CN116075181A

CN116075181A - 电致发光显示器

Info

Publication number: CN116075181A
Application number: CN202211323166.8A
Authority: CN
Inventors: 安智煐; 金容宰
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-02
Filing date: 2022-10-27
Publication date: 2023-05-05
Also published as: GB2614374A; JP2023068633A; JP7470166B2; DE102022128408A1; US20230132497A1; GB2614374B; TW202320372A; GB202215468D0

Abstract

本公开涉及通过减少外部光的反射而具有增强的显示质量的电致发光显示器。电致发光显示器包括：遮光层，该遮光层位于基板上，遮光层包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层；第一缓冲层，该第一缓冲层至少部分地覆盖基板上的遮光层；第二缓冲层，该第二缓冲层位于第一缓冲层上；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于第二缓冲层上；选通线，该选通线位于栅极绝缘层上并且不与遮光层交叠，选通线包括第三金属层和位于第三金属层上的第四金属层；钝化层，该钝化层至少部分地覆盖选通线；平坦化层，该平坦化层位于钝化层上；以及发光元件，该发光元件包括顺序地布置在平坦化层上的第一电极、发光层和第二电极。

Description

电致发光显示器

技术领域

本公开涉及通过减少外部光的反射而具有增强的显示质量的电致发光显示器。特别地，本公开涉及具有使用设置在阴极和各种线层下方的缓冲层的光学性质的外部光反射抑制结构的底部发光型电致发光显示器。

背景技术

近来，已经开发了各种类型的显示器，诸如阴极射线管(CRT))、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器用于根据其独特的特性和目的来显示诸如计算机、移动电话、银行存取款装置(ATM)和车辆导航系统之类的各种产品的图像数据。

在作为显示质量优异的自发光显示装置的电致发光显示器中，通过在显示面板的前面设置偏光元件，可以实现外部光反射抑制结构。偏光元件可以通过使用由于在穿过偏光元件时的偏光和反射而引起的相位变化特性来降低显示装置的整个表面的反射率(或反射比)。可以确保纯黑色的清晰度，并且可以获得高对比度。然而，电致发光显示装置提供的光的约55％由于偏光元件的使用而损失。由于偏光元件的特性，透射率约为45％。由于偏光元件可能吸收从电致发光元件发射的光的量的一半以上，这可能导致效率方面的问题。此外，由于偏光元件是昂贵的元件，因此其也对显示装置的制造成本竞争力产生负面影响。因此，需要开发用于能够在不添加偏光元件的情况下抑制外部光反射的电致发光显示器的结构。

发明内容

为了解决上述问题，本公开的目的是提供一种具有低反射阴极的电致发光显示器，其能够减少由于阴极对外部光的反射而导致的显示质量劣化。本公开的另一目的是提供一种具有低反射线和低反射阴极的电致发光显示器，除了阴极之外，其还可以减少由于由金属材料形成的各种线或布线对外部光的反射而导致的显示质量劣化。本公开的又一目的是提供一种电致发光显示器，其具有即使利用具有低反射结构的装置也能够抑制由其它薄膜层的叠层导致的外部光反射的结构。

在一个实施方式中，一种电致发光显示器包括：遮光层，该遮光层位于基板上，遮光层包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层；第一缓冲层，该第一缓冲层至少部分地覆盖基板上的遮光层；第二缓冲层，该第二缓冲层位于第一缓冲层上；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于第二缓冲层上；选通线，该选通线位于栅极绝缘层上并且不与遮光层交叠，选通线包括第三金属层和位于第三金属层上的第四金属层；钝化层，该钝化层至少部分地覆盖选通线；平坦化层，该平坦化层位于钝化层上；以及发光元件，该发光元件包括顺序地布置在平坦化层上的第一电极、发光层和第二电极。

在一个实施方式中，一种电致发光显示器包括：遮光层，该遮光层位于基板上，遮光层包括多个第一反射层，其中，由多个第一反射层中的每个第一反射层反射的光具有相反的相位，使得由多个第一反射层反射的光至少部分地相消干涉；多个缓冲层，该多个缓冲层位于遮光层上；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于多个缓冲层上；选通线，该选通线位于栅极绝缘层上并且不与遮光层交叠，选通线包括多个第二反射层，其中，由多个第二反射层中的每个第二反射层反射的光具有相反的相位，使得由多个第二反射层反射的光至少部分地相消干涉；钝化层，该钝化层至少部分地覆盖选通线；平坦化层，该平坦化层位于钝化层上；以及发光元件，该发光元件包括顺序地布置在平坦化层上的第一电极、发光层和第二电极。

结果，可以显著地抑制或减少外部光反射，可以增强对比度，并且可以提高视频质量。此外，在没有成本相对昂贵的偏光元件的情况下，可以节省显示装置的价格和制造显示装置的成本。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解并且附图被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：

图1是例示根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的平面图。

图2是例示根据本公开的电致发光显示器中包括的一个像素的结构的电路图。

图3是例示根据本公开的设置在电致发光显示器中的像素的结构的平面图。

图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器的低反射结构。

图5是说明根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的阴极的放大截面图。

图6是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的遮光层的放大截面图。

图7是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的线的放大截面图。

图8是例示根据本公开的优选实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的遮光层的反射抑制程度的曲线图。

图9是例示根据与本公开的实施方式不同的比较例的具有单个缓冲层的电致发光显示器的情况下的光反射机制的放大截面图。

图10是例示根据图9的结构的在具有与遮光层相同的低反射结构的比较例中的选通线的反射率的曲线图。

图11是例示根据本公开的实施方式的电致发光显示器中通过低反射结构实现的反射率的减小的曲线图。

具体实施方式

现在将详细参照本公开的示例性实施方式，在附图中例示了本公开的示例性实施方式的示例。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的附图标记指代相同或类似的部件。在说明书中，应当注意，在其它附图中已经用于表示相同元件的相同附图标记在可能的情况下用于元件。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应理解如下。

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的形式来实施，不应视为局限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开可以足够彻底和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的受保护范围由权利要求及其等同物限定。

