CN113024249B - 微波介质陶瓷复合材料及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LiZnV1.013O4‑LiCa2Mg2V3O12微波介质陶瓷复合材料及制备方法，其陶瓷材料主晶相为LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12。利用Li2CO3、ZnO、NH4VO3、CaCO3、MgO等原料成分，分别在650℃、700℃下煅烧得到纯相LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12，再将两相按不同比例分组配料，经球磨、造粒、压片、烧结后，得到(1‑x)LiZnV1.013O4‑xLiCa2Mg2V3O12(x=0.15～0.3)，该复合材料介电常数范围是8.1～8.9，品质因数范围是11251～20980，谐振频率温度系数范围是‑9～28。

Description

微波介质陶瓷复合材料及制备方法
技术领域
本发明属于电子陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有低烧结温度、低介电常数及近零谐振频率温度系数的LiZnV1.013O4-LiCa2Mg2V3O12陶瓷复合材料及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷由于其在微波频段具有适中的介电常数、较低的介电损耗、以及良好的温度稳定性，同时拥有易于集成、价格低廉等优点，被广泛应用于谐振器、滤波器、介质基片、介质天线、介质导波回路等器件中，是便携式电话、军事雷达、电子计算机等领域中的关键材料。由于现代通讯技术的高速发展，微波通讯技术向毫米波延伸，介质材料需要在极高频的毫米波段下有很高的传输速率、较强的选频特性以及可靠地工作稳定性。这意味着对这部分介质材料微波介电性能的主要要求为：较低的介电常数(εr＜20)、极低的介质损耗(tanδ＜2×104，f～10GHz)、近零的谐振频率温度系数(-10×10-6℃＜τf＜+10×10-6℃)[2]。目前，电子元器件集成的主要方式是低温共烧陶瓷技术(LTCC)，而其电极一般为导电性能优良的Ag、Cu等，所以，烧结温度低于Ag与Cu的熔点(分别为961℃、1083℃)且不与Ag、Cu反应的陶瓷材料成为介质材料的研究重点。钒酸盐材料由于其优良的介电性能、与金属电极良好的兼容性，较低的烧结温度，近年来受到了广泛关注。
LiZnVO4介电常数低，同时烧结温度仅有750℃，是LTCC技术合适的材料，但是其τf值为-110ppm/℃，影响了其在实际应用中的稳定性，所以需要一种具有正谐振频率温度系数的陶瓷材料与其复合，得到τf值近零的材料。通常用来调节负谐振频率温度系数材料的物质一般为CaTiO3等，但这些物质通常微波介电性能较差，同时烧结温度较高，引入这些物质会导致基体材料介电性能降低，烧结温度升高。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种具有正τf值，同时烧结温度相对较低的微波介质陶瓷复合材料，该复合材料的结构为(1-x)LiZnV1+yO4-xLiCa2Mg2V3O12，x为0.15-0.3，y为-0.02～0.02。
作为优选方案所述的x为0.15、0.2、0.25、或0.3。当y＝0.013时，将x值设计为0.15、0.2、0.25、0.3，进而有四组样品，这一系列陶瓷材料的介电常数范围是8.1～8.9，品质因数范围是11251～20980，谐振频率温度系数范围是-9～28。所述的y为-0.039、-0.026、-0.013、0、0.013、0.026、或0.039。
复合材料的结构为LiZnV1.013O4-LiCa2Mg2V3O12。
该复合材料包括如下步骤：
(1)将Li2CO3、ZnO与NH4VO3在乙醇中，以氧化锆为球磨介质经球磨后得到混合浆料1；Li2CO3、CaCO3、MgO与NH4VO3在乙醇中，以氧化锆为球磨介质经球磨后得到混合浆料2；球磨条件为球、料、水重量比为5∶1∶2，球磨条件为200r/min、6h、每30min转换正反转方向；
(2)将步骤(1)中球磨后的两种混合浆料分别置于真空干燥箱内于80-90℃烘干、研磨过60目筛，得到粉料1及粉料2；
(3)将步骤(2)中得到的两种粉料分别倒入坩埚中，置于烧结炉中煅烧；
(4)将步骤(3)中的煅烧后粉料经混合后倒入尼龙罐中，加入氧化锆球与无水乙醇，置于行星球磨罐中球磨；粉料1的煅烧条件为以2-4℃/min升温至600-700℃，煅烧3-5h；粉料2的煅烧条件为以2-4℃/min升温至780-750℃，煅烧3-5h。
(5)将步骤(4)球磨后的浆料置于真空干燥箱内于80-90℃烘干、研磨过60目筛；
(6)将步骤(5)中的粉料加入PVA水溶液(PVA水溶液的质量分数为粉料质量5-8％wt)，研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择60目-120目筛的颗粒压片后烧结(压片条件为将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片)。烧结条件为2-3℃/min升至580-650℃保温2-3h排胶，之后以3-5℃/min升至750℃～810℃，保温3-4h。将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
