CN113050747A

CN113050747A - 基准电压电路

Info

Publication number: CN113050747A
Application number: CN201911365483.4A
Authority: CN
Inventors: 柳婧; 王文情
Original assignee: BYD Semiconductor Co Ltd
Current assignee: BYD Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2019-12-26
Filing date: 2019-12-26
Publication date: 2021-06-29
Anticipated expiration: 2039-12-26
Also published as: CN113050747B

Abstract

本申请公开了一种基准电压电路，包括第一电压单元和第二电压单元，所述第一电压单元的工作电压高于所述第二电压单元的工作电压；所述第一电压单元包括第一电流镜，所述第一电流镜至少包括两条电流输出支路，其中一条所述电流输出支路为第一电流输出支路，另一条所述电流输出支路为第二电流输出支路，所述第一电流输出支路上串联有分压电阻，所述分压电阻两端设置有电压输出端；所述第二电压单元包括第二电流镜和基准电压输出模块，所述第二电流镜用于从设置所述第一电流输出支路抽取电流，所述基准电压输出模块用于控制所述第二电流输出支路输出修调电流。该方案使修调后的高压基准电压满足所需的精度要求。

Description

基准电压电路

技术领域

本发明一般涉及电路修调技术领域，具体涉及一种基准电压电路。

背景技术

目前其中一种基准电压电路，包括低压修调部分和高压输出部分，一般是通过控制低压修调部分修调电阻的接入来对低压修调部分的输出量(低压基准电压V_b)进行修调，高压输出部分根据低压修调部分的输出量(高压基准电压V_out)进行修调。也即，对低压基准电压V_b的修调会影响到高压基准电压V_out，使得高压基准电压的修调步距电压△V_out会随比例扩大，如下式所示：

其中，△V_b为低压基准电压的修调步距，R₁、R₂为修调电阻，n为自然数。

高压基准电压的修调步距电压△V_out过大，无法满足高压基准电压所需的精度，并且考虑到低压基准电压到高压基准电压的一系列转化电路所引起的偏差，修调后的高压基准电压一般无法达到预期的效果。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种基准电压电路，用以提高高压基准电压的修调精度，使修调后的高压基准电压满足所需的精度要求。

本发明提供一种基准电压电路包括第一电压单元和第二电压单元，所述第一电压单元的工作电压高于所述第二电压单元的工作电压；

所述第一电压单元包括第一电流镜，所述第一电流镜至少包括两条电流输出支路，其中一条所述电流输出支路为第一电流输出支路，另一条所述电流输出支路为第二电流输出支路，所述第一电流输出支路上串联有分压电阻，所述分压电阻两端设置有电压输出端；

所述第二电压单元包括第二电流镜和基准电压输出模块，所述第二电流镜用于从设置所述第一电流输出支路抽取电流，所述基准电压输出模块用于控制所述第二电流输出支路输出修调电流。

进一步地，所述第二电流镜包括多个电流输入端，各所述电流输入端连接于所述分压电阻与所述第一电流镜之间，各所述电流输入端均连接有第一开关元件。

进一步地，所述第一开关元件为三极管或MOS管。

进一步地，各所述电流输入端的修调电流比值为：

I₁:I₂:…:I_n＝2⁰:2¹:…:2^n-1；

其中，I_n为第n条电流输入端的电流，n为自然数。

进一步地，所述基准电压输出模块包括带隙基准电路及第一放大器；

所述带隙基准电路用于向所述第一放大器输入正负温系数电压；

所述第一放大器用于结合所述正负温系数电压，并向所述第二电流输出支路输出基准电压。

进一步地，所述第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻；

所述第二开关元件的源极与所述第一电流镜连接，所述第二开关元件的栅极与所述第一放大器的输出端连接，所述第二开关元件的漏极与所述电阻连接。

进一步地，所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管及第二放大器；

所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的源极连接，所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第一晶体管的漏极接地；

所述第二电阻的第一端与所述第一电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接；

所述第三电阻的第二端与所述第二晶体的源极连接，所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接，所述第二晶体管的漏极接地；

所述第一电阻的第一端及所述第二电阻的第一端均与所述第二放大器的输出端连接，所述第二放大器的正输入端与所述第一晶体管的源极连接，所述第二放大器的负输入端与所述第三电阻的第一端连接。

进一步地，所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管、修调电阻串及第二放大器；

所述修调电阻串包括多个串联的修调电阻，各所述修调电阻一一对应并联有第二开关元件；

所述第一电阻的第一端与所述修调电阻串的其中一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的源极连接，所述第一晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第一晶体管的漏极接地；

