CN113013192A - 电致发光显示器 - Google Patents

电致发光显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN113013192A
CN113013192A CN202011392612.1A CN202011392612A CN113013192A CN 113013192 A CN113013192 A CN 113013192A CN 202011392612 A CN202011392612 A CN 202011392612A CN 113013192 A CN113013192 A CN 113013192A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
display
region
light emitting
optically tunable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011392612.1A
Other languages
English (en)
Inventor
卢炫宗
闵庚睗
郑真亨
高太云
金英旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN113013192A publication Critical patent/CN113013192A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404Matrix technologies
    • G09G2300/0408Integration of the drivers onto the display substrate
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本公开内容涉及一种降低外部光的反射率的电致发光显示器。根据本公开内容的电致发光显示器包括:显示面板,该显示面板包括多个像素,每个像素具有发光区域和非发光区域;以及保护膜,该保护膜使用光可调谐粘合剂附接在显示面板的一个表面上,其中,光可调谐粘合剂包括与发光区域对应的光透射区域和与非发光区域对应的光阻挡区域。

Description

电致发光显示器
技术领域
本公开内容涉及降低外部光的反射率的电致发光显示器。特别地,本公开内容涉及其中通过施加包含光致变色(或“光可调谐”)材料的粘合剂层而无需用于选择性地不同地设定光透射率的光学膜来使发光元件的透射率最大化并且使外部和/或环境光反射率最小化的电致发光显示器。
背景技术
已经以各种形式开发了用于显示图像的装置,例如CRT(阴极射线管)、LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示面板)和电致发光显示器。特别地,电致发光显示器可以包括自发光显示器或弯曲的自发光显示器。例如,显示器可以包括发光显示面板、微型LED显示面板、柔性发光显示面板、柔性微型LED显示面板或量子点发光显示面板,但是不限于此。这样的各种类型的显示器用于根据它们各自的特性来显示各种产品例如计算机、移动电话、银行存款和取款装置(ATM:自动取款机)以及车辆导航系统的图像。
为了解决由于反射诸如日光或室内照明灯的外部光而不能正常地观察显示屏的问题,当前主要使用的显示器可以包括其中堆叠有线性偏振片和四分之一波片的光学材料。
发明内容
就解决上面描述的问题而言,本公开内容的目的是提供一种其中可以在不使用多种光学材料的情况下通过抑制环境光/外部光的反射来正常地观察显示器的图像的电致发光显示器。本公开内容的另一目的是提供一种其中通过去除用于减少外部光的反射的任何附加的光学膜来使总厚度最小化的电致发光显示器。本公开内容的又一目的是通过不采用任何附加的光学膜以确保显示面板的全亮度来提供一种具有低功率特性和高亮度特性的电致发光显示器。
为了实现本公开内容的上述目的,根据本公开内容的一种电致发光显示器包括:显示面板,该显示面板包括多个像素,每个像素具有发光区域和非发光区域;以及保护膜,该保护膜使用光可调谐粘合剂附接在显示面板的一个表面上,其中,光可调谐粘合剂包括与发光区域对应的光透射区域和与非发光区域对应的光阻挡区域。
在一个示例中,光透射区域具有90%或更大的光透射率,并且光阻挡区域具有95%或更大的光吸收率。
在一个示例中,光可调谐粘合剂包括通过照射紫外光而选择性地限定的光阻挡区域。
在一个示例中,显示面板包括:基板,该基板包括多个像素;显示层,该显示层具有设置在基板上的每个像素中的薄膜晶体管和发光元件;以及封装层,该封装层覆盖显示层。
在一个示例中,光可调谐粘合剂沉积在封装层的顶表面上;并且保护膜附接至光可调谐粘合剂上。
在一个示例中,光可调谐粘合剂设置在基板的底表面上;并且保护膜附接至光可调谐粘合剂上。
在一个示例中,电致发光显示器还包括盖板,该盖板利用光可调谐粘合剂附接至封装层上。光可调谐粘合剂沉积在盖板的顶表面上,并且保护膜附接在光可调谐粘合剂上。
在一个示例中,保护膜包括紫外光阻挡膜。
在一个示例中,保护膜包括顺序地堆叠在基板的表面上的紫外光保护涂层和防刮擦涂层。
在一个示例中,保护膜还包括环境反射防止涂层。
在一个示例中,显示面板包括:显示区域,该显示区域被限定在显示面板的中间区域处;以及非显示区域,该非显示区域被限定在围绕显示区域的周边处。光可调谐粘合剂的光阻挡区域被设置为与非发光区域对应。
另外,根据本公开内容的一种电致发光显示器包括:基板;限定在基板上的显示区域和设置在基板上的显示区域的外部的非显示区域;设置在显示区域中的多个像素;设置在像素中的发光区域和围绕像素中的发光区域的非发光区域;设置在基板的一个表面上的光可调谐粘合剂;以及盖板,该盖板利用光可调谐粘合剂附接至基板,其中,光可调谐粘合剂包括与非显示区域和非发光区域对应的光阻挡区域和与发光区域对应的光透射区域。
在一个示例中,光可调谐粘合剂包括光学粘合剂材料和光致变色染料材料。
在一个示例中,光阻挡区域具有95%或更大的可见光吸收率;并且光透射区域具有90%或更大的可见光透射率。
根据本公开内容的电致发光显示器可以不包括用于降低环境光或外部光的反射率的任何附加的光学膜。因此,本公开内容可以提供超薄的电致发光显示器。此外,根据本公开内容,可以不发生由光学膜造成的亮度劣化,从而可以以相同的功率提供更高亮度的图像。另外,可以降低用于提供具有相同亮度的图像的功耗。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请中并构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式,并且附图与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中:
