CN113024511B - 一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用 - Google Patents

一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用。结构如下结构式II的化合物所示，
Figure DDA0002964868580000011
此化合物可作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。

Description

一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用
技术领域：
本发明涉及一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用。
背景技术：
有机电致发光器件主要发光机理主要为：在外界电压驱动下，空 穴和电子克服能垒，分别由阳极和阴极注入到空穴传输层和电子传输 层，在发光层中复合形成激子，激子释放能量并发光，是一种自发光 的装置。这种器件具有轻薄、高对比度、耗电低、响应速度快、可柔 性显示等优点，广泛应用在手机、平板显示器、电视、照明和车载显 示等领域。
有机电致发光器件可以通过调节搭配阴极和阳极之间的有机层 来获得高效、稳定和长寿命的器件，一般的有机层包含空穴注入层、 空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子 注入层。
目前发光层材料有荧光材料、磷光材料和热活化延迟荧光材料， 近年来开发的以硼为中心原子而缩合层的多芳香环化合物可提高发 光效率。空穴阻挡层可以有效地把发光激子限制在发光层区域，而电 子传输材料就是把阴极上的电子传输到发光层的材料。迄今为止，不 论是高分子化合物还是小分子化合物，已经开发了适用于这些层的各 种材料，然而，仍需不断优化器件中包含的各种有机层和开发性能更 好的应用于器件的材料。
发明内容：
本发明正是针对上述问题，提供了一种化合物及其在有机电致发 光器件中的应用。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案，化合物的结构如 如下结构式II的化合物所示，
Figure BDA0002964868560000021
Z1-Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、亚苯基、亚萘 基或联苯基；Ar1-Ar2为取代或者未取代的C6-C30的芳基，取代或者 未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；R4-R11中至少有一个为取代或者 未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1-C20的烷基，取代或者未取代的C6-C30的芳基，取代或未取代的具有C1-C20的烷氧基，取代或未取代的具有C6-C30的芳氧基，取代或未取代的具 有C2-C20的烯基，取代或未取代的具有C3-C30的杂芳基，取代或未取 代的具有C3-C20的烷硅基，取代或未取代的具有C6-C20的芳基硅烷 基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基，亚磺酰基， 磺酰基，膦基中的一种。
优选地，Ar1-Ar2为为苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、蒽 基、苝基、荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、 9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基、吡啶基、 氰基苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种；
R4-R11至少有一个含有吡啶基，其余为氢或苯基；
L表示为苯基或单键。
结构式II包含并不限于以下化合物HB1-HB81中的任意一种，
Figure BDA0002964868560000031
Figure BDA0002964868560000041
Figure BDA0002964868560000051
Figure BDA0002964868560000061
Figure BDA0002964868560000071
Figure BDA0002964868560000081
Figure BDA0002964868560000091
Figure BDA0002964868560000101
Figure BDA0002964868560000111
Figure BDA0002964868560000121
上述化合物可作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中，有机 电致发光器件包括阳极、阴极和有机层，有机层包含一层以上的发光 层、空穴阻挡层和电子传输层，发光层包含如下结构式I的化合物， 空穴阻挡层包含如下结构式II的化合物，电子传输层包含如下结构 式III的化合物；
Figure BDA0002964868560000122
结构式I中，E环和F环为C6-C30的芳基环或C3-C30的杂芳基环， 且芳基环和杂芳基环上至少一个氢可被取代；X1和X2为O、S、 CR20R21、SiR22R23、NR24或者Se；R1-R3为氢，氘，卤素，取代或未 取代的C1-C20的烷基，取代或者未取代的C6-C30的芳基，取代或未取 代的具有C1-C20的烷氧基，取代或未取代的具有C6-C30的芳氧基，取 代或未取代的具有C2-C20的烯基，取代或未取代的具有C3-C30的杂芳 基，取代或未取代的具有C3-C20的烷硅基，取代或未取代的具有C6-C20的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基， 亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种；