进一步地，所述第二开关元件为三极管或MOS管。

进一步地，两所述电压输出端之间设置有与所述分压电阻串联的补偿电阻。

本申请提供的上述方案，通过第二电流镜直接从第一电压单元(也即高压输出部分)的第一电流输出支路抽取电流，通过控制抽取电流的大小以控制分压电阻两端的电压输出端之间的输出电压，该输出电压即为修调后的高压基准电压V_out，通过抽取电流的方式对高压基准电压进行修调，提高了高压基准电压的修调精度，使修调后的高压基准电压满足所需的精度要求。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明其一实施例提供的基准电压电路的原理图；

图2为本发明实施例提供的其中一种带隙基准电路的原理图；

图3为本发明实施例提供的另一种带隙基准电路的原理图；

图4为本发明另一实施例提供的基准电压电路的原理图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

如图1所示，本发明实施例提供的基准电压电路包括第一电压单元和第二电压单元，第一电压单元的工作电压高于第二电压单元的工作电压；例如但不限于，第一电压单元的工作电压大于5V，第二电压单元的工作电压低于5V。

其中，第一电压单元包括第一电流镜，第一电流镜至少包括两条电流输出支路I_b、I_b1、I_b2，其中一条电流输出支路I_b1为第一电流输出支路，另一条电流输出支路I_b为第二电流输出支路，第一电流输出支路上串联有分压电阻R6，分压电阻R6两端设置有电压输出端Vout；该分压电阻R6两端设置的电压输出端用于输出修调后的高电压基准。

第二电压单元包括第二电流镜和基准电压输出模块，第二电流镜用于从设置第一电流输出支路抽取电流，基准电压输出模块用于控制第二电流输出支路输出修调电流。

这里所说的基准电压输出模块用于控制第二电流输出支路输出修调电流，是指基准电压输出模块输出低压基准电压以使第二电流输出支路通路，例如第二电流输出支路上设置有三极管等开关元件，通过基准电压输出模块输出预定的电压使受三极管进行通断控制的第二电流输出支路导通。

上述的第一电流镜、第二电流镜可以但不限于为基本电流镜、栅极滤波电流镜、栅极间低通滤波电流镜、直流反馈电流镜和低通滤波电流镜中的至少一种。

这里所述的抽取电流，是指在一电路支路上连接子支路，使电路支路上的一部分电流流经子支路，以减小电路支路上的电流。

通过第二电流镜直接从第一电压单元(也即高压输出部分)的第一电流输出支路抽取电流，通过控制抽取电流的大小以控制分压电阻R6两端的电压输出端之间的输出电压，该输出电压即为修调后的高压基准电压V_out，通过抽取电流的方式对高压基准电压进行修调，提高了高压基准电压的修调精度，使修调后的高压基准电压满足所需的精度要求。需要说明的是，这里所说的高压、低压并非是对其实际电压值的限定，仅是为了说明，在两个电压相互比较中，其中一个电压大于另外一个电压，而较大的那个称为高压，较小的那个称为低压。

上述方案通过低电压基准对高电压基准进行修调，并且其采用电流模式电流进行修调，使得该电路具有速度快、频带宽、非线性失真小、动态范围大、电源电压低、功耗低的优点。

此外，通过抽取电流来对高压基准进行修调，较采用串联修调电阻的防止对高压基准进行修调至少具有可靠性高，电路构成相对简单、所需电路面积小的优点。采用串联电阻进行高压基准进行修调时，一般通过开关管，例如但不限于MOS管来控制串联修调电阻是否接入电路，但是当某一修调电阻负载的电位高于修调信号的高电平值时，即修调电阻负载的电位高于MOS管的开启电压，使得MOS管栅极相对于源极的电压V_GS<阈值电压V_TH，此时，MOS管的栅极电压达不到开启阈值，修调电阻不能正常可控的接入电路进行高压基准的修调，若要解决该问题，就需要将修调的低压信号转化成高压信号，造成所需的转化电路面积过大，太过于繁琐。

进一步地，为了可以更好地对高电压基准进行修调，以控制高电压基准的电压值，第二电流镜包括多个电流输入端的电流依次为I1、I2……In，各电流输入端连接于分压电阻R6与第一电流镜之间，各电流输入端均连接有第一开关元件，其控制信号依次为T1、T2……Tn。通过第一开关元件的开关作用，以控制电流输入端接入第一电流输出支路的数量，通过接入数量的不同来从第一电流输出支路抽取不同大小的电流。随着抽取电流大小的不同，则分压电阻两端设置的电压输出端输出对应的修调后的高电压基准。