图1是示意性地示出根据本公开内容的电致发光显示器的整体结构的截面图。
图2是示意性地示出根据本公开内容的电致发光显示器的整体结构的平面图。
图3是示意性地示出在根据本公开内容的电致发光显示器中应用的光可调谐粘合剂的结构的平面图。
图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。
图5是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。
图6是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。
具体实施方式
现在将详细地参照本公开内容的示例性实施方式,其示例在附图中示出。在所有附图中,将尽可能地使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。在说明书中,应当注意,针对元件,尽可能地使用已经在其他附图中用来表示相似元件的相似附图标记。在下面的描述中,当对于本领域技术人员而言已知的功能和配置与本公开内容的必要配置无关时,将省略其详细描述。本说明书中描述的术语应当如下来理解。本公开内容的优点和特征及其实现方法将通过参照附图描述的下面的实施方式阐明。然而,本公开内容可以以不同的形式体现,并且不应当被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得本公开内容将是透彻和完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。此外,本公开内容仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开内容的实施方式的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例,并且因此本公开内容不限于所示出的细节。贯穿全文,相似的附图标记表示相似的元件。在下面的描述中,当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开内容的要点模糊时,将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则也可以存在另一部件。除非相反地指出,否则单数形式的术语也可以包括复数形式。
在解释元件时,尽管不存在明确的描述,但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“紧邻……”时,除非使用“正好”或“直接”,否则可以包括其间没有接触的情况。如果提到第一元件位于第二元件“上”,则这并不意味着第一元件在附图中必然位于第二元件上方。有关物体的上部和下部可以根据物体的取向而改变。因此,在附图中或实际配置中,其中第一元件位于第二元件“上”的情况包括其中第一元件位于第二元件“下方”的情况以及其中第一元件位于第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时,例如,当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后……”、“接下来……”和“在……之前”时,除非使用“正好”或“直接”,否则可以包括不连续的情况。
应当理解,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开内容的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”可以不仅仅解释为其中彼此之间的关系是垂直的几何关系,并且可以意味着本公开内容的配置在其可以功能上起作用的程度上具有更宽的范围。
在描述本公开内容的元件时,可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅是为了将这些元件与其他元件区分开,并且这些术语在元件的性质、顺序、序列或数目上不受限。当元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”至另一元件时,该元件可以直接地耦接或连接至该另一元件,但是可以间接地耦接或连接至该另一元件,除非另外说明。应当理解,其他元件可以“插入”在可以被连接或耦接的每个元件之间。
应当理解,术语“至少一个”包括与任意一项有关的所有组合。例如,“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
如本领域技术人员可以充分理解的,本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或彼此组合,并且可以彼此不同地互操作并在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行,或者可以以相互依存的关系一起执行。
根据本公开内容的实施方式的显示面板可以包括液晶显示面板、有机发光二极管显示面板和电致发光显示面板,但是不限于此。另外,应用于根据本公开内容的实施方式的显示装置的显示面板不限于显示面板的形状或尺寸。
在下文中,将参照附图详细地描述根据本公开内容的显示装置的示例。在为每个附图的元件指定附图标记时,即使它们在不同的附图中示出,相同的部件也可以尽可能具有相同的附图标记。为了便于描述,附图中示出的元件的比例具有与实际不同的比例,但不限于附图中示出的比例。
参照图1和图2,将说明根据本公开内容的电致发光显示器的整体结构。图1是示意性地示出根据本公开内容的电致发光显示器的整体结构的截面图。图2是示意性地示出根据本公开内容的电致发光显示器的整体结构的平面图。
参照图1,根据本公开内容的电致发光显示器可以包括显示面板DIP和保护膜AR。特别地,显示面板DIP和保护膜AR可以使用光可调谐粘合剂层DPS彼此附接。
显示面板DIP可以选择液晶显示面板、等离子体显示面板、电致发光显示面板和其他平面显示面板中的任意一种。在应用电致发光显示面板的情况下,显示面板DIP可以包括自发光显示面板或弯曲的自发光显示面板。详细地,显示面板DIP可以包括发光显示面板、微型LED显示面板、柔性发光显示面板、柔性微型LED显示面板或量子点发光显示面板,但是实施方式不限于此。
显示面板DIP可以包括基板SUB、显示层EL、封装层ENC和盖板CB。显示层EL可以形成在基板SUB的一个表面上。封装层ENC可以设置在基板SUB的整个表面上以用于覆盖显示层EL。盖板CB可以附接在封装层ENC上。