结构式II中，Z1-Z3至少有一个为N，其余的为CH；L为单键、 亚苯基、亚萘基或联苯基；Ar1-Ar2为取代或者未取代的C6-C30的芳 基，取代或者未取代的C3-C30的杂芳基中的一种；R4-R11中至少有一 个为取代或者未取代的吡啶基，其余为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1-C20的烷基，取代或者未取代的C6-C30的芳基，取代或未取代的 具有C1-C20的烷氧基，取代或未取代的具有C6-C30的芳氧基，取代或 未取代的具有C2-C20的烯基，取代或未取代的具有C3-C30的杂芳基， 取代或未取代的具有C3-C20的烷硅基，取代或未取代的具有C6-C20的芳基硅烷基，胺基，酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基， 亚磺酰基，磺酰基，膦基中的一种；
结构式III中，Ar3-Ar5为取代或者未取代的C6-C30的芳基，取 代或者未取代的C3-C30的杂芳基中的一种，且至少有一个含有氘原 子；R12-R19为氢，氘，卤素，取代或未取代的C1-C20的烷基，取代 或者未取代的C6-C30的芳基，取代或未取代的具有C1-C20的烷氧基， 取代或未取代的具有C6-C30的芳氧基，取代或未取代的具有C2-C20的烯基，取代或未取代的具有C3-C30的杂芳基，取代或未取代的具有 C3-C20的烷硅基，取代或未取代的具有C6-C20的芳基硅烷基，胺基， 酰基，羰基，羧酸基，酯基，腈，异腈，硫基，亚磺酰基，磺酰基， 膦基中的一种。
优选地，E环和F环选自苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻 吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基中的一种，这些基团中至少 一个氢可以被氘、C1-C12烷基、取代或者未取代C6-C30芳基、取代或 者未取代的C3-C30、二芳香胺、三芳香胺基和咔唑基取代；
R1-R3为氢、氘、氰基、三氟甲基、氟、甲基、乙基、丙基、异 丙基、丁基、叔丁基、异丁基、环己基、金刚烷基、环戊基、正己基、 苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、9,9-二甲基芴基、 9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基、吡啶基、氰基苯基、二苯并 呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、二芳香胺基、三芳香胺基中的一种；
Ar1-Ar5为苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、蒽基、苝基、 荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、9,9-二甲基 芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基、吡啶基、氰基苯基、 二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种，且Ar3，Ar4，Ar5中至少有 一个含有氘原子；
R4-R11至少有一个含有吡啶基，其余为氢或苯基；
L表示为苯基或单键；
R12-R19为氢，氘，甲基，三氘代甲基，三氟甲基，乙基，丙基， 异丙基，丁基，叔丁基，异丁基，氰基，氯，氟或溴。
结构式I包含并不限于以下化合物BD1-BD30中的任意一种，
Figure BDA0002964868560000151
Figure BDA0002964868560000161
Figure BDA0002964868560000171
结构式III包含并不限于以下化合物ET1-ET52中的任意一种，
Figure BDA0002964868560000181
Figure BDA0002964868560000191
Figure BDA0002964868560000201
Figure BDA0002964868560000211
Figure BDA0002964868560000221
Figure BDA0002964868560000231
Figure BDA0002964868560000241
Figure BDA0002964868560000251
所述的有机层除了包含结构式I的发光层、包含结构式II的空穴 阻挡层和包含结构式III的电子传输层外，还可以包含空穴注入层、 空穴传输层、电子阻挡层和电子注入层中的一层或者多层。
发光层中除了具有结构式I的发光材料外，还可以加入萘类化合 物，芘类化合物，芴类化合物，菲类化合物，
Figure BDA0002964868560000261
类化合物，荧蒽类化 合物，蒽类化合物，并五苯类化合物，苝类化合物，二芳乙烯类化合 物，三苯胺乙烯类化合物，胺类化合物，咔唑类化合物，苯并咪唑类 化合物，呋喃类化合物，或有机金属螯合物中的一种以上；具有结构 式I的发光材料为客体发光材料，其余为主体发光材料。
主体发光材料优选蒽类化合物和咔唑类化合物中的一种以上。
发光层可以通过主体材料和客体材料共蒸法来制备，也可事先把 主体和客体材料混合后同时蒸镀。
