CN114695462A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置。显示装置可以减小或最小化由于微粒而变成暗点的发光区域的尺寸。该显示装置包括：基板，其设置有用于通过多个子像素显示图像的显示区域；多个第一电极，其设置在基板上的多个子像素的每一个中；多个驱动晶体管，其设置在基板和多个第一电极之间并连接到多个第一电极的每一个；发光层，其设置在多个第一电极上；以及第二电极，其设置在发光层上。多个第一电极中的每一个包括彼此隔开的多个分隔电极，通过接触孔与驱动晶体管连接的晶体管接触部，以及将多个分隔电极中的每一个与晶体管接触部连接的多个连接电极。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

显示装置可以包括顺序沉积的第一电极、发光层和第二电极，并且当电压施加到第一电极和第二电极时可以通过发光层发光。在该显示装置中，在制造工艺中在第一电极上可能出现微粒，并且在这种情况下，在第一电极和第二电极之间出现微粒的区域中可能出现短路。由于这个原因，显示装置的问题在于，其中出现微粒的所有子像素变成暗点以便不发光。

近来，正在积极地进行对透明显示装置的研究，在该透明显示装置中，用户可以通过发送显示装置来观看位于相对侧的对象或图像。

透明显示装置包括非显示区域和在其上显示图像的显示区域，其中显示区域可以包括能够透射外部光的透射区域和非透射区域。透明显示装置可以在显示区域中通过透射区域具有高透光率。

与普通显示装置相比，由于透射区域，透明显示装置具有小尺寸的发光区域。因此，当所有子像素由于微粒而变成暗点时，在透明显示装置中可能比普通显示装置更显著地发生亮度劣化。

发明内容

鉴于包括上述问题在内的各种技术问题而作出了本公开，并且本公开的各种实施方式提供了一种显示装置，其可以使变成暗点的发光区域的尺寸减小或最小化。

除了如上所述的本公开的技术益处之外，本领域技术人员将从本公开的以下描述中清楚地理解本公开的附加技术益处和特征。

根据本公开的一个方面，可以通过提供一种显示装置来实现上述和其他技术益处，该显示装置包括：基板，其设置有用于通过多个子像素显示图像的显示区域；多个第一电极，其设置在基板上方的多个子像素中的每一个中；多个驱动晶体管，其设置在基板和多个第一电极之间并且连接到多个第一电极中的每一个；发光层，其设置在多个第一电极上方；以及第二电极，其设置在发光层上方。多个第一电极中的每一个包括彼此隔开的多个分隔电极，通过接触孔与驱动晶体管连接的晶体管接触部，以及将多个分隔电极中的每一个与晶体管接触部连接的多个连接电极。

根据本公开的另一方面，可通过提供一种显示装置来实现上述和其它技术益处，所述显示装置包括：基板，其设置有透射区域和设置在所述透射区域之间的非透射区域；驱动晶体管，其设置在所述基板上方的所述非透射区域中；第一电极，其设置在所述驱动晶体管上方，包括多个经分隔电极和将所述多个经分隔电极中的每一者连接到所述驱动晶体管的多个连接电极；发光层，其设置在所述第一电极上方；以及第二电极，其设置在所述发光层上方。所述多个分隔电极和所述多个连接电极包括第一电极层和设置在所述第一电极层上的第二电极层，并且所述多个连接电极的至少一部分包括仅具有所述第一电极层和所述第二电极层中的一个的高电阻区域。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开的以上和其他目的，特征和其他优点，在附图中：

图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的透视图；

图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示面板的示意性平面图；

图3是示出设置在显示面板中的像素的示例的视图；

图4是示出设置在图3所示的像素中的第一电极的示例的视图；

图5是示出图4的区域A的放大图；

图6是沿图5的线I-I'截取的截面图；

图7是示出在图6中的多个分隔电极之一中出现微粒的示例的视图；

图8A和图8B是示出图3所示的第一电极的修改示例的视图；

图9是示出设置在图3所示的像素中的第一电极的另一示例的视图；

图10是示出图9的区域B的放大图；

图11是沿图10的线II-II'截取的截面图；以及

图12是示出在图11中的多个分隔电极之一中出现微粒的示例的视图。

具体实施方式

本公开的优点和特征及其实现方法将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应当被解释为限于这里阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。

在用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状，尺寸，比例，角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所示的细节。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部分，除非使用“仅”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反地提及。

在构造元素时，该元素被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。

在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……之上”、“在……上方”、“在……之下”和“在……旁边”时，一个或多个部分可以布置在两个其它部分之间，除非使用“仅”或“直接”。

应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在标识来自其他元素的对应元素，并且对应元素的基础，顺序或数目不受这些术语的限制。元件“连接”或“联接”到另一元件的表述应理解为该元件可直接连接或联接到另一元件，除非特别提及，可直接连接或联接到另一元件，或第三元件可插入在相应元件之间。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以彼此不同地互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示装置的示例。只要可能，在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。

图1是示出根据本公开的一个实施方式的显示装置的透视图。

以下，X轴表示与扫描线平行的线，Y轴表示与数据线平行的线，Z轴表示显示装置100的高度方向。

虽然已经基于将根据本公开的一个实施方式的显示装置100实现为有机发光显示装置进行了描述，但是显示装置100可以实现为液晶显示装置、等离子体显示面板(PDP)、量子点发光显示器(QLED)或电泳显示装置。

参照图1，根据本公开的一个实施方式的显示装置100包括显示面板110、源极驱动集成电路(IC)210、柔性膜220、电路板230和定时控制器240。

显示面板110包括彼此面对的第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是使用半导体工艺形成的塑料膜、玻璃基板或硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。第一基板111和第二基板112可以由透明材料制成。

扫描驱动器可以通过面板中的栅极驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区域的一侧，或者显示面板110的两个外围侧的非显示区域中。以另一种方式，扫描驱动器可以制造在驱动芯片中，可以安装在柔性膜上，并且可以通过带自动接合(TAB)方法附着到显示面板110的显示区域的一个外围侧或两个外围侧。

如果源驱动IC 210在驱动芯片中制造，则源驱动IC 210可以通过片上芯片(COF)方法或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜220上。

可以在显示面板110的焊盘区域PA中设置焊盘，例如电源焊盘和数据焊盘。连接焊盘与源驱动IC 210的线和连接焊盘与电路板230的线的线可以设置在柔性膜220中。柔性膜220可以使用各向异性导电膜附着到焊盘上，由此焊盘可以与柔性膜220的线连接。

图2是示出根据本公开的一个实施方式的显示面板的示意性平面图，图3是示出设置在显示面板中的像素的示例的视图，图4是示出设置在图3所示的像素中的第一电极的示例的视图。图5是示出图4的区域A的放大图，图6是沿图5的线I-I'截取的截面图。图7是示出在图6中的多个分隔电极之一中出现微粒的示例的视图，图8A和图8B是示出图3中所示的第一电极的修改示例的视图。

