另一端连接第一电容Cc的一端，第一电容Cc的另一端连接所述LDO电路的输出端；
第七NMOS管MN7的栅极连接第八NMOS管MN8的栅极并连接第三偏置电压V3，其漏极连接第九NMOS管MN9的源极和所述LDO电路的输出端，其源极连接第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6和第八NMOS管MN8的源极并接地GND。
具体的，所述功率输出级包括PMOS功率管MP、第一反馈电阻R7、第二反馈电阻R8、负载电阻R9和负载电容CL，
PMOS功率管的栅极作为所述功率输出级的输入端，其源极连接电源电压VDD，其漏极作为所述功率输出级的输出端；
第一反馈电阻R7和第二反馈电阻R8串联并接在所述功率输出级的输出端和地GND之间，其串联点输出所述反馈电压；
负载电阻R9和负载电容CL并联并接在所述功率输出级的输出端和地GND之间。
具体的，所述启动电路包括第十九NMOS管MNstart，第十九NMOS管MNstart的栅极作为所述启动电路的输入端，其漏极连接电源电压VDD，其源极作为所述启动电路的输出端。
具体的，所述LDO电路还包括偏置电路，用于提供所述第一偏置电压V1、第二偏置电压V2和第三偏置电压V3，所述偏置电路包括第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第十五NMOS管MN15和第十六NMOS管MN16，
第九PMOS管MP9的栅漏短接并连接第八PMOS管MP8的源极，其源极连接电源电压VDD；
第十四NMOS管MN14的漏极连接第八PMOS管MP8的栅极和漏极并输出所述第一偏置电压V1，其栅极连接第十三NMOS管MN13的栅极并输出所述第二偏置电压V2，其源极连接第十六NMOS管MN16的漏极；
第十三NMOS管MN13的漏极连接基准电流I1，其源极连接第十六NMOS管MN16的栅极、第十五NMOS管MN15的栅极和漏极并输出所述第三偏置电压V3；
第十五NMOS管MN15和第十六NMOS管MN16的源极接地GND。
本发明的技术方案的有益效果为：本发明提出的LDO电路在低静态电流的情况下实现了环路稳定以及快速瞬态响应；其中带隙-误差放大器在在普通的带隙放大器的基础上增加了温度补偿电路，不仅可以高效的降低静态电流，同时也对输出电压进行温度补偿；自适应阻抗跟随器在不同的输出负载电流下可以调整自己的输出电阻，在保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度，而且可以大大的降低片外电容值。
附图说明
图1是本发明提出的一种高阶温度补偿的LDO电路的整体电路结构示意图。
图2是本发明提出的一种高阶温度补偿的LDO电路中带隙-误差放大器的电路结构示意图。
图3是本发明提出的一种高阶温度补偿的LDO电路中自适应阻抗跟随器电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图详细描述本发明。
本发明提出的一种含有高阶温度补偿的LDO电路包括启动电路、功率输出级、带隙-误差放大器和自适应阻抗跟随器，与传统LDO将带隙基准和误差放大器分开做不同，本发明提出的带隙-误差放大器将带隙基准与误差放大器集成在一起，只有一个输入端连接反馈电压，如图1和图2所示，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五第四PMOS管MP5、第六第四PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第十七NMOS管MS、第十八NMOS管MNB、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2构成电流镜，第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4构成电流镜；第四三极管Q4的发射级作为带隙-误差放大器的输入端连接反馈电压并通过第四电阻R4后连接第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极、第三三极管Q3的集电极以及启动电路的输出端，其