在附图中例示以便描述本公开的各种示例实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅通过示例的方式给出。因此，本公开不限于所示的细节。除非另有说明，否则在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的要点的情况下，可以省略此类已知功能或配置的详细描述。

在本说明书中，在使用用语“包括”、“具有”、“包含”等的情况下，除非使用诸如“仅”之类的用语，否则可以添加一个或更多个其它元件。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，并且以复数形式描述的元件旨在包括单个元件。

在解释一要素时，即使没有提供误差或公差范围的明确描述，该要素也被解释为包括这种误差或公差范围。

在本公开的各种实施方式的描述中，在描述位置关系的情况下，例如，在使用“上”、“上方”、“下”、“之上”、“之下”、“旁边”、“接近”等来描述两个部件之间的位置关系的情况下，除非使用诸如“立即”、“直接”或“紧邻”之类的更限制性的术语，否则一个或更多个其它部件可以位于该两个部件之间。例如，在一元件或层设置在另一元件或层“上”的情况下，第三层或元件可以插置在其间。此外，如果第一元件被描述为定位在第二元件“上”，则不一定意味着在图中第一元件定位在第二元件上方。相关对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此，在第一元件被描述为定位在第二元件“上”的情况下，根据对象的取向，在图中或在实际配置中，第一元件可以定位在第二元件的“下方”或第二元件的“上方”。

在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“仅仅”、“即刻”或“直接”之类的更限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。

应当理解，尽管本文可以使用用语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些用语的限制，因为它们不用于限定特定顺序。这些用语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开中的各种元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)之类的用语。这些用语仅用于将一个元件与另一元件区分开，而不用于限定元件的特定性质、次序、顺序或数量。在元件被描述为“链接”、“联接”或“连接”到另一元件的情况下，除非另有说明，否则该元件可以直接或间接连接到该另一元件。应当理解，附加的元件或多个元件可以“插置”在被描述为彼此“链接”、“连接”或“联接”的两个元件之间。

应当理解，用语“至少一个”应被理解为包括相关联所列项中的一个或更多个项的的任一项和所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义包括所有三个列出的元件的组合、三个元件中的任两个元件的组合以及每个单独的元件，第一元件、第二元件和第三元件。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以如本领域技术人员能够充分理解的那样，以各种方式彼此互操作并且在技术上进行驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依存的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的附图标记指代相同或类似的部件。由于为了便于描述，附图中所示的元件中的每个元件的比例可以不同于实际比例，因此本公开不限于附图中所示的比例。

在下文中，参照附图，将说明本公开。图1是例示根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的平面图。在图1中，X轴是指平行于扫描线的方向，Y轴是指数据线的方向，并且Z轴是指显示装置的高度方向。

参照图1，电致发光显示器包括基板110、选通(或扫描)驱动器210、数据焊盘部分310、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和定时控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料和/或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由例如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于表示视频图像的区域的显示区域AA可以被限定成基板110的大部分中间区域，但是不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或选通线)、多条数据线和多个像素。像素中的每个像素可以包括多个子像素。子像素中的每个子像素分别包括扫描线和数据线。

作为不表示视频图像的区域的非显示区域NDA可以限定在基板110的围绕显示区域AA的全部或部分的周边区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置选通驱动器210和数据焊盘部分310。

选通驱动器210可以根据从定时控制器500接收的选通控制信号来向扫描线提供扫描(或选通)信号。选通驱动器210可以形成在基板110上的显示区域AA的任一外侧处的非显示区域NDA处，作为GIP(面板内栅极驱动器)类型。GIP类型是指选通驱动器210直接形成在基板110上。

数据焊盘部分310可以根据从定时控制器500接收的数据控制信号来向数据线提供数据信号。数据焊盘部分310可以被制成驱动器芯片并安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附接在基板110上的显示区域AA的任一外侧处的非显示区域NDA处，作为TAB(带式自动接合)类型。

源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，然后向数据线提供模拟数据电压。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以被安装在柔性膜430上，作为COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型。

柔性膜430可以包括将数据焊盘部分310连接到源极驱动IC 410的多条第一链接线和将数据焊盘部分310连接到电路板450的多条第二链接线。柔性膜430可以使用各向异性导电膜附接在数据焊盘部分310上，使得数据焊盘部分310可以连接到柔性膜430的第一链接线。

电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括实现成驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

定时控制器500可以通过电路板450的线路电缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号来生成用于控制选通驱动器210的操作定时的选通控制信号和用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以向选通驱动器210提供选通控制信号，并且向源极驱动IC 410提供源极控制信号。根据产品类型，定时控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并安装在基板110上。

在下文中，参照图2至图4，将说明本公开的一个实施方式。图2是例示根据本公开的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。图3是例示根据本公开的一个实施方式的像素的结构的平面图。图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器的低反射结构。

参照图2至图4，发光显示器的一个像素可以由选通线SL(或扫描线)、数据线DL和驱动电流线VDD来限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被提供有用于驱动发光二极管OLE的高电平电压。

开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以形成在基板SUB上。例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在选通线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅极SG、开关源极SS和开关漏极SD。开关栅极SG可以连接到选通线SL。开关源极SS可以连接到数据线DL，并且开关漏极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT提供数据信号，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到对通过开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE进行驱动的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅极DG、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD。例如，驱动栅极DG可以经由穿透栅极绝缘层GI的漏极接触孔DH连接到开关漏极SD。驱动源极DS可以连接到驱动电流线VDD，并且驱动漏极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极ANO(或第一电极)。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极DG与发光二极管OLE的阳极ANO之间。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD的驱动栅极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流到发光二极管OLE的电流量。

发光二极管OLE可以包括阳极ANO、发光层EL和阴极CAT(或第二电极)。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流量来发射光。换句话说，发光二极管OLE可以通过由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压与低电平电压之间的电压差来驱动。发光二极管OLE的阳极ANO可以连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD，并且阴极CAT可以连接到提供有低电平电位电压的低电平电压线VSS。也就是说，发光二极管OLE可以通过由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压和从低电平电压线VSS提供的低电平电压来驱动。