在下面的描述中，虽然显示面板110被实现为透明显示面板，但是显示面板110可以被实现为其中没有设置透射区域TA的通用显示面板。

参照图2、图8A和图8B，第一基板111可包括设置有像素P以显示图像的显示区域DA，以及不用于显示图像的非显示区域NDA。

非显示区域NDA可以设置有焊盘区域PA和至少一个扫描驱动器205，焊盘区域PA中设置有焊盘PAD。

扫描驱动器205连接到扫描线并向扫描线提供扫描信号。扫描驱动器205可以通过面板中的栅极驱动器(GIP)方法设置在显示面板110的显示区域DA的一侧，或者显示面板110的两个外围侧的非显示区域NDA中。例如，如图2所示，扫描驱动器205可以设置在显示面板110的显示区域DA的两侧，但是这些扫描驱动器不限于此。扫描驱动器205可以仅设置在显示面板110的显示区域DA的一侧。

如图3所示，显示区域DA包括透射区域TA和非透射区域NTA。透射区域TA是大部分外部入射光通过的区域，非透射区域NTA是大部分外部入射光不能通过的区域。例如，透射区域TA可以是透光率大于α％(例如约90％)的区域，非透射区域NTA可以是透光率小于β％(例如约50％)的区域。此时，α大于β。由于透射区域TA，用户可以观看布置在显示面板110的后表面上的对象或背景。例如，显示面板110可以在观看者和对象或背景之间。观看者可透过显示面板110的透射区域TA看到对象或背景。

非透射区域NTA可以包括多个像素P，以及分别用于向多个像素P提供信号的多条第一信号线SL1和第二信号线SL2。

多条第一信号线SL1可以在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。多条第一信号线SL1可以与多条第二信号线SL2交叉或交叠。多条第一信号线SL1中的每一条可以包括至少一条扫描线。

在下文中，当第一信号线SL1包括多条线时，第一信号线SL1可以指包括多条线的信号线组。例如，一条第一信号线SL1可以指包括两条扫描线的信号线组。

多条第二信号线SL2可以在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。多条第二信号线SL2中的每一条可以包括数据线、参考线、像素电源线和公共电源线中的至少一条。

在下文中，当第二信号线SL2包括多条线时，第二信号线SL2可以指包括多条线的信号线组。例如，一条第二信号线SL2可以指包括两条数据线、参考线、像素电源线和公共电源线的信号线组。

透射区域TA可以设置在彼此相邻的第一信号线SL1之间。此外，透射区域TA可以设置在彼此相邻的第二信号线SL2之间。结果，透射区域TA可以被两条第一信号线SL1和两条第二信号线SL2包围。

可以设置像素P以与第一信号线SL1和第二信号线SL2中的至少一条交叠，从而发射预定光以显示图像。发光区域可以对应于像素P中光从其发射的区域。

像素P中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的至少一个。第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以统称为子像素SP1、SP2、SP3、SP4或子像素SP。第一子像素SP1可以包括发射红色光的第一发光区域EA1。第二子像素SP2可以包括发射绿色光的第二发光区域EA2。第三子像素SP3可以包括发射蓝色光的第三发光区域EA3。第四子像素SP4可以包括发射白色光的第四发光区域EA4。然而，发光区域不限于该示例。每个像素P还可以包括发射除了红色、绿色、蓝色和白色之外的颜色的光的子像素。此外，子像素SP1、SP2、SP3和SP4的排列顺序可以以各种方式改变。

在下文中，为了便于描述，将基于第一子像素SP1是发射红光的红色子像素，第二子像素SP2是发射绿光的绿色子像素，第三子像素SP3是发射蓝光的蓝色子像素，以及第四子像素SP4是发射白光的白色子像素来给出描述。

多个像素P中的每一个可以设置在透射区域TA之间设置的非透射区域NTA中。多个像素P可以被布置为在第二方向(例如，Y轴方向)上在非透射区域NTA中彼此相邻。例如，多个像素P中的两个可以设置为在非透射区域NTA中彼此相邻，其中第一信号线SL1插置在两个像素P之间。

根据一个实施方式，多个像素P中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3，并且还可以包括第四子像素SP4。多个像素P中的每一个可以包括以栅格结构布置的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。例如，多个像素P中的每一个可以包括设置在中间区域周围的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4。在这种情况下，中间区域可以包括每个像素P的中间部分，并且可以指示具有预定尺寸的区域。

详细地，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以基于像素P在第一方向(例如，X轴方向)上的中心区域被布置为彼此相邻，并且第三子像素SP3和第四子像素SP4可以基于像素P在第一方向(例如，X轴方向)上的中心区域被布置为彼此相邻。第一子像素SP1和第二子像素SP2可以分别设置为在第二方向(例如，Y轴方向)上与第三子像素SP3和第四子像素SP4相邻。

如上所述设置的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4中的每一个可以包括：包括电容器、薄膜晶体管等的电路元件，用于向电路元件提供信号的多条信号线，以及发光元件。薄膜晶体管可以包括开关晶体管、感测晶体管和驱动晶体管TR。

在显示面板110中，多个信号线以及第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以设置在除了透射区域TA之外的非透射区域NTA中。在一个实施方式中，透射区域TA基本上没有子像素SP和信号线。因此，第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以与第一信号线SL1或第二信号线SL2中的至少一条交叠。

虽然如图所示，第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4与第二信号线SL2的至少一部分交叠，但不与第一信号线SL1交叠，本公开的实施方式不限于此。在另一个实施方式中，第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4的至少一部分可以与第一信号线SL1交叠。

如上所述，多条信号线可以包括在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的第一信号线SL1和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的第二信号线SL2。

第一信号线SL1可以包括扫描线。扫描线可以向像素P的子像素SP1、SP2、SP3和SP4提供扫描信号。

第二信号线SL2可以包括至少一条数据线、参考线、像素电源线和公共电源线中的至少一条。

参考线可以向设置在显示区域DA中的每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TR提供参考电压(或初始化电压或感测电压)。

至少一条数据线中的每一条可以向设置在显示区域DA中的子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的至少一个提供数据电压。例如，第一数据线可以向第一子像素SP1和第三子像素SP3中的每一个的驱动晶体管TR提供第一数据电压，而第二数据线可以向第二子像素SP2和第四子像素SP4中的每一个的驱动晶体管TR提供第二数据电压。

像素电源线可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的第一电极120提供第一电源。公共电源线可以向子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个的第二电极140提供第二电源。第一电源和第二电源中的每一个可以是或包括电压、电流或两者。

根据提供给扫描线的扫描信号来切换开关晶体管，以将从数据线提供的数据电压提供给驱动晶体管TR。

感测晶体管用于感测驱动晶体管TR的阈值电压的偏差，该偏差导致图像质量的劣化。

根据从开关薄膜晶体管提供的数据电压来切换驱动晶体管TR，以从像素电源线提供的第一电源产生数据电流，并将数据电流提供给子像素的第一电极120。为每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置驱动晶体管TR，并且驱动晶体管TR包括有源层ACT、栅极GE、源极SE和漏极DE。

