CN116193910A - 透明显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种透明显示装置，可允许仅出现颗粒的区域确定地变成暗点。所述透明显示装置包括：多个透射区；以及设置在所述多个透射区之间的多个子像素，其中所述多个子像素的每一个包括：包括有源层、栅极、源极和漏极的驱动晶体管；包括第一电极、发光层和第二电极的发光元件；以及导电有机层，所述导电有机层设置在所述驱动晶体管和所述发光元件的第一电极之间，以将所述驱动晶体管和所述第一电极电连接，其中所述第一电极包括第一电极部分和第二电极部分，所述导电有机层经由第一接触孔电连接至所述第一电极部分并且经由第二接触孔电连接至所述第二电极部分。

Description

透明显示装置

技术领域

本发明涉及一种透明显示装置。

背景技术

显示装置可包括依次堆叠的第一电极、发光层和第二电极，并且可在向第一电极和第二电极施加电压时经由发光层发光。在这种显示装置中，在制造工艺期间可在第一电极上出现颗粒，在这种情形下，在出现颗粒的区域中，在第一电极和第二电极之间可出现短路。由于这个原因，显示装置具有出现颗粒的所有子像素变成暗点从而不发光的问题。

近来，积极进行对透明显示装置的研究，其中用户可透过显示装置观看到位于相反侧的物体或图像。

透明显示装置包括显示图像的显示区以及非显示区，其中显示区可包括能够透射外部光的透射区和非透射区。透明显示装置通过透射区在显示区中可具有高透光率。

相比一般的显示装置，透明显示装置由于透射区可具有较小尺寸的发光区。因此，在透明显示装置中，当所有子像素由于颗粒变成暗点时，相比一般的显示装置，亮度可进一步劣化。

发明内容

鉴于上述问题，作出了本发明，本发明的一个目的是提供一种可减小变成暗点的发光区的尺寸的透明显示装置。

本发明的另一目的是提供一种可允许仅出现颗粒的区域明确变成暗点的透明显示装置。

除了上述本发明的目的之外，所属领域的技术人员根据本发明的下文描述将清楚地理解本发明的附加目的和特点。

根据本发明的一个方面，可通过提供一种透明显示装置来实现上述和其他目的，所述透明显示装置包括：多个透射区；以及设置在所述多个透射区之间的多个子像素，其中所述多个子像素的每一个包括：包括有源层、栅极、源极和漏极的驱动晶体管；包括第一电极、发光层和第二电极的发光元件；以及导电有机层，所述导电有机层设置在所述驱动晶体管和所述发光元件的第一电极之间，以将所述驱动晶体管和所述第一电极电连接。所述第一电极包括第一电极部分和第二电极部分，所述导电有机层经由第一接触孔电连接至所述第一电极部分并且经由第二接触孔电连接至所述第二电极部分。

根据本发明的另一方面，可通过提供一种透明显示装置来实现上述和其他目的，所述透明显示装置包括：驱动晶体管；具有第一导电率并且电连接至所述驱动晶体管的导电有机层；有机图案，所述有机图案设置在所述导电有机层上并暴露所述导电有机层的至少一部分，所述有机图案具有低于所述第一导电率的第二导电率；设置在所述导电有机层和所述有机图案上的平坦化层；第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化层上并且经由接触孔电连接至所述导电有机层；设置在所述第一电极上的发光层；以及设置在所述发光层上的第二电极。

附图说明

通过参照附图给出的下文详细描述，本发明的上述和其他目的、特点和其他优点将更清楚地理解。在附图中：

图1是图解根据本发明一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图；

图2是图解图1所示的透明显示装置的像素示例的视图；

图3是图解图2的线I-I’的第一示例的剖视图；

图4是图解图2的线II-II’的第一示例的剖视图；

图5是图解颗粒出现在图3中的多个分割电极之一中的示例的视图；

图6是图解有机图案的形状的视图；

图7是图解图2的线I-I’的第二示例的剖视图；

图8是图解图2的线I-I’的第三示例的剖视图；

图9是图解图2的线I-I’的第四示例的剖视图；

图10是图解图2的线I-I’的第五示例的剖视图；

图11是图解图2的线II-II’的第五示例的剖视图；

图12是图解图1所示的透明显示面板的像素的另一示例的视图；

图13是图解图12的线III-III’的示例的剖视图；

图14是图解颗粒出现在图13中的多个分割电极之一中的示例的视图。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式阐明本发明的优点和特点以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。

为了描述本发明的多个实施方式而在附图中公开的形状、大小、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于示出的细节。相似的参考标记通篇指代相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其他部分，除非使用了“仅”。

在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在这两部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。

将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应受这些术语限制。这些术语仅仅是用来将一要素与另一要素区分开。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可被称为第二要素，类似地，第二要素可被称为第一要素。

在描述本发明的要素时，可使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在用于将相应要素与其它要素区分开，并且相应要素的基础、顺序或数量不受这些术语的限制。关于一个元件“连接”或“接合”到另一个元件这样的表达，所述一个元件不仅可直接连接或接合到所述另一个元件，而且也可与所述另一个元件间接“连接”或“接合”，除非明确提及，或者可在相应元件之间插置第三元件。

所属领域技术人员能够充分理解到，本发明各实施方式的特点可彼此部分或整体地结合或组合，并且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的多个实施方式可彼此独立实施，或者可以以相互依赖的关系共同实施。

图1是图解根据本发明一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图；图2是图解图1所示的透明显示装置的像素示例的视图；图3是图解图2的线I-I’的第一示例的剖视图；图4是图解图2的线II-II’的第一示例的剖视图；图5是图解颗粒出现在图3中的多个分割电极之一中的示例的视图；图6是图解有机图案的形状的视图；图7是图解图2的线I-I’的第二示例的剖视图；图8是图解图2的线I-I’的第三示例的剖视图；图9是图解图2的线I-I’的第四示例的剖视图；图10是图解图2的线I-I’的第五示例的剖视图；图11是图解图2的线II-II’的第五示例的剖视图。

下文中，X轴表示平行于扫描线的线，Y轴表示平行于数据线的线，Z轴表示透明显示装置100的高度方向。

尽管基于根据本发明一个实施方式的透明显示装置100被实现为有机发光显示装置来给出了描述，透明显示装置100可被实现为液晶显示装置、等离子体显示面板(PDP)、量子点发光显示器(QLED)或电泳显示装置。

参照图1至11，根据本发明一个实施方式的透明显示装置100包括透明显示面板110。透明显示面板110包括彼此面对的第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是塑料膜、玻璃基板、或使用半导体工艺形成的硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。第一基板111和第二基板112可由透明材料制成。

透明显示面板110可划分为设置有显示图像的多个像素P的显示区DA以及不显示图像的非显示区NDA。非显示区NDA可包括设置有诸如电源焊盘和数据焊盘之类的焊盘的焊盘区PA以及至少一个扫描驱动器(未示出)。