显示面板DIP的基板SUB可以由透明材料制成。显示层EL可以包括以矩阵方式排列的多个像素区域。在每个像素区域中,可以设置驱动元件和发光元件。驱动元件可以包括薄膜晶体管和存储电容器。发光元件可以是电致发光元件,该电致发光元件的亮度可以由驱动元件控制。电致发光元件可以包括有机发光二极管或无机发光二极管。
封装层ENC可以用于通过防止气体或异物从外部渗透来保护显示层EL。封装层ENC可以具有其中无机层和有机层彼此交替地堆叠的结构。
盖板CB可以是透明且刚性的基板,例如玻璃基板。盖板CB可以是用于防止封装层ENC和显示层EL受到外力的透明保护基板。
参照图2,显示面板DIP可以包括基板SUB、栅极(或扫描)驱动器20、数据焊盘部30、源极驱动集成电路(IC)41、柔性膜43、电路板45和定时控制器50。
基板SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于表示视频图像的区域,并且可以限定在包括中间区域的大部分区域处,但是实施方式不限于此。在显示区域DA中,可以形成多条扫描线(或栅极线)(未示出)、多条数据线(未示出)和多个像素P。
在基板SUB上,可以以矩阵方式排列多个像素P。另外,在每个像素P中,可以限定一个发光区域EA。在一个像素P中,除了发光区域EA以外的区域可以包括驱动元件、扫描线和数据线。
一个发光区域EA可以包括至少三个子发光区域SA1、SA2和SA3。例如,一个发光区域EA可以包括红色子发光区域SA1、绿色子发光区域SA2和蓝色子发光区域SA3。即使未在图中示出,但是对于另一示例,一个像素区域也可以包括红色子像素区域、绿色子像素区域、蓝色子像素区域和白色子像素区域。红色子像素区域可以包括红色子发光区域,绿色子像素区域可以包括绿色子发光区域,蓝色子像素区域可以包括蓝色子发光区域,并且白色子像素区域可以包括白色子发光区域。在每个发光区域EA之间可以设置有黑矩阵。另外,在每个子发光区域SA1、SA2和SA3之间也可以设置有黑矩阵。
非显示区域NDA可以是其中可能不呈现视频图像的区域,并且可以在基板SUB的周边区域处被限定为围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以包括栅极驱动器20和数据焊盘部30。
栅极驱动器20可以根据从定时控制器50接收到的栅极控制信号来将扫描(或栅极)信号供应至多条扫描线。栅极驱动器20可以以GIP(面板中的栅极驱动器)方法形成在基板SUB的显示区域DA的一侧之外的非显示区域NDA中。GIP方法是指其中包括薄膜晶体管和电容器的栅极驱动器20直接形成在基板SUB上的结构。
数据焊盘部30可以根据从定时控制器50接收到的数据控制信号来将数据信号供应至多条数据线。在设置在基板SUB的显示区域DA的任意一个外侧的非显示区域NDA处的数据焊盘部30处,其上安装有源极驱动集成电路41的柔性膜43的一侧可以使用TAB(带式自动接合)方法被附接。
源极驱动集成电路41可以从定时控制器50接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动集成电路41可以根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压,并将模拟数据电压供应至数据线。在源极驱动集成电路41形成在芯片中的情况下,源极驱动集成电路41可以以COF(膜上芯片)方法或COP(塑料上芯片)方法被安装在柔性膜43上。
柔性膜43可以包括用于连接数据焊盘部30和源极驱动集成电路41的多条第一线以及用于连接数据焊盘部30和电路板45的多条第二线。柔性膜43可以使用各向异性导电膜(或ACF)被附接在数据焊盘部30上,以将数据焊盘部30连接至形成在柔性膜43中的线。
电路板45可以被附接至柔性膜43。电路板45可以包括以驱动芯片类型制成的多个电子电路。例如,电路板45可以包括定时控制器50。电路板45可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
定时控制器50可以通过电路板45的线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器50可以基于定时信号来生成用于控制栅极驱动器20的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动集成电路41的源极控制信号。定时控制器50可以将栅极控制信号供应至栅极驱动器20,并且可以将源极控制信号供应至源极驱动集成电路41。在一个示例中,定时控制器50可以与源极驱动集成电路41集成为一个驱动芯片,并且可以安装在基板SUB上。
在下文中,进一步参照图3,光可调谐粘合剂层DPS包括在根据本公开内容的电致发光显示器中。图3是示意性地示出在根据本公开内容的电致发光显示器中应用的光可调谐粘合剂的结构的平面图。
光可调谐粘合剂层DPS可以以面对面方式将保护膜AR与显示面板DIP接合。保护膜AR可以是用于机械地和光学地保护显示面板DIP的整个表面的膜元件。在一个示例中,保护膜AR可以是可以吸收紫外光的透明紫外光保护膜。在另一示例中,保护膜AR可以是在外表面上具有增强涂层和/或抗反射涂层的紫外光阻挡膜。
光可调谐粘合剂可以包括均匀地分散在光学粘合剂中的光致变色染料。光学粘合剂可以包括压敏粘合剂和/或光学透明粘合剂。光致变色染料可以优选地是通过具有100nm至400nm的波长的紫外射线,特别是具有300nm至370nm的波长的紫外射线而褪色(或变为黑色)的材料。在一个示例中,优选的是,光致变色染料可以是当用365nm波长带中的紫外射线以2,000mJ/cm3的能量照射光致变色染料时褪色为具有95%或更大的可见光吸收率和5%或更小的可见光透射率的材料。
在将光可调谐粘合剂层DPS施加至显示面板DIP的表面之后并且在接合保护膜AR之前,可以将光可调谐粘合剂层DPS划分为光阻挡区域NA和光透射区域OA。光阻挡区域NA可以具有95%或更大的可见光吸收率,并且光透射区域OA可以具有90%或更大的可见光透射率。
在一个示例中,光可调谐粘合剂层DPS可以具有90%或更大的可见光透射率。在将光可调谐粘合剂层DPS沉积在显示面板DIP的顶表面上之后,利用使用屏幕掩模覆盖光透射区域OA并且使光阻挡区域NA露出的条件,照射具有365nm的波长的紫外光。然后,仅光阻挡区域NA可以选择性地褪色以具有95%或更大的可见光吸收率。由于紫外光不照射到光透射区域OA,因此可见光透射率可以保持在90%或更大。此后,保护膜AR可以附接在光可调谐粘合剂层DPS上。