电容器用于将提供给驱动晶体管TR的数据电压保持一帧。电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，但不限于此。在另一个实施方式中，电容器可以包括三个电容器电极。

详细地，可以在第一基板111上设置有源层ACT。有源层ACT可以由硅基半导体材料或氧化物基半导体材料形成。

可以在有源层ACT和第一基板111之间设置用于屏蔽入射在有源层ACT上的外部光的光屏蔽层LS。光屏蔽层LS可以由具有导电性的材料形成，并且可以由由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金制成的单层或多层形成。在这种情况下，可以在光屏蔽层LS和有源层ACT之间设置缓冲层BF。

可以在有源层ACT上设置栅极绝缘层GI。栅极绝缘层GI可以由无机膜形成，例如氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)，或SiOx和SiNx的多层膜。

栅极GE可以设置在栅绝缘层GI上。栅极GE可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)单层或多层形成。

可以在栅极GE上设置层间介电层ILD。层间介电层ILD可以由无机膜形成，例如氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)，或SiOx和SiNx的多层膜。

可以在层间介电层ILD上设计源极SE和漏极DE。源极SE和漏极DE可以通过穿过栅极绝缘层GI和层间介电层ILD的接触孔连接到有源层ACT。

源极SE和漏极DE可以由单层或多层形成，所述单层或多层由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的单层或多层形成。

此外，多条信号线中的每一条，例如扫描线、数据线、参考线、像素电源线和公共电源线，可以设置在与光屏蔽层LS、栅极GE、源极SE和漏极DE中的任何一个相同的层上。

可以在源极SE和漏极DE上设置用于保护驱动晶体管TR的钝化层PAS。可以在钝化层PAS上设置平坦化层PLN以平坦化由于驱动晶体管TR引起的台阶差。

在平坦化层PLN上设置包括第一电极120、发光层130和第二电极140以及堤部BK的发光元件。

可以为每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置第一电极120。详细地说，可以在第一子像素SP1中设置一个第一电极120，可以在第二子像素SP2中设置另一个第一电极120，可以在第三子像素SP3中设置又一个第一电极120，并且可以在第四子像素SP4中设置又一个第一电极120。第一电极120不设置在透射区域TA中。

包括在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个中的第一电极120可以包括多个分隔电极121、122、123和124、晶体管接触部TCT以及多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4。

多个分隔电极121、122、123和124、晶体管接触部TCT和多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以包括第一电极层120a和设置在第一电极层120a上的第二电极层120b，如图6所示。

第一电极层120a可以由第一材料制成。第一材料可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一材料可以是但不限于钼(Mo)、钼-钛(MoTi)合金或铜(Cu)。后面将要描述的，第一材料可以是具有比第二材料更高的反射率和更低的电阻的材料。或者，第一材料可以是熔点高于第二材料的材料。第一材料可以是或包括反射材料，并且可以被称为“反射材料”。

第二电极层120b可以由第二材料制成。第二材料可以包括透明材料。例如，第二材料可以是ITO，但不限于此。第二材料可以是具有比第一材料高的电阻的材料。或者，第二材料可以是熔点高于或等于预定温度且低于第一材料的熔点的材料。第一材料可以具有比第二材料更高的反射率，并且第二材料可以具有比第一材料更高的透明度。

多个分隔电极121、122、123和124可以包括两个或更多个分隔电极，并且可以被布置为在第一方向(例如，X轴方向)或第二方向(例如，Y轴方向)上彼此间隔开。例如，第一电极120可以包括基于如图4和图5所示的晶体管接触部TCT设置的四个分隔电极121、122、123和124，但不限于此。第一电极120可以包括两个分隔电极121和122，如图8A和图8B所示。第一电极120可以设置成使得两个分隔电极121和122基于晶体管接触部TCT设置，如图8A所示，或者晶体管接触部TCT可以设置在两个分隔电极121和122的外部，如图8B所示。

当包括在第一电极120中的分隔电极的数量较小时，可以增加孔径比，但是由于微粒而变成暗点的区域的尺寸增加，由此可能降低产率。另一方面，当包括在一个第一电极120中的分隔电极的数量增加时，可以减小孔径比，但是可以减小由于微粒而变成暗点的区域的尺寸，由此可以增加产率。

如图4所示，当包括在一个第一电极120中的分隔电极的数量是4时，与图8A和图8B所示的第一电极120相比，孔径比减小，但是由于微粒而变成暗点的区域的尺寸可以减小。结果，可以提高产量。同时，如图8A和图8B所示，当包括在一个第一电极120中的分隔电极的数量为2时，与图4所示的第一电极120相比，成品率降低，但是可以提高孔径比。

为了便于描述，下面的描述将基于分隔电极包括第一分隔电极121、第二分隔电极122、第三分隔电极123和第四分隔电极124。

晶体管接触部TCT可设置为在第一至第四分隔电极121、122、123和124之间与第一至第四分隔电极121、122、123和124间隔开。晶体管接触部TCT可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的接触孔ACH连接到驱动晶体管TR。

详细地，晶体管接触部TCT的第一电极层120a可以被设置为与同一层上的第一至第四分隔电极121、122、123和124的第一电极层120a间隔开。晶体管接触部TCT的第一电极层120a可以通过接触孔ACH连接到驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE，如图6所示。

晶体管接触部TCT的第二电极层120b可以设置在与第一至第四分隔电极121、122、123和124的第二电极层120b相同的层上，并且可以通过连接电极CE与第一至第四分隔电极121、122、123和124的第二电极层120b连接。

晶体管接触部TCT可以具有覆盖接触孔ACH的多边形形状。例如，晶体管接触部TCT可以具有矩形形状，但不限于此。晶体管接触部TCT可以具有各种形状，例如三角形和六边形。

晶体管接触部TCT包括多个侧面，并且连接电极CE可以连接到多个侧面中的至少两个。例如，晶体管接触部TCT可以具有矩形形状，并且可以包括四个侧面。四个连接电极CE可以连接到晶体管接触部TCT的四个侧面中的每一个。

连接电极CE可以将第一至第四分隔电极121、122、123和124中的每一个与晶体管接触部TCT连接。连接电极CE可以包括多个连接电极，并且多个连接电极CE可以以一对一的对应关系对应于第一至第四分隔电极121、122、123和124。即，第一至第四分隔电极121、122、123和124中的每一个可以对应于一个连接电极CE。在一实施方式中，连接电极CE的数目等于分隔电极的数目。例如，四个连接电极CE1、CE2、CE3、CE4对应于四个分隔电极121、122、123、124。

详细地，如图5所示，第一连接电极CE1可以将第一分隔电极121与晶体管接触部TCT连接。此时，第一连接电极CE1可以设置在第一分隔电极121和晶体管接触部TCT之间。第一连接电极CE1的一端可以与第一分隔电极121连接，其另一端可以与晶体管接触部TCT连接。与分隔电极“连接”的连接电极包括连接电极与分隔电极接触的配置。“与……连接”还包括其中一个或多个层(例如，第一电极层120a、第二电极层120b或两者)跨过分隔电极和连接电极连续的配置。例如，如图6所示，第二电极层120b是在分隔电极122、124、连接电极CE2、CE4和晶体管接触部分TCT中不间断地延伸的单个连续层。如此，第一电极层120a、第二电极层120b或两者在分隔电极与连接电极之间、连接电极与晶体管接触部TCT之间、或两者的边界处可以没有可见界面。上述“与……连接”的描述同样适用于连接电极CE1、CE3的上下文。