电子传输层除了包含具有结构式III的电子传输材料外，还含有 一种或以上的锂、钠、钾的有机碱金属化合物。优选的碱金属化合物 为8-羟基喹啉锂。电子传输材料和碱金属化合物的质量量比为 10:90～90:10。
本发明的有机层的总厚度为10-1000nm，发光层厚度为5-200nm， 空穴阻挡层的厚度5-200nm，电子传输层的厚度为10-200nm。
优选为，发光层厚度为15-80nm，空穴阻挡层1-50nm，电子传 输层的厚度为15-60nm。
有机层的每一层，通过真空蒸镀法、分子束蒸镀法、溶于溶剂的 浸涂法、旋涂法、棒涂法或者喷墨打印方式制备。金属电极使用蒸镀 法或者溅射法进行制备。
本发明的有益效果：
1、本发明化合物通过常规的Suzuki反应，合成简单，绿色环保， 产率高的优点。
2、本发明化合物的HOMO能级小于-6.0eV，作为空穴阻挡层， 可以有效地阻挡空穴传输到电子传输层上。
3、本发明化合物引入大共平面地菲基团和两种类型地杂环化合 物，形成不对称化合物，有利于提高材料地热稳定性，有利于化合物 制备无定形膜。
4、本发明的有机电致发光器件，通过引入热活化延迟荧光材料， 可以提高蓝光器件效率，同时，通过引入本发明的空穴阻挡材料和含 氘蒽的电子传输材料，可以把发光激子限制在发光层，也保证了空穴 和电子的平衡，有效提高蓝光器件的效率和寿命，并降低工作电压。
附图说明：
图1本发明的一种有机电致发光器件结构示意图。
其中，110代表为玻璃基板，120代表为阳极，130代表为空穴 注入层，140空穴传输层，150代表为阻挡层，160代表为发光层， 170代表为空穴阻挡层，180代表为电子传输层，190为电子注入层， 200代表为阴极。
图2为实施例5和6的器件的电压与电流密度关系图。
图3为实施例5和6的器件的亮度和电流效率关系图。
图4为实施例5和6的器件寿命衰减图。
图5为实施例5和6的发光光谱图。
具体实施方式：
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，但 下述实施例仅为本发明的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的 实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它 实施例，都属于本发明的保护范围。
实施例1发光材料BD3的合成
BD3为CN 108431984和CN 109155368已经公开的化合物，具 体的合成方法如文献报道的方法进行合成制备：
Figure BDA0002964868560000281
1、中间体1的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入中间体3,5-二溴-4-氯-甲苯 (10g,35.2mmol)，二叔丁基苯胺(21.8g,77.5mmol)，叔丁醇钠(2g， 20mmol)，醋酸钯(0.1g)，三叔丁基膦(2g，10％甲苯溶液)，甲苯 (150ml)，加热回流5小时，冷却，除去溶剂，粗产物经柱层析纯化 得到16.6g，产率69％。
2、化合物BD3的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入中间体1(10g,14.6mmol),叔丁 基苯(150ml)，冷却到-30℃下向滴加1.6M的叔丁基锂戊烷溶液 (18.2ml，29.2mmol)。滴加结束后，升温至60℃反应1小时后。冷却 至-30℃，滴加三溴化硼(7.3g，29.2mmol)，升温至室温为止后搅拌0.5小时。然后，冷却至0℃加入N,N-二异丙基乙胺(3.8g，29.2mmolml)， 在室温下搅拌至发热结束后，升温至120℃加热搅拌2小时。冷却， 用乙酸钠水溶液猝灭，再用乙酸乙酯萃取分液。粗产物经柱层析分离， 再用氯苯进行结晶，得到产物2g，产率21％。HRMS(ESI,m/z): [M+H]+:659.4200。
实施例2空穴阻挡层材料HB 8的合成
Figure BDA0002964868560000291
1、中间体2的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入2-氯-9-溴-菲(5g，17.1mmol)， 2,4-二苯基-6-(3-苯基硼酸频哪酯)-1,3,5-三嗪(7.5g，17.1mmol)和碳 酸钾(5.5g，40mmol)，再加入甲苯(50mL)，乙醇(20mL)和去离 子水(20mL)，四三苯基膦钯(0.1g)，加热回流反应5h，冷却，过滤，滤饼水洗至中性，烘干，再用甲苯重结晶，过滤，干燥，得到 7.3g产品，收率82％。HRMS(ESI,m/z):[M+H]+:520.1583。
2、化合物HB 8的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入中间体2(2g，3.85mmol)，3-吡 啶频哪醇硼酸酯(1g，5mmol)和碳酸钾(1.4g，10mmol)，再加入 甲苯(20mL)，乙醇(10mL)和去离子水(10mL)，醋酸钯(0.05g) 和X-phos(0.1g)，加热回流反应5h，冷却，过滤，滤饼水洗至中性， 烘干，再用甲苯重结晶，过滤，干燥，得到1.4g产品，收率63％。 元素分析：C40H26N4，C,85.36；H,4.65；N,9.99，HRMS(ESI,m/z): [M+H]+:563.2239。
实施例3空穴阻挡层HB75的合成
Figure BDA0002964868560000301