光阻挡区域NA可以与显示面板DIP的除了显示区域DA中的发光区域EA以外的所有区域对应。光阻挡区域NA可以包括与显示面板DIP的非显示区域NDA的所有区域对应的区域。
<第一实施方式>
在下文中,参照图4,将说明根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的详细结构。图4是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构。
参照图4,根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器可以包括显示面板DIP、保护膜AR和光可调谐粘合剂层DPS。特别地,保护膜AR可以通过光可调谐粘合剂层DPS附接在显示面板DIP的顶表面上。在此,显示面板DIP的顶表面是指其上提供有图像信息的表面。
显示面板DIP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于表示视频图像的区域,并且可以限定在包括中间区域的大部分区域处。非显示区域NDA可以被限定在围绕显示区域DA的周边区域处。在非显示区域NDA中,可以设置有诸如栅极驱动器GIP的驱动电路。
显示面板DIP可以包括基板SUB、显示层EL、封装层ENC和盖板CB。显示层EL可以形成在基板SUB的顶表面上。在此,顶表面是指其上输出视频图像的表面。显示层EL可以包括薄膜晶体管ST、DT和GIP以及发光元件OLE。
在一个示例中,在显示区域DA中,在每个像素P中可以设置有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。在非显示区域NDA中,可以设置有栅极驱动器GIP。即使未在图中示出,栅极驱动器GIP也可以被配置成控制开关薄膜晶体管ST。
在基板SUB上可以形成有栅极线GL、开关薄膜晶体管ST的开关栅电极SG和驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG。开关栅电极SG可以从栅极线GL分支。另外,栅极驱动器GIP的栅电极可以由与开关栅电极SG和驱动栅电极DG相同的层和材料形成。栅极绝缘层GI可以沉积在栅电极SG和DG以及栅极线GL上,以覆盖基板SUB的整个表面。
在栅极绝缘层GI上形成有与开关栅电极SG交叠的开关半导体层SA和与驱动栅电极DG交叠的驱动半导体层DA。另外,在栅极驱动器GIP的栅电极上可以形成有半导体层。
在开关半导体层SA的一侧上可以形成有开关源电极SS,并且在开关半导体层SA的相对侧上可以形成有开关漏电极SD。开关源电极SS可以从数据线DL分支。在驱动半导体层DA的一侧上可以形成有驱动源电极DS,并且在驱动半导体层DA的相对侧上可以形成有驱动漏电极DD。开关漏电极SD可以通过形成在栅极绝缘层GI处的接触孔连接至驱动栅电极DG。另外,在栅极驱动器GIP的半导体层上可以形成有彼此分隔开的源电极和漏电极。
在开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT以及栅极驱动器GIP上可以沉积有平坦化层PL,以覆盖基板SUB的整个表面。在平坦化层PL上可以形成有发光元件OLE。
发光元件OLE可以包括阳极电极ANO、发光层OL和阴极电极CAT。阳极电极ANO可以形成在平坦化层PL上,并且通过穿透平坦化层PL的接触孔连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。
在阳极电极ANO上可以形成有堤部BA。堤部BA可以使阳极电极ANO的大部分中间区域露出,并且覆盖阳极电极ANO的周边以限定发光区域EA。
在堤部BA和阳极电极ANO上可以形成有发光层OL。在一个示例中,发光层OL可以通过被分隔或划分为每个发光区域EA来形成。在这种情况下,红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层中的任意一个可以针对每个子像素形成。对于另一示例,发光层OL可以形成为连续地覆盖整个显示区域DA。在这种情况下,在发光元件OLE上可以形成有与每个发光区域EA对应的滤色器(未示出)。详细地,在盖板CB的底表面上可以形成有滤色器。
在发光层OL上可以形成有阴极电极CAT。阴极电极CAT可以连续地沉积在整个显示区域DA上方。另外,阴极电极CAT可以在显示区域DA上方延伸至一些非显示区域NDA。例如,阴极电极CAT可以具有用于覆盖栅极驱动器GIP的上部以屏蔽栅极驱动器GIP的结构。
根据本公开内容的第一实施方式,发光元件OLE可以是其中光被提供至基板SUB的上表面的顶部发光型。因此,优选的是,阳极电极ANO可以具有反射金属材料,并且阴极电极CAT可以具有透明导电材料。在一个示例中,考虑功函数,阳极电极ANO可以具有其中顺序地沉积有反射金属层和透明导电层的堆叠结构。阴极电极CAT可以由具有相对低电阻的反射金属材料例如具有数十纳米的非常薄的厚度的银(Ag)形成,以增强光透射率。
在阴极电极CAT上可以设置有封装层ENC,以用于保护发光元件OLE。封装层ENC可以防止气体或异物侵入显示层EL中。封装层ENC可以具有其中无机层和有机层交替地堆叠的多层结构。
例如,封装层ENC可以包括第一无机层PA1、在第一无机层PA1上的有机层PCL以及在有机层PCL上的第二无机层PA2。第一无机层PA1和第二无机层PA2可以起到阻挡湿气或氧气的渗透的作用。在一个示例中,第一无机层PA1和第二无机层PA2可以包含至少一种无机材料,例如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝或氧化钛。第一无机层PA1和第二无机层PA2可以通过化学气相沉积(CVD)方法或原子层沉积(ALD)方法形成。
有机层PCL可以被第一无机层PA1和第二无机层PA2围绕(或“夹在中间并包裹”)。与第一无机层PA1和第二无机层PA2相比,有机层PCL可以具有相对厚的厚度,以吸附和/或阻挡在制造过程期间可能出现的颗粒。有机层PCL可以由有机材料例如碳氧化硅(SiOC)丙烯酸树脂或环氧基树脂制成。有机层PCL可以通过诸如喷墨涂覆工艺或狭缝涂覆工艺的涂覆工艺来形成。
在非显示区域NDA中可以形成有堰部DM以围绕显示区域DA,使得有机层PCL设置在其中形成有发光元件OLE的区域内。有机层PCL可以设置在由堰部DM围绕的内部空间中。
盖板CB可以附接在封装层ENC上。例如,在封装层ENC的上表面上施加光学粘合剂OCA,盖板CB可以附接在其上。盖板CB可以是透明刚性基板,例如玻璃基板。盖板CB可以是透明保护基板,以用于防止由于外力而对设置在下方的封装层ENC和显示层EL的损坏。