本发明利用LiCa2Mg2V3O12与LiZnV1.013O4复合，既可以得到谐振频率温度系数近零的复合材料，又不会使烧结温度显著提高。
本发明得到的产品的介电常数范围是8.1～8.9，品质因数范围是11251～20980，谐振频率温度系数范围是-9～28，(1-x)LiZnV1.013O4-xLiCa2Mg2V3O12中x＝0.2时，烧结温度770℃，介电常数为8.3，品质因数为20980，谐振频率温度系数为+2ppm/℃；
本发明解决了LiZnV1.013O4具有较大正τf值影响实际应用的问题，复合陶瓷0.8LiZnV1.013O4-0.2LiCa2Mg2V3O12的τf值仅为+2ppm/℃，同时烧结温度为770℃，远低于Ag的熔点，且与Ag有良好的化学兼容性。
附图说明
附图1为本发明实施例2制备得到的LiZnV1+yO4陶瓷材料的XRD图谱。
附图2为本发明实施例2制备得到的LiZnV1+yO4陶瓷材料的扫描电镜附图及晶粒尺寸情况，(a)y＝-0.039；(b)y＝-0.026；(c)y＝-0.013；(d)y＝0；(e)y＝0.013；(f)y＝0.026；(g)y＝0.039。
附图3为本发明实施例2制备得到的LiZnV1+yO4陶瓷材料的相对密度附图。
附图4为本发明实施例2制备得到的LiZnV1+yO4陶瓷材料的微波介电性能附图。
附图5为本发明实施例3-6制备得到的复合陶瓷材料的XRD图谱。
附图6为本发明实施例3-6制备得到的复合陶瓷材料的扫描电镜附图。
附图7为本发明实施例3-6制备得到的复合陶瓷材料的相对密度附图。
附图8为本发明实施例3-6制备得到的复合陶瓷材料的微波介电性能附图。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施例进行详细阐述，以使LiZnV1.013O4-LiCa2Mg2V3O12复合陶瓷的性能及制备过程被更深入的了解，包括LiCa2Mg2V3O12与LiZnV1+yO4各自的预合成及两者的复合烧结。
实施例1
LiCa2Mg2V3O12预烧粉体制备过程如下：
(1)将用于合成LiCa2Mg2V3O12的原料称重混粉，称量质量见下表1，之后倒入不同的尼龙球磨罐中，以氧化锆球为球磨介质，无水乙醇为溶剂，在行星球磨机中进行湿法球磨，球、料、水重量比为5∶1∶2，球磨条件为200r/min、6h、每30min转换正反转方向，
表1.LiCa2Mg2V3O12配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000031
(2)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干至恒重(需10h)，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
(3)将过筛后粉料倒入氧化铝坩埚中置于马弗炉中煅烧，700℃煅烧3h；
(4)将煅烧后部分结块的粉料捣碎，研磨成粉，为复合阶段做准备。
实施例2：
LiZnV1+yO4陶瓷材料及其制备过程如下：
(1)将用于合成LiZnV1+yO4的原料称重混粉，称量质量见下表2，之后倒入不同的尼龙球磨罐中，以氧化锆球为球磨介质，无水乙醇为溶剂，在行星球磨机中进行湿法球磨，球、料、水重量比为5∶1∶2，球磨条件为200r/min、6h、每30min转换正反转方向；
表2.LiZnV1+yO4(y＝-0.039～0.039)配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000041
(2)将球磨后的浆料分别倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干至恒重(需10h)，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
(3)将过筛后的七组粉料分别倒入氧化铝坩埚中置于马弗炉中煅烧，650℃煅烧4h；
(4)将煅烧后部分结块的粉料捣碎，研磨成粉；
(5)将上述经过预合成处理的LiZnV1+yO4粉末二次球磨，球磨条件同预合成一致；
(6)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干10h，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
(7)将粉料称量后倒入研钵中，分批次加入质量分数为粉料质量8％wt的PVA水溶液，并不断用研杵研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择其中能通过60目筛但通不过120目筛的颗粒进行下一步；
(8)将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片；