第一连接电极CE1可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是其至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域HRA。例如，第一连接电极CE1的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第一连接电极CE1的第一电极层120a可以在一端与第一分隔电极121的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。然而，第一连接电极CE1的第一电极层120a可以在第一分隔电极121和晶体管接触部TCT之间设置有开口区域OA。因此，第一连接电极CE1的第一电极层120a可以不将第一分隔电极121的第一电极层120a与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。

同时，第一连接电极CE1的第二电极层120b可以从第一分隔电极121的第二电极层120b突出并延伸到晶体管接触部TCT的第二电极层120b。因此，第一连接电极CE1的第二电极层120b可以将第一分隔电极121的第二电极层120b与晶体管接触部TCT的第二电极层120b连接。如图6所示，第二电极层120b可以接触第一电极层120a的侧壁并且可以接触平坦化层PLN的上表面。

结果，第一分隔电极121可以通过第一连接电极CE1的第二电极层120b与晶体管接触部TCT连接。

在图4和图5中，第一连接电极CE1包括第一电极层120a和第二电极层120b，但不限于此。在另一个实施方式中，第一连接电极CE1可以仅包括第二电极层120b。在这种情况下，第一连接电极CE1可以是高电阻区域HRA。

第二连接电极CE2可以将第二分隔电极122与晶体管接触部TCT连接。此时，第二连接电极CE2可以设置在第二分隔电极122和晶体管接触部TCT之间。第二连接电极CE2的一端可以与第二分隔电极122连接，其另一端可以与晶体管接触部TCT连接。

第二连接电极CE2可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是其至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域(HRA)。例如，第二连接电极CE2的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第二连接电极CE2的第一电极层120a可以在一端与第二分隔电极122的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。然而，第二连接电极CE2的第一电极层120a可以在第二分隔电极122和晶体管接触部TCT之间设置有开口区域OA。因此，第二连接电极CE2的第一电极层120a可以不将第二分隔电极122的第一电极层120a与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。

同时，第二连接电极CE2的第二电极层120b可以从第二分隔电极122的第二电极层120b突出并且延伸到晶体管接触部TCT的第二电极层120b。因此，第二连接电极CE2的第二电极层120b可以将第二分隔电极122的第二电极层120b与晶体管接触部TCT的第二电极层120b连接。

结果，第二分隔电极122可以通过第二连接电极CE2的第二电极层120b与晶体管接触部TCT连接。

图4和图5示出第二连接电极CE2包括第一电极层120a和第二电极层120b，但不限于此。在另一个实施方式中，第二连接电极CE2可以仅包括第二电极层120b。在这种情况下，第二连接电极CE2可以是高电阻区域HRA。

第三连接电极CE3可以将第三分隔电极123与晶体管接触部TCT连接。此时，第三连接电极CE3可以设置在第三分隔电极123和晶体管接触部TCT之间。第三连接电极CE3的一端可以与第三分隔电极123连接，其另一端可以与晶体管接触部TCT连接。

第三连接电极CE3可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是第三连接电极的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域HRA。例如，第三连接电极CE3的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第三连接电极CE3的第一电极层120a可以在一端与第三分隔电极123的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。然而，第三连接电极CE3的第一电极层120a可以在第三分隔电极123和晶体管接触部TCT之间设置有开口区域OA。因此，第三连接电极CE3的第一电极层120a可以不将第三分隔电极123的第一电极层120a与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。

同时，第三连接电极CE3的第二电极层120b可以从第三分隔电极123的第二电极层120b突出并且延伸到晶体管接触部TCT的第二电极层120b。因此，第三连接电极CE3的第二电极层120b可以将第三分隔电极123的第二电极层120b与晶体管接触部TCT的第二电极层120b连接。

结果，第三分隔电极123可以通过第三连接电极CE3的第二电极层120b与晶体管接触部TCT连接。

图4和图5示出第三连接电极CE3包括第一电极层120a和第二电极层120b，但不限于此。在另一个实施方式中，第三连接电极CE3可以仅包括第二电极层120b。在这种情况下，第三连接电极CE3可以是高电阻区域HRA。

第四连接电极CE4可以将第四分隔电极124与晶体管接触部TCT连接。此时，第四连接电极CE4可以设置在第四分隔电极124和晶体管接触部TCT之间。第四连接电极CE4的一端可以与第四分隔电极124连接，其另一端可以与晶体管接触部TCT连接。

第四连接电极CE4可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是其至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域HRA。例如，第四连接电极CE4的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第四连接电极CE4的第一电极层120a可以在一端与第四分隔电极124的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。然而，第四连接电极CE4的第一电极层120a可以在第四分隔电极124和晶体管接触部TCT之间设置有开口区域OA。因此，第四连接电极CE4的第一电极层120a可以不将第四分隔电极124的第一电极层120a与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。

同时，第四连接电极CE4的第二电极层120b可以从第四分隔电极124的第二电极层120b突出并且延伸到晶体管接触部TCT的第二电极层120b。因此，第四连接电极CE4的第二电极层120b可以将第四分隔电极124的第二电极层120b与晶体管接触部TCT的第二电极层120b连接。

结果，第四分隔电极124可以通过第四连接电极CE4的第二电极层120b与晶体管接触部TCT连接。

图4和图5示出了第四连接电极CE4包括第一电极层120a和第二电极层120b，但不限于此。在另一个实施方式中，第四连接电极CE4可以仅包括第二电极层120b。在这种情况下，第四连接电极CE4可以是高电阻区域HRA。

根据本公开的一个实施方式的显示面板110的特征在于，在每个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中设置a高电阻区域HRA。

与分隔电极121、122、123和124接触的每个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的宽度可以比每个分隔电极121、122、123和124的宽度窄。连接电极CE1、CE2、CE3和CE4形成为比分隔电极121、122、123和124薄，由此连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的电阻可以大于分隔电极121、122、123和124的电阻。

此外，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以形成为使得第二电极层120b的宽度W1比第一电极层120a的宽度W2窄(例如，参见图5；对于连接电极CE1，可以沿X轴方向测量宽度W1、W2)。连接电极CE1、CE2、CE3和CE4形成为使得第二电极层120b的宽度W1窄，由此可以更加增大高电阻区域HRA中的电阻。此时，可以根据构成第二电极层120b的材料的电阻、厚度和长度来改变高电阻区域HRA中的第二电极层120b的宽度W1。

同时，在本公开中，不排除连接电极CE1、CE2、CE3和CE4形成为在第一电极层120a和第二电极层120b中具有相同的宽度。连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以形成为使得第二电极层120b的宽度W1基本上与第一电极层120a的宽度W2相同。