在盖板CB的顶表面上可以设置有光可调谐粘合剂层DPS。光可调谐粘合剂层DPS可以包括光阻挡区域NA和光透射区域OA。优选的是,光阻挡区域NA可以具有95%或更大的可见光吸收率,并且光透射区域OA可以具有90%或更大的可见光透射率。
光阻挡区域NA可以被限定为与显示区域DA内的除了发光区域EA以外的非发光区域对应。另外,光阻挡区域NA可以被限定为与整个非显示区域NDA对应。在图4中,设置在显示区域DA中的一些薄膜晶体管ST和DT可以与非显示区域NDA邻近。因此,光阻挡区域NA可以从非显示区域NDA稍微延伸至显示区域DA的非发光区域。
光透射区域OA可以被限定为与发光区域EA对应,发光区域EA限定在形成在设置在显示区域DA中的像素P中的每一个中的发光元件OLE中。在图4中,一个像素P具有一个发光区域EA。然而,一个像素P可以具有包括红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域的三个发光区域。发光区域EA可以由堤部BA的露出部分限定。因此,用于限定光透射区域OA的掩模可以与用于形成堤部BA的掩模相同。
保护膜AR可以附接至光可调谐粘合剂层DPS上。保护膜AR可以由透明刚性材料制成,但是实施方式不限于此。例如,对于柔性显示器,保护膜AR可以是透明柔性膜材料。
优选的是,保护膜AR可以具有98%或更大的紫外光阻挡性能,以防止光可调谐粘合剂层DPS的光透射区域OA被日光的紫外光褪色。例如,保护膜AR可以由紫外光阻挡材料制成。对于另一示例,保护膜AR可以通过在透明膜的上表面上顺序地堆叠紫外光阻挡涂层和防刮擦涂层制成。防刮擦涂层可以用于防止紫外光阻挡涂层由于外力或应力而剥离。
在一些情况下,还可以包括用于防止环境光的反射的涂层。与在常规技术中应用的线性偏振器和四分之一波片的组合相比,环境光反射防止涂层的光反射防止能力的性能可能较差。在本公开内容的第一实施方式中,环境光仅可以通过光透射区域OA被反射,使得整个显示面板上方的总光反射率可以低于5%。此外,环境光反射防止涂层可以不降低从发光元件提供的光的光透射率。因此,第一实施方式的结构可以适合于实现本公开内容的目的。
在根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器中,具有95%或更大的可见光吸收率的光可调谐粘合剂设置在除了发光区域以外的非发光区域中。因此,可以在没有线性偏振器和四分之一波片的情况下获得小于5%的环境光反射率,从而防止了环境光反射。
由于不包括用于防止环境光的反射的光学膜,因此显示器的总厚度可以比相关技术薄,并且可以节省制造成本。特别地,用于防止环境光的反射的光学膜可能减少来自发光元件的光量(亮度或明亮度)的约50%,因此可能需要更高的电力消耗以提供期望的亮度。然而,根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器可以不包括减少从发光元件提供的光量的任何光学元件,因此可以以较低的功耗提供相同的亮度。
<第二实施方式>
在下文中,参照图5,将说明根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。图5是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构。
参照图5,根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器可以具有其中光可调谐粘合剂层DPS可以嵌入显示面板DIP中的结构。与表示第一实施方式的图4相比,可以去除保护膜AR并且可以将光可调谐粘合剂层DPS应用于光学粘合剂OCA,以将盖板CB附接至封装层ENC的顶表面上。在此,封装层ENC的顶表面可以是指向观察者提供图像信息的表面。在下文中,可能不重复与第一实施方式相同的说明。
显示面板DIP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于表示视频图像的区域,并且可以限定在包括中间区域的大部分区域处。非显示区域NDA可以被限定在围绕显示区域DA的周边区域处。在非显示区域NDA中,可以设置有诸如栅极驱动器GIP的驱动电路。
显示面板DIP可以包括基板SUB、显示层EL、封装层ENC、光可调谐粘合剂层DPS和盖板CB。显示层EL可以形成在基板SUB的顶表面上。在此,顶表面是指其上输出视频图像的表面。显示层EL可以包括薄膜晶体管ST、DT和GIP以及发光元件OLE。
例如,在显示区域DA中,在每个像素P中可以设置有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。在非显示区域NDA中,可以设置有栅极驱动器GIP。薄膜晶体管ST和DT的详细结构可以与第一实施方式的薄膜晶体管ST和DT的详细结构相同。
在开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT以及栅极驱动器GIP上可以沉积有平坦化层PL,以覆盖基板SUB的整个表面。在平坦化层PL上可以形成有发光元件OLE。
发光元件OLE可以包括阳极电极ANO、发光层OL和阴极电极CAT。阳极电极ANO可以形成在平坦化层PL上,并且通过穿透平坦化层PL的接触孔连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。
在阳极电极ANO上可以形成有堤部BA。堤部BA可以使阳极电极ANO的大部分中间区域露出,并且覆盖阳极电极ANO的周边以限定发光区域EA。在堤部BA和阳极电极ANO上可以形成有发光层OL。在发光层OL上可以形成有阴极电极CAT。
在阴极电极CAT上可以设置有封装层ENC,以用于保护发光元件OLE。封装层ENC可以防止气体或异物侵入显示层EL中。封装层ENC可以具有其中无机层和有机层交替地堆叠的多层结构。
在封装层ENC的顶表面上可以设置有光可调谐粘合剂层DPS。光可调谐粘合剂层DPS可以包括光阻挡区域NA和光透射区域OA。优选的是,光阻挡区域NA可以具有95%或更大的可见光吸收率,并且光透射区域OA可以具有90%或更大的可见光透射率。光阻挡区域NA可以被限定为与显示区域DA内的除了发光区域EA以外的非发光区域对应。另外,光阻挡区域NA可以被限定为与整个非显示区域NDA对应。光透射区域OA可以被限定为与在形成在设置在显示区域DA中的像素P中的每一个中的发光元件OLE中限定的发光区域EA对应。
盖板CB可以附接至光可调谐粘合剂层DPS上。盖板CB可以由透明刚性材料制成,但是实施方式不限于此。例如,对于柔性显示器,盖板CB可以是透明柔性膜材料。