(9)将压片样品置于箱式电阻炉中烧结，以3℃/min升至600℃保温2h排胶，之后以5℃/min升至750℃，保温4h，最后随炉冷却；
(10)将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；
(11)将φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
(12)将φ12×6mm圆柱样品系在细线一端，利用排水法测量体密度，利用XRD图谱精修后得到的理论密度，得出样品相对密度，即相对密度＝体密度÷理论密度；
(13)将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；
附图1为LiZnV1+yO4(y＝-0.039～0.039)的XRD衍射图谱，随着y值的变化，所有样品图谱的峰与LiZnVO4卡片PDF#00-038-1332完全对应，陶瓷样品均呈现单一晶相，并无第二相生成，这表明V元素的微量增加或减少都不会改变材料的物相组分。
附图2为LiZnV1+yO4陶瓷材料的扫描电镜附图及晶粒尺寸情况，可以看出，随着y的增大，样品平均晶粒尺寸不断增大；当y的值在-0.013-0.013之间时，显微组织的气孔及孔隙较少，晶粒生长较为均匀。
附图3为LiZnV1+yO4陶瓷材料的相对密度情况，可以看出样品的相对密度都在90％以上，随着y值增大，样品相对密度先增大后减小。
附图4为LiZnV1+yO4陶瓷材料的微波介电性能情况，随着y值的增大，介电常数εr和品质因数Q×f值均先增大后减小。根据XRD分析得知，因为y值的变化并不影响物相组成，所以谐振频率温度系数τf值变化不大，在-110ppm/℃上下波动。根据附图4，当y＝0.013时，LiZnV1+yO4的介电性能比较优异，尤其是Q×f值得到了很大的提升，所以，后面的实施例中用LiZnV1.013O4来与LiCa2Mg2V3O12进行复合，以得到谐振频率温度系数τf值近0的复合材料。
实施例3：
0.85LiZnV1.013O4-0.15LiCa2Mg2V3O12复合陶瓷材料及其制备过程如下：
(1)配料、球磨：将预合成的两种粉体按0.85LiZnV1.013O4-0.15LiCa2Mg2V3O12(即x＝0.15)的化学计量比称量配料，之后球磨，球磨条件同预合成一致，称量质量见下表3；
表3. 0.85LiZnV1.013O4-0.15LiCa2Mg2V3O12配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000051
2)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干10h，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
3)将粉料称量后倒入研钵中，分批次加入质量分数为粉料质量8％wt的PVA水溶液，并不断用研杵研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择其中能通过60目筛但通不过120目筛的颗粒进行下一步；
4)将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片；
5)将压片样品置于箱式电阻炉中烧结，以3℃/min升至600℃保温2h排胶，之后以5℃/min升至750℃，保温4h，最后随炉冷却；
6)将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；
7)将φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
8)将φ12×6mm圆柱样品系在细线一端，利用排水法测量体密度，利用XRD图谱精修后得到的理论密度，得出样品相对密度，即相对密度＝体密度÷理论密度；
9)将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；
如附图5所示，实施例3对应的峰仅包含LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12，两相分别对应卡片PDF#00-038-1332和PDF#00-24-1044,意味着无杂相生成，两相能够共烧，即实施例一成功合成了0.85LiZnV1.013O4-0.15LiCa2Mg2V3O12。
如附图6所示，实施例3扫描电镜图中较小颗粒为LiZnV1.013O4，较大颗粒为LiCa2Mg2V3O12，大小颗粒分布均匀，晶界清晰。
如附图7所示，实施例3相对密度为96.1％。
如附图8所示，实施例3介电性能为：介电常数8.1，品质因数19582，谐振频率温度系数-9。
实施例4：
0.8LiZnV1.013O4-0.2LiCa2Mg2V3O12复合陶瓷材料及其制备过程如下：
1)配料、球磨：将预合成的两种粉体按0.8LiZnV1.013O4-0.2LiCa2Mg2V3O12(即x＝0.2)的化学计量比称量配料，之后球磨，球磨条件同预合成一致，称量质量见下表4；