基极连接第二NMOS管MN的漏极、第四PMOS管MP4的栅极、第三PMOS管MP3的栅极和漏极，其集电极连接第十七NMOS管MS的源极；第一NMOS管MN1的栅极连接启动电路的输入端、第二NMOS管MN2和第十七NMOS管MS的栅极并连接使能信号EN，其漏极连接第一PMOS管MP1的漏极，其源极连接第一三极管Q1的集电极；第二三极管Q2的集电极连接第二NMOS管MN2的源极，其发射极通过第一电阻R1后连接第一三极管Q1的发射极和第二电阻R2的一端；第二电阻R2的另一端连接第三三极管Q3的基极并通过第三电阻R3后接地GND；第三三极管Q3的发射极通过第五电阻R5后接地GND；第五PMOS管MP5的栅极连接第六PMOS管MP6的栅极并连接第一偏置电压V1，其源极连接第四PMOS管MP4的漏极，其漏极连接第四NMOS管MN4的栅极、第三NMOS管MN3的栅极和漏极；第二PMOS管MP2的栅极连接第一PMOS管MP1的栅极，其源极连接第十七NMOS管MS的漏极、第一PMOS管MP1、第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4的源极并连接电源电压VDD，其漏极连接第六PMOS管MP6的源极；第十八NMOS管MNB的栅极连接第二偏置电压V2，其漏极连接第六PMOS管MP6的漏极并作为带隙-误差放大器的输出端，其源极连接第四NMOS管MN4的漏极；第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4的源极接地GND。
启动电路主要用于控制系统的上电过程，如图1所示给出了启动电路的一种电路实现结构，包括第十九NMOS管MNstart，第十九NMOS管MNstart的栅极作为启动电路的输入端，其漏极连接电源电压VDD，其源极作为启动电路的输出端。
当电源上电瞬间，电路中存在简并点可能会不启动，此时第十九NMOS管MNstart开启，其栅端接高，第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的栅极以及第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极同时为高，即导通。刚上电时系统没有电流流过第二电阻R2和第三电阻R3，则第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2导通，之后偏置电流出现，然后整个电路正常工作。
带隙-误差放大器中增加了温度补偿第四电阻R4实现了对带隙电压的高阶温度补偿，第四电阻R4与第四三极管Q4的发射极相连作为带隙-误差放大器的输入端接功率输出级输出的反馈电压，第六PMOS管MP6与第十八NMOS管MNB的漏端相连作为带隙-误差放大器的输出端，当反馈电压升高时，带隙-误差放大器的输出升高。
如图1所示给出了功率输出级的一种电路实现结构，包括PMOS功率管MP、第一反馈电阻R7、第二反馈电阻R8、负载电阻R9和负载电容CL，PMOS功率管的栅极作为功率输出级的输入端，其源极连接电源电压VDD，其漏极作为功率输出级的输出端；第一反馈电阻R7和第二反馈电阻R8串联并接在功率输出级的输出端和地GND之间，其串联点输出反馈电压；负载电阻R9和负载电容CL并联并接在功率输出级的输出端和地GND之间。
带隙-误差放大器中第四电阻R4、第五电阻R5和第三三极管Q3组成了高阶温度补偿模块，电路刚开始工作时，第三三极管Q3的阈值电压较高，
Vin＝Vref+IQ3×R4
其中，Vref为第一三极管Q1的基极电压，IQ3为流过第三三极管Q3的发射极电流，VBE_Q2为第二三极管Q2的基极发射极电压，VT(lnN)为工作在不同电流密度下的第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极发射极电压的差值，考虑到版图匹配，N可以为8或15。
当温度逐渐升高时第三三极管Q3导通