作为其中一种可实现方式，第一开关元件可以为晶体管。该晶体管均可以为三极管或场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor；MOS)，其可以是P型，也可以是N型。P型与N型的主要区别在于，P型为低电平导通，N型为高电平导通。例如但不限于，以下实施例中第一开关元件以NMOS为例进行说明。

进一步地，为例是修调等步距，则各电流输入端的修调电流比值为：

I₁:I₂:…:I_n＝2⁰:2¹:…:2^n-1；

其中，I_n为第n条电流输入端的电流，n为自然数。

进一步地，基准电压输出模块包括带隙基准电路及第一放大器A1；带隙基准电路用于向第一放大器A1输入正负温系数电压；第一放大器A1用于结合正负温系数电压，并向第二电流输出支路输出基准电压。

通过带隙基准电路输出两个具有相反温度系数的电压，即一个输出正温度系统的电压，另一个输出负温度系统的电压，正温度系统的电压和负温度系统的电压输入到第一放大器A1，第一放大器A1对其二者进行线性整合，得到零温度系数的电压，该零温度系数的电压是不受温度所影响的，其可以保证电路运行的稳定性，即使电路温度变化也不会出现温度漂移的问题。

进一步地，第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻R5；第二开关元件的源极与第一电流镜连接，第二开关元件的栅极与第一放大器的输出端连接，第二开关元件的漏极与电阻R5连接。在第二开关元件开启的情况下，第一放大器A1输出的零温度系数的电压作用到电阻R5上，产生需要镜像的电流源，第一电流镜将该电流源复制为多个电流输出，且复制出的多个电流输出的电流值有第一电流镜决定，其可以是等值输出，即第一电流镜各输出的电流与电流源相等，也可以是等比例输出，即第一电流镜各输出的电流及电流源按照一定的比值变化。例如但不限于，作为其中一种可实现方式，电流源为I_o，第一电流镜各输出的电流依次为I_o/2，I_o/4，I_o/8，I_o/16等等。

作为其中一种可实现方式，第二开关元件可以为晶体管。该晶体管均可以为三极管或场效应管，其可以是P型，也可以是N型。P型与N型的主要区别在于，P型为低电平导通，N型为高电平导通。例如但不限于，以下实施例中第二开关元件以NMOS为例进行说明。

进一步地，如图2所示，作为其中一种可实现方式，带隙基准电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2及第二放大器A2；第一电阻R1的第二端与第一晶体管Q1的源极连接，第一晶体管Q1的栅极与第一晶体管Q1的源极连接，第一晶体管Q1的漏极接地；第二电阻R2的第一端与第一电阻R1的第一端连接，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端连接；第三电阻R3的第二端与第二晶体管Q2的源极连接，第二晶体管Q2的栅极与第二晶体管Q2的源极连接，第二晶体管Q2的漏极接地，第一电阻R1的第一端及第二电阻R2的第一端均与第二放大器A2的输出端连接，第二放大器A2的正输入端与第一晶体管Q1的源极连接，第二放大器A2的负输入端与第三电阻R3的第一端连接。

由于第一晶体管Q1与第二晶体管Q2为双极性晶体管，其基极-发射极电压具有负温度系数，第一晶体管Q1与第二晶体管Q2工作在不同的电流密度下，他们的基极-发射极电压差就与绝对温度成正比，那么采用具有正负温度系数的第一晶体管Q1与第二晶体管Q2，通过第二放大器A2对其第一晶体管Q1与第二晶体管Q2进行线性整合，得到零温度系数的电压。

具体地，

其中，V_b为得到零温度系数的电压，V_BE2为第二晶体管Q2基极-发射极电压，V_BE1为第一晶体管Q1基极-发射极电压，R₂为第二电阻，R₃为第三电阻。

对于双极性晶体管来说，其正温度系数公式为：

V_BE1-V_BE2＝V_Tln n (式2)

V_T为正温度系数。

由上式1及式2可以得出，

不难看出，选择一定的电路参数即可得到零温度系数的电压，且该电压受第二电阻R₂与第三电阻R₃的比值的影响，改变第二电阻R₂与第三电阻R₃的大小即可改变零温度系数的电压大小。