表4. 0.8LiZnV1.013O4-0.2LiCa2Mg2V3O12配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000061
Figure BDA0002997171350000071
2)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干10h，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
3)将粉料称量后倒入研钵中，分批次加入质量分数为粉料质量8％wt的PVA水溶液，并不断用研杵研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择其中能通过60目筛但通不过120目筛的颗粒进行下一步；
4)将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片；
5)将压片样品置于箱式电阻炉中烧结，以3℃/min升至600℃保温2h排胶，之后以5℃/min升至770℃，保温4h，最后随炉冷却；
6)将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；
7)将φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
8)将φ12×6mm圆柱样品系在细线一端，利用排水法测量体密度，在利用XRD图谱精修后得到的理论密度，得出样品相对密度，即相对密度＝体密度÷理论密度；
9)将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；
如附图5所示，实施例4对应的峰仅包含LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12，两相分别对应卡片PDF#00-038-1332和PDF#00-24-1044,意味着无杂相生成，两相能够共烧，即实施例一成功合成了0.8LiZnV1.013O4-0.2LiCa2Mg2V3O12。
如附图6所示，实施例4扫描电镜图中较小颗粒为LiZnV1.013O4，较大颗粒为LiCa2Mg2V3O12，大小颗粒分布均匀，晶界清晰。
如附图7所示，实施例4相对密度为97.4％。
如附图8所示，实施例4介电性能为：介电常数8.3，品质因数20980，谐振频率温度系数2。
实施例5：
0.75LiZnV1.013O4-0.25LiCa2Mg2V3O12复合陶瓷材料及其制备过程如下：
1)配料、球磨：将预合成的两种粉体按0.75LiZnV1.013O4-0.25LiCa2Mg2V3O12(即x＝0.25)的化学计量比称量配料，之后球磨，球磨条件同预合成一致，称量质量见下表5；
表5. 0.75LiZnV1.013O4-0.25LiCa2Mg2V3O12配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000081
2)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干10h，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
3)将粉料称量后倒入研钵中，分批次加入质量分数为粉料质量8％wt的PVA水溶液，并不断用研杵研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择其中能通过60目筛但通不过120目筛的颗粒进行下一步；
4)将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片；
5)将压片样品置于箱式电阻炉中烧结，以3℃/min升至600℃保温2h排胶，之后以5℃/min升至790℃，保温4h，最后随炉冷却；
6)将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；
7)将φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
8)将φ12×6mm圆柱样品系在细线一端，利用排水法测量体密度，在利用XRD图谱精修后得到的理论密度，得出样品相对密度，即相对密度＝体密度÷理论密度；
9)将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；
如附图5所示，实施例5对应的峰仅包含LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12，两相分别对应卡片PDF#00-038-1332和PDF#00-24-1044,意味着无杂相生成，两相能够共烧，即实施例一成功合成了0.75LiZnV1.013O4-0.25LiCa2Mg2V3O12。
如附图6所示，实施例5扫描电镜图中较小颗粒为LiZnV1.013O4，较大颗粒为LiCa2Mg2V3O12，大小颗粒分布均匀，晶界清晰。
如附图7所示，实施例5相对密度为94.3％。
如附图8所示，实施例5介电性能为：介电常数8.6，品质因数16955，谐振频率温度系数15。