参照图4，将说明根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器的截面结构。遮光层LS可以设置在基板110上，优选地直接设置在基板上。遮光层LS可以用于数据线DL和驱动电流线VDD。此外，遮光层LS可以被设置成以预定距离与数据线DL和驱动电流线VDD分开。遮光层LS可以具有与开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA和驱动薄膜晶体管DT的驱动半导体层DA至少部分交叠的岛状。不用于任何导线的遮光层LS可以阻挡外部光入射到半导体层SA和DA中，以减少半导体层SA和DA的特性的劣化。在一个实施方式中，遮光层LS可以被设置成与半导体层SA和DA中的分别与栅极SG和DG交叠的沟道区域交叠。另外，遮光层LS可以被设置成与源极-漏极SS、SD、DS和DD的分别接触半导体层SA和DA的一些部分交叠。

在遮光层LS上，缓冲层BUF被设置成覆盖基板110的整个表面。在本公开的一个实施方式中，缓冲层BUF可以具有顺序层叠在彼此上的第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2。例如，第一缓冲层BUF1可以由氮化硅(SiNx)形成。氮化硅可以具有折射率为1.8的性质。第二缓冲层BUF2可以由氧化硅(SiOx)形成。氧化硅可以具有折射率为1.5的性质。通过如上所述形成具有不同光学性质的两层的缓冲层，光在基板110与第一缓冲层BUF1之间的界面处被反射，并且光也从第一缓冲层BUF1与第二缓冲层BUF2之间的界面处被反射。这里，通过调整第一缓冲层BUF1的厚度，从下表面和上表面反射的光的相位彼此相反，使得可以减小从外部入射的光的反射率。稍后可以给出其更详细的描述。

在缓冲层BUF上，形成开关半导体层SA和驱动半导体层DA。在一个实施方式中，半导体层SA和DA中的沟道区域被设置成与遮光层LS交叠。

栅极绝缘层GI可以设置在具有半导体层SA和DA的基板110的表面上。在一个实施方式中，栅极绝缘层GI可以由与第二缓冲层BUF2相同的材料形成。例如，栅极绝缘层GI可以由氧化硅材料形成。在这种情况下，由于栅极绝缘层GI和第二缓冲层BUF2由相同的材料制成，所以光可以在不被反射的情况下穿过它们的界面。因此，不需要考虑栅极绝缘层GI对外部光的反射。

在栅极绝缘层GI上，开关栅极SG可以形成为与开关半导体层SA交叠，并且驱动栅极DG可以形成为与驱动半导体层DA交叠。在开关栅极SG的两侧，可以形成与开关半导体层SA的一侧接触并与开关栅极SG分开的开关源极SS，并且可以形成与开关半导体层SA的另一侧接触并与开关栅极SG分开的开关漏极SD。另外，在驱动栅极DG的两侧，可以形成与驱动半导体层DA的一侧接触并与驱动栅极DG分开的驱动源极DS，并且可以形成与驱动半导体层DA的另一侧接触并与驱动栅极DG分开的驱动漏极DD。

栅极SG和DG以及源极-漏极SS、SD、DS和DD形成在同一层，但是它们彼此分离。开关源极SS可以经由穿过栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔连接到形成为遮光层LS的一部分的数据线DL。另外，驱动源极DS可以经由穿过栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的另一接触孔连接到形成为遮光层LS的另一部分的驱动电流线VDD。

在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110上，可以沉积钝化层PAS。钝化层PAS可以由氧化硅材料形成。钝化层PAS可以具有与其下方的栅极绝缘层GI表面接触的相对非常大的面积。通过形成与栅极绝缘层GI相同材料的钝化层PAS，从外部入射的外部光在栅极绝缘层GI与钝化层PAS之间可以不被反射。

滤色器CF可以形成在钝化层PAS上。滤色器CF可以是用于表示在每个像素处分配的颜色的元件。在示例中，一个滤色器CF可以具有与一个像素的尺寸和形状相对应的尺寸和形状。在另一示例中，一个滤色器CF可以具有比稍后将形成的发光二极管OLE稍大的尺寸，并且可以被设置成与发光二极管OLE交叠。由于滤色器CF透射特定波长的光并吸收其它波长的光，因此穿过滤色器CF之后的光的量可以比穿过滤色器CF之前的光的量小得多，从而可以不必考虑外部光在滤色器CF与钝化层PAS之间的反射。

平坦化层PL可以沉积在滤色器CF上。平坦化层PL可以是用于使其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的非均匀表面平坦化或变平整的薄膜。为此，平坦化层PL可以由有机材料制成。平坦化层PL可以与钝化层PAS表面接触，并且可以是与钝化层PAS的材料不同的材料，但是在一个实施方式中，平坦化层PL可以由折射率与氧化硅的折射率类似的材料制成。

钝化层PAS和平坦化层PL可以具有用于使驱动薄膜晶体管DT的漏极DD的一些部分暴露的像素接触孔。在平坦化层PL的表面上，可以形成阳极ANO。阳极ANO可以经由像素接触孔连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。根据发光二极管OLE的发光条件，阳极ANO可以具有不同的元件。对于发射的光可以被提供给基板110的底部发光型，在一个实施方式中，阳极ANO可以由透明导电材料制成。对于发射的光可以被提供到与基板110相反的方向的顶部发光型，在一个实施方式中，阳极ANO可以包括具有优异反射率的金属材料。

在诸如电视机的大面积显示装置的情况下，设置在阳极ANO上的阴极CAT可以形成为覆盖大面积的一层。阴极CAT在宽区域上方保持均匀的低电压。因此，在大面积显示装置的情况下，阴极CAT可以由不透明金属材料形成，以便保持较低的薄层电阻。因此，在大面积显示装置的情况下，使用底部发光型结构。对于底部发光型，阳极ANO可以由透明导电材料制成。例如，阳极ANO可以包括诸如氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)之类的氧化物导电材料。这些氧化物导电材料可以具有与氧化硅的折射率类似的折射率。因此，可以不必考虑阳极ANO对外部光的反射。