进一步地，如图3所示，作为另外一种可实现方式，带隙基准电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、修调电阻串及第二放大器A2；修调电阻串包括多个串联的修调电阻R_T1、R_T2……R_Tn，各修调电阻一一对应并联有第二开关元件，第二开关元件的控制信号依次为T1、T2……Tn，通过第二开关元件的开关作用来控制修调电阻R_T1、R_T2……R_Tn的接入与否；第一电阻R1的第一端与修调电阻串的其中一端连接，第一电阻R1的第二端与第一晶体管Q1的源极连接，第一晶体管Q1的栅极与第一晶体管Q1的源极连接，第一晶体管Q1的漏极接地；第二电阻R2的第一端与第一电阻R1的第一端连接，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端连接；第三电阻R3的第二端与第二晶体Q2的源极连接，第二晶体管Q2的栅极与第二晶体管Q2的源极连接，第二晶体管Q2的漏极接地；第一电阻R1的第一端及所述第二电阻R2的第一端均与第二放大器A2的输出端连接，第二放大器A2的正输入端与第一晶体管Q1的源极连接，第二放大器A2的负输入端与第三电阻R3的第一端连接。

例如，第二开关元件选用NMOS，可以通过T1～Tn信号分别控制对应的NMOS管开启或关闭，来断开或接入相应的修调电阻。其中，T1～Tn信号中高电平控制对应的NMOS管开启，低电平控制对应的NMOS管关闭。

一般地，要求修调步距相等，那么各修调电阻间的比值依次为R_T1:R_T2:…:R_Tn＝2⁰:2¹:…:2^n-1。

当T1～Tn输入为高电平时，对应的第二开关元件开启，则对应的电阻被短路，修调信号视作“0”，低电平时，对应的第二开关元件关闭，修调电阻接入电路，修调信号视作“1”，那么实际接入电路中的电阻值为：

R_T＝T1*R_T1+T2*R_T2+…Tn*R_Tn。

那么，零温度系数的电压

由上式可以得出，通过T1～Tn信号控制修调电压大小的带隙基准电路，其修调步距为：

具体地，作为一种可实现方式，该基准电压电路包括第一电流镜、第二电流镜、多个第一开关元件、第二开关元件、带隙基准电路、第一放大器、分压电阻和接地的电阻等。其中，第二电流镜、带隙基准电路、第一放大器和接地的电阻等组成第二电压单元，第一电流镜、分压电阻等组成第一电压单元。

第一电流镜具有多个电流输出支路，依次为第一电流输出支路、第二电流输出支路及第N电流输出支路，第一电流支路连接分压电阻R6，分压电阻R6的两端为电压输出端Vout，第二电流镜包括多个电流输入端，各电流输入端连接于分压电阻R6与第一电流镜之间，各电流输入端均连接有第一开关元件。第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻R5；第二开关元件的源极与第一电流镜连接，第二开关元件的栅极与第一放大器A1的输出端连接，第二开关元件的漏极与电阻连接。第三电流输出支路与第二电流镜连接。第一放大器A1的正输入端与第二开关元件的漏极连接，第一放大器A1的负输入端与基带基准电路的输入端连接，基带基准电路提供电压Vb。

在该实现方式中，通过T1～Tn信号控制相应的第一开关元件的打开与关闭，实现了n段电压基准修调。具体地，通过通过T1～Tn信号控制来控制相应的第一开关元件的打开与关闭，以从第一电流输出支路抽取对应比例的电流，从而控制电压输出端输出的电压。

为使输出端输出的电压更加精准，且使修调电流与带隙基准电压源电流V_b生成的电流源I_b相匹配，第一电流镜可以采用多级电流镜的结构，使修调电流由电流源I_b通过多级电流镜转化而来。第一电流镜与第二电流镜之间连接第三电流输出支路I_b2进行电流信号传输，由于修调信号为低压信号，I_b2流入低压MOS管组成的第二电流镜，第二电流镜与修调信号共地，保证修调信号能正确地进行修调控制。

第三电流输出支路I_b2通过第二电流镜生成n路的修调电流I₁、I₂……I_n，根据修调等步距的要求，各电流输入端的修调电流的比值为：

I₁:I₂:…:I_n＝2⁰:2¹:…:2^n-1；

同时定义各第一电流输出支路、第二电流输出支路第三电流输出支路流级其中一个电流输入端之间的大小比值

I_b:I_b1＝m:1

I_b:I_b2＝k:1

I_b2:I₁＝j:1

各电流输入端受对应的修调信号控制，当T1～Tn输入为高电平时，修调信号控制NMOS开启，对应的修调电流接入电路视作“1”，低电平时修调信号控制NMOS关断，对应的修调电流被断开，修调信号视作“0”，那么实际接入电路中的电流值为：

I_T＝T₁*I₁+T₂*I₂+…T_n*I_n；

那么，从第一电流输出支路I_b1中抽取修调信号相应的修调电流I_T，得到经过修调后的电流源I_o：

则电压输出端输出的电压为：

从而得到了一个通过T1～Tn信号控制修调电压大小的高压基准修调电路。

其修调步距为：

实际使用中，为了得到精确的修调步距，可以提高第一电流镜及第二电流镜的比例，但是若单机电流镜的比例过大，容易导致电流偏差，因此，第一电流镜及第二电流镜优选小比例多级的电流镜。