可见IQ3既含有正温系数又含有负温系数，只要合理设置第一电阻R1、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5的值即可有效补偿Vref在高温时急剧下降的现象，实现高阶补偿。带隙误差放大器在在普通的带隙放大器的基础上增加了温度补偿电路，经过高温补偿后可将原本随温度变化为抛物线型的输入信号转化为“m”型二阶温度曲线；带隙-误差放大器的输出级由第二PMOS管MP2、第六PMOS管MP6、第十八NMOS管MNB和第四NMOS管MN4组成共源共栅结构提高带隙-误差放大器的输出阻抗。本结构不仅可以高效的降低静态电流，同时也对输出电压进行温度补偿。
自适应阻抗跟随器根据负载电流变化调节PGATE点看到的阻抗，如图1所示，自适应阻抗跟随器包括第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第七PMOS管MP7、第六电阻R6、第七电阻Rz、第一电容Cc和第二电容Cz，第十一NMOS管MN11的栅极连接第十二NMOS管MN12的栅极并连接带隙-误差放大器的输出端，其漏极连接第十二NMOS管MN12的漏极并连接电源电压VDD，其源极连接第一PMOS管MP7的栅极和第九NMOS管MN9的漏极；第七PMOS管MP7的源极通过第六电阻R6后连接电源电压VDD，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极、第五NMOS管MN5的栅极和漏极；第十NMOS管MN10的栅极连接第九NMOS管MN9的栅极并连接第二偏置电压V2，其源极连接第六NMOS管MN6和第八NMOS管MN8的漏极，其漏极连接第十二NMOS管MN12的源极并作为自适应阻抗跟随器的输出端连接功率输出级的输入端；用于频率补偿的第七电阻Rz和第二电容Cz并联，其并联结构一端连接带隙-误差放大器中第十八NMOS管MNB的漏极，另一端连接第一电容Cc的一端，第一电容Cc的另一端连接LDO电路的输出端；第七NMOS管MN7的栅极连接第八NMOS管MN8的栅极并连接第三偏置电压V3，其漏极连接第九NMOS管MN9的源极和LDO电路的输出端，其源极连接第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6和第八NMOS管MN8的源极并接地GND。
如图3所示，当负载电流很小时，自适应阻抗跟随器的输入端Gain Node电位较高，其输出端PGATE和第七PMOS管MP7的栅电位跟随其输入端Gain Node，也比较高，此时采样管第七PMOS管MP7不导通，电流很小，同时第五NMOS管MN5和第六NMOS管MN6构成电流镜，在版图中匹配性良好，静态情况下第十二NMOS管MN12流过的静态电流Istatic由第八NMOS管MN8的静态偏置电流提供。当负载电流变大时，自适应阻抗跟随其的输入端Gain Node、输出端PGATE和第七PMOS管MP7的栅电位都逐渐降低，采样管第七PMOS管MP7逐渐导通，流过第五NMOS管MN5的电流逐渐增大，因此流过第六NMOS管MN6的电流逐渐增大，此时流过第十二NMOS管MN12的电流由第八NMOS管MN8和第六NMOS管MN6一起提供，即第十二NMOS管MN12流过的静态电流Istatic和动态电流Idynamic，动态电流Idynamic在电路发生动态变化时如由轻载变成重载时将PMOS功率管MP栅极下拉，增加带载能力；而源跟随器的输出阻抗和偏置电流成反比，因此源跟随器输出阻抗变低。源跟随器增大的偏置电流可以实现功率管栅电容的快速充放电，极大的提高系统的瞬态响应性能。而且环路的带宽和输出电流大小成反比，这可以使功率管栅极的极点再向高频移动，确保此处环路的稳定性。
一些实施例中第一偏置电压V1、第二偏置电压V2和第三偏置电压V3由偏置电路提供，如图1所示，偏置电路包括第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第十五NMOS管MN15和第十六NMOS管MN16，第九PMOS管MP9的栅漏短接并连接第八PMOS管MP8的源极，其源极连接电源电压VDD；第十四NMOS管MN14的漏极连接第八PMOS管MP8的栅极和漏极并输出第一偏置电压V1，其栅极连接第十三NMOS管MN13的栅极并输出第二偏置电压V2，其源极连接第十六NMOS管MN16的漏极；第十三NMOS管MN13的漏极连接基准电流I1，其源极连接第十六NMOS管MN16的栅极、第十五NMOS管MN15的栅极和漏极并输出第三偏置电压V3；第十五NMOS管MN15和第十六NMOS管MN16的源极接地GND。