1、中间体3的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入2-氯-10-溴-菲(5g，17.1mmol)， 4-(联苯-4-基)-2-苯基-6-(3-苯基硼酸频哪酯)-嘧啶(8.7g，17.1mmol) 和碳酸钾(5.5g，40mmol)，再加入甲苯(50mL)，乙醇(20mL)和 去离子水(20mL)，四三苯基膦钯(0.1g)，加热回流反应5h，冷却，过滤，滤饼水洗至中性，烘干，再用甲苯重结晶，过滤，干燥，得到 7.5g产品，收率74％。HRMS(ESI,m/z):[M+H]+:595.1944。
2、化合物HB75的合成
在氮气保护下，往烧瓶中加入中间体3(2.5g，4.2mmol)，3-吡 啶频哪醇硼酸酯(1.1g，5.5mmol)和碳酸钾(1.4g，10mmol)，再加 入甲苯(20mL)，乙醇(10mL)和去离子水(10mL)，醋酸钯(0.05g) 和X-phos(0.1g)，加热回流反应5h，冷却，过滤，滤饼水洗至中性，烘干，再用甲苯重结晶，过滤，干燥，得到2.2g产品，收率82％。 元素分析：C40H26N4，C,88.48；H,4.91；N,6.60，HRMS(ESI,m/z): [M+H]+:638.2591。
实施例4电子传输层ET22的合成
Figure BDA0002964868560000311
在反应瓶中，加入9-溴-10-(氘代苯基)-蒽(1.5g，4.5mmol)，2-(1-萘基)-4-苯基-6-[3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基) 苯基]-1，3，5-三嗪(2.2g，4.5mmol)，碳酸钾(1.4g，10mmol)，甲 苯(30ml)，乙醇(10ml)，水(10ml)，四三苯基膦钯(0.1g)，氮气 保护下，加热回流5小时，冷却，加入甲苯(300ml)，分液，有机相 干燥，浓缩，固体用甲苯重结晶，得到固体2.2g，产率81％。元素分 析：C45H24D5N3，C,87.62；H,5.54；N,6.84，MS(ESI,m/z):[M+H]+: 617.2731。
接下来进行有机电致发光器件的制备，结构示意图见图1，具体 器件结构如下：玻璃/阳极(ITO)/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL) /电子阻挡层(EBL)/发光层(主体材料BH:蓝色发光材料BD，重量 比为97：3)/电子阻挡层/(HBL)/电子传输层(电子传输材料:8-羟基 喹啉锂，重量比为50：50)/电子注入层(LiF)/阴极(Al)。
实施例5
1、将透明导电ITO玻璃基板110(上面带有阳极120)(中国南 玻集团股份有限公司)在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗， 再依次经过乙醇，丙酮和去离子水洗净，在洁净环境下烘烤至完全除 去水分，用紫外光合臭氧清洗，再用氧等离子处理30秒。
2、把上述带有阳极的玻璃基片至于真空腔内，抽真空，在ITO 上面蒸镀HIL(5nm)作为空穴注入层130，蒸镀速率为0.1nm/s。
Figure BDA0002964868560000321
3、在空穴注入层上面蒸镀化合物HT，形成80nm厚的空穴传输 层140，蒸镀速率为0.1nm/s。
Figure BDA0002964868560000331
4、在空穴传输层上面蒸镀EB，形成10nm厚的电子阻挡层150。 蒸镀速率为0.1nm/s。
Figure BDA0002964868560000332
5、在空穴阻挡层上蒸镀30nm厚的发光层160，其中，BH为主 体发光材料，而以3％重量比的BD3作为掺杂客体材料，蒸镀速率为 0.1nm/s。
Figure BDA0002964868560000333
6、在发光层上蒸镀HB 8，形成10nm厚空穴阻挡层170，蒸镀 速率为0.1nm/s。
Figure BDA0002964868560000341
7、在空穴阻挡层层上面蒸镀25nm厚的ET1和LiQ，(ET1：LiQ， 重量比为50：50)作为电子传输层180。蒸镀速率为0.1nm/s，
Figure BDA0002964868560000342
8、蒸镀1nmLiF为电子注入层190和Al作为器件阴极200， 制备得到器件。
实施例6
去实施例5的区别为，空穴阻挡层为HB75，电子传输层用ET22。
对比例1
与实施例5的区别仅在于，没有空穴阻挡层，只有用BmPYPB 和LiQ作为电子传输层，具体的器件结构为：
玻璃/阳极(ITO)/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/电 子阻挡层(EBL)/发光层(主体材料BH:蓝色发光材料BD，重量比 为97：3)/电子传输层(电子传输材料:8-羟基喹啉锂，重量比为50： 50)/电子注入层(LiF)/阴极(Al)。
Figure BDA0002964868560000351
对比例2
与实施例5的区别仅在于，用HB-A代替实施例5的HB8，用 ET-B代替ET22。
Figure BDA0002964868560000352
对比例3
与实施例5的区别仅在于，用化合物BD-A代替实施例5步骤5 的BD3作为发光层160。
Figure BDA0002964868560000353
将本发明实施例5和6和对比例1-3所制备的器件用Photo Research PR650光谱仪测得在10mA/cm2的电流密度下的工作电压， 亮度，效率，以及50mA/cm2下亮度衰减到95％的寿命，具体如表1 所示。图2为实施例5-6的电压与电流密度关系图；图3为实施例5-6 的亮度与电流效率关系图，图4为50mA/cm2下的亮度衰变关系图， 图5为实施例5和6的发射光谱图。
表1
Figure BDA0002964868560000361