在阳极ANO上，可以形成堤部BA。堤部BA可以通过覆盖阳极ANO的周边区域并暴露阳极ANO的大部分中间区域来限定发光区域OA。堤部BA可以设置在相邻的两个阳极ANO之间。显示区域AA可以具有多个像素P。像素P中的任一像素可以包括未被堤部BA覆盖的发光区域和被堤部BA覆盖的非发光区域。堤部BA可以由有机材料制成。通过选择折射率为约1.5的材料，可以不必考虑堤部BA对外部光的反射。另选地，在选择折射率大于1.5的堤部BA材料的情况下，通过使用黑色材料吸收从外部入射的光，可以抑制外部光的反射。

发光层EL可以沉积在阳极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积在基板110上的显示区域AA的整个表面上方，以覆盖阳极ANO和堤部BA。例如，发光层EL可以包括用于发射白光的两个或更多个层叠的发光部分。详细地，发光层EL可以包括提供第一颜色光的第一发光层和提供第二颜色光的第二发光层，用于通过将第一颜色光和第二颜色光组合来发射白光。

在另一示例中，发光层EL可以包括与分配给像素的颜色相对应的蓝光发光层、绿光发光层和红光发光层中的至少任一发光层。另外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或使用寿命的至少一个功能层。

当发光层EL具有有机材料时，通过选择折射率为约1.5的材料，可以不必考虑发光层EL与阳极ANO之间的界面对外部光的反射。

阴极CAT可以设置在发光层EL上。阴极CAT可以以彼此表面接触的方式层叠在发光层EL上。阴极CAT可以形成为在基板110的整个区域上方的一个片状元件，以共同连接到设置在所有像素处的整个发光层EL。在底部发光型的情况下，阴极CAT可以包括具有优异的光反射率的金属材料。例如，阴极CAT可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)或钡(Ba)中的至少任一种。阴极CAT可以包括多个阴极层，优选地包括顺序层叠的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3。

本公开提供了一种用于减少外部光被显示装置的金属材料反射的低反射结构。例如，本公开提供了一种用于防止或至少减少外部光被形成在基板110的整个表面区域上方的阴极CAT反射的结构。此外，本公开提供了一种用于防止或至少减少外部光被设置在最靠近基板100的层处的遮光层LS反射的结构。另外，本公开提供了一种用于防止或至少减少外部光被选通线SL的暴露于基板110的底表面的一些部分反射(因为选通线SL的暴露部分不与遮光层LS交叠)的结构。

参照图5，在本公开的实施方式中，将说明用于抑制外部光的反射的阴极CAT的结构。图5是说明根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的阴极的放大截面图。

在根据本公开的底部发光型电致发光显示器中，阴极CAT可以包括三个阴极层。例如，阴极CAT可以包括顺序层叠在发光层EL上的第一阴极层CAT1、第二阴极层CAT2和第三阴极层CAT3。第一阴极层CAT1可以首先层叠在发光层EL上以与发光层EL直接表面接触。第一阴极层CAT1可以由具有相对低的表面电阻的金属材料制成。例如，第一阴极层CAT1可以包括铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)、钛(Ti)和钡(Ba)中的任一种。考虑到制造工艺和成本，作为一个示例将说明第一阴极层CAT1可以由铝形成的情况。

在第一阴极层CAT1由铝制成的情况下，第一阴极层CAT1可以形成为

至

的厚度。例如铝的金属材料是不透明的并且具有相对高的反射性。

第二阴极层CAT2可以包括导电树脂材料。导电树脂材料可以包括由具有高电子迁移率的树脂材料制成的域材料(domain material)和用于降低域材料的势垒能的掺杂剂。例如，域材料是在作为一个域的整个第二阴极层CAT2上方保持一定水平的电子迁移率的基础材料。具有高电子迁移率的树脂材料可以包括选自Alq3、TmPyPB、Bphen、TAZ和TPB中的任一种。Alq3可以是“三(8-羟基喹啉)铝”的缩写，并且是化学式为Al(C₉H₆NO)₃的络合物。TmPyPB可以是缩写为“1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene)”的有机材料。Bphen可以是缩写为“二苯基菲咯啉(Bathophenanthroline)”的有机材料。TAZ可以是缩写为“1,2,3-三唑(1,2,3-triazole)”的有机材料。TPB可以是缩写为三苯基铋的有机材料。由于这些有机材料具有高电子迁移率，因此它们可以用于发光元件中。

掺杂剂的材料可以包括基于碱的掺杂材料。例如，掺杂剂的材料可以包括锂(Li)、铯(Cs)、氧化铯(Cs₂O₃)、氮化铯(CsN₃)、铷(Rb)和氧化铷(Rb₂O)中的至少任一种。在另一示例中，掺杂剂的材料可以包括具有高电子迁移率的富勒烯。富勒烯可以是其中碳原子排列成球形、椭圆形或圆柱形的分子的通用术语。例如，掺杂剂的材料可以包括巴克敏斯特富勒烯(C60)，其中60个碳原子主要以足球的形状结合。另外，掺杂剂的材料可以包括高富勒烯，诸如C70、C76、C78、C82、C90、C94和C96。

第二阴极层CAT2可以具有与包括在发光层EL中的电子传输层或电子注入层相同的材料。然而，与电子传输层或电子注入层不同，第二阴极层CAT2可以具有比电子传输层或电子注入层高的电子迁移率。例如，电子传输层或电子注入层可以具有5.0×10^-4(S/m)至9.0×10^-1(S/m)的电子迁移率，而第二阴极层CAT2可以具有1.0×10^-3(S/m)至9.0×10⁺¹(S/m)的电子迁移率。为此，包括在第二阴极层CAT2中的导电树脂材料可以具有比电子传输层或电子注入层的掺杂剂含量高的掺杂剂含量。

例如，根据一个实施方式，电子传输层或电子注入层具有2％至10％的掺杂剂掺杂浓度，而第二阴极层CAT2可以是具有10％至30％的掺杂剂掺杂浓度的导电树脂材料。掺杂剂具有0％的掺杂浓度的域材料本身可以具有1.0×10^-4(S/m)至5.0×10^-3(S/m)的电导率。通过掺杂10％至30％的掺杂剂到域材料中，第二阴极层CAT2可以具有1.0×10^-3(S/m)至9.0×10⁺¹(S/m)的改进的电导率以用作阴极。