扫描驱动器连接至扫描线以提供扫描信号。扫描驱动器可按照面板内栅极驱动器(GIP)模式设置在显示区DA的一侧或两侧上。例如，扫描驱动器可设置在显示区DA的两侧上，但不限于此。扫描驱动器可仅设置在显示区DA的一侧上。

显示区DA包括图2所示的透射区TA和非透射区NTA。透射区TA是从外部入射的大部分光通过的区域，非透射区NTA是从外部入射的大部分光不透过的区域。例如，透射区TA可具有α％的透光率，例如大于90％的透光率；非透射区NTA可以是透光率为β％的区域，例如透光率小于50％。此时，α是大于β的值。用户可由于透射区TA观看到位于透明显示面板110的后表面上的物体或背景。

非透射区NTA可设置在相邻透射区TA之间，并且可包括多个像素P和多条信号线。多条信号线可包括在非透射区NTA中的在第一方向(X轴方向)上延伸的扫描线以及在第二方向(Y轴方向)上延伸的数据线。

像素P可设置在透射区TA之间以发射预定的光，由此显示图像。发光区EA可对应于在像素P中发光的区域。

每个像素P可包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4的至少之一。第一子像素SP1包括发射红色光的第一发光区EA1，第二子像素SP2包括发射绿色光的第二发光区EA2，第三子像素SP3包括发射蓝色光的第三发光区EA3，第四子像素SP4包括发射白色光的第四发光区EA4，但这些子像素不限于此。每个像素P可包括发射除了红色、绿色、蓝色和白色之外的颜色的光的子像素。此外，子像素SP1、SP2、SP3和SP4的布置顺序可进行各种修改。

分别设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的发光区EA1、EA2、EA3和EA4可包括多个分割发光区。具体地，设置在第一子像素SP1中的第一发光区EA1被划分为两个，由此可包括第一分割发光区EA11和第二分割发光区EA12。设置在第二子像素SP2中的第二发光区EA2被划分为两个，由此可包括第一分割发光区EA21和第二分割发光区EA22。设置在第三子像素SP3中的第三发光区EA3被划分为两个，由此可包括第一分割发光区EA31和第二分割发光区EA32。设置在第四子像素SP4中的第四发光区EA4被划分为两个，由此可包括第一分割发光区EA41和第二分割发光区EA42。

下文中，为了便于说明，第一子像素SP1是发射红色光的红色子像素，第二子像素SP2是发射绿色光的绿色子像素，第三子像素SP3是发射蓝色光的蓝色子像素，第四子像素SP4是发射白色光的白色子像素。

第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4的每一个可包括具有电容器、薄膜晶体管等的电路元件以及发光元件。薄膜晶体管可包括开关晶体管、感测晶体管和驱动晶体管(TFT)。

开关晶体管根据提供给扫描线的扫描信号进行切换以将从数据线提供的数据电压提供给驱动晶体管TFT。

感测晶体管用于感测驱动晶体管TFT的阈值电压偏差，阈值电压偏差可导致图像质量的劣化。

驱动晶体管TFT根据从开关薄膜晶体管提供的数据电压进行切换，根据从像素电源线提供的电源来产生数据电流，并将数据电流提供给子像素的第一电极120。驱动晶体管TFT包括有源层ACT、栅极GE、源极SE和漏极DE。

电容器用于在一帧保持提供给驱动晶体管TFT的数据电压。电容器可包括两个电容器电极，但不限于此。在一个实施方式中，电容器可包括三个电容器电极。

具体地，有源层ACT可设置在第一基板111上。有源层ACT可包括基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料。

如图4所示，遮光层LS可设置在第一基板111和有源层ACT之间。遮光层LS用于遮挡在设置有驱动晶体管TFT的区域中入射在有源层ACT上的外部光。遮光层LS可包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的任一种或其合金制成的单层或多层。缓冲层BF可设置在遮光层LS和有源层ACT之间。

栅极绝缘层GI可设置在有源层ACT上。栅极绝缘层GI可包括无机层，例如硅氧化物层(SiOx)、硅氮化物层(SiNx)或者SiOx和SiNx的多层。

栅极GE可设置在栅极绝缘层GI上。栅极GE可包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的其中之一或其合金制成的单层或多层。

层间介电层ILD可设置在栅极GE上。层间介电层ILD可包括无机层，例如硅氧化物层(SiOx)、硅氮化物层(SiNx)或者SiOx和SiNx的多层。

源极SE和漏极DE可设置在层间介电层ILD上。源极SE和漏极DE的其中之一可经由穿过栅极绝缘层GI和层间介电层ILD的接触孔连接至有源层ACT。

源极SE和漏极DE可包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的其中之一或其合金制成的单层或多层。

导电有机层EOL可设置在源极SE和漏极DE上。导电有机层EOL可具有第一导电率，并且可电连接至源极SE或漏极DE。由于导电有机层EOL具有导电率，所以导电有机层EOL可将驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE与发光元件的第一电极120电连接。

有机图案OSL可设置在导电有机层EOL上。有机图案OSL可具有低于第一导电率的第二导电率。也就是说，有机图案OSL可具有低于导电有机层EOL的导电率，或者可具有绝缘特性。

有机图案OSL包括多个图案，多个图案可被设置为彼此分隔开并且暴露导电有机层EOL的至少一部分。有机图案OSL可具有线形状或点形状。在一个实施方式中，有机图案OSL可包括如图6的(a)和(b)所示的多个线图案(line attern)。多个线图案可被设置为彼此分隔开并且可暴露位于其下方的导电有机层EOL的至少一部分。多个线图案的宽度和间隔距离的至少之一根据多个子像素的每个子像素的驱动晶体管TFT的限制电流对于每个子像素可以是不同的。

在另一实施方式中，有机图案OSL可包括如图6的(c)和(d)所示的多个点图案。多个点图案可被设置为彼此分隔开并暴露位于其下方的导电有机层EOL的至少一部分。

根据多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个的驱动晶体管TFT的选定电流，有机图案OSL的宽度和间隔距离的至少之一对于每个子像素可以是不同的。在一个实施方式中，根据多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个的驱动晶体管TFT的选定电流，有机图案OSL的厚度对于每个子像素可以是不同的。稍后将对此进行详细描述。

用于将由于驱动晶体管TFT导致的台阶差平坦化的平坦化层PLN可设置在导电有机层EOL和有机图案OSL上。平坦化层PLN可包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机层。

包括第一电极120、有机发光层130和第二电极140的发光元件以及堤部125可设置在平坦化层PLN上。

第一电极120可对于多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个设置在平坦化层PLN上。一个第一电极120设置在第一子像素SP1中，另一个第一电极120设置在第二子像素SP2中，另一个第一电极120设置在第三子像素SP3中，另一个第一电极120设置在第四子像素SP4中。第一电极120可不设置在透射区TA中。

第一电极120可包括具有高反射率的金属材料，比如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金、Ag合金和ITO的堆叠结构(ITO/Ag合金/ITO)、MoTi合金、以及MoTi合金和ITO的堆叠结构(ITO/MoTi合金/ITO)。Ag合金可以是银(Ag)、钯(Pd)、铜(Cu)等的合金。MoTi合金可以是钼(Mo)和钛(Ti)的合金。第一电极120可以是阳极。