实施例6：
0.7LiZnV1.013O4-0.3LiCa2Mg2V3O12复合陶瓷材料及其制备过程如下：
1)配料、球磨：将预合成的两种粉体按0.7LiZnV1.013O4-0.3LiCa2Mg2V3O12(即x＝0.25)的化学计量比称量配料，之后球磨，球磨条件同预合成一致，称量质量见下表6；
表6. 0.7LiZnV1.013O4-0.3LiCa2Mg2V3O12配料表(单位：g)
Figure BDA0002997171350000091
2)将球磨后的浆料倒入玻璃皿中，并置于真空干燥箱内于80℃烘干10h，烘干后的粉料研磨后过60目筛；
3)将粉料称量后倒入研钵中，分批次加入质量分数为粉料质量8％wt的PVA水溶液，并不断用研杵研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择其中能通过60目筛但通不过120目筛的颗粒进行下一步；
4)将符合径粒尺寸要求的粉粒倒入φ12圆柱模具中，在200Mpa压力下双向加压，将粉料压制成φ12×6mm的圆柱及φ12×2mm的圆形薄片；
5)将压片样品置于箱式电阻炉中烧结，以3℃/min升至600℃保温2h排胶，之后以5℃/min升至810℃，保温4h，最后随炉冷却；
6)将烧结的样品全部放入超声清洗器中清洗；
7)将φ12×2mm的圆形薄片在研钵中砸碎研磨成粉体，进行XRD粉末衍射。
8)将φ12×6mm圆柱样品系在细线一端，利用排水法测量体密度，在利用XRD图谱精修后得到的理论密度，得出样品相对密度，即相对密度＝体密度÷理论密度；
9)将φ12×6mm圆柱样品用粗砂纸上下表面磨至平行，测试微波介电性能，之后将一表面用细砂纸和磨抛机打磨抛光，直至表面呈镜像，无水乙醇超声分散，作喷金处理进行SEM表面形貌观察；
如附图5所示，实施例6对应的峰仅包含LiZnV1.013O4与LiCa2Mg2V3O12，两相分别对应卡片PDF#00-038-1332和PDF#00-24-1044,意味着无杂相生成，两相能够共烧，即实施例一成功合成了0.7LiZnV1.013O4-0.3LiCa2Mg2V3O12。
如附图6所示，实施例6扫描电镜图中较小颗粒为LiZnV1.013O4，较大颗粒为LiCa2Mg2V3O12，大小颗粒分布均匀，晶界清晰。
如附图7所示，实施例6相对密度为93.2％。
如附图8所示，实施例6介电性能为：介电常数8.9，品质因数11251，谐振频率温度系数28。
上述的实施例仅为本发明的优选技术方案，而不应视为对于本发明的限制，本发明的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：该复合材料的结构为
(1-x)LiZnV1+yO4-xLiCa2Mg2V3O12，x为0.15-0.3，y为-0.039~0.039。
2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：所述的x为0.15、0.2、0.25、或0.3。
3.根据权利要求2所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：所述的y为-0.039、-0.026、-0.013、0、0.013、0.026、或0.039。
4.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：该复合材料包括如下步骤：
（1）将Li2CO3、ZnO与NH4VO3在乙醇中，以氧化锆为球磨介质经球磨后得到混合浆料1；Li2CO3、CaCO3、MgO与NH4VO3在乙醇中，以氧化锆为球磨介质经球磨后得到混合浆料2；
（2）将步骤（1）中球磨后的两种混合浆料分别置于真空干燥箱内于80-90℃烘干、研磨过60目筛，得到粉料1及粉料2；
（3）将步骤（2）中得到的两种粉料分别倒入坩埚中，置于烧结炉中煅烧；
（4）将步骤（3）中的煅烧后粉料经混合后倒入尼龙罐中，加入氧化锆球与无水乙醇，置于行星球磨罐中球磨；
（5）将步骤（4）球磨后的浆料置于真空干燥箱内于80-90℃烘干、研磨过60目筛；
（6）将步骤（5）中的粉料加入PVA水溶液，研磨，直至粉料聚集成均匀细密的小颗粒，选择60目-120目筛的颗粒压片后烧结。
5.根据权利要求4所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：步骤（3）中粉料1的煅烧条件为以2-4℃/min升温至600-700℃，煅烧3-5h；粉料2的煅烧条件为以2-4℃/min升温至780-750℃，煅烧3-5h。
6.根据权利要求4所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：步骤（6）中的烧结条件为2-3℃/min升至580-650℃保温2-3h排胶，之后以3-5℃/min升至750℃～810℃，保温3-4h。
7.根据权利要求4所述的微波介质陶瓷复合材料，其特征在于：步骤（6）中PVA水溶液的质量分数为粉料质量的5-8wt%。
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