在一种情况下，第二阴极层CAT2可以具有与发光层EL的电子功能层(电子传输层和/或电子注入层)相同的电导率。在这种情况下，由于由铝制成的第一阴极层CAT1，阴极CAT的薄层电阻可以保持在足够低的值。

第三阴极层CAT3可以由与第一阴极层CAT1相同的材料制成。在一个实施方式中，第三阴极层CAT3可以具有足够的厚度，使得无论基板SUB的位置如何，阴极CAT的薄层电阻都可以保持在恒定值，同时不透射光而是反射所有光。例如，第三阴极层CAT3可以由具有低薄层电阻的金属材料形成，以具有比第一阴极层CAT1和第二阴极层CAT2相对厚的厚度，以便降低阴极CAT的整体薄层电阻。例如，第三阴极层CAT3可以由厚度在

至

范围中的铝形成。

具有这种厚度和上述层叠结构的阴极CAT可以减小相对于从基板的底部方向(即，从外部到第一阴极层CAT1)入射的光的反射率。需要外部光反射抑制的部分可以是主要影响图像信息的显示区域。因此，优选地将低反射结构实现到通常施加到整个显示区域DA上方的阴极CAT。在下文中，将参照指示图5中所示光路的箭头进行描述。

参照包括在发光二极管OLE中的阴极CAT的结构，来自阴极CAT的下部外侧的入射光①可以穿过透明的阳极ANO和发光层EL。入射光①中的一些可以在第一阴极层CAT1的底(或下)表面处反射，然后作为第一反射光②朝向基板110行进。由于第一阴极层CAT1具有

或更小的薄的厚度，所以可能不反射入射光①的全部。例如，可以将入射光①的45％反射为第一反射光②，并且入射光①的剩余55％可以穿过第一阴极层CAT1。穿过第一阴极层CAT1的透射光③的全部量可以穿过透明的第二阴极层CAT2。之后，透射光③可以被第三阴极层CAT3反射。由于第三阴极层CAT3可以具有

至

的厚度，所以透射光③的全部量可以被反射并且作为第二反射光④朝向基板110行进。

这里，通过调整或改变第二阴极层CAT2的厚度，可以将第一反射光②和第二反射光④的相位设置成彼此抵消。例如，第一反射光②可以与入射光①的45％相对应，而第二反射光④可以几乎等于透射光③的量，以与入射光①的55％相对应。因此，由于相位相消干涉而剩余的反射光的量可以是大约5％。然而，考虑到被各种薄膜层吸收的光的量，反射光亮度(从阴极CAT的外部入射并最终反射到基板110的外部的反射光的强度)可以减小到2％或更小。

此外，在从发光层EL发射的光当中，发射到阴极CAT的方向并被阴极CAT反射的光的量可以通过相同的机制减少至约2％。然而，由于从发光层EL发射的光可以在所有方向上传播，所以由阴极CAT减少的光的量可以仅是来自发光层EL的光的总量的约50％，并且剩余的50％可以朝向基板110发射。

根据本公开的电致发光显示器可以是包括三层层叠结构的阴极CAT的底部发光型。可以通过三层层叠结构的阴极CAT的结构来尽可能地抑制外部光的反射。因此，不需要在基板110的外部设置偏光元件以减少外部光反射。偏光元件具有抑制外部光反射的积极效果，但是具有将从发光层EL发射的光的量减少至少50％的负面效果。

在根据本公开的电致发光显示器中，由于三层层叠结构的阴极CAT，从发光层EL发射的光的量可以减少约50％，但是这几乎与由于偏光元件导致的光的量的减少相同。因此，根据本公开的电致发光显示器可以在不使用昂贵的偏光元件的情况下在提供相同水平的发光效率的同时减少外部光反射。

在下文中，参照图6和图7，将说明用于抑制外部光在遮光层LS和选通线SL中的反射的结构。图6是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的遮光层的放大截面图。图7是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的线的放大截面图。

在本公开中，遮光层LS和选通线SL可以具有用于抑制外部光反射的结构，其中，选通线SL表示选通线SL、栅极SG和DG、源极-漏极SS、SD、DS和DD以及将驱动漏极DD连接到驱动电流线VDD的链接线VDL。例如，选通线SL可以具有其中第一金属氧化物层101(例如，第一反射层)和第二金属层200(例如，第二反射层)可以顺序层叠的结构。

第一金属氧化物层101可以包括低反射金属氧化物材料。低反射金属氧化物材料可以由氧化钼钛(MTO)形成。第二金属层200可以包括低电阻金属材料。例如，低电阻金属材料可以包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)等。因此，第一金属氧化物层101在仍具有反射性时比第二金属层200的反射性低。

这里，第一金属氧化物层101可以是用于匹配折射率的氧化物层。由于作为氧化物的第一金属氧化物层101的折射率可以与作为金属材料的第二金属层200的折射率明显不同，因此可以通过使用从第一金属氧化物层101反射的光与从第二金属层200反射的光之间的相位相消干涉来抑制外部光的反射。

参照图6，首先将描述用于抑制遮光层LS对外部光的反射的机制。从遮光层LS的底侧穿过基板110的入射光①中的一部分可以被第一金属氧化物层101的底(或下)表面反射，然后作为第一反射光②朝向基板110行进。第一金属氧化物层101是氧化物材料并且具有相对高的透明度，并且由于在与基板110的界面处的折射率的差异，第一金属氧化物层101可以不反射入射光①的全部。例如，入射光①的约45％可以被反射为第一反射光②，入射光①的其它55％可以穿过第一金属氧化物层101。穿过第一金属氧化物层101的透射光③可以被不透明的第二金属层200反射。由于第二金属层200由不透明金属材料形成，所以全部的透射光③可以被反射并作为第二反射光④朝向基板110行进。

这里，通过调整或控制第一金属氧化物层101的厚度，可以将第一反射光②和第二反射光④的相位设置成彼此抵消。当期望选择性地降低人眼最敏感的绿光的反射率时，第一金属氧化物层101的厚度可以被设置成与绿光的半波长的倍数相对应。例如，当绿光的代表波长是550nm时，第一金属氧化物层101可以形成为具有