第一电极120可经由穿过平坦化层PLN的接触孔电连接至导电有机层EOL，并且导电有机层EOL可电连接至驱动晶体管TFT的源极SE和漏极DE。结果，第一电极120可电连接至驱动晶体管TFT以从驱动晶体管TFT接收数据电流。

更具体地，设置在多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个中的第一电极120可包括多个分割电极121和122以及阳极连接电极ACE。

多个分割电极121和122可设置在平坦化层PLN上。多个分割电极121和122可包括两个或更多个，并且可被设置为在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上彼此分隔开。作为示例，第一电极120例如可包括图2所示的第一分割电极121和第二分割电极122，但不限于此。多个分割电极121和122可包括两个或更多个。应理解，“分割电极”包括“电极部分”的含义或者可称为“电极部分”，并且术语“分割电极”不需要分割的动作。

随着包括在一个第一电极120中的多个分割电极121和122的数量变少，开口率可增加，但由于颗粒变成暗点的区域的尺寸可增加从而产率可降低。另一方面，随着包括在一个第一电极120中的多个分割电极121和122的数量的增加，开口率可降低，但是由于颗粒变成暗点以降低产率的区域的尺寸可减小。

下文中，为了便于说明，将基于第一电极120包括第一分割电极121和第二分割电极122进行如下描述。

第一分割电极121可设置在第一分割发光区EA11、EA21、EA31和EA41中，第二分割电极122可设置在第二分割发光区EA12、EA22、EA32和EA42中。第一分割电极121和第二分割电极122可被设置为在相同层中彼此分隔开。

阳极连接电极ACE用于将第一分割电极121和第二分割电极122连接至驱动晶体管TFT，并且可包括如图2所示的第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2。

第一阳极连接部ACE1可设置在透射区TA和第一分割电极121之间。第一阳极连接部ACE1的一端可连接至第一分割电极121，其另一端可连接至导电有机层EOL。第一阳极连接部ACE1可在一端从第一分割电极121朝向透射区TA延伸预定长度那么多。第一阳极连接部ACE1可弯曲地延伸以使其至少一部分可在另一端与导电有机层EOL交叠。第一阳极连接部ACE1的至少一部分可在另一端与导电有机层EOL交叠，并且可经由第一接触孔CH1电连接至导电有机层EOL。

第二阳极连接部ACE2可设置在透射区TA和第二分割电极122之间。第二阳极连接部ACE2的一端可连接至第二分割电极122，其另一端可连接至导电有机层EOL。第二阳极连接部ACE2可在一端从第二分割电极122朝向透射区TA延伸预定长度那么多。第二阳极连接部ACE2可弯曲地延伸以使其至少一部分可在另一端与导电有机层EOL交叠。第二阳极连接部ACE2的至少一部分可在另一端与导电有机层EOL交叠，并且可经由第二接触孔CH2电连接至导电有机层EOL。

第一阳极连接部ACE1可与第一分割电极121在相同层中一体地形成为第一分割电极121，第二阳极连接部ACE2可与第二分割电极122在相同层中一体地形成为第二分割电极122。形成第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2的区域可以是非透射区NTA，但不限于此。在另一实施方式中，第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2可由透明导电材料制成。在这种情形下，形成第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2的区域可以是透射区TA。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，驱动晶体管TFT可进一步包括晶体管连接电极TCE，用于将驱动晶体管TFT连接至第一电极120的分割电极121和122。

晶体管连接电极TCE的一端可连接至驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE，其另一端可经由导电有机层EOL连接至第一分割电极121和第二分割电极122。晶体管连接电极TCE可在一端从驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE朝向透射区TA延伸预定长度那么多。晶体管连接电极TCE可在另一端与连接至第一分割电极121的第一阳极连接部ACE1的至少一部分以及连接至第二分割电极122的第二阳极连接部ACE2的至少一部分交叠。

晶体管连接电极TCE的至少一部分可被设置为与导电有机层EOL接触。晶体管连接电极TCE可直接在其上表面的至少一部分上设置有导电有机层EOL。在晶体管连接电极TCE的另一端设置在上表面上的导电有机层EOL可经由第一接触孔CH1连接至第一分割电极121，并且可经由第二接触孔CH2连接至第二分割电极122。因此，晶体管连接电极TCE可经由设置在其上表面上的导电有机层EOL电连接至第一分割电极121和第二分割电极122。

根据本发明一个实施方式的透明显示面板110的一个特点在于，由第一分割电极121和第二分割电极122构成的第一电极120经由导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。在这种情形下，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，即使颗粒出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个中，也仅设置有相应分割电极的区域可确定地变成暗点，其他分割电极可正常操作。

具体地，在根据本发明一个实施方式的显示面板110中，颗粒可出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个121中。在这种情形下，在根据本发明一个实施方式的显示面板110中，短路可出现在颗粒所在的区域中的第一分割电极121和第二分割电极122之间。当在老化工艺期间将老化信号施加给发光元件时，电流可集中在第一分割电极121和第二分割电极122短路所在的区域上，由此可通过焦耳加热产生显著热量。在这种情形下，可在释放产品之前执行老化工艺以防止质量或可靠性下降。老化信号可对应于施加给发光元件以使预定电流流入发光元件的电源或信号，并且例如可以是反向偏置电压。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，当在颗粒所在的区域中产生充分的热量时，发光层130和第二电极140被熔融，从而分割电极121和第二电极140可彼此绝缘。

但是，当未在颗粒所在的区域中产生充分的热量时，发光层130和第二电极140未熔融，分割电极121和第二电极140可短路。在这种情形下，在出现颗粒的分割电极中以及在设置其他分割电极122的区域中都不会发光。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，出现颗粒的分割电极121和驱动晶体管TFT可彼此断开，从而在设置有不出现颗粒的分割电极122的区域中可发光。为此，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，第一分割电极121和第二分割电极122不直接连接至驱动晶体管TFT，而是可经由导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。

由于驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE由金属材料制成并且具有高熔点，所以难以熔融驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE。因此，将出现颗粒的分割电极121与驱动晶体管TFT断开的一种方法是使用激光来切割驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE。

但是，根据这种方法，其他线和外围元件可被激光损坏，而为了防止线和外围元件由于激光损坏，线和电路元件需要被设计为不与激光切割区交叠。在这种情形下，由于线和电路元件应当设计在受限空间中，发光区EA或透射区TA的尺寸可减小以确保激光切割区。此外，由于应当附加地设置搜索出现颗粒的分割电极并将出现颗粒的分割电极与驱动晶体管TFT断开的激光切割工艺，所以工艺变得复杂，工艺时间可延长。

为了解决上述问题，根据本发明一个实施方式的透明显示面板110可具有出现颗粒的分割电极121与驱动晶体管TFT可在无需激光切割的条件下彼此电分离的结构。

具体地，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，如图3所示，第一分割电极121和第二分割电极122可不直接连接至驱动晶体管TFT，而是可经由导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。