连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以设置有第一电极层120a和第二电极层120b中的一个，例如仅设置有第二电极层120b，从而包括引起高电阻的高电阻区域HRA。

在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，如图7所示，微粒P可以出现在多个分隔电极121、122、123和124中的任何一个中。当微粒P出现在分隔电极121、122、123和124中的任何一个(例如，第四分隔电极124)中时，其中出现微粒P的分隔电极124可以与第二电极140产生短路。结果，设置在其中出现微粒P的分隔电极124上的有机发光层130不发光。例如，如图7所示，微粒P下方可能会与第一电极120产生短路。例如，当微粒P使第二电极140变形而不破坏第二电极140时，可能在微粒P和第一电极120之间，或者可以在第二电极140和第一电极120之间短路。在一个实施方式中，微粒P和第一电极二者都与第二电极140短路。

在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，其中出现微粒P的分隔电极124与其中不出现微粒P的分隔电极121、122和123断开，由此设置在其中没出现微粒P的分隔电极121、122和123上的有机发光层130可以发光。

在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，可以在连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中提供高电阻区域HRA，使得连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以通过焦耳加热断开。

当在其中出现微粒P的分隔电极124和第二电极140之间发生短路时，电流可以集中在其中与第二电极140发生短路的分隔电极124上。因此，电流也可以集中在与其中出现微粒P的分隔电极124连接的连接电极CE4上。

连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中的每一个具有比分隔电极121、122、123和124中的每一个窄的宽度，并且因此可以具有比分隔电极121、122、123和124高的电阻。因此，与其中出现微粒P的分隔电极124连接的连接电极CE4可以产生比分隔电极124更高的热量。

此外，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以包括仅设置有第二电极层120b的高电阻区域HRA，第二电极层120b由第二材料制成并且具有非常窄的宽度W1，如上所述。当电流集中在与其中出现微粒P的分隔电极124连接的连接电极CE4上时，连接电极CE4由于高电阻而产生高热并最终达到高于第二材料熔点的温度。结果，如图7所示，与其中出现微粒P的分隔电极124连接的连接电极CE4可以熔化和断开。在一个实施方式中，第二电极层120b由于高热而熔化的部分仍然存在于连接电极CE4(例如，在堤部BK和平坦化层PLN之间)中，但是可能具有不同的改变的物理特性来自第二电极层120b的未熔化部分。例如，熔化的部分与未熔化的部分可以具有不同的结晶特性。改变的物理特性可导致第二电极层120b的熔化部分在电气上表现为开路(例如，较高电阻的区域)。这样，具有熔化部分的连接电极CE4可以电开路。

当与其中出现微粒P的分隔电极124连接的连接电极CE4断开时，其中出现微粒P的分隔电极124可以与晶体管接触部TCT电分离，并且不被提供来自驱动晶体管TR的信号。结果，形成具有微粒P的分隔电极124的区域变成暗点。

然而，其中不存在微粒P的分隔电极121、122和123可以与其中存在微粒P的分隔电极124电分离，并且可以保持与晶体管接触部TCT的连接。因此，可以通过晶体管接触部TCT从驱动晶体管TR向其中不出现微粒的分隔电极121、122和123提供信号。

结果，在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，在多个分隔电极121、122、123和124中，暗点仅出现在设置有其中出现微粒P的分隔电极124的区域中，并且光通常可以在设置有其中不出现微粒P的分隔电极121、122和123的区域中发射。根据本公开的一个实施方式的显示面板110可以减小或最小化当微粒P出现时变成暗点的发光区域的尺寸。

可以在平坦化层PLN上设置堤部BK。此外，可以在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中设置的第一电极120之间设置堤部BK。此外，堤部BK可以设置在每个第一电极120中设置的多个分隔电极121、122、123和124之间。此时，可以设置堤部BK以覆盖或至少部分地覆盖多个分隔电极121、122、123和124中的每一个的边缘，并且暴露多个分隔电极121、122、123和124中的每一个的一部分。因此，堤部BK可以防止由于电流集中在多个分隔电极121、122、123和124中的每一个的端部而导致的发光效率降低。

同时，堤部BK可以设置在晶体管接触部TCT和设置在每个第一电极120中的多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4上。多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以与有机发光层130间隔开，其中，堤部BK插入其间。在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，由于多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中的任何一个在设置有堤部BK的晶体管接触部TCT附近通过焦耳加热断开，所以可以防止有机发光层130和第二电极140被焦耳加热损坏。堤部BK可以限定每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发光区域EA1、EA2、EA3和EA4。每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发光区域EA1、EA2、EA3和EA4表示第一电极120(特别是分隔电极121、122、123和124)、有机发光层130和第二电极140顺序沉积的区域，使得来自分隔电极121、122、123和124的空穴和来自第二电极140的电子在有机发光层130中彼此复合以发光。在这种情况下，设置堤部BK的区域不发光，因此成为非发光区域，不设置堤部BK而使分隔电极121、122、123、124露出的区域可以是发光区域EA1、EA2、EA3、EA4。

堤部BK可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机膜形成。

有机发光层130可以设置在第一电极120上。有机发光层130可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下，当向第一电极120和第二电极140施加电压时，空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并在发光层中彼此复合以发光。

在一个实施方式中，有机发光层130可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的公共层。在这种情况下，发光层可以是用于发射白光的白光发光层。

在另一个实施方式中，在有机发光层130中，可以为每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置发光层。例如，可以在第一子像素SP1中设置用于发射红光的红光发射层，可以在第二子像素SP2中设置用于发射绿光的绿光发射层，可以在第三子像素SP3中设置用于发射蓝光的蓝光发射层，并且可以在第四子像素SP4中设置用于发射白光的白光发射层。在这种情况下，有机发光层130的发光层不设置在透射区域TA中。

第二电极140可以设置在有机发光层130和堤部BK上。第二电极140也可以设置在透射区域TA以及包括发光区域EA的非透射区域NTA中，但不限于此。第二电极140可以仅设置在包括发光区域EA1、EA2、EA3和EA4的非透射区域NTA中，并且可以不设置在透射区域TA中以提高透射率。

第二电极140可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中以施加相同电压的公共层。第二电极140可以由能够传输光的导电材料形成。例如，第二电极140可以由诸如银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的低电阻金属材料形成。第二电极140可以是阴极。

可以在发光元件上设置封装层150。可以在第二电极140上设置封装层150以覆盖第二电极140。封装层150用于防止氧气或湿气渗透到有机发光层130和第二电极140中。为此，封装层150可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。

虽然在图6和图7中未示出，但是还可以在第二电极140和封装层150之间设置覆盖层。

可以在封装层150上提供滤色器CF。滤色器CF可以设置在第二基板112的面向第一基板111的一个表面上。在这种情况下，设置有封装层150的第一基板111和设置有滤色器CF的第二基板112可以通过单独的粘合剂层(未示出)彼此结合。粘合剂层(未示出)可以是光学透明树脂层(OCR)或光学透明粘合剂膜(OCA)。