优选的是,盖板CB可以具有98%或更大的紫外光阻挡性能,以防止光可调谐粘合剂层DPS的光透射区域OA被日光的紫外光褪色。例如,盖板CB可以由紫外光阻挡材料制成。对于另一示例,盖板CB可以通过在透明膜的上表面上顺序地堆叠紫外光阻挡涂层和防刮擦涂层制成。防刮擦涂层可以用于防止紫外光阻挡涂层由于外力或应力而剥离。
在根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器中,具有95%或更大的可见光吸收率的光可调谐粘合剂设置在除了发光区域以外的非发光区域中。因此,可以在没有线性偏振器和四分之一波片的情况下获得小于5%的环境光反射率,从而防止了环境光反射。
与第一实施方式相比,根据第二实施方式的电致发光显示器可以不包括光学膜和保护膜AR,这是由于应用了光可调谐粘合剂层DPS以将封装层ENC与盖板CB附接。因此,显示器的总厚度可以比第一实施方式薄,并且还可以节省制造成本。另外,盖板CB可以包括保护膜AR的性能或功能。
特别地,用于防止环境光的反射的光学膜可能减少来自发光元件的光量(亮度或明亮度)的约50%,因此可能需要更高的电力消耗以提供期望的亮度。然而,根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器可以不包括减少从发光元件提供的光量的任何光学元件,因此可以以较低的功耗提供相同的亮度。
<第三实施方式>
在下文中,参照图6,将说明根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。图6是沿图3中的切割线I-I’的截面图,示出了根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构。
参照图6,根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器可以包括显示面板DIP、保护膜AR和光可调谐粘合剂层DPS。特别地,保护膜AR可以通过光可调谐粘合剂层DPS附接在显示面板DIP的底表面上。在此,显示面板DIP的底表面是指其上提供有图像信息的表面。第三实施方式涉及底部发光型显示面板DIP。
显示面板DIP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是用于表示视频图像的区域,并且可以限定在包括中间区域的大部分区域处。非显示区域NDA可以被限定在围绕显示区域DA的周边区域处。在非显示区域NDA中,可以设置有诸如栅极驱动器GIP的驱动电路。
显示面板DIP可以包括基板SUB、显示层EL、封装层ENC、背板BF和盖板CB。显示层EL可以形成在基板SUB的顶表面上。在此,顶表面是指与其上输出视频图像的表面相对的表面。显示层EL可以包括薄膜晶体管ST、DT和GIP以及发光元件OLE。
在一个示例中,在显示区域DA中,在每个像素P中可以设置有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。在非显示区域NDA中,可以设置有栅极驱动器GIP。薄膜晶体管ST和DT的结构可以与第一实施方式的薄膜晶体管ST和DT的结构相同,因此可能不重复相同的说明。
在开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT以及栅极驱动器GIP上可以沉积有平坦化层PL,以覆盖基板SUB的整个表面。在平坦化层PL上可以形成有发光元件OLE。
发光元件OLE可以包括阳极电极ANO、发光层OL和阴极电极CAT。阳极电极ANO可以形成在平坦化层PL上,并且通过穿透平坦化层PL的接触孔连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。
在阳极电极ANO上可以形成有堤部BA。堤部BA可以使阳极电极ANO的大部分中间区域露出,并且覆盖阳极电极ANO的周边以限定发光区域EA。
在堤部BA和阳极电极ANO上可以形成有发光层OL。在发光层OL上可以形成有阴极电极CAT。阴极电极CAT可以连续地沉积在整个显示区域DA上方。另外,阴极电极CAT可以在显示区域DA上方延伸至一些非显示区域NDA。例如,阴极电极CAT可以具有用于覆盖栅极驱动器GIP的上部以屏蔽栅极驱动器GIP的结构。
在第三实施方式中,从发光元件OLE发射的光可以被提供至基板SUB的向下方向。因此,优选的是,阴极电极CAT可以包含具有优异反射率的金属材料,并且阳极电极ANO可以包含透明导电材料。例如,阴极电极CAT可以包含任意一种金属材料,例如银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)和铜(Cu)或它们的合金。另外,阳极电极ANO可以包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
在阴极电极CAT上可以设置有封装层ENC,以用于保护发光元件OLE。封装层ENC可以防止气体或异物侵入显示层EL中。封装层ENC可以具有其中无机层和有机层交替地堆叠的多层结构。例如,封装层ENC可以包括第一无机层PA1、在第一无机层PA1上的有机层PCL以及在有机层PCL上的第二无机层PA2。
在非显示区域NDA中可以形成有堰部DM以围绕显示区域DA,使得有机层PCL设置在其中形成有发光元件OLE的区域内。有机层PCL可以设置在由堰部DM围绕的内部空间中。
背板BF可以附接在封装层ENC上。例如,在封装层ENC的上表面上施加光学粘合剂OCA,背板BF可以附接在其上。背板BF可以是透明保护基板,以用于防止由于外力而对设置在下方的封装层ENC和显示层EL的损坏。在第三实施方式中,由于来自发光元件OLE的光可以被提供至基板SUB的底部方向,因此背板BF可以由不透明金属材料制成。
在基板SUB的底表面上可以设置有光可调谐粘合剂层DPS。光可调谐粘合剂层DPS可以包括光阻挡区域NA和光透射区域OA。优选的是,光阻挡区域NA可以具有95%或更大的可见光吸收率,并且光透射区域OA可以具有90%或更大的可见光透射率。
光阻挡区域NA可以被限定为与显示区域DA内的除了发光区域EA以外的非发光区域对应。另外,光阻挡区域NA可以被限定为与整个非显示区域NDA对应。光透射区域OA可以被限定为与在形成在设置在显示区域DA中的像素P中的每一个中的发光元件OLE中限定的发光区域EA对应。
保护膜AR可以附接至光可调谐粘合剂层DPS上。保护膜AR可以由透明刚性材料制成,但是实施方式不限于此。例如,对于柔性显示器,保护膜AR可以是透明柔性膜材料。
优选的是,保护膜AR可以具有98%或更大的紫外光阻挡性能,以防止光可调谐粘合剂层DPS的光透射区域OA被日光的紫外光褪色。例如,保护膜AR可以由紫外光阻挡材料制成。对于另一示例,保护膜AR可以通过在透明膜的上表面上顺序地堆叠紫外光阻挡涂层和防刮擦涂层制成。防刮擦涂层可以用于防止紫外光阻挡涂层由于外力或应力而剥离。因此,可以提高用于阻挡紫外光的性能,并且可以防止紫外光防止涂层被损坏。