第一接触孔CH1可通过穿过平坦化层PLN而暴露导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分。第一分割电极121可包括与由第一接触孔CH1暴露的导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分接触的第一接触区CA1。

第二接触孔CH2可通过穿过平坦化层PLN而暴露导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分。第二分割电极122可包括与由第二接触孔CH2暴露的导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分接触的第二接触区CA2。由第一接触孔CH1和第二接触孔CH2暴露的导电有机层EOL的尺寸根据多个子像素的每个子像素的驱动晶体管TFT的限制电流对于每个子像素可不同。

当颗粒出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个中时，电流集中在出现颗粒的分割电极上，由此甚至在接触区CA中流动大量的电流。例如，当颗粒出现在第一分割电极121中时，电流集中在第一分割电极121上，由此甚至在第一接触区CA1中流动大量的电流。因此，通过焦耳加热可在第一接触区CA1中产生显著热量。

导电有机层EOL是具有导电率的有机材料，并且具有低于金属材料的熔点。因此，导电有机层EOL相比驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE可在更低的温度下熔融。当在出现颗粒的第一分割电极121的第一接触区CA1中产生充分的热量时，设置在第一接触区CA1中的导电有机层EOL和有机图案OSL可如图5所示熔融，以将第一分割电极121与晶体管连接电极TCE电分离。因此，第一接触区CA1可变为第一分割电极121与导电有机层EOL彼此不接触的非接触区NCA。

结果，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，出现颗粒的分割电极121和驱动晶体管TFT可在无需激光切割的条件下彼此电分离。因此，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，可防止其他线和电路元件被激光损坏，并且由于不需要单独的激光切割工艺，可简化工艺，并且可缩短工艺时间。

此外，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，由于导电有机层EOL仅需要与分割电极121和122接触，其他线和电路元件可被设计为与导电有机层EOL交叠。因此，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，当设置导电有机层EOL时，不会减小发光区EA或透射区TA的尺寸。也就是说，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，可在不会降低开口率和透射率的条件下设置导电有机层EOL。

此外，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，当出现颗粒时，在颗粒所在的区域中的发光层130和第二电极140可通过焦耳加热熔融或升华，从而可执行初次老化。在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，仅出现颗粒的区域可局部地变成暗点。但是，即使根据发光层130和第二电极140熔融的状态，未在颗粒所在的区域中产生充分的热量或者分割电极和第二电极140仍然彼此电连接而没有彼此绝缘，也可执行初次老化。

在这种情形下，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，由于电流仍然集中在出现颗粒的分割电极上，所以接触区CA的导电有机层EOL和有机图案OSL可由于焦耳加热而熔融或升华，从而可执行二次老化。结果，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，仅出现颗粒的一部分子像素可确定地变成暗点，可防止所有的子像素变成暗点。

同时，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，设置在晶体管连接电极TCE的上表面上的导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可被形成为对于每个子像素是不同的。在这种情形下，导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可表示在接触区CA中，与分别从分割电极121和122延伸的第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2接触的导电有机层EOL的尺寸的总和。

具体地，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可考虑到从驱动晶体管TFT提供的电流的大小而对于每个子像素不同地设置。

第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个选定的电流可根据发射的光的颜色而不同。设置在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个中的驱动晶体管TFT可考虑到选定的电流而确定尺寸。例如，在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4之中发射红色光的第一子像素SP1选定的电流可最大。在这种情形下，与第一子像素SP1的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可具有比第二至第四子像素SP2、SP3和SP4的每一个的驱动晶体管TFT更大的尺寸，由此具有高限制电流。作为另一示例，在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4之中发射蓝色光的第三子像素SP3选定的电流可最小。在这种情形下，与第三子像素SP3的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可具有比第一、第二和第四子像素SP1、SP2和SP4的每一个的驱动晶体管更小的尺寸，由此具有低限制电流。

根据驱动晶体管TFT的尺寸，在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个中设置的第一电极120可与导电有机层EOL具有可变接触电阻。当驱动晶体管TFT的尺寸较大时，从驱动晶体管TFT提供的电流较大，从而第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻可较大。另一方面，当驱动晶体管TFT的尺寸较小时，从驱动晶体管TFT提供的电流较小，从而第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻可较小。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，可调节导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸，从而可调节导电有机层EOL和第一电极120之间的接触电阻。结果，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中可以是相似的。

例如，与第一子像素SP1的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可最大，与第二子像素SP2的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可第二大，与第四子像素SP4的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可第三大，与第三子像素SP3的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可最小。例如，与红色子像素SP1的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可最大，与绿色子像素SP2的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可第二大，与白色子像素SP4的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可第三大，与蓝色子像素SP3的第一电极120连接的驱动晶体管TFT可最小。

在这种情形下，第三子像素SP3的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于第四子像素SP4的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。施加给第三子像素SP3的第一电极120的电流可小于施加给第四子像素SP4的第一电极120的电流。因此，在第三子像素SP3的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸小于在第四子像素SP4的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸，由此，在第三子像素SP3的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻可增加。

此外，第四子像素SP4的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于第二子像素SP2的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。施加给第四子像素SP4的第一电极120的电流可小于施加给第二子像素SP2的第一电极120的电流。因此，在第四子像素SP4的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸小于在第二子像素SP2的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸，由此，在第四子像素SP4的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻可增加。

此外，第二子像素SP2的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于第一子像素SP1的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。施加给第二子像素SP2的第一电极120的电流可小于施加给第一子像素SP1的第一电极120的电流。因此，在第二子像素SP2的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸小于在第一子像素SP1的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸，由此，在第二子像素SP2的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻可增加。

结果，在第三子像素SP3中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可最小，在第四子像素SP4中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可第二小，在第二子像素SP2中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可第三小，在第一子像素SP1中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可最大。例如，在蓝色子像素SP3中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可最小，在白色子像素SP4中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可第二小，在绿色子像素SP2中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可第三小，在红色子像素SP1中第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸可最大。

在根据上述本发明一个实施方式的透明显示面板110中，当从驱动晶体管TFT施加的电流较小时，在连接至相应驱动晶体管TFT的导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸减小，从而导电有机层EOL和第一电极120之间的接触电阻可增加。结果，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，当出现颗粒时，导电有机层EOL可在接触区CA中熔融或升华，从而第一电极120和驱动晶体管TFT可彼此电分离。

同时，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，可根据与第一电极120接触的有机图案OSL的宽度和间隔距离的至少之一来调节在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。

在本发明的一个实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可具有不同的宽度。有机图案OSL可具有根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而变化的宽度。

当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，有机图案OSL在接触区CA中可具有较宽的宽度，以减小导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。例如，设置在第三子像素SP3(可称为发射第一颜色的光的子像素)中的驱动晶体管TFT可具有比设置在第一子像素SP1(可称为发射第二颜色的光的子像素)中的驱动晶体管TFT更低的限制电流。在这种情形下，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸被设置为小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸，由此可增加设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触电阻。