可以为每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置被图案化的滤色器CF。详细地，滤色器CF可以包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。第一滤色器可以设置成对应于第一子像素SP1的发光区域EA1，并且可以是透射红光的红色滤色器。第二滤色器可以设置成对应于第二子像素SP2的发光区域EA2，并且可以是透射绿光的绿色滤色器。第三滤色器可以设置成对应于第三子像素SP3的发光区域EA3，并且可以是透射蓝光的蓝色滤色器。在一个实施方式中，滤色器CF可以进一步包括第四滤色器。第四滤色器可以设置成对应于第四子像素SP4的发光区域EA4，并且可以是透射白光的白色滤色器。白色滤色器可以由透射白光的透明有机材料形成。

可以在滤色器CF之间和滤色器CF与透射区域TA之间设置黑底BM。黑底BM可以设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间，以防止相邻子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间发生颜色混合。

此外，黑底BM可以设置在透射区域TA和多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间，以防止从多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个发射的光移动到透射区域TA。

黑底BM可以包括吸收光的材料，例如基本上吸收可见波长范围内的所有光的黑色染料。

在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，多个分隔电极121、122、123和124可以通过与分隔电极121、122、123和124一一对应设置的连接电极CE1、CE2、CE3和CE4与晶体管接触部TCT连接。在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，可以在与多个分隔电极121、122、123和124一一对应设置的连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中设置高电阻区域HRA。在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，当微粒P出现在多个分隔电极121、122、123和124的一部分中并且电流集中在对应的分隔电极上时，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的高电阻区域HRA可以通过焦耳加热断开。

因此，在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，多个分隔电极121、122、123和124中的设置有其中出现微粒P的分隔电极124的区域可能变成暗点，并且光可以正常地在设置有其中不出现微粒P的分隔电极121、122和123的区域中发射。结果，根据本公开的一个实施方式的显示面板110可以减小或最小化当微粒P出现时变成暗点的发光区域的尺寸。

此外，在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4与有机发光层130间隔开，并且堤部BK插入在它们之间，由此当多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中的任何一个通过焦耳加热断开时，可以防止有机发光层130和第二电极140被损坏。

此外，在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以设置在多个分隔电极121、122、123和124之间。在根据本公开的一个实施方式的显示面板110中，由于多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4不朝向透射区域TA突出，所以多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以不影响透射区域TA的光透射率。

在图3至图9中，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4被布置成在分隔电极121、122、123和124之间彼此间隔开，但不限于此。在另一个实施方式中，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以彼此连接。

此外，在图3至图8A和图8B中，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4与分隔电极121、122、123和124一对一地连接，但不限于此。在另一个实施方式中，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以设置在分隔电极121、122、123和124与透射区域TA之间。

在下文中，将参照图9至图12详细描述连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的另一实施方式。

图9是示出设置在图3所示的像素中的第一电极的另一示例的视图，图10是示出图9的区域B的放大视图，图11是沿图10的线II-II'截取的截面图，以及图12是示出在图11中的多个分隔电极之一中出现微粒的示例的视图。

除了第一电极120之外，图9至图12所示的显示面板110与图3至图8A和图8B所示的显示面板110基本相同。在下文中，将基于第一电极120进行以下描述，并且将省略对其他元件的详细描述。

参照图9至图12，可以在平坦化层PLN上为每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4设置第一电极120。详细地说，可以在第一子像素SP1中设置一个第一电极120，在第二子像素SP2中设置另一个第一电极120，在第三子像素SP3中设置又一个第一电极120，并且在第四子像素SP4中设置又一个第一电极120。第一电极120不设置在透射区域TA中。

设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个中的第一电极120可以包括多个分隔电极121、122、晶体管接触部TCT和多个连接电极CE1、CE3、CE4。

多个分隔电极121和122，晶体管接触部TCT和多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以包括第一电极层120a和设置在第一电极层120a上的第二电极层120b，如图11所示。

第一电极层120a可以由第一材料制成。第一材料可以包括但不限于具有高反射率的金属材料，例如钼(Mo)、钼-钛(MoTi)合金或铜(Cu)。

第二电极层120b可以由第二材料制成。第二材料可以包括但不限于透明材料，例如ITO。第二材料的电阻可以高于第一材料的电阻。或者，第二材料的熔点可以低于第一材料的熔点。

多个分隔电极121和122可以包括两个以上的分隔电极，并且可以被布置为在第一方向(例如，X轴方向)或第二方向(例如，Y轴方向)上彼此间隔开。例如，第一电极120可以包括基于如图9所示的晶体管接触部TCT设置的第一分隔电极121和第二分隔电极122。

晶体管接触部TCT可以设置为在第一分隔电极121和第二分隔电极122之间与第一分隔电极121和第二分隔电极122间隔开。晶体管接触部TCT可以通过穿过平坦化层PLN和钝化层PAS的接触孔ACH与驱动晶体管TR连接。

详细地，晶体管接触部TCT的第一电极层120a可以被设置成与同一层上的第一分隔电极121和第二分隔电极122的第一电极层120a间隔开。晶体管接触部TCT的第一电极层120a可以通过接触孔ACH连接到驱动晶体管TR的源极SE或漏极DE，如图11所示。

晶体管接触部TCT的第二电极层120b可以形成在与第一分隔电极121和第二分隔电极122的第二电极层120b相同的层上，并且可以通过连接电极CE与第一分隔电极121和第二分隔电极122的第二电极层120b连接。

晶体管接触部TCT可以具有覆盖接触孔ACH的多边形形状。例如，晶体管接触部TCT可以具有矩形形状，但不限于此。晶体管接触部TCT可以具有各种形状，例如三角形和六边形。

晶体管接触部TCT包括多个侧面，并且连接电极CE可以连接到多个侧面中的至少一个。例如，晶体管接触部TCT可以具有矩形形状，并且可以包括四个侧面。如图10所示，一个连接电极CE4可以连接到晶体管接触部TCT的四个侧面中的一个。

连接电极CE可以将第一分隔电极121和第二分隔电极122连接到晶体管接触部TCT。连接电极CE可以包括多个连接电极，并且多个连接电极CE的一部分可以直接与第一分隔电极121和第二分隔电极122连接。

详细地，多个连接电极CE可以包括第一至第四连接电极CE1、CE2、CE3和CE4，以将第一分隔电极121和第二分隔电极122连接到晶体管接触部TCT。

第一连接电极CE1可以设置在第一分隔电极121和透射区域TA之间。第一连接电极CE1的一端可以连接到第一分隔电极121，并向透射区域TA延伸预定长度。

第一连接电极CE1可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是其至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域HRA。例如，第一连接电极CE1的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第一连接电极CE1的第一电极层120a可以在一端与第一分隔电极121的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与第三连接电极CE3的第一电极层120a连接。然而，第一连接电极CE1的第一电极层120a可以在第一分隔电极121和第三连接电极CE3之间设置有开口区域OA。因此，第一连接电极CE1的第一电极层120a可以不将第一分隔电极121的第一电极层120a与第三连接电极CE3的第一电极层120a连接。仅具有第一电极层120a或第二电极层120b中的一个的高电阻区域HRA可以包括其中第一电极层120a在高电阻区域HRA中不连续或第二电极层120b在高电阻区域HRA中不连续的配置。作为说明性示例，在图11中，第一电极层120a在高电阻区域HRA中是不连续的(例如，不存在)。高电阻区域HRA可以是第一电极层120a、第二电极层120b或两者不连续的区域。图12示出了第一电极层120a和第二电极层120b在高电阻区域HRA中不连续的示例。如参照图6所述，第二电极层120b可以具有熔化的部分，并且熔化的部分虽然存在于连接电极CE中，但是可以电气性地呈现为开路。