进一步地，如图4所示，作为另外一种可实现方式，该基准电压电路包括第一电流镜、第二电流镜、三个第一开关元件，其控制信号依次为T1、T2、T3、其抽取的电流依次为I/64、I/32、I/16。第二开关元件、带隙基准电路、第一放大器A1、分压电阻、补偿电阻和接地的电阻R5等。其中，第二电流镜、带隙基准电路、第一放大器A1和接地的电阻R5等组成第二电压单元，第一电流镜、分压电阻、补偿电阻等组成第一电压单元。

第一电流镜具有三个电流输出支路，依次为第一电流输出支路、第二电流输出支路及第三电流输出支路，第一电流支路连接包括补偿电阻和分压电阻，补偿电阻与分压电阻的两端为电压输出端Vout，第二电流镜包括三个电流输入端，各电流输入端连接于分压电阻R5与第一电流镜之间，各电流输入端均连接有第一开关元件。第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻；第二开关元件的源极与第一电流镜连接，第二开关元件的栅极与第一放大器A1的输出端连接，第二开关元件的漏极与电阻R5连接。第三电流输出支路与第二电流镜连接。第一放大器A1的正输入端与第二开关元件的漏极连接，第一放大器的负输入端与基带基准电路的输入端连接。

为了实现两端修调这一特征，即对基准电压进行向上修调和向下修调，在第一电流输出支路上的一部分电流被抽走后，需要进行补偿，否则电压输出端Vout的基准电压就会出现偏差，可以通过第一电流镜对被抽走的部分原电流补偿，但是，因为被抽走的电流一般比较小，为了得到该较小的电流，需要增大第一电流镜的比例倍数，增大电路面积，使得电流源源头数量增加，后级对应的电流镜数量都需要相应比例增加，造成电路臃肿，而通过设置与分压电阻串联的补充电阻，即可保证得到预定精度的输出电压。

该实现方式中，例如对10V的电压基准进行修调，其中，第二电压单元的地视作0V，第一电压单元的地相对于第二电压单元的地的差值ΔV_G＝5V，带隙基准电路输出2V电压，第二电流镜采用三条电流输入端，实现三段修调，修调信号T1～T3，可以从中心值向两端修调，在修调范围内将电压输出端Vout的基准电压值按一定的步距修小或修大。

T3	T2	T1	电压值(V)
				0	0	0	10.332
0	0	1	10.249
				0	1	0	10.166
0	1	1	10.083
				1	0	0	10
1	0	1	9.916
				1	1	0	9.833
1	1	1	9.75

如上表所示，为了实现两端修调这一特性，修调信号T1～T3初始便给出“100”的信号，即T3控制的第一开关元件处于闭合状况，T1、T2控制的第一开关元件处于断开状态，此时从电流输出支路抽取I/16的电流。为了对该抽取电流的补充，串联了R/6的补偿电阻，其中分压电阻为5R/2。该实现方式中，得到了修调步距为0.0833V，修调范围为0.666V的基准电压电路。

需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims

1.一种基准电压电路，其特征在于，包括第一电压单元和第二电压单元，所述第一电压单元的工作电压高于所述第二电压单元的工作电压；

2.根据权利要求1所述的基准电压电路，其特征在于，所述第二电流镜包括多个电流输入端，各所述电流输入端连接于所述分压电阻与所述第一电流镜之间，各所述电流输入端均连接有第一开关元件。

3.根据权利要求2所述的基准电压电路，其特征在于，所述第一开关元件为三极管或MOS管。

4.根据权利要求2或3所述的基准电压电路，其特征在于，各所述电流输入端的修调电流比值为：

I₁:I₂:…:I_n＝2⁰:2¹:…:2^n-1；

其中，I_n为第n条电流输入端的电流，n为自然数。

5.根据权利要求1或2或3所述的基准电压电路，其特征在于，所述基准电压输出模块包括带隙基准电路及第一放大器；

6.根据权利要求5所述的基准电压电路，其特征在于，所述第二电流输出支路包括第二开关元件和接地的电阻；

7.根据权利要求5所述的基准电压电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管及第二放大器；

8.根据权利要求5所述的基准电压电路，其特征在于，所述带隙基准电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管、修调电阻串及第二放大器；

9.根据权利要求8所述的基准电压电路，其特征在于，所述第二开关元件为三极管或MOS管。

10.根据权利要求1或2或3所述的基准电压电路，其特征在于，两所述电压输出端之间设置有与所述分压电阻串联的补偿电阻。