为此，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的有机图案OSL可具有如图6的(a)和(c)所示的第一宽度W1和W3，与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的有机图案OSL可具有小于第一宽度W1和W3的第二宽度W2和W4，如图6的(b)和(d)所示。此时，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的有机图案OSL的间隔距离d1和d3可等于与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的有机图案OSL的间隔距离d2和d4。

结果，当接触区CA相同时，更小尺寸的导电有机层EOL可被暴露，而不会被设置在第三子像素SP3中的第一电极120的接触区CA中的有机图案OSL覆盖。也就是说，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。因此，即使设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT具有低限制电流，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL之间的接触电阻也可增加，由此当第一电极120和第二电极140短路时，可产生足以熔融或升华导电有机层EOL和有机图案OSL的热量。

在另一实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL的间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。有机图案OSL的间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。

当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，有机图案OSL可具有较小的间隔距离来减小在接触区CA中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。例如，设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT可具有比设置在第一子像素SP1中的驱动晶体管TFT更低的限制电流。在这种情形下，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸被设置为小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸，由此可增加设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触电阻。

为此，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的有机图案OSL可具有第一间隔距离，与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的有机图案OSL可具有大于第一间隔距离的第二间隔距离。此时，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的有机图案OSL的宽度可等于与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的有机图案OSL的宽度。

结果，当接触区CA相同时，更小尺寸的导电有机层EOL可被暴露，而不会被设置在第三子像素SP3中的第一电极120的接触区CA中的有机图案OSL覆盖。也就是说，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。因此，即使设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT具有低限制电流，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL之间的接触电阻也可增加，由此当第一电极120和第二电极140短路时，可产生足以熔融或升华导电有机层EOL和有机图案OSL的热量。

在又一实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL的宽度和间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。有机图案OSL的宽度和间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，有机图案OSL的宽度和间隔距离可被适当地设计，使得减小在接触区CA中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，可考虑到每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流来调节第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸。因此，在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，即使驱动晶体管TFT具有低限制电流，当出现颗粒时，第一电极120和驱动晶体管TFT也可在接触区CA中彼此电分离。

在根据本发明一个实施方式的透明显示面板110中，即使出现颗粒，也仅颗粒所在的区域局部地变成暗点，或者多个分割电极121和122中的仅相应的分割电极短路，由此可减少由于暗点的出现导致的光损耗率。

堤部125可设置在平坦化层PLN上。此外，堤部125可设置在位于第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的第一电极120之间，还可设置在第一阳极连接部ACE1、第二阳极连接部ACE2、第一接触孔CH1和第二接触孔CH2上。堤部125可被设置为至少部分地覆盖每个第一电极120的边缘，并暴露每个第一电极120的一部分。因此，堤部125可防止发光效率由于电流集中在第一电极120的每个端部上而劣化。

堤部125可限定每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的发光区EA11、EA12、EA21、EA22、EA31、EA32、EA41和EA42。在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中，发光区EA11、EA12、EA21、EA22、EA31、EA32、EA41和EA42是指依次堆叠第一电极120、有机发光层130和第二电极140从而来自第一电极120的空穴和来自第二电极140的电子在有机发光层130中彼此组合以发光的区域。在这种情形下，在非透射区NTA中设置有堤部125的区域不发光，由此变成非发光区，并且未设置堤部125并且暴露第一电极120的区域可变成发光区EA11、EA12、EA21、EA22、EA31、EA32、EA41和EA42。

堤部125可包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂之类的有机层。

有机发光层130可设置在第一电极120上。有机发光层130可包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情形下，当电压施加给第一电极120和第二电极140时，空穴和电子分别经由空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，并且在发光层中彼此结合以发光。

在一个实施方式中，有机发光层130可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中的公共层。在这种情形下，发光层可以是用于发射白色光的白色发光层。

在另一实施方式中，有机发光层130的发光层可对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4而设置。例如，用于发射红色光的红色发光层可设置在第一子像素SP1中，用于发射绿色光的绿色发光层可设置在第二子像素SP2中，用于发射蓝色光的蓝色发光层可设置在第三子像素SP3中，用于发射白色光的白色发光层可设置在第四子像素SP4中。在这种情形下，有机发光层130的发光层可不设置在透射区TA中。

第二电极140可设置在有机发光层130和堤部125上。第二电极140可设置在透射区TA以及包括发光区EA的非透射区NTA中，但不限于此。第二电极140可仅设置在包括发光区EA的非透射区NTA中，但不设置在透射区TA中以提高透射率。

第二电极140可以是共同设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4中以施加相同电压的公共层。第二电极140可包括可透射光的导电材料。例如，第二电极140可包括低电阻金属材料，例如Ag或者Mg和Ag的合金。

封装层150可设置在发光二极管上。封装层150可设置在第二电极140上以覆盖(overlay)第二电极140。封装层150用于防止氧气或水分渗透到有机发光层130和第二电极140中。为此，封装层150可包括至少一个无机层和至少一个有机层。

同时，尽管未在图中示出，但是可在第二电极140和封装层150之间附加地设置盖层(capping layer)。

滤色器CF可设置在封装层150上。滤色器CF可设置在第二基板112的面对第一基板111的一个表面上。在这种情形下，设置有封装层150的第一基板111和设置有滤色器CF的第二基板112可通过粘合层(未示出)彼此接合。此时，粘合层(未示出)可以是光学透明树脂(OCR)层或光学透明粘合剂(OCA)膜。

滤色器CF可被设置为对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4被图案化。具体地，滤色器CF可包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。第一滤色器可被设置为对应于第一子像素SP1的发光区EA1，并且可以是透射红色光的红色滤色器。第二滤色器可被设置为对应于第二子像素SP2的发光区EA2，并且可以是透射绿色光的绿色滤色器。第三滤色器可被设置为对应于第三子像素SP3的发光区EA3，并且可以是透射蓝色光的蓝色滤色器。在实施方式中，滤色器CF可进一步包括第四滤色器。第四滤色器可被设置为对应于第四子像素SP4的发光区EA4，并且可以是透射白色光的白色滤色器。白色滤色器可包括透射白色光的透明有机材料。

黑矩阵(未示出)可设置在滤色器CF之间。黑矩阵(未示出)可设置在子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间以防止在彼此相邻的子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间出现颜色混合。

同时，黑矩阵(未示出)可设置在滤色器CF和透射区TA之间。黑矩阵(未示出)设置在透射区TA与多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间以防止从多个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的每一个发出的光进入到透射区TA。

黑矩阵(未示出)可包括吸收光的材料，例如完全吸收可见光波长范围的光的黑色染料。

尽管图3至图6显示了有机图案OSL设置在除了第一接触区CA1和第二接触区CA2之外的区域中，本发明不限于此。在另一实施方式中，有机图案OSL可被设置为仅与第一接触区CA1和第二接触区CA2至少部分地交叠，如图7所示。有机图案OSL仅需要通过与第一接触孔CH1和第二接触孔CH2交叠来调节在导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸，由此可仅设置在与第一接触孔CH1和第二接触孔CH2交叠的区域中。