同时，第一连接电极CE1的第二电极层120b可以从第一分隔电极121的第二电极层120b突出并延伸到第三连接电极CE3的第二电极层120b。因此，第一连接电极CE1的第二电极层120b可以将第一分隔电极121的第二电极层120b与第三连接电极CE3的第二电极层120b连接。

结果，第一分隔电极121可以通过第一连接电极CE1的第二电极层120b与第三连接电极CE3连接。

第二连接电极CE2可以设置在第二分隔电极122和透射区域TA之间。第二连接电极CE2的一端可以连接到第二分隔电极122，并向透射区域TA延伸预定长度。

第二连接电极CE2可以包括第一电极层120a和第二电极层120b，但是其至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b之一的高电阻区域HRA。例如，第二连接电极CE2的至少一部分可以包括仅具有第一电极层120a和第二电极层120b中的第二电极层120b的高电阻区域HRA。第二连接电极CE2的第一电极层120a可以在一端与第二分隔电极122的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与第三连接电极CE3的第一电极层120a连接。然而，第二连接电极CE2的第一电极层120a可以在第二分隔电极122和第三连接电极CE3之间设置有开口区域OA。因此，第二连接电极CE2的第一电极层120a可以不将第二分隔电极122的第一电极层120a与第三连接电极CE3的第一电极层120a连接。

同时，第二连接电极CE2的第二电极层120b可以从第二分隔电极122的第二电极层120b突出并且延伸到第三连接电极CE3的第二电极层120b。因此，第二连接电极CE2的第二电极层120b可以将第二分隔电极122的第二电极层120b与第三连接电极CE3的第二电极层120b连接。

结果，第二分隔电极122可以通过第二连接电极CE2的第二电极层120b与第三连接电极CE3连接。

第三连接电极CE3可以设置在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2之间。第三连接电极CE3的一端可以连接到第一连接电极CE1，其另一端可以连接到第二连接电极CE2。

第三连接电极CE3可以包括第一电极层120a和第二电极层120b。第三连接电极CE3的第一电极层120a可以在一端与第一连接电极CE1的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与第二连接电极CE2的第一电极层120a连接。此外，第三连接电极CE3的第二电极层120b可以在一端与第一连接电极CE1的第二电极层120b连接，并且可以在另一端与第二连接电极CE2的第二电极层120b连接。

第四连接电极CE4可以设置在第三连接电极CE3和晶体管接触部TCT之间。第四连接电极CE4的一端可以连接到第三连接电极CE3，另一端可以连接到晶体管接触部TCT。

第四连接电极CE4可以包括第一电极层120a和第二电极层120b。第四连接电极CE4的第一电极层120a可以在一端与第三连接电极CE3的第一电极层120a连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第一电极层120a连接。此外，第四连接电极CE4的第二电极层120b可以在一端与第三连接电极CE3的第二电极层120b连接，并且可以在另一端与晶体管接触部TCT的第二电极层120b连接。

结果，第一分隔电极121可以通过第一连接电极CE1、第三连接电极CE3和第四连接电极CE4与晶体管接触部TCT连接。第二分隔电极122可以通过第二连接电极CE2、第三连接电极CE3和第四连接电极CE4与晶体管接触部TCT连接。

根据本公开的另一实施方式的显示面板110的特征在于，在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中的每一个中设置高电阻区域HRA。

与第一分隔电极121和第二分隔电极122接触的每个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的宽度可以比第一分隔电极121和第二分隔电极122中的每一个的宽度窄。连接电极CE1、CE2、CE3和CE4形成为比第一分隔电极121和第二分隔电极122薄，由此连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的电阻可以大于分隔电极121和122的电阻。

此外，连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以形成为使得第二电极层120b的宽度W1比第一电极层120a的宽度W2窄。当第二电极层120b的宽度W1形成得较薄时，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以更加增大高电阻区域HRA中的电阻。然而，在本公开中，不排除连接电极CE1、CE2、CE3和CE4形成为在第一电极层120a和第二电极层120b中具有相同的宽度。连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以形成为使得第二电极层120b的宽度W1与第一电极层120a的宽度W2相同。

与第一分隔电极121和第二分隔电极122直接连接的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可以设置有第一电极层120a和第二电极层120b中的一个，例如仅设置有第二电极层120b，从而包括引起高电阻的高电阻区域HRA。

在根据本公开的另一实施方式的显示面板110中，如图12所示，微粒P可能出现在多个分隔电极121和122中的任何一个中。当微粒P出现在分隔电极121和122(例如，第一分隔电极121)中的任何一个中时，其中出现微粒P的分隔电极121可能与第二电极140产生短路。结果，设置在其中出现微粒P的分隔电极121上的有机发光层130不发光。

在根据本公开的另一实施方式的显示面板110中，其中出现微粒P的分隔电极121与其中没出现微粒P的分隔电极122断开，由此设置在其中没出现微粒P的分隔电极122上的有机发光层130可以发光。

在根据本公开的另一实施方式的显示面板110中，可以在与第一分隔电极121和第二分隔电极122直接连接的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2中设置高电阻区域HRA，使得连接电极CE1、CE2、CE3和CE4的一部分可以通过焦耳加热断开。

当在其中出现微粒P的分隔电极121和第二电极140之间发生短路时，电流可以集中在其中与第二电极140发生短路的分隔电极121上。因此，电流也可以集中在连接电极CE1上，与出现微粒P的分隔电极121连接的连接电极CE1上。

连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中的每一个具有比分隔电极121、122、123和124中的每一个窄的宽度，并且因此可以具有比分隔电极121、122、123和124高的电阻。因此，与其中出现微粒P的分隔电极121连接的连接电极CE1可以产生比分隔电极121更高的热。

此外，与分隔电极121和122直接连接的连接电极CE1和CE2可以包括仅设置有第二电极层120b的高电阻区域HRA，第二电极层120b由第二材料制成并且具有非常窄的宽度W1，如上所述。当电流集中在与其中出现微粒P的分隔电极121连接的连接电极CE1上时，连接电极CE1由于高电阻而产生高热并最终达到高于第二材料熔点的温度。结果，如图12所示，与其中出现微粒P的分隔电极121连接的连接电极CE1可以熔化和断开。