由表1、图2和图3的实验数据可以看出，本发明的有机电致发 光器件在相同的电流密度下，工作电压比现有技术对比例1-3低，亮 度高，效率得到提升。本发明的器件通过增强电子注入和空穴阻挡， 可以有效地把电子和空穴在发光层结合，制备的器件具有更低的工作 电压，消耗较小的功耗，提高器件的效率和寿命。同时，本发明含有 结构式III的材料可以作为空穴阻挡材料或者电子传输材料，应用在 器件上，可以提高器件效率和延长寿命。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的 普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思做出诸多修 改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技 术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方 案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims (8)

1.一种化合物，其特征在于，结构如下结构式II的化合物所示，
Figure FDA0003711210000000011
Z1-Z3中两个以上为N，其余的为CH；L为亚苯基；Ar1-Ar2为苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、蒽基、苝基、荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基中的一种；R4-R11中至少有一个为吡啶基，其余为氢，氘，卤素。
2.一种权利要求1所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，作为空穴阻挡层应用于有机电致发光器件中。
3.根据权利要求2所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，有机电致发光器件包括阳极、阴极和有机层，有机层包含一层以上的发光层、空穴阻挡层和电子传输层，发光层包含如下结构式I的化合物，空穴阻挡层包含如下结构式II的化合物，电子传输层包含如下结构式III的化合物；
Figure FDA0003711210000000021
结构式I中，E环和F环为C6-C30的芳基环或C3-C30的杂芳基环，且芳基环和杂芳基环上至少一个氢被取代；X1和X2为O、S或者Se；R1-R3为氢、氘、氰基、三氟甲基、氟、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、异丁基、环己基、金刚烷基、环戊基、正己基、苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基、吡啶基、氰基苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、二芳香胺基、三芳香胺基中的一种；
结构式II中，Z1-Z3中两个以上为N，其余的为CH；L为亚苯基；Ar1-Ar2为苯基、1-萘基、2-萘基、联苯基、菲基、蒽基、苝基、荧蒽基、苯基萘基、萘基苯基、二苯基苯基、苯并菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺芴基、苯并菲基中的一种；R4-R11中至少有一个为吡啶基，其余为氢，氘，卤素。
4.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，E环和F环选自苯环、萘环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、咔唑环中的一种，这些基团中至少一个氢被氘、C1-C12烷基、C6-C30芳基、C3-C30、二芳香胺、三芳香胺基和咔唑基取代；
R12-R19为氢，氘，甲基，三氘代甲基，三氟甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，叔丁基，异丁基，氰基，氯，氟或溴。
5.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述的有机层除了包含结构式I的发光层、包含结构式II的空穴阻挡层和包含结构式III的电子传输层外，还包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和电子注入层中的一层或者多层。
6.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，发光层中除了具有结构式I的发光材料外，还加入萘类化合物，芘类化合物，芴类化合物，菲类化合物，
Figure FDA0003711210000000031
类化合物，荧蒽类化合物，蒽类化合物，并五苯类化合物，苝类化合物，二芳乙烯类化合物，三苯胺乙烯类化合物，胺类化合物，咔唑类化合物，苯并咪唑类化合物，呋喃类化合物，或有机金属螯合物中的一种以上；具有结构式I的发光材料为客体发光材料，其余为主体发光材料。
7.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，电子传输层除了包含具有结构式III的电子传输材料外，还含有一种有机碱金属化合物8-羟基喹啉锂，电子传输材料和8-羟基喹啉锂的质量比为10:90～90:10。
8.根据权利要求3所述的化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，有机层的总厚度为10-1000nm，发光层厚度为5-200nm，空穴阻挡层的厚度5-200nm，电子传输层的厚度为10-200nm。
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