在图3至图6中，导电有机层EOL被显示为直接设置在晶体管连接电极TCE的上表面上，或者可直接设置在源极SE或漏极DE的上表面上，但不限于此。在另一实施方式中，导电有机层EOL可与驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE在其间插置有至少一个绝缘层的条件下彼此分隔开，如图8所示。至少一个绝缘层例如钝化层PAS可进一步设置在导电有机层EOL和驱动晶体管TFT之间。导电有机层EOL可经由穿过钝化层PAS的第四接触孔CH4连接至驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE或驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE。

在图8所示的透明显示面板110中，至少一个绝缘层可设置在导电有机层EOL和驱动晶体管TFT之间，从而可防止驱动晶体管TFT由于在出现颗粒的分割电极的接触区CA中产生的热量而损坏。

在图3至图6中，导电有机层EOL和有机图案OSL被显示为由彼此不同的相应材料制成的分离元件，但不限于此。在另一实施方式中，导电有机层EOL和有机图案OSL可由相同的材料一体地形成。在这种情形下，如图9所示，导电有机层EOL可包括设置在晶体管连接电极TCE上的平坦部EOL1和在平坦部EOL1上的设置为不平坦图案(或凹凸图案)的不平坦图案部EOL2。

在图9所示的透明显示面板110中，在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸可基于不平坦图案部EOL2的宽度和间隔距离的至少之一来调节。

在一个实施方式中，导电有机层EOL的不平坦图案部EOL2对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可具有不同的宽度。不平坦图案部EOL2可具有根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管的限制电流而改变的宽度。

当子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，不平坦图案部EOL2可具有较宽的宽度，以使导电有机层EOL在接触区CA中与第一电极120可具有较小的接触尺寸。例如，设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT可具有比设置在第一子像素SP1中的驱动晶体管TFT更低的限制电流。在这种情形下，相比设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL可具有更小的接触尺寸，由此在第一电极和导电有机层EOL之间的接触电阻可增加。

为此，相比与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2可具有更大的宽度。此时，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2的间隔距离可等于与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2的间隔距离。

结果，当接触区CA相同时，导电有机层EOL的表面尺寸可随着不平坦图案部EOL2的宽度的增加而减小，导电有机层EOL的表面尺寸可随着不平坦图案部EOL2的宽度的减小而增加。因此，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。即使设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT具有较低的限制电流，在设置在第三子像素SP3中的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻也可增加，由此当第一电极120和第二电极140短路时可产生足以熔融或升华导电有机层EOL和有机图案OSL的热量。

在另一实施方式中，导电有机层EOL的不平坦图案部EOL2的间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。不平坦图案部EOL2的间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。

当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，不平坦图案部EOL2可具有较大的间隔距离，从而导电有机层EOL在接触区CA中与第一电极120可具有较小的接触尺寸。例如，设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT相比设置在第一子像素SP1中的驱动晶体管TFT可具有更低的限制电流。在这种情形下，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸被设置为小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸，由此设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触电阻可增加。

为此，与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2相比，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2可具有更大的间隔距离。此时，与设置在第三子像素SP3中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2的宽度可等于与设置在第一子像素SP1中的第一电极120接触的不平坦图案部EOL2的宽度。

结果，当接触区CA相同时，导电有机层EOL的表面尺寸可随着不平坦图案部EOL2的间隔距离的增加而减小，导电有机层EOL的表面尺寸可随着不平坦图案部EOL2的间隔距离的减小而增加。因此，设置在第三子像素SP3中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸可小于设置在第一子像素SP1中的第一电极120与导电有机层EOL的接触尺寸。即使设置在第三子像素SP3中的驱动晶体管TFT具有较低的限制电流，在设置在第三子像素SP3中的第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻也可增加，由此当第一电极120和第二电极140短路时可产生足以熔融或升华导电有机层EOL和有机图案OSL的热量。

在又一实施方式中，导电有机层EOL的不平坦图案部EOL2的宽度和间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。导电有机层EOL的不平坦图案部EOL2的宽度和间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，导电有机层EOL的不平坦图案部EOL2的宽度和间隔距离可被适当地设计，使得在接触区CA中在导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸减小。

在图9所示的透明显示面板110中，有机图案OSL可省略，由此可省略形成有机图案OSL的工艺以简化工艺。此外，在图9所示的透明显示面板110中，有机图案OSL可不通过单独的工艺设置在具有较小面积的导电有机层EOL上。在图9所示的透明显示面板110中，有机图案OSL考虑到工艺误差未设置在导电有机层EOL上，可防止导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸增加，可防止导电有机层EOL和第一电极120之间的接触电阻未按设计而降低。

同时，在图3至图6中，驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE被显示为延伸至接触区CA，但不限于此。在另一实施方式中，驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE可不与图10和11所示的接触区CA交叠。在这种情形下，驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE可在端部与导电有机层EOL的至少一部分交叠。

导电有机层EOL的至少一部分可与驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE交叠并电连接。在这种情形下，导电有机层EOL可与晶体管连接电极TCE直接接触，但不限于此。当至少一个绝缘层设置在导电有机层EOL和晶体管连接电极TCE之间时，导电有机层EOL可经由穿过至少一个绝缘层的接触孔电连接至晶体管连接电极TCE。

此外，导电有机层EOL可在朝向透射区TA的方向上从与晶体管连接电极TCE交叠的区域延伸预定长度那么多。导电有机层EOL可在透射区TA与子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间与第一阳极连接部ACE1和第二阳极连接部ACE2至少部分地交叠，从而导电有机层EOL可经由第一接触孔CH1连接至第一阳极连接部ACE1并且经由第二接触孔CH2连接至第二阳极连接部ACE2。

在图10和11所示的透明显示面板110中，驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE被设置为不与接触区CA交叠，由此可避免由于晶体管连接电极TCE导致的透射率损耗。由于驱动晶体管TFT的晶体管连接电极TCE由金属材料制成并因而具有低透射率，所以当晶体管连接电极TCE与接触区CA交叠时由于晶体管连接电极TCE可出现透射率损耗。另一方面，由于导电有机层EOL由有机材料制成并因而具有高透射率，所以即使导电有机层EOL设置在接触区CA中也几乎不会出现透射率损耗。

在图2至图11中，第一电极120的分割电极121和122被显示为经由沿朝向透射区TA的方向突出的阳极连接电极ACE连接至驱动晶体管TFT，但不限于此。

在另一实施方式中，第一电极120的分割电极121和122可无需单独的阳极连接电极ACE而经由设置在分割电极121和122之间的导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。下文中，将参照图12至14对此进行详细描述。

图12是图解图1所示的透明显示面板的像素的另一示例的视图；图13是图解图12的线III-III’的示例的剖视图；图14是图解颗粒出现在图13中的多个分割电极之一中的示例的视图。

图12至14所示的透明显示面板110与图2至11所示的透明显示面板110的不同之处在于，第一电极120的分割电极121和122经由设置在分割电极121和122之间的导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。下文中，将省略重复的描述，并且将基于与图2至11的区别来进行下文描述。

参照图12至14，第一电极120可包括第一分割电极121和第二分割电极122而不包括阳极连接电极ACE。第一分割电极121可设置在第一分割发光区EA11、EA21、EA31和EA41中，第二分割电极122可设置在第二分割发光区EA12、EA22、EA32和EA42中。第一分割电极121和第二分割电极122可在相同层中彼此分隔开。

导电有机层EOL可设置在第一分割电极121和第二分割电极122之间。导电有机层EOL可设置在透射区TA和第一电极120之间。导电有机层EOL的一端可与第一分割电极121的至少一部分交叠。导电有机层EOL可在与第一分割电极121交叠的区域中经由第一接触孔CH1电连接至第一分割电极121。导电有机层EOL的另一端可与第二分割电极122的至少一部分交叠。导电有机层EOL可在与第二分割电极122交叠的区域中经由第二接触孔CH2电连接至第二分割电极122。

导电有机层EOL在第一分割电极121和第二分割电极122之间的区域中可与驱动晶体管TFT的源极SE或漏极DE至少部分地交叠。导电有机层EOL在与源极SE或漏极DE交叠的区域中可经由第四接触孔CH4电连接至源极SE或漏极DE。

根据本发明另一实施方式的透明显示面板110的一个特点在于，由第一分割电极121和第二分割电极122构成的第一电极120经由导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。因此，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，即使颗粒出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个中，也仅设置有相应分割电极的区域可确定地变成暗点，其他分割电极可正常操作。

在根据本发明另一实施方式的显示面板110中，颗粒可出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个121中。在这种情形下，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，短路可出现在颗粒所在的区域中的第一分割电极121和第二电极140之间。当在老化工艺期间将老化信号施加给发光元件时，电流集中在第一分割电极121和第二电极140短路所在的区域上，由此可通过焦耳加热产生显著热量。

在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，当在颗粒所在的区域中产生充分的热量时，发光层130和第二电极140可被熔融，从而分割电极121和第二电极140可彼此绝缘。

但是，当未在颗粒所在的区域中产生充分的热量时，发光层130和第二电极140未熔融，分割电极121和第二电极140仍然可短路。在这种情形下，在出现颗粒的分割电极121中、甚至在设置其他分割电极122的区域中都不会发光。

在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，出现颗粒的分割电极121和驱动晶体管可彼此断开，从而在设置有不出现颗粒的分割电极122的区域中可发光。

具体地，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，如图13所示，第一分割电极121和第二分割电极122不直接连接至驱动晶体管TFT，而是可经由导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。

第一接触孔CH1可通过穿过平坦化层PLN而暴露导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分。第一分割电极121可包括与由第一接触孔CH1暴露的导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分接触的第一接触区CA1。

第二接触孔CH2可通过穿过平坦化层PLN而暴露导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分。第二分割电极122可包括与由第二接触孔CH2暴露的导电有机层EOL的至少一部分和有机图案OSL的至少一部分接触的第二接触区CA2。

当颗粒出现在第一分割电极121和第二分割电极122的任一个中时，电流集中在出现颗粒的分割电极上，由此甚至在接触区CA中流动大量的电流。例如，当颗粒出现在第一分割电极121中时，电流集中在出现颗粒的第一分割电极上，由此甚至在第一接触区CA1中流动大量的电流。结果，通过焦耳加热可在第一接触区CA1中产生显著热量。

当在出现颗粒的第一分割电极121的第一接触区CA1中产生充分的热量时，设置在第一接触区CA1中的导电有机层EOL和有机图案OSL可如图14所示熔融，从而可将第一分割电极121与晶体管连接电极TCE彼此电分离。因此，第一接触区CA1可变为第一分割电极121与导电有机层EOL彼此不接触的非接触区NCA。

结果，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，出现颗粒的分割电极121和驱动晶体管TFT可在无需激光切割的条件下彼此电分离。因此，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，可防止其他线和电路元件被激光损坏，并且不需要单独的激光切割工艺，由此可简化工艺，并且可缩短工艺时间。

此外，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，由于导电有机层EOL仅需要与分割电极121和122接触，其他线和电路元件可被设计为与导电有机层EOL至少部分地交叠。因此，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，当设置导电有机层EOL时，不会减小发光区EA或透射区TA的尺寸。也就是说，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，可在不会降低开口率和透射率的条件下设置导电有机层EOL。

此外，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，当出现颗粒时，在颗粒所在的区域中的发光层130和第二电极140可通过焦耳加热熔融或升华，从而可执行初次老化。在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，仅出现颗粒的区域可局部地变成暗点。但是，即使根据发光层130和第二电极140熔融的状态，未在颗粒所在的区域中产生充分的热量或者分割电极和第二电极140仍然彼此电连接而没有彼此绝缘，也可执行初次老化。

在这种情形下，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，由于电流仍然集中在出现颗粒的分割电极上，所以接触区CA的导电有机层EOL和有机图案OSL可由于焦耳加热而熔融或升华，从而可执行二次老化。结果，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，仅出现颗粒的子像素的一部分可确定地变成暗点，可防止所有的子像素变成暗点。

同时，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可被设置为对于每个子像素不同。在这种情形下，导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可表示在接触区CA中，与分割电极121和122接触的导电有机层EOL的尺寸的总和。

具体地，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，导电有机层EOL和第一电极120的接触尺寸可考虑到从驱动晶体管TFT提供的电流的大小而对于每个子像素不同地设置。

在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，可调节导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸，从而可调节导电有机层EOL和第一电极120之间的接触电阻。结果，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，第一电极120和导电有机层EOL之间的接触电阻在第一至第四子像素SP1、SP2、SP3和SP4中可以是相似的。

同时，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，可根据与第一电极120接触的有机图案OSL的宽度和间隔距离的至少之一来调节在每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。

在本发明的一个实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可具有不同的宽度。有机图案OSL可具有根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而变化的宽度。

在另一实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL的间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。有机图案OSL的间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。

在又一实施方式中，与第一电极120接触的有机图案OSL的宽度和间隔距离对于每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4可不同。有机图案OSL的宽度和间隔距离可根据每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流而改变。当每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流较低时，有机图案OSL的宽度和间隔距离可被适当地设计，使得减小在接触区CA中导电有机层EOL和第一电极120之间的接触尺寸。

在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，可考虑到每个子像素SP1、SP2、SP3和SP4的驱动晶体管TFT的限制电流来调节第一电极120和导电有机层EOL之间的接触尺寸。因此，在根据本发明另一实施方式的透明显示面板110中，即使驱动晶体管TFT具有低限制电流，当出现颗粒时，第一电极120和驱动晶体管TFT也可在接触区CA中彼此电分离。

在如图12至14所示的透明显示面板110中，第一电极120的分割电极121和122可经由设置在分割电极121和122之间的导电有机层EOL连接至驱动晶体管TFT。在如图12至14所示的透明显示面板110中，由于阳极连接电极ACE、晶体管连接电极TCE、第一接触孔CH1和第二接触孔CH2未设置在透射区TA与子像素SP1、SP2、SP3和SP4之间，所以透射区TA的尺寸或透射率不会由于这些元件而减小。因此，如图12至14所示的透明显示面板110相比如图2至11所示的透明显示面板110可改进透射率。

根据本发明，可实现下述有益效果。

在本发明中，发光元件的第一电极被设置为经由导电有机层电连接至驱动晶体管，从而当出现颗粒时导电有机层可被熔融或升华，由此第一电极和驱动晶体管可彼此电分离。在第一分割电极和第二分割电极的其中之一与第二电极之间出现短路时，与出现短路的分割电极接触的导电有机层的部分和有机图案的部分可被熔融或升华，以将出现短路的分割电极与驱动晶体管电分离。也就是说，在本发明中，由于出现颗粒的分割电极和驱动晶体管在无需激光切割的条件下彼此电分离，所以可防止其他线和电路元件由于激光而损坏，无需单独的激光切割工艺，从而可简化工艺，并且可缩短工艺时间。

此外，当设置导电有机层时，发光区或透射区的尺寸不会减小。

此外，在本发明中，在颗粒所在的区域中的第二电极和发光层可由于焦耳加热而熔融或升华，从而可执行初次老化。此外，在分割电极和导电有机层彼此接触的接触区中，导电有机层和有机图案可通过焦耳加热而熔融或升华，从而可执行二次老化。以这种方式，在本发明中，经由初次老化和二次老化变成暗点的发光区的尺寸可减小，仅出现颗粒的区域可确定地变成暗点。

此外，在本发明中，可考虑到每个子像素的驱动晶体管的限制电流来调节在第一电极和导电有机层之间的接触尺寸。因此，即使驱动晶体管具有低限制电流，第一电极和驱动晶体管也可在出现颗粒的接触区中彼此电分离。

上述本发明不受上述实施方式和附图的限制，并且在不背离本发明的精神或范围的情况下，可在本发明中做出各种替代、修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因此，本发明的范围由所附权利要求书限定，根据权利要求书的含义、范围和等同概念得到的所有变化或修改都旨在落入本发明的范围内。

Claims (20)

1.一种透明显示装置，包括：

多个透射区；以及

设置在所述多个透射区之间的多个子像素，

其中所述多个子像素的每一个包括：

包括有源层、栅极、源极和漏极的驱动晶体管；

包括第一电极、发光层和第二电极的发光元件；以及

导电有机层，所述导电有机层设置在所述驱动晶体管和所述发光元件的第一电极之间，以将所述驱动晶体管和所述第一电极电连接，

其中所述第一电极包括第一电极部分和第二电极部分，所述导电有机层经由第一接触孔电连接至所述第一电极部分并且经由第二接触孔电连接至所述第二电极部分。

2.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述导电有机层直接设置在所述源极或所述漏极的上表面上。

3.根据权利要求1所述的透明显示装置，还包括设置在所述导电有机层和所述驱动晶体管之间的至少一个绝缘层，

其中所述导电有机层经由穿过所述至少一个绝缘层的第三接触孔电连接至所述驱动晶体管的源极或漏极。

4.根据权利要求1所述的透明显示装置，还包括有机图案，所述有机图案设置在所述导电有机层上以暴露所述导电有机层的至少一部分。

5.根据权利要求4所述的透明显示装置，其中所述有机图案与所述第一接触孔和所述第二接触孔至少部分地交叠。

6.根据权利要求4所述的透明显示装置，其中所述有机图案具有比所述导电有机层的导电率低的导电率。

7.根据权利要求4所述的透明显示装置，其中所述有机图案具有线形状或点形状。

8.根据权利要求4所述的透明显示装置，其中所述多个子像素包括发射第一颜色的光的第一子像素和发射第二颜色的光的第二子像素，

设置在所述第一子像素中的有机图案的部分与设置在所述第二子像素中的有机图案的部分具有不同的宽度或间隔距离。

9.根据权利要求8所述的透明显示装置，其中设置在所述第一子像素中的驱动晶体管相比设置在所述第二子像素中的驱动晶体管具有更低的限制电流，

设置在所述第一子像素中的第一电极与所述导电有机层的接触尺寸小于设置在所述第二子像素中的第一电极与所述导电有机层的接触尺寸。

10.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述导电有机层包括平坦部和设置在所述平坦部上的不平坦图案部。

11.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述导电有机层设置在所述透射区和所述第一电极之间。

12.根据权利要求1所述的透明显示装置，还包括：

晶体管连接电极，所述晶体管连接电极在朝向所述透射区的方向上从所述驱动晶体管的源极或漏极延伸，并且与所述导电有机层至少部分地接触；

第一阳极连接部，所述第一阳极连接部具有连接至所述第一电极部分的一端以及经由所述第一接触孔连接至所述导电有机层的另一端；以及

第二阳极连接部，所述第二阳极连接部具有连接至所述第二电极部分的一端以及经由所述第二接触孔连接至所述导电有机层的另一端。

13.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述导电有机层设置在所述第一电极部分和所述第二电极部分之间，所述导电有机层的一端与所述第一电极部分的至少一部分交叠，所述导电有机层的另一端与所述第二电极部分的至少一部分交叠。

14.一种透明显示装置，包括：

驱动晶体管；

具有第一导电率并且电连接至所述驱动晶体管的导电有机层；

有机图案，所述有机图案设置在所述导电有机层上并暴露所述导电有机层的至少一部分，所述有机图案具有低于所述第一导电率的第二导电率；

设置在所述导电有机层和所述有机图案上的平坦化层；

第一电极，所述第一电极设置在所述平坦化层上并且经由接触孔电连接至所述导电有机层；

设置在所述第一电极上的发光层；以及

设置在所述发光层上的第二电极。

15.根据权利要求14所述的透明显示装置，其中所述第一电极包括第一电极部分和第二电极部分，

所述导电有机层经由第一接触孔电连接至所述第一电极部分并且经由第二接触孔电连接至所述第二电极部分。

16.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中所述第一接触孔和所述第二接触孔的每一个通过穿过所述平坦化层暴露所述导电有机层的至少一部分和所述有机图案的至少一部分。

17.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中在所述第一电极部分和所述第二电极部分的其中之一与所述第二电极之间出现短路时，与出现短路的所述第一电极部分和所述第二电极部分中的电极部分接触的导电有机层的部分和有机图案的部分被熔融或升华，以将出现短路的电极部分与所述驱动晶体管电分离。

18.根据权利要求15所述的透明显示装置，其中由所述第一接触孔和所述第二接触孔暴露的所述导电有机层的尺寸根据所述多个子像素的每个子像素的驱动晶体管的限制电流对于每个子像素是不同的。

19.根据权利要求14所述的透明显示装置，其中所述有机图案包括多个线图案，

所述多个线图案的宽度和间隔距离的至少之一根据所述多个子像素的每个子像素的驱动晶体管的限制电流对于每个子像素是不同的。

20.根据权利要求14所述的透明显示装置，还包括设置在所述导电有机层和所述驱动晶体管之间的至少一个绝缘层，

其中所述导电有机层经由穿过所述至少一个绝缘层的第三接触孔电连接至所述驱动晶体管。

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