应用于高电源电压时，可以选择第十九NMOS管MNstart、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第五PMOS管MP5、第十六NMOS管Ms以及PMOS功率管MP为高压管，确保电路在高压条件下能正常工作。
综上所述，本发明提出了一种含高温补偿的、低静态功耗、高稳定性的的LDO电路，在传统的带隙基准和误差放大器的基础上将带隙基准与误差放大器集成在一起提出了含有高温补偿的带隙误差放大器，不仅实现了高温补偿，而且大大减小了版图面积以及静态功耗，在传统带隙基准电压的基础上利用第三三极管Q3在温度升高时产生高温补偿电流，电流流过第四电阻R4实现了对基准电压的高温补偿，限制基准电压的温度偏移；其次设计了自适应阻抗跟随器，由于结构的特点，环路较少，系统稳定性非常高，自适应阻抗跟随器结构随时根据负载大侠调整输出阻抗，大大减小静态功耗，使得LDO的带载能力较强，而且在低静态电流情况下，可以实现快速响应，同时还可以保证环路稳定性；自适应阻抗跟随器偏置电流由静态部分和动态部分构成，静态电流很小，当自适应阻抗跟随器的电流检测模块检测到输出电流变大会开启动态电流部分，这样LDO在低静态电流情况下保证稳定性的同时增加了电路的瞬态响应速度，优化了瞬态响应。另外带载能力大大小还要由PMOS功率管MP的尺寸决定，PMOS功率管MP的尺寸越大带载能力越强。
本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种含有高阶温度补偿的LDO电路，包括启动电路和功率输出级，其特征在于，所述LDO电路还包括带隙-误差放大器和自适应阻抗跟随器，
所述带隙-误差放大器包括第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五第四PMOS管(MP5)、第六第四PMOS管(MP6)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第十七NMOS管(MS)、第十八NMOS管(MNB)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)，
第四三极管(Q4)的发射级作为所述带隙-误差放大器的输入端连接反馈电压并通过第四电阻(R4)后连接第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)的基极、第三三极管(Q3)的集电极以及所述启动电路的输出端，其基极连接第二NMOS管(MN)的漏极、第四PMOS管(MP4)的栅极、第三PMOS管(MP3)的栅极和漏极，其集电极连接第十七NMOS管(MS)的源极；
第一NMOS管(MN1)的栅极连接所述启动电路的输入端、第二NMOS管(MN2)和第十七NMOS管(MS)的栅极并连接使能信号(EN)，其漏极连接第一PMOS管(MP1)的漏极，其源极连接第一三极管(Q1)的集电极；
第二三极管(Q2)的集电极连接第二NMOS管(MN2)的源极，其发射极通过第一电阻(R1)后连接第一三极管(Q1)的发射极和第二电阻(R2)的一端；
第二电阻(R2)的另一端连接第三三极管(Q3)的基极并通过第三电阻(R3)后接地(GND)；
第三三极管(Q3)的发射极通过第五电阻(R5)后接地(GND)；
第五PMOS管(MP5)的栅极连接第六PMOS管(MP6)的栅极并连接第一偏置电压(V1)，其源极连接第四PMOS管(MP4)的漏极，其漏极连接第四NMOS管(MN4)的栅极、第三NMOS管(MN3)的栅极和漏极；
第二PMOS管(MP2)的栅极连接第一PMOS管(MP1)的栅极，其源极连接第十七NMOS管(MS)的漏极、第一PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的源极并连接电源电压(VDD)，其漏极连接第六PMOS管(MP6)的源极；
第十八NMOS管(MNB)的栅极连接第二偏置电压(V2)，其漏极连接第六PMOS管(MP6)的漏极并作为所述带隙-误差放大器的输出端，其源极连接第四NMOS管(MN4)的漏极；