当与其中出现微粒P的分隔电极121连接的连接电极CE1断开时，其中出现微粒P的分隔电极121可以与晶体管接触部TCT电分离，并且不能被提供来自驱动晶体管TR的信号。结果，形成具有微粒P的分隔电极121的区域变成暗点。

然而，其中没出现微粒P的分隔电极122可以与其中出现微粒P的分隔电极121电分离，并且可以保持与晶体管接触部TCT的连接。因此，可以通过晶体管接触部TCT从驱动晶体管TR向其中没出现微粒的分隔电极122提供信号。

结果，在根据本公开的另一实施方式的显示面板110中，在多个分隔电极121和122中，暗点仅出现在设置有其中出现微粒P的分隔电极121的区域中，并且光通常可以在设置有其中出现微粒P的分隔电极121的区域中发射。根据本公开的另一实施方式的显示面板110可以减小或最小化当微粒P出现时变成暗点的发光区域的尺寸。

可以在平坦化层PLN上提供堤部BK。此外，可以在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的每一个中提供的第一电极120之间提供堤部BK。此外，堤部BK可以设置在每个第一电极120中设置的多个分隔电极121和122之间。此时，可以设置堤部BK以覆盖或至少部分地覆盖多个分隔电极121和122中的每一个的边缘，并且暴露多个分隔电极121和122中的每一个的一部分。因此，堤部BK可以防止光发射效率由于集中在多个分隔电极121和122中的每一个的端部上的电流而劣化。

同时，还可以在第一电极120和透射区域TA之间设置堤部BK。因此，堤部BK可以设置在晶体管接触部TCT和设置在每个第一电极120中的多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4上。多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4可以与有机发光层130间隔开，其中堤部BK插入其间。因此，当多个连接电极CE1、CE2、CE3和CE4中的任何一个通过焦耳加热断开时，根据本公开的一个实施方式的显示面板110可以防止有机发光层130和第二电极140被损坏。

根据本公开，可以获得以下有利效果。

在本公开中，在连接电极中提供高电阻区域，用于将多个分隔电极与晶体管接触部连接，由此当在多个分隔电极的一部分中出现微粒时，与相应的分隔电极连接的连接电极可以通过焦耳加热断开。因此，本公开可以减小或最小化当微粒出现时变成暗点的发光区域的尺寸。

此外，在本公开中，多个连接电极可以设置在晶体管接触部的附近，并且可以在多个连接电极和晶体管接触部上设置堤部。由于多个连接电极中的任何一个在设置有堤部的晶体管接触部附近通过焦耳加热断开，所以可以减小或最小化由于焦耳加热引起的有机发光层和第二电极的损坏。

此外，所述多个连接电极设置在所述多个分隔电极之间，而不朝向所述透射区域突出，由此可以在不降低所述透射区域的透光率的情况下实现本公开。

对于本领域技术人员显而易见的是，上述本公开不限于上述实施方式和附图，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且旨在从权利要求的含义，范围和等效概念导出的所有变化或修改落入本公开的范围内。

Claims (29)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板设置有用于通过多个子像素显示图像的显示区域；

多个第一电极，所述多个第一电极在所述基板上方设置在所述多个子像素中的每一个中；

多个驱动晶体管，所述多个驱动晶体管设置在所述基板和所述多个第一电极之间并连接到所述多个第一电极中的每一个；

发光层，所述发光层设置在所述多个第一电极上方；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上方，

其中，所述多个第一电极中的每一个包括：

彼此间隔开的多个分隔电极；

晶体管接触部，所述晶体管接触部通过接触孔与所述驱动晶体管连接；以及

多个连接电极，所述多个连接电极将所述多个分隔电极中的每一个与所述晶体管接触部连接。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个连接电极以一对一的对应关系对应于所述多个分隔电极。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个连接电极中的每一个设置在相应的分隔电极和所述晶体管接触部之间。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管接触部包括多个侧面，并且所述连接电极连接到所述多个侧面中的至少两个侧面。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极包含由第一材料制成的第一电极层以及设置在所述第一电极层上方且由第二材料制成的第二电极层。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括在所述多个分隔电极中的每一个中。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个连接电极中的每一个从对应的分隔电极的第二电极层突出并延伸到所述晶体管接触部。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一材料是反射材料，且所述第二材料是透明材料。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二材料的电阻高于所述第一材料的电阻，或者所述第二材料的熔点低于所述第一材料的熔点。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，

所述晶体管接触部包括第一电极层和第二电极层，并且

所述晶体管接触部的第一电极层通过所述接触孔连接到所述驱动晶体管的源极或漏极。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，连接到其中存在微粒的分隔电极的连接电极通过焦耳加热断开。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管接触部设置在所述多个分隔电极之间。

13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括堤部，所述堤部设置在所述多个连接电极上方。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述多个连接电极与所述发光层间隔开，且所述堤部插置在所述多个连接电极与所述发光层之间。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个分隔电极中的每一个与其中发光层发光的发光区域的至少一部分交叠，并且所述多个连接电极中的每一个与非发光区域交叠。

16.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，所述基板设置有透射区域和设置在所述透射区域之间的非透射区域；

驱动晶体管，所述驱动晶体管在所述基板上方设置在所述非透射区域中；

第一电极，所述第一电极设置在所述驱动晶体管上方，所述第一电极包括多个分隔电极和将所述多个分隔电极中的每一个连接到所述驱动晶体管的多个连接电极；

发光层，所述发光层设置在所述第一电极上方；以及

第二电极，所述第二电极设置在所述发光层上方，

其中，所述多个分隔电极和所述多个连接电极包括第一电极层和设置在所述第一电极层上方的第二电极层，并且所述多个连接电极的至少一部分包括仅具有所述第一电极层和所述第二电极层中的一个的高电阻区域。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一电极层包括反射材料，且所述第二电极层包括透明材料。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二电极层由氧化铟锡ITO制成。

19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个连接电极在所述高电阻区域中仅设置有所述第二电极层。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个连接电极的所述第二电极层的宽度比所述第一电极层的宽度窄。

21.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个分隔电极中的每一个对应于所述多个连接电极中的一个。

22.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括晶体管接触部，所述晶体管接触部设置在所述多个分隔电极之间并通过接触孔与所述驱动晶体管连接，

其中，所述多个连接电极中的每一个将所述多个分隔电极中的每一个与所述晶体管接触部连接。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述多个连接电极中的每一个设置在所述多个分隔电极中的每一个与所述晶体管接触部之间。

24.根据权利要求22所述的显示装置，所述显示装置还包括堤部：所述堤部设置在所述晶体管接触部上方，

其中，所述多个连接电极中的每一个的高电阻区域设置在设置有所述堤部的晶体管接触部的附近。

25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述堤部设置在所述多个连接电极中的每一个的所述高电阻区域上。

26.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个连接电极中的每一个设置在所述多个分隔电极之间。

27.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个连接电极中的每一个设置在所述多个分隔电极中的每一个与所述透射区域之间。

28.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述多个连接电极上方的堤部。

29.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述多个连接电极与所述发光层间隔开，且堤部插置在所述多个连接电极与所述发光层之间。

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