的厚度(其是绿光的半波长275nm的倍数)，或者具有其整数倍的任何厚度。结果，反射光亮度(其是入射到遮光层LS的底部外侧并从该底部外侧反射的反射光的强度)可以减小到5％或更低的水平。

参照图7，将描述用于抑制选通线SL对外部光的反射的机制。从选通线SL的底侧穿过基板110的入射光①中的一部分可以被基板110与第一缓冲层BUF1之间的界面反射，然后作为第一反射光②朝向基板110行进。在基板110可以是折射率为1.5的玻璃基板并且第一缓冲层BUF1可以是折射率为1.8的氮化硅的情况下，由于折射率的差异，在基板110与第一缓冲层BUF1之间的界面处可能发生一些反射。未被反射的剩余光可以穿过第一缓冲层BUF1。穿过第一缓冲层BUF1的第一透射光

可以在第一缓冲层BUF1与第二缓冲层BUF2之间的界面处被部分反射，然后可以作为第二反射光④朝向基板110行进。未被反射的剩余光可以穿过第二缓冲层BUF2并且可以作为第二透射光⑤行进。

这里，可以通过第一缓冲层BUF1的厚度和第二缓冲层BUF2的厚度来调整从基板110与第一缓冲层BUF1之间的界面反射的比率和从第一缓冲层BUF1与第二缓冲层BUF2之间的界面反射的比率。例如，通过将第一缓冲层BUF1的厚度设置成

并且将第二缓冲层BUF2的厚度设置成

或者将第一缓冲层BUF1的厚度设置成

并且将第二缓冲层BUF2的厚度设置成

可以将从基板110与第一缓冲层BUF1之间的界面的反射的比率调整为20％，并且可以将从第一缓冲层BUF1与第二缓冲层BUF2之间的界面的反射的比率调整为25％。

结果，入射光①的20％可以被反射为第一反射光②，并且入射光①的80％可以是穿过第一缓冲层BUF1的第一透射光

由于第一透射光

的25％可以被反射为第二反射光④，因此第二反射光④可以与入射光①的20％相对应。这里，通过将第一缓冲层BUF1的厚度设置或选择成使得第一反射光②和第二反射光④的相位相反的条件，可以通过相消干涉来去除第一反射光②和第二反射光④。也就是说，通过调整和控制第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2的厚度，可以首先减少进入选通线SL的入射光①的40％。

接下来，穿过第二缓冲层BUF2的第二透射光⑤可以由于选通线SL的低反射结构而被相位抵消。例如，第二透射光⑤可以在第一金属氧化物层101的底表面处被部分反射，并且可以作为第三反射光⑥行进到基板110。第一金属氧化物层101是氧化物并且具有高透明度，并且由于与栅极绝缘层GI的界面处的折射率的差异而不反射第二透射光⑤的全部。例如，第二透射光⑤的约45％可以被反射为第三反射光⑥，并且剩余55％可以穿过第一金属氧化物层101。穿过第一金属氧化物层101的第三透射光⑦可以被不透明的第二金属层200反射。由于第二金属层200由不透明金属材料形成，所以全部的第三透射光⑦可以被反射并作为第四反射光⑧朝向基板110行进。

例如，第一透射光

的25％可以被反射为第二反射光④，并且第一透射光③'的剩余75％可以作为第二透射光⑤行进。结果，第二透射光⑤可以与入射光①的60％相对应。由于第三反射光⑥可以是第二透射光⑤的45％，因此其可以与入射光①的27％相对应。此外，由于第四反射光⑧可以反射全部的第三透射光⑦，因此其可以与入射光①的33％相对应。这里，通过调整第一金属氧化物层101的厚度，可以将第三反射光⑥和第四反射光⑧的相位设置成彼此抵消。结果，由于相消干涉，第三反射光⑥和第四反射光⑧的约6％可以是反射的光。如上所述，考虑到在相消干涉过程期间外部光穿过的薄膜部分地吸收的光的量，反射光亮度(其是从选通线SL的底部外侧入射的反射光的强度)可以是5％或更小。

根据本公开的电致发光显示器可以通过将低反射结构应用于阴极CAT来抑制外部光在阴极CAT处的反射，该阴极CAT包括金属材料并且沉积在基板的整个区域上方。另外，通过将使用金属氧化物层的低反射结构应用于遮光层LS，可以抑制外部光的反射。在阴极CAT下面层叠有相对厚的层。由于相对厚的层可以不导致外部光在它们的界面处的反射，因此仅通过将低反射结构应用于阴极CAT，可以有效地减少或抑制外部光的反射。对于遮光层LS，由于在遮光层LS与基板110之间不存在其它层，因此仅通过将低反射结构应用于遮光层LS就足以抑制外部光的反射。然而，对于选通线SL，存在例如缓冲层BUF的其它层，从而在其它层的界面处的反射率可能增大。为了减少或抑制可能在选通线SL等处导致和增加的反射，本公开通过调整和/或控制层的厚度和例如折射率的光学性质来提供外部光反射抑制结构。

在下文中，参照各种实验图，将描述根据缓冲层BUF的结构特征抑制外部光反射的结果。参照图8，将说明通过将低反射结构应用于遮光层LS而测试的外部光反射率。图8是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中的具有低反射结构的遮光层的反射抑制程度的曲线图。从图8中可以看出，由于本公开的低反射结构，在550nm至650nm之间(其是人眼最敏感的绿色波长带)的光的反射率可以为约5％。

此外，参照图9，将描述比较例，其中，选通线SL具有与遮光层相同的低反射结构，但是缓冲层BUF是单层。图9是例示根据与本公开的实施方式不同的比较例的具有单个缓冲层的电致发光显示器的情况下的光反射机制的放大截面图。

参照图9，缓冲层BUF可以设置在基板SUB上。缓冲层BUF可以具有单层结构。栅极绝缘层GI可以沉积在缓冲层BUF上。选通线GL可以形成在栅极绝缘层GI上。选通线SL可以具有与遮光层LS相同的结构。例如，选通线SL可以包括顺序层叠的第一金属氧化物层101和第二金属层200。