第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4)的源极接地(GND)；
所述自适应阻抗跟随器包括第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第十二NMOS管(MN12)、第七PMOS管(MP7)、第六电阻(R6)、第七电阻(Rz)、第一电容(Cc)和第二电容(Cz)，
第十一NMOS管(MN11)的栅极连接第十二NMOS管(MN12)的栅极并连接所述带隙-误差放大器的输出端，其漏极连接第十二NMOS管(MN12)的漏极并连接电源电压(VDD)，其源极连接第一PMOS管(MP7)的栅极和第九NMOS管(MN9)的漏极；
第七PMOS管(MP7)的源极通过第六电阻(R6)后连接电源电压(VDD)，其漏极连接第六NMOS管(MN6)的栅极、第五NMOS管(MN5)的栅极和漏极；
第十NMOS管(MN10)的栅极连接第九NMOS管(MN9)的栅极并连接第二偏置电压(V2)，其源极连接第六NMOS管(MN6)和第八NMOS管(MN8)的漏极，其漏极连接第十二NMOS管(MN12)的源极并作为所述自适应阻抗跟随器的输出端连接所述功率输出级的输入端；
所述功率输出级的输出端作为所述LDO电路的输出端；
第七电阻(Rz)和第二电容(Cz)并联，其并联结构一端连接所述带隙-误差放大器中第十八NMOS管(MNB)的漏极，另一端连接第一电容(Cc)的一端，第一电容(Cc)的另一端连接所述LDO电路的输出端；
第七NMOS管(MN7)的栅极连接第八NMOS管(MN8)的栅极并连接第三偏置电压(V3)，其漏极连接第九NMOS管(MN9)的源极和所述LDO电路的输出端，其源极连接第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)和第八NMOS管(MN8)的源极并接地(GND)。
2.根据权利要求1所述的含有高阶温度补偿的LDO电路，其特征在于，所述功率输出级包括PMOS功率管(MP)、第一反馈电阻(R7)、第二反馈电阻(R8)、负载电阻(R9)和负载电容(CL)，
PMOS功率管的栅极作为所述功率输出级的输入端，其源极连接电源电压(VDD)，其漏极作为所述功率输出级的输出端；
第一反馈电阻(R7)和第二反馈电阻(R8)串联并接在所述功率输出级的输出端和地(GND)之间，其串联点输出所述反馈电压；
负载电阻(R9)和负载电容(CL)并联并接在所述功率输出级的输出端和地(GND)之间。
3.根据权利要求1所述的含有高阶温度补偿的LDO电路，其特征在于，所述启动电路包括第十九NMOS管(MNstart)，第十九NMOS管(MNstart)的栅极作为所述启动电路的输入端，其漏极连接电源电压(VDD)，其源极作为所述启动电路的输出端。
4.根据权利要求1所述的含有高阶温度补偿的LDO电路，其特征在于，所述LDO电路还包括偏置电路，用于提供所述第一偏置电压(V1)、第二偏置电压(V2)和第三偏置电压(V3)，所述偏置电路包括第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十三NMOS管(MN13)、第十四NMOS管(MN14)、第十五NMOS管(MN15)和第十六NMOS管(MN16)，
第九PMOS管(MP9)的栅漏短接并连接第八PMOS管(MP8)的源极，其源极连接电源电压(VDD)；
第十四NMOS管(MN14)的漏极连接第八PMOS管(MP8)的栅极和漏极并输出所述第一偏置电压(V1)，其栅极连接第十三NMOS管(MN13)的栅极并输出所述第二偏置电压(V2)，其源极连接第十六NMOS管(MN16)的漏极；
第十三NMOS管(MN13)的漏极连接基准电流(I1)，其源极连接第十六NMOS管(MN16)的栅极、第十五NMOS管(MN15)的栅极和漏极并输出所述第三偏置电压(V3)；
第十五NMOS管(MN15)和第十六NMOS管(MN16)的源极接地(GND)。
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