在一些情况下,还可以包括用于防止环境光的反射的涂层。环境光可以被光透射区域OA反射。然而,在本公开内容的第三实施方式中,由于环境反射防止涂层,可以在光透射区域OA处减少环境反射。因此,整个显示面板上方的总光反射率可以低于5%。
在根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器中,具有95%或更大的可见光吸收率的光可调谐粘合剂设置在除了发光区域以外的非发光区域中。因此,可以在没有线性偏振器和四分之一波片的情况下获得小于5%的环境光反射率,从而防止了环境光反射。
由于不包括用于防止环境光的反射的光学膜,因此显示器的总厚度可以比相关技术薄,并且可以节省制造成本。根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器可以不包括减少从发光元件提供的光量的任何光学元件,因此可以以较低的功耗提供相同的亮度。
即使未在图中示出,将第三实施方式的特征应用于第二实施方式,光可调谐粘合剂层DPS也可以被施加至基板的底表面上,并且盖板CB可以被附接在其上。在这种情况下,可以不包括保护膜AR,并且盖板CB可以包括保护膜AR的性能和功能。
在本公开内容的上述示例中描述的特征、结构、效果等被包括在本公开内容的至少一个示例中,并且不必仅限于一个示例。此外,本领域普通技术人员可以通过组合或修改其他示例来实现在本公开内容的至少一个示例中说明的特征、结构、效果等。因此,与这样的组合和修改有关的内容应当被解释为包括在本申请的范围内。
对于本领域技术人员而言将明显的是,在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下,可以对本公开内容进行各种修改和变型。因此,本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型,只要这些修改和变型落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。可以根据上面详细的描述对实施方式进行这些和其他改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应当被解释为将权利要求限于本说明书和权利要求书中所公开的具体实施方式,而应当被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求所赋予的等同内容的全部范围。因此,权利要求不受公开内容限制。

Claims (15)

1.一种电致发光显示器,包括:
显示面板,所述显示面板包括多个像素,每个像素具有发光区域和非发光区域;以及
保护膜,所述保护膜使用光可调谐粘合剂附接在所述显示面板的一个表面上,
其中,所述光可调谐粘合剂包括:
光透射区域,所述光透射区域与所述发光区域对应;以及
光阻挡区域,所述光阻挡区域与所述非发光区域对应。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述光透射区域具有90%或更大的光透射率,并且
其中,所述光阻挡区域具有95%或更大的光吸收率。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述光可调谐粘合剂包括通过照射紫外光而选择性地限定的光阻挡区域。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述显示面板包括:
基板,所述基板包括所述多个像素;
显示层,所述显示层具有设置在所述基板上的每个像素中的薄膜晶体管和发光元件;以及
封装层,所述封装层覆盖所述显示层。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示器,其中,所述光可调谐粘合剂沉积在所述封装层的顶表面上;并且
其中,所述保护膜附接至所述光可调谐粘合剂上。
6.根据权利要求4所述的电致发光显示器,其中,所述光可调谐粘合剂设置在所述基板的底表面上;并且
其中,所述保护膜附接至所述光可调谐粘合剂上。
7.根据权利要求4所述的电致发光显示器,还包括盖板,所述盖板利用所述光可调谐粘合剂附接至所述封装层上,
其中,所述光可调谐粘合剂沉积在所述盖板的顶表面上,并且
其中,所述保护膜附接在所述光可调谐粘合剂上。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述保护膜包括紫外光阻挡膜。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述保护膜包括顺序地堆叠在所述基板的表面上的紫外光保护涂层和防刮擦涂层。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示器,其中,所述保护膜还包括环境反射防止涂层。
11.根据权利要求1所述的电致发光显示器,其中,所述显示面板包括:
显示区域,所述显示区域被限定在所述显示面板的中间区域处;以及
非显示区域,所述非显示区域被限定在围绕所述显示区域的周边处,
其中,所述光可调谐粘合剂的光阻挡区域被设置为与所述非发光区域对应。
12.一种电致发光显示器,包括:
基板;
限定在所述基板上的显示区域和设置在所述基板上的所述显示区域的外部的非显示区域;
设置在所述显示区域中的多个像素;
设置在所述像素中的发光区域和围绕所述像素中的发光区域的非发光区域;
设置在所述基板的一个表面上的光可调谐粘合剂;以及
利用所述光可调谐粘合剂附接至所述基板的盖板,
其中,所述光可调谐粘合剂包括:
光阻挡区域,所述光阻挡区域与所述非显示区域和所述非发光区域对应;以及
光透射区域,所述光透射区域与所述发光区域对应。
13.根据权利要求12所述的电致发光显示器,其中,所述光可调谐粘合剂包含光学粘合剂材料和光致变色染料材料。
14.根据权利要求12所述的电致发光显示器,其中,所述光阻挡区域具有95%或更大的可见光吸收率,并且
其中,所述光透射区域具有90%或更大的可见光透射率。
15.根据权利要求12所述的电致发光显示器,还包括:
设置在所述基板上的封装层,
其中,所述光可调谐粘合剂沉积在所述封装层的顶表面上。
CN202011392612.1A 2019-12-20 2020-12-02 电致发光显示器 Pending CN113013192A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2019-0171930 2019-12-20