第一金属氧化物层101可以包括低反射金属氧化物材料。低反射金属氧化物材料可以由氧化钼钛(MTO)形成。第二金属层200可以包括低电阻金属材料。例如，低电阻金属材料可以包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)等。结果，就像图6和图7中说明的机制一样，可以通过将第一金属氧化物层101的反射光(即，第三反射光⑥)的相位与第二金属层200的反射光(即，第四反射光⑧)的相位抵消来抑制外部光反射。

对于缓冲层BUF可以包括氧化硅(SiOx)的情况，由于基板110、缓冲层BUF和栅极绝缘层GI具有相同的折射率1.5，所以反射光可以不出现在设置在选通线SL下方的基板110、缓冲层BUF和栅极绝缘层GI的界面处。即使反射光可能发生，其也可能不是要考虑的水平。缓冲层BUF可以是用于使遮光层LS与层叠在其上的其它金属层电绝缘的绝缘层。缓冲层BUF可以与遮光层LS表面接触，并且氧化硅可能具有与金属材料的较差的界面性质，因此随着时间的推移，在缓冲层BUF与遮光层LS之间可能发生剥离现象。

为了解决该剥离问题，缓冲层BUF可以由氮化硅(SiNx)形成。当缓冲层BUF由氮化硅(SiNx)形成时，在如图9所示的层叠基板110、缓冲层BUF和栅极绝缘层GI的结构中，缓冲层BUF可以具有1.8的折射率。因此，外部光可以在基板110与缓冲层BUF之间的界面处和/或在缓冲层BUF与栅极绝缘层GI之间的界面处被反射。

栅极绝缘层GI可以是层叠在栅极SG和DG与半导体层SA和DA之间的层，并且可以被设计成利用施加到栅极SG和DG的电压形成适合于半导体层SA和DA的电场。因此，可以根据显示装置的特性和制造工艺条件来固定栅极绝缘层GI的厚度。

当单个缓冲层BUF由氮化硅制成时，其可以具有如图9所示的反射机制。与图7相比，虽然其具有非常类似的机制，但可能难以抑制反射光。例如，从选通线SL的底侧穿过基板110的入射光①可以被基板110与缓冲层BUF之间的界面部分反射，然后作为第一反射光②朝向基板110行进。未被反射的剩余光可以穿过缓冲层BUF。穿过缓冲层BUF的第一透射光

可以在缓冲层BUF与栅极绝缘层GI之间的界面处被部分反射，然后可以作为第二反射光④朝向基板110行进。未被反射的剩余光可以穿过栅极绝缘层GI并且可以作为第二透射光⑤行进。

穿过栅极绝缘层GI的第二透射光⑤可以由于第三反射光⑥与第四反射光⑧之间的相位相消干涉而减少，如图7中所说明的机制。然而，第一反射光②与第二反射光④之间可能存在相对大的差异，因此反射光可能不被抑制。例如，即使调整缓冲层BUF的厚度使得第一反射光②和第二反射光④的相位相反，栅极绝缘层GI的厚度也不能调整，使得难以将第一反射光②的光的量和第二反射光④的光的量调整到处于类似水平。因此，在包括单个缓冲层BUF、特别是由氮化硅制成的单个缓冲层BUF的比较例的情况下，选通线SL处的外部光反射可能超过5％，并且可以发生10％或更多的外部光反射。

实际上，当针对如图9所示的比较例的结构测量外部光反射率时，可以获得如图10所示的曲线图。图10是例示根据图9的结构的在具有与遮光层相同的低反射结构的比较例中的选通线的反射率的曲线图。可以知道，即使当将低反射结构应用于选通线SL时，如果不将用于抑制外部光反射的结构应用于缓冲层BUF，则反射率可能增大到约10％至20％。

另一方面，当应用根据本公开的缓冲层BUF的结构时，可以获得如图11所示的相同结果。图11是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器中通过低反射结构实现的反射率的减小的曲线图。图11的曲线图中的曲线

是指根据现有技术(也就是说，当完全没有应用低反射结构时)的由外部光引起的反射率。曲线

可以指示当第一缓冲层BUF1的厚度为

并且第二缓冲层BUF2的厚度为

时由外部光引起的反射率。此外，曲线

可以指示当第一缓冲层BUF1的厚度为

并且第二缓冲层BUF2的厚度为

时由外部光引起的反射率。参照图11，可以知道，在具有根据本公开的缓冲层的结构的情况下，对于550nm至650nm的光，外部光反射率被降低到5％的水平，550nm至650nm是人眼最敏感的绿色波长带。

在图11的曲线图中，示出了针对代表性厚度值的曲线。然而，在实际实验中，在第一缓冲层BUF1的情况下，厚度以

为单位从

变化到

并且在第二缓冲层BUF2的情况下，厚度以

为单位从

变化到

结果，测量到曲线分布在图11所示的曲线

与曲线

之间的曲线图结果。因此，第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2的厚度可以不限于图11的曲线图中描述的厚度。第一缓冲层BUF1可以具有从

至

选择的厚度，并且第二缓冲层BUF2可以具有从

至

选择的任一厚度。

因此，通过在基板110上顺序层叠由氮化硅制成的第一缓冲层BUF1和由氧化硅制成的第二缓冲层BUF2，并调整其厚度，可以在不设置偏光元件的情况下，将外部光的反射减少到与偏光元件的情况相同的水平。特别地，在发光区域OA处设置具有低反射结构的阴极，并且低反射结构还应用于包括遮光层LS和线(包括选通线SL)的非发光区域NOA，因此外部光反射可以被减少或抑制到5％或更小的水平。此外，可以知道，根据本公开的缓冲层BUF的结构不会对发光区域OA中的低反射阴极的外部光反射抑制率产生负面影响。在一些情况下，黑色树脂材料可以应用于堤部BA以进一步减小外部光的反射率。

在本公开的上述示例性实施方式中描述的特征、结构、效果等包括在本公开的至少一个示例性实施方式中，并且不必限于仅一个示例性实施方式。此外，在至少一个示例性实施方式中说明的特征、结构、效果等可以由本公开所属领域的技术人员相对于其它示例性实施方式进行组合和修改来实现。因此，这种组合和变化应被解释为包括在本公开的范围内。

对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在本公开的范围内可以进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的实施方式旨在覆盖本公开的各种替换、修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求书中公开的特定示例性实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求被赋予的等同范围的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims

1.一种电致发光显示器，所述电致发光显示器包括：

遮光层，所述遮光层位于基板上，所述遮光层包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；

第一缓冲层，所述第一缓冲层至少部分地覆盖所述基板上的所述遮光层；

第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述第二缓冲层上；

选通线，所述选通线位于所述栅极绝缘层上并且不与所述遮光层交叠，所述选通线包括第三金属层和位于所述第三金属层上的第四金属层；

钝化层，所述钝化层至少部分地覆盖所述选通线；

平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层上；以及

发光元件，所述发光元件包括顺序地布置在所述平坦化层上的第一电极、发光层和第二电极。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第二电极包括：

第一阴极层，所述第一阴极层位于所述发光层上；

第二阴极层，所述第二阴极层位于所述第一阴极层上；以及

第三阴极层，所述第三阴极层位于所述第二阴极层上。

3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述第二阴极层的厚度使得从所述第一阴极层的底表面反射的第一反射光具有第一相位，并且从所述第三阴极层反射的第二反射光具有与所述第一相位相反的第二相位。

4.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述第一阴极层包括第一金属材料和在

至

的范围中的第一厚度，

其中，所述第二阴极层包括包含域材料和掺杂剂的导电有机材料，并且

其中，所述第三阴极层包括第二金属材料和在

至

的范围中的第二厚度。

5.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一金属层的厚度使得从所述第一金属层的底表面反射的第一反射光具有第一相位，并且在所述第一金属层与所述第二金属层之间的界面处反射的第二反射光具有与所述第一相位相反的第二相位。

6.根据权利要求5所述的电致发光显示器，其中，所述第一金属层和所述第三金属层各自包括金属氧化物材料和在

至

的范围中的厚度，并且

其中，所述第二金属层和所述第四金属层各自包括金属材料和在

至

的范围中的厚度。

7.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一缓冲层具有第一折射率，并且所述第二缓冲层具有与所述第一折射率不同的第二折射率。

8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，其中，所述基板、所述栅极绝缘层和所述钝化层包括所述第二折射率。

9.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，所述第一缓冲层包括具有1.8的第一折射率的氮化硅，并且

其中，所述第二缓冲层包括具有1.5的第二折射率的氧化硅。

10.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一缓冲层的厚度使得从所述基板与所述第一缓冲层之间的第一界面反射的第一反射光具有第一相位，并且从所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间的第二界面反射的第二反射光具有与所述第一相位相反的第二相位。

11.根据权利要求10所述的电致发光显示器，其中，所述第一缓冲层包括具有在

至

的范围中的第一厚度的氮化硅，并且

其中，所述第二缓冲层包括具有在

至

的范围中的第二厚度的氧化硅。

12.根据权利要求1所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：

半导体层，所述半导体层设置在所述第二缓冲层上，所述半导体层与所述遮光层交叠并且被所述栅极绝缘层至少部分地覆盖；

栅极、源极和漏极，所述栅极、源极和漏极位于所述栅极绝缘层上，所述栅极包括包含在所述选通线中的所述第三金属层和所述第四金属层中的至少一个金属层，

其中，所述源极与所述半导体层的第一部分接触，所述漏极与所述半导体层的第二部分接触，并且所述栅极与所述半导体层的位于所述半导体层的所述第一部分与所述半导体层的所述第二部分之间的第三部分交叠。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示器，其中，所述遮光层包括：

遮光区域，所述遮光区域与所述半导体层交叠；以及

线区域，所述线区域与所述遮光区域分离，所述线区域包括数据线和驱动电流线中的至少一者。

14.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述第一金属层和所述第三金属层包括氧化钼钛，并且所述第二金属层和所述第四金属层中的每个金属层包括铜、铝、银和金中的至少一种。

15.根据权利要求1所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：

堤部，所述堤部覆盖所述第一电极的周边区域并且暴露所述第一电极的部分以限定发光区域，所述堤部包括黑色树脂材料。

16.一种电致发光显示器，所述电致发光显示器包括：

遮光层，所述遮光层位于基板上，所述遮光层包括多个第一反射层，其中，由所述多个第一反射层中的每个第一反射层反射的光具有相反的相位，使得由所述多个第一反射层反射的光至少部分地相消干涉；

多个缓冲层，所述多个缓冲层位于所述遮光层上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述多个缓冲层上；

选通线，所述选通线位于所述栅极绝缘层上并且不与所述遮光层交叠，所述选通线包括多个第二反射层，其中，由所述多个第二反射层中的每个第二反射层反射的光具有相反的相位，使得由所述多个第二反射层反射的光至少部分地相消干涉；

钝化层，所述钝化层至少部分地覆盖所述选通线；

平坦化层，所述平坦化层位于所述钝化层上；以及

17.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述第二电极包括多个阴极层，所述多个阴极层包括：

第一阴极层，所述第一阴极层位于所述发光层上，所述第一阴极层包括第一金属材料和在

至

的范围中的第一厚度；

第二阴极层，所述第二阴极层位于所述第一阴极层上，所述第二阴极层包括包含域材料和掺杂剂的导电有机材料；以及

第三阴极层，所述第三阴极层位于所述第二阴极层上，所述第三阴极层包括第二金属材料和在

至

的范围中的第二厚度。

18.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述多个第一反射层包括第一金属层和第二金属层，并且所述多个第二反射层包括第三金属层和第四金属层，

其中，所述第一金属层和所述第三金属层各自包括金属氧化物材料和在

至

的范围中的厚度，并且

至

的范围中的厚度。

19.根据权利要求16所述的电致发光显示器，其中，所述多个缓冲层包括第一缓冲层和位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第一缓冲层具有第一折射率，并且所述第二缓冲层具有与所述第一折射率不同的第二折射率。

20.根据权利要求19所述的电致发光显示器，其中，所述第一缓冲层包括具有1.8的第一折射率的氮化硅，并且

其中，所述第二缓冲层包括具有1.5的第二折射率的氧化硅。