KR1020190171930A KR20210079786A (ko) 2019-12-20 2019-12-20 전계 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113013192A true CN113013192A (zh) 2021-06-22

Family

ID=73855762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011392612.1A Pending CN113013192A (zh) 2019-12-20 2020-12-02 电致发光显示器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11758762B2 (zh)
EP (1) EP3840079A1 (zh)
KR (1) KR20210079786A (zh)
CN (1) CN113013192A (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764145A (zh) * 2008-12-23 2010-06-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20150048316A1 (en) * 2013-08-14 2015-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN105118393A (zh) * 2015-08-20 2015-12-02 上海和辉光电有限公司 一种抗紫外光的oled结构及制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101753941B1 (ko) 2014-08-29 2017-07-04 주식회사 엘지화학 광학 필름
KR102611500B1 (ko) * 2016-08-31 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR20180047559A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102656795B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR20180062108A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR20180078669A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR102463737B1 (ko) * 2017-12-04 2022-11-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101764145A (zh) * 2008-12-23 2010-06-30 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20150048316A1 (en) * 2013-08-14 2015-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN105118393A (zh) * 2015-08-20 2015-12-02 上海和辉光电有限公司 一种抗紫外光的oled结构及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210193972A1 (en) 2021-06-24
EP3840079A1 (en) 2021-06-23
KR20210079786A (ko) 2021-06-30
US11758762B2 (en) 2023-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110265567B (zh) 显示装置及其制造方法
US10910441B2 (en) Organic light emitting display device
EP3331047B1 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR102488080B1 (ko) 표시 장치
CN110767841A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR102572763B1 (ko) 투명표시장치와 그의 제조방법
CN112447815A (zh) 显示设备
KR20180012942A (ko) 표시장치
US20240179993A1 (en) Transparent display device
US20230263005A1 (en) Display apparatus
CN111326671A (zh) 显示装置
US11758762B2 (en) Electroluminescent display including photo tunable adhesive
KR20150078392A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR102431313B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20220285463A1 (en) Display apparatus
CN220255014U (zh) 显示装置
US20230199990A1 (en) Display panel
KR102648979B1 (ko) 표시 장치
KR20180061843A (ko) 유기발광 표시장치
KR20230108763A (ko) 표시 장치
CN114695485A (zh) 电致发光显示器
KR20230102326A (ko) 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법
KR20240076156A (ko) 표시 장치
KR20220048884A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN116075181A (zh) 电致发光显示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination