KR20210079786A - 전계 발광 표시 장치 - Google Patents

전계 발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210079786A
KR20210079786A KR1020190171930A KR20190171930A KR20210079786A KR 20210079786 A KR20210079786 A KR 20210079786A KR 1020190171930 A KR1020190171930 A KR 1020190171930A KR 20190171930 A KR20190171930 A KR 20190171930A KR 20210079786 A KR20210079786 A KR 20210079786A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
area
substrate
layer
adhesive layer
Prior art date
Application number
KR1020190171930A
Other languages
English (en)
Inventor
노현종
민경석
정진형
고태운
김영욱
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190171930A priority Critical patent/KR20210079786A/ko
Priority to CN202011392612.1A priority patent/CN113013192A/zh
Priority to US17/125,997 priority patent/US11758762B2/en
Priority to EP20215428.2A priority patent/EP3840079A1/en
Publication of KR20210079786A publication Critical patent/KR20210079786A/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L27/3232—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H01L27/322—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/5237—
    • H01L51/5262—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

이 출원은 외광 반사율을 저감한 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다. 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치는, 표시 패널, 보호 기판 및 광 변색 접착층을 포함한다. 표시 패널은, 발광 영역 및 비 발광 영역을 구비한 화소 다수 개가 배치된다. 보호 기판은, 표시 패널의 일면에서 광 변색 접착층을 매개로 합착된다. 광 변색 접착층은, 발광 영역에 대응하는 투광 영역 그리고 비 발광 영역에 대응하는 차광 영역을 구비한다.

Description

전계 발광 표시 장치 {Electroluminescent Display}
이 출원은 외광 반사율을 저감한 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다. 특히, 이 출원은 광학 필름을 구비하지 않고 광 변색 재료를 포함한 접착층을 적용하여, 선택적으로 광 투과율을 다르게 설정함으로써, 발광 소자의 투광율을 극대화하고, 외광 반사율을 극소화한 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.
영상을 표시하는 장치는 CRT(Cathode Ray Tube), LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 전계발광 표시 장치(Luminescent Display) 등 다양한 형태가 개발되어 발전하고 있다. 특히, 전계발광 표시 장치는 자발광 표시 장치 또는 곡면형 자발광 표시 장치를 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 발광 표시 패널, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널, 플렉서블 발광 표시 패널, 플렉서블 마이크로 발광 다이오드 표시 패널, 또는 양자점 발광 표시 패널을 구비할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 같이 다양한 형태의 표시 장치는 각각의 고유 특성에 맞춰 컴퓨터, 휴대폰, 은행의 입출금장치(ATM) 및 차량의 네비게이션 시스템 등과 같은 다양한 제품의 영상 데이터 나타내기 위해 사용되고 있다.
현재 주로 사용하고 있는 표시 장치는, 태양광 혹은 실내 조명과 같은 외부 광이 반사됨에 따라 표시 화면이 정상적으로 인지되지 않는 문제를 해결하기 위해, 선편광판과 사반파장판을 적층한 광학 소재를 이용하고 있다. 이 경우, 이러한 광학 소자들로 인해, 표시 패널의 두께가 두꺼워지고, 표시 패널 자체의 휘도가 50% 감소되는 문제가 있다.
이 출원의 목적은 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 여러 개의 광학 소재를 사용하지 않고도 외광 반사를 억제하여 표시 패널이 제공하는 영상을 정상적으로 관측할 수 있는 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데 있다. 이 출원의 다른 목적은, 외광 반사를 억제하기 위한 별도의 광학 필름을 구비하지 않아, 전체 두께를 극소화한 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데 있다. 이 출원의 또 다른 목적은, 광학 필름을 사용하지 않음으로써, 표시 패널이 제공하는 휘도를 온전히 사용함으로써, 저 전력 고 휘도특징을 갖는 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데 있다.
이 출원의 목적을 달성하기 위해, 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치는, 표시 패널, 보호 기판 및 광 변색 접착층을 포함한다. 표시 패널은, 발광 영역 및 비 발광 영역을 구비한 화소 다수 개가 배치된다. 보호 기판은, 표시 패널의 일면에서 광 변색 접착층을 매개로 합착된다. 광 변색 접착층은, 발광 영역에 대응하는 투광 영역 그리고 비 발광 영역에 대응하는 차광 영역을 구비한다.
일례로, 투광 영역은, 90% 이상의 광 투과율을 갖는다. 차광 영역은, 95% 이상의 광 흡수율을 갖는다.
일례로, 광 변색 접착층은, 자외선이 조사된 부분이 선택적으로 차광 영역으로 설정된다.
일례로, 표시 패널은, 기판, 발광층 및 봉지층을 포함한다. 기판은, 화소들이 정의되어 있다. 발광층은, 기판 위에서 화소들에 배치된 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 구비한다. 봉지층은, 발광층을 덮는다.
일례로, 광 변색 접착층은, 봉지층 상부에 도포된다. 보호 기판은, 광 변색 접착층 위에 합착된다.
일례로, 광 변색 접착층은, 기판의 하면에 도포된다. 보호 기판은, 광 변색 접착층 아래에 합착된다.
일례로, 봉지층 위에 광 접착제를 매개로 합착된 커버 기판을 더 구비한다. 광 변색 접착층은, 커버 기판의 상부에 도포된다. 보호 기판은, 광 변색 접착층 위에 합착된다.
일례로, 보호 기판은, 자외선 차단 필름을 포함한다.
일례로, 보호 기판은, 투명 기판의 표면에 순차 적층된 자외선 차단 코팅과 긁힘 방지 코팅을 포함한다.
일례로, 보호 기판은, 외광 반사 방지 코팅을 더 구비한다.
일례로, 표시 패널은, 중앙부에 정의된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비 표시 영역을 구비한다. 광 변색 접착층의 차광 영역은, 비 표시 영역에 대응하여 더 배치된다.
또한, 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치는, 기판, 표시 영역, 비 표시 영역, 화소, 발광 영역, 비 발광 영역, 광 변색 접착층 그리고 보호 기판을 포함한다. 기판은, 표시 영역 및 표시 영역 외측에 배치된 비 표시 영역을 구비한다. 다수 개의 화소들이, 표시 영역 내에 배치된다. 화소 영역 내에는, 발광 영역 및 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역이 배치된다. 광 변색 접착층은, 기판의 일측면에 도포된다. 보호 기판은, 광 변색 접착층을 매개로 기판과 합착된다. 광 변색 접착층은, 비 표시 영역, 비 발광 영역에 대응하는 차광 영역 그리고 발광 영역에 대응하는 투광 영역을 구비한다.
일례로, 광 변색 접착제는 접착 물질 및 광 반응 염료를 포함하여 구성된다.
일례로, 차광 영역은 가시광선 흡수율이 95% 이상이다. 투광 영역은 가시광선 투과율이 90% 이상이다.
이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치는, 외부 광의 반사를 억제하기 위한 별도의 광학 필름들을 구비하지 않는다. 따라서, 초 박형 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한, 광학 필름에 의한 휘도 저하가 발생하지 않으므로, 동일한 전력으로 고 휘도의 영상을 제공할 수 있으며, 동일한 휘도의 영상을 제공하기 위한 전력 소비를 낮출 수 있다.
도 1은 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치에서 표시 패널의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치에서 광 변색 접착제의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
도 5는 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
도 6은 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
이 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 이 출원은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 이 출원의 일 예들은 이 출원의 개시가 완전하도록 하며, 이 출원의 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 이 출원의 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이 출원의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로, 여기에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 이 출원의 예를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이 출원 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 이 출원의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다.
이 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 이 출원에 따른 표시장치의 다양한 구조에 대하여, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여, 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치의 전체적인 구조에 대해 설명한다. 도 1은 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 2는 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치는, 표시 패널(DIP)과 보호 기판(AR)을 구비한다. 특히, 표시 패널(DIP)과 보호 기판(AR)은 광 변색 접착층(DPS)을 매개로 서로 면 합착되어 있다.
표시 패널(DIP)은 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계 발광 표시 패널 등과 같이 다양한 표시 패널 중에서 선택할 수 있다. 특히, 전계 발광 표시 패널을 적용하는 경우, 표시 패널(DIP)은 자발광 표시 패널 또는 곡면형 자발광 표시 패널을 포함할 수 있다. 구체적으로, 표시 패널(DIP)은 발광 표시 패널, 마이크로 발광 다이오드 표시 패널, 플렉서블 발광 표시 패널, 플렉서블 마이크로 발광 다이오드 표시 패널, 또는 양자점 발광 표시 패널을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시 패널(DIP)은 기판(SUB), 표시층(EL), 봉지층(ENC) 및 커버 기판(CB)을 포함할 수 있다. 표시층(EL)은 기판(SUB)의 일측 표면에 형성된다. 봉지층(ENC)은 표시층(EL)을 덮도록 기판(SUB)의 일측 표면 전체를 덮는다. 커버 기판(CB)은 봉지층(ENC) 위에 부착될 수 있다.
표시 패널(DIP)의 기판(SUB)은 투명한 재질로 형성하는 것이 바람직하다. 표시층(EL)은 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역들이 정의되어 있다. 각 화소 영역에는 구동 소자와 발광 소자가 배치될 수 있다. 구동 소자는 박막 트랜지스터 및 보조 용량을 포함할 수 있다. 발광 소자는 구동 소자에 의해 밝기 정도가 조절되는 것으로 전계 발광 소자일 수 있다. 전계 발광 소자는 유기발광 다이오드 혹은 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다.
봉지층(ENC)은 표시층(EL)을 보호하기 위한 것으로 외부로부터 공기나 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(ENC)은 무기 물질막 및 유기 물질막이 다층으로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
커버 기판(CB)은 두꺼운 유리와 같은 투명하고 강성이 높은 기판일 수 있다. 커버 기판(CB)은 하부에 배치된 봉지층(ENC) 및 표시층(EL)들을 외력에 의한 손상을 방지하기 위한 투명한 보호 기판일 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(DIP)은 기판(SUB), 게이트(혹은 스캔) 구동부(20), 데이터 패드부(30), 소스 구동 집적회로(41), 연성필름(43), 회로 보드(45), 및 타이밍 제어부(50)를 포함한다.
기판(SUB)은 표시 영역(DA) 및 비 표시 영역(NDA)으로 구분될 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 영역으로서, 기판(SUB)의 중앙부를 포함한 대부분 영역에 정의될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표시 영역(DA)에는 스캔 배선들(혹은 게이트 배선들)(도시하지 않음), 데이터 배선들(도시하지 않음) 및 화소(P)들이 형성된다.
기판(SUB)에는 다수 개의 화소(P)들이 매트릭스 방식으로 배열될 수 있다. 또한, 화소(P) 하나에는, 하나의 발광 영역(EA)이 정의되어 있다. 화소(P) 하나에서 발광 영역(EA)을 제외한 영역에는 구동 소자, 스캔 배선 및 데이터 배선들이 배치될 수 있다.
발광 영역(EA) 하나는 적어도 세 개의 서브 발광 영역(SA1, SA2, SA3)들을 구비할 수 있다. 예를 들어, 하나의 발광 영역(EA)은, 적색 서브 화소 영역(SA1), 녹색 서브 화소 영역(SA2) 및 청색 서브 화소 영역(SA3)을 포함할 수 있다. 도면으로 나타내지 않았지만, 다른 예로, 하나의 화소 영역은, 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역, 청색 서브 화소 영역 및 백색 서브 화소 영역을 포함할 수 있다. 각 발광 영역(EA)들 사이에는 블랙 매트릭스가 배치될 수 있다. 또한, 각 서브 발광 영역들(SA1, SA2, SA3) 사이에도 블랙 매트릭스가 더 배치될 수 있다.
비 표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(DA)의 전체 또는 일부를 둘러싸도록 기판(SUB)의 가장자리 부분에 정의될 수 있다. 비 표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(20)와 데이터 패드부(30)가 형성될 수 있다.
게이트 구동부(20)는 타이밍 제어부(50)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 스캔 배선들에 스캔(혹은 게이트) 신호들을 공급한다. 게이트 구동부(20)는 기판(SUB)의 표시 영역(DA)의 일측 바깥쪽의 비 표시 영역(NDA)에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. GIP 방식은 박막 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 게이트 구동부(20)가 기판(SUB) 상에 직접 형성되어 있는 구조를 일컫는다.
데이터 패드부(30)는 타이밍 제어부(50)로부터 입력되는 데이터 제어신호에 따라 데이터 배선들에 데이터 신호들을 공급한다. 데이터 패드부(30)는 구동 칩으로 제작되어 연성 필름(43)에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 기판(110)의 표시 영역(DA)의 일측 바깥 쪽의 비 표시 영역(NDA)에 부착될 수 있다.
소스 구동 집적 회로(41)는 타이밍 제어부(50)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력 받는다. 소스 구동 집적 회로(41)는 소스 제어 신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 데이터 배선들에 공급한다. 소스 구동 집적 회로(41)가 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성 필름(43)에 실장될 수 있다.
연성 필름(43)에는 데이터 패드부(30)와 소스 구동 집적 회로(41)를 연결하는 배선들, 데이터 패드부(30)와 회로 보드(45)를 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성 필름(43)은 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 데이터 패드부(30) 상에 부착되며, 이로 인해 데이터 패드부(30)와 연성 필름(43)의 배선들이 연결될 수 있다.
회로 보드(45)는 연성 필름(43)들에 부착될 수 있다. 회로 보드(45)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로 보드(45)에는 타이밍 제어부(50)가 실장될 수 있다. 회로 보드(45)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.
타이밍 제어부(50)는 회로 보드(45)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부(50)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부(20)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 구동 집적 회로(41)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(50)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부(20)에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 구동 집적 회로(41)들에 공급한다. 제품에 따라 타이밍 제어부(50)는 소스 구동 집적 회로(41)와 한 개의 구동 칩으로 형성되어 기판(SUB) 상에 실장될 수도 있다.
이하, 도 3을 더 참조하여, 이 출원의 전계 발광 표시 장치에 구비된 광 변색 접착제(DPS)에 대해 설명한다. 도 3은 이 출원에 의한 전계 발광 표시 장치에서 광 변색 접착제의 전체 구조를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
광 변색 접찹제(DPS)는 보호 기판(AR)과 표시 패널(DIP)을 합착한다. 보호 기판(AR)은 표시 패널(DIP) 전체를 물리적 및 광학적으로 보호하는 필름 소재일 수 있다. 일례로, 자외선을 흡수할 수 있는 투명한 자외선 차단 필름일 수 있다. 또는, 외부 표면에 강화 코팅 및 저 반사 코팅을 구비한 자외선 차단 필름일 수 있다.
광 변색 접착제(DPS)는 접착 물질(Optical Adhesive)에 광 반응 염료가 고르게 분산된 것일 수 있다. 접착 물질은, 감압 접착(Pressure Sensitive Adhesive) 물질 및/또는 광학 접착(Optical Clear Adhesive) 물질을 포함할 수 있다. 광 반응 염료는, 100~400nm의 파장대를 갖는 자외선, 특히 300~370nm 파장대의 자외선에 의해 검게 변색되는 물질인 것이 바람직하다. 일례로, 광 반응 염료는 365nm 파장대의 자외선을 2000mJ/㎠의 에너지로 조사할 경우 가시광선의 흡수율이 95%이상, 투과율이 5% 이하로 변색되는 물질인 것이 바람직하다. 여기서, 가시광선은, 380 ~ 770nm의 파장을 갖는 전자기파 영역의 빛으로서, 사람의 눈에서 인지되는 빛을 의미한다.
광 변색 접착제(DPS)를 표시 패널(DIP)의 표면에 도포한 후, 보호 기판(AR)을 합착하기 전에, 선택적으로 자외선을 조사함으로써, 차광 영역(NA)과 투광 영역(OA)으로 구분될 수 있다. 차광 영역(NA)은 가시광선의 흡수율이 95% 이상이고, 투광 영역(OA)은 가시광선의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
일례로, 광 변색 접착제(DPS)는 초기 상태에서 가시광선의 투과율이 90% 이상일 수 있다. 광 변색 접착제(DPS)를 표시 패널(DIP)에 도포한 후, 스크린 마스크를 이용하여, 투광 영역(OA)을 가리고, 차광 영역(NA)을 노출한 상태에서 365nm 파장을 갖는 자외선을 조사하여, 차광 영역(NA)만을 선택적으로 가시광선의 흡수율이 95% 이상이 되도록 변색할 수 있다. 투광 영역(OA)에는 자외선이 조사되지 않음으로써, 가시광선의 투과율을 90% 이상 유지할 수 있다. 이 후, 보호 기판(AR)을 광 변색 접착제(DPS) 위에 합착한다.
차광 영역(NA)은 표시 패널(DIP)의 표시 영역(DA)에서 발광 영역(EA)을 제외한 모든 영역에 대응할 수 있다. 또한, 차광 영역(NA)은 표시 패널(DIP)의 비 표시 영역(NDA) 전체에 대응하는 영역을 포함할 수 있다.
<제1 실시 예>
이하, 도 4를 참조하여, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세한 구조에 대해 설명한다. 도 4는 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
도 4를 참조하면, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 표시 패널(DIP), 보호 기판(AR) 및 광 변색 접착층(DPS)을 구비한다. 특히, 보호 기판(AR)은 광 변색 접착층(DPS)을 매개로 표시 패널(DIP)의 상부 표면에 면 합착되어 있다. 여기서, 표시 패널(DIP)의 상부 표면은 영상 정보가 출력되는 표면을 의미한다.
표시 패널(DIP)은 표시 영역(DA)과 비 표시 영역(NDA)으로 구분된다. 표시 영역(DA)은 영상 정보를 제공하는 영역으로 표시 패널(DIP)의 중앙 영역에 정의된다. 비 표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 영역으로 게이트 구동부(GIP)와 같은 구동 회로가 배치될 수 있다.
표시 패널(DIP)은, 기판(SUB), 표시층(EL), 봉지층(ENC) 및 커버 기판(CB)을 포함할 수 있다. 표시층(EL)은 기판(SUB)의 상부 표면에 형성된다. 여기서 상부 표면은, 영상 정보가 출력되는 표면을 의미한다. 표시층(EL)은 구동 소자인 박막 트랜지스터들(ST, DT, GIP) 그리고 발광 소자(OLE)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 표시 영역(DA)에는 각 화소(P)에 배치된 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)가 배치될 수 있다. 또한, 비 표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(GIP)가 배치될 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 게이트 구동부(GIP)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)를 제어하도록 연결될 수 있다.
기판(SUB) 위에는 게이트 배선(GL), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 스위칭 게이트 전극(SG) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 게이트 전극(DG)이 형성되어 있다. 도면에 명확하게 도시되어 있지 않으나, 스위칭 게이트 전극(SG)은 게이트 배선(GL)에서 분기되어 있다. 또한, 게이트 구동부(GIP)의 게이트 전극도 함께 형성될 수 있다. 게이트 전극들(SG, DG) 및 게이트 배선(GL) 위에는 기판(SUB) 전체 표면을 덮는 게이트 절연막(GI)이 도포되어 있다.
게이트 절연막(GI) 위에는 스위칭 게이트 전극(SG)과 중첩되는 스위칭 반도체 층(SA) 그리고 구동 게이트 전극(DG)과 중첩되는 구동 반도체 층(DA)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 구동부(GIP)의 게이트 전극 위에도 반도체 층이 형성될 수 있다.
스위칭 반도체 층(SA)의 일측변에는 스위칭 소스 전극(SS)이 타측변에는 스위칭 드레인 전극(SD)이 형성되어 있다. 스위칭 소스 전극(SS)은 데이터 배선(DL)에서 분기되어 있다. 구동 반도체 층(DA)의 일측변에는 구동 소스 전극(DS)이 타측변에는 구동 드레인 전극(DD)이 형성되어 있다. 스위칭 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 게이트 전극(DG)과 연결된다. 또한, 게이트 구동부(GIP)의 반도체 층에도 일정 간격을 두고 이격되며 서로 대향하는 소스 전극과 드레인 전극이 형성될 수 있다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 게이트 구동부(GIP) 위에는 평탄화 막(PL)이 기판(SUB) 전체를 덮도록 도포되어 있다. 평탄화 막(PL) 위에는 발광 소자(OLE)가 형성되어 있다.
발광 소자(OLE)는 애노드 전극(ANO), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함한다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(PL) 위에 형성되며, 평탄화 막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO) 위에는 뱅크(BA)가 형성되어 있다. 뱅크(BA)는 애노드 전극(ANO)의 중앙 영역을 노출하며, 가장자리 영역을 덮음으로써, 발광 영역(EA)을 정의한다.
뱅크(BA) 및 애노드 전극(ANO) 위에는 발광층(OL)이 적층된다. 일례로, 발광층(OL)은 각 발광 영역(EA) 별로 구분되어 형성될 수 있다. 이 경우, 각 서브 화소 별로 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 중 어느 하나가 형성될 수 있다. 다른 예로, 발광층(OL)은 표시 영역(DA) 전체에 걸쳐 연결되도록 형성될 수 있다. 이 경우, 발광 영역(EA)에 대응하는 칼라 필터(도시하지 않음)가 발광 소자(OLE)의 상부에 더 배치될 수 있다. 구체적으로는 나중에서 설명하는 커버 기판(CB)의 하면에 칼라 필터가 배치될 수 있다.
발광층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 적층된다. 캐소드 전극(CAT)은 적어도 표시 영역(DA) 전체를 덮도록 연결된 구조로 적층될 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CAT)은 표시 영역(DA)을 넘어 비 표시 영역(NDA)의 일부까지 덮도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(GIP) 상부를 덮어 게이트 구동부(GIP)를 차폐하는 구조를 가질 수도 있다.
이 출원의 제1 실시 예에서는, 발광 소자(OLE)가 기판(SUB)의 상부 방향으로 빛을 제공하는 상부 발광형(Top Emission) 구조를 갖는다. 따라서, 애노드 전극(ANO)은 반사 금속 물질을 포함하며, 캐소드 전극(CAT)은 투명한 성질을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 일함수를 고려하여, 애노드 전극(ANO)은 투명 도전 물질과 금속 물질이 적층된 구조를 가질 수 있다. 한편, 캐소드 전극(CAT)은 저항이 낮은 은(Ag)과 같은 물질을 수십 나노 미터의 매우 얇은 두께로 형성하여, 빛의 투과도를 높인 구조를 가질 수 있다.
발광층(EL) 위에는 발광 소자(OLE)를 보호하기 위한 봉지층(ENC)이 적층되어 있다. 봉지층(ENC)은 표시층(EL)을 보호하기 위한 것으로 외부로부터 공기나 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(ENC)은 무기 물질막 및 유기 물질막이 다층으로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 봉지층(EN)은 제1 무기 봉지층(PA1), 제1 무기 봉지층(PA1) 상의 유기 봉지층(PCL) 및 유기 봉지층(PCL) 상의 제2 무기 봉지층(PA2)을 포함할 수 있다. 제1 무기 봉지층(PA1)과 제2 무기 봉지층(PA2)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 한다. 일례로, 제1 무기 봉지층(PA1)과 제2 무기 봉지층(PA2)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기물로 이루어질 수 있다. 이러한 제1 무기 봉지층(PA1)과 제2 무기 봉지층(PA2)은 화학 기상 증착 공정 또는 원자층 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.
유기 봉지층(PCL)은 제1 무기 봉지층(PA1)과 제2 무기 봉지층(PA2)에 의해 둘러싸인다. 유기 봉지층(PCL)은 제조 공정 중 발생할 수 있는 이물들(particles)을 흡착 및/또는 차단할 수 있도록 제1 무기 봉지층(PA1) 및/또는 제2 무기 봉지층(PA2) 대비 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 실리콘옥시카본(SiOCz) 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등의 유기물로 이루어질 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 코팅 공정, 예를 들어 잉크젯 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정에 의해 형성될 수 있다.
유기 봉지층(PCL)이 발광소자(OLE)가 형성된 영역 내부에 제한되도록 하기 위해 표시 영역(DA)의 주변을 둘러싸도록 비 표시 영역(NDA)에 댐(DM)이 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 댐(DM)의 내측 공간에 도포된다.
봉지층(ENC)의 상부에는 커버 기판(CB)이 적층된다. 예를 들어, 봉지층(ENC) 상부 표면에 광학 접착층(OCA)을 도포하고, 커버 기판(CB)을 합착할 수 있다. 커버 기판(CB)은 두꺼운 유리와 같은 투명하고 강성이 높은 기판일 수 있다. 커버 기판(CB)은 하부에 배치된 봉지층(ENC) 및 표시층(EL)들을 외력에 의한 손상을 방지하기 위한 투명한 보호 기판일 수 있다.
커버 기판(CB)의 상부 표면에 광 변색 접착제(DPS)가 도포되어 있다. 광 변색 접착제(DPS)는, 차광 영역(NA)과 투광 영역(OA)으로 구분될 수 있다. 차광 영역(NA)은 가시광선의 흡수율이 95% 이상이고, 투광 영역(OA)은 가시광선의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
차광 영역(NA)은 표시 영역(DA)에서 발광 영역(EA)를 제외한 비 발광 영역에 대응하도록 정의할 수 있다. 또한, 차광 영역(NA)은 비 표시 영역(NDA) 전체에 대응하도록 정의할 수 있다. 도 4에서는 표시 영역(DA)에 배치된 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 비 표시 영역(NDA)와 인접하여 배치된 구조를 도시하기 때문에, 차광 영역(NA)이 비 표시 영역(NDA)에서 표시 영역(DA)의 비 발광 영역으로 연장된 형태를 갖고 있다.
투광 영역(OA)은 표시 영역(DA)에 다수 개가 배치된 화소(P)에 형성된 발광 소자(OLE)에 정의된 발광 영역(EA)에 대응하도록 정의할 수 있다. 도 4에서는 화소(P)에 발광 영역(EA)이 하나인 경우만 도시하였으나, 발광 영역(EA)은 적색 발광 영역, 녹색 발광 영역 및 청색 발광 영역을 포함할 수 있다. 발광 영역(EA)은 뱅크(BA)의 개구부에 의해 정의되므로, 투광 영역(OA)을 정의하기 위한 마스크는 뱅크(BA)를 형성할 때 사용한 마스크를 재활용할 수 있다.
광 변색 접착층(DPS) 위에는 보호 기판(AR)이 합착되어 있다. 보호 기판(AR)은 투명하고, 단단한 판상의 재질일 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 플렉서블 표시 장치에 적용하고자 하는 경우에는 투명한 필름 소재일 수 있다.
보호 기판(AR)은 광 변색 접착층(DPS)의 투광 영역(OA)이 태양광의 자외선에 의해 변색되는 것을 방지하기 위해 98% 이상의 자외선 차단 기능을 갖는 것이 바람직하다. 일례로, 보호 기판(AR)을 자외선 차단 필름으로 형성할 수 있다. 다른 예로 투명한 기판의 상부 표면에 자외선 차단 코팅층과 긁힘 방지 코팅층이 순차 적층하여, 보호 기판(AR)을 형성할 수 있다. 긁힘 방지 코팅층은 자외선 차단 코팅층이 외부에서 가해지는 힘이나 스트레스에 의해 벗겨지는 것을 방지하기 위한 것일 수 있다.
또한, 필요한 경우, 외광 반사 방지 코팅을 더 구비할 수 있다. 외광 반사 방지 코팅은 종래 기술에서 적용한 선편광자와 사반파장판의 조합 구성과 비교해서 외광 반사 방지 성능의 정도가 우수하지는 않다. 하지만, 이 출원의 제1 실시 예에서는 투광 영역으로만 외부의 빛이 반사될 수 있기 때문에, 낮은 반사 방지 기능을 갖더라도, 표시 패널 전체의 광 반사율을 5% 미만으로 좀 더 저감시킬 수 있다. 이와 동시에 외광 반사 방지 코팅은, 편광 소자와 달리 발광 소자에서 제공하는 빛의 투과율을 저하하지 않으므로, 이 출원의 목적을 달성하는데 적합한 구조물이다.
이와 같이, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 발광 영역을 제외한 비 발광 영역에는 가시 광선 흡수율이 95% 이상인 광 변색 접착층이 배치되어 있다. 따라서, 외광 반사를 방지하기 위한 선편광자와 사반파장판을 구비하지 않고도 5% 이하의 외광 반사율을 확보할 수 있다.
외광 반사 방지를 위한 광학 필름을 구비하지 않기 때문에 표시 장치 전체의 두께를 얇게 구성할 수 있고, 제조 단가도 더 절감할 수 있다. 특히, 외광 반사 방지를 위한 광학 필름들은 발광 소자에서 출광되는 빛의 양도 50% 정도 차단하기 때문에 원하는 휘도를 제공하기 위해서는 높은 소비 전력이 필요하다. 하지만, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는 발광 소자에서 출광되는 빛을 감소하는 광학 소자가 없기 때문에, 낮은 소비 전력으로 동일한 휘도를 제공할 수 있다.
<제2 실시 예>
이하, 도 5를 참조하여, 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세한 구조에 대해 설명한다. 도 5는 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
도 5를 참조하면, 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 광 변색 접착층(DPS)이 표시 패널(DIP)에 내포된 구조를 갖는다. 제1 실시 예를 나타내는 도 4와 비교했을 때, 보호 기판(AR)이 생략되고, 커버 기판(CB)을 봉지층(ENC)의 상부 표면에 합착하는 광학 접착제(OCA)에 광 변색 접착층(DPS)을 적용한 구조를 갖는다. 여기서, 봉지층(ENC)의 상부 표면은 영상 정보가 출력되는 표면을 의미한다. 이하의 설명에서, 제1 실시 예와 중복되는 의미가 크지 않은 부분에 대한 설명은 생략한다.
표시 패널(DIP)은 표시 영역(DA)과 비 표시 영역(NDA)으로 구분된다. 표시 영역(DA)은 영상 정보를 제공하는 영역으로 표시 패널(DIP)의 중앙 영역에 정의된다. 비 표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 영역으로 게이트 구동부(GIP)와 같은 구동 회로가 배치될 수 있다.
표시 패널(DIP)은, 기판(SUB), 표시층(EL), 봉지층(ENC), 광 변색 접착층(DPS) 및 커버 기판(CB)을 포함할 수 있다. 표시층(EL)은 기판(SUB)의 상부 표면에 형성된다. 여기서 상부 표면은, 영상 정보가 출력되는 표면을 의미한다. 표시층(EL)은 구동 소자인 박막 트랜지스터들(ST, DT, GIP) 그리고 발광 소자를(OLE) 포함할 수 있다.
예를 들어, 표시 영역(DA)에는 각 화소(P)에 배치된 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)가 배치될 수 있다. 또한, 비 표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(GIP)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터들(ST, DT)에 대한 상세한 구조는 제1 실시 예와 동일하다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 게이트 구동부(GIP) 위에는 평탄화 막(PL)이 기판(SUB) 전체를 덮도록 도포되어 있다. 평탄화 막(PL) 위에는 발광 소자(OLE)가 형성되어 있다.
발광 소자(OLE)는 애노드 전극(ANO), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함한다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(PL) 위에 형성되며, 평탄화 막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO) 위에는 뱅크(BA)가 형성되어 있다. 뱅크(BA)는 애노드 전극(ANO)의 중앙 영역을 노출하며, 가장자리 영역을 덮음으로써, 발광 영역(EA)을 정의한다. 뱅크(BA) 및 애노드 전극(ANO) 위에는 발광층(OL)이 적층된다. 발광층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 적층된다.
발광층(EL) 위에는 발광 소자(OLE)를 보호하기 위한 봉지층(ENC)이 적층되어 있다. 봉지층(ENC)은 표시층(EL)을 보호하기 위한 것으로 외부로부터 공기나 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(ENC)은 무기 물질막 및 유기 물질막이 다층으로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
봉지층(ENC) 상부 표면에는 광 변색 접착층(DSP)이 도포되어 있다. 광 변색 접착제(DPS)는, 차광 영역(NA)과 투광 영역(OA)으로 구분될 수 있다. 차광 영역(NA)은 가시광선의 흡수율이 95% 이상이고, 투광 영역(OA)은 가시광선의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다. 차광 영역(NA)은 표시 영역(DA)에서 발광 영역(EA)를 제외한 비 발광 영역에 대응하도록 정의할 수 있다. 또한, 차광 영역(NA)은 비 표시 영역(NDA) 전체에 대응하도록 정의할 수 있다. 투광 영역(OA)은 표시 영역(DA)에 다수 개가 배치된 화소(P)에 형성된 발광 소자(OLE)에 정의된 발광 영역(EA)에 대응하도록 정의할 수 있다.
광 변색 접착층(DPS) 위에는 커버 기판(CB)이 합착되어 있다. 커버 기판(CB)은 투명하고, 단단한 판상의 재질일 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 플렉서블 표시 장치에 적용하고자 하는 경우에는 투명한 필름 소재일 수 있다.
커버 기판(CB)은 광 변색 접착층(DPS)의 투광 영역(OA)이 태양광의 자외선에 의해 변색되는 것을 방지하기 위해 98% 이상의 자외선 차단 기능을 갖는 것이 바람직하다. 일례로, 커버 기판(CB)을 자외선 차단 필름으로 형성할 수 있다. 다른 예로 투명한 기판의 상부 표면에 자외선 차단 코팅층과 긁힘 방지 코팅층이 순차 적층하여, 커버 기판(CB)을 형성할 수 있다. 긁힘 방지 코팅층은 자외선 차단 코팅층이 외부에서 가해지는 힘이나 스트레스에 의해 벗겨지는 것을 방지하기 위한 것일 수 있다.
이와 같이, 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 발광 영역을 제외한 비 발광 영역에는 가시 광선 흡수율이 95% 이상인 광 변색 접착층이 배치되어 있다. 따라서, 외광 반사를 방지하기 위한 선편광자와 사반파장판을 구비하지 않고도 5% 이하의 외광 반사율을 확보할 수 있다.
또한, 제1 실시 예와 비교해서, 봉지층(ENC) 위에 커버 기판(CB)을 합착하기 위한 광 변색 접착층(DPS)을 적용하기 때문에, 외광 반사 방지를 위한 광학 필름 이외에도 보호 기판(AR)을 더 생략할 수 있어 표시 장치 전체의 두께를 더 얇게 구성할 수 있고, 제조 단가도 더 절감할 수 있다. 이 경우는 커버 기판(CB)이 보호 기판(AR)의 모든 기능을 내포할 수 있다.
특히, 외광 반사 방지를 위한 광학 필름들은 발광 소자에서 출광되는 빛의 양도 50% 정도 차단하기 때문에 원하는 휘도를 제공하기 위해서는 높은 소비 전력이 필요하다. 하지만 이 출원의 제2 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는 발광 소자에서 출광되는 빛을 감소하는 광학 소자가 없기 때문에, 낮은 소비 전력으로 동일한 휘도를 제공할 수 있다.
<제3 실시 예>
이하, 도 6을 참조하여, 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세한 구조에 대해 설명한다. 도 6은 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치의 상세 구조를 나타내는 것으로, 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면도이다.
도 6을 참조하면, 이 출원의 제1 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 표시 패널(DIP), 보호 기판(AR) 및 광 변색 접착층(DPS)을 구비한다. 특히, 보호 기판(AR)은 광 변색 접착층(DPS)을 매개로 표시 패널(DIP)의 하부 표면에 면 합착되어 있다. 여기서, 표시 패널(DIP)의 하부 표면은 영상 정보가 출력되는 표면을 의미한다. 즉, 하부 발광형(Bottom Emission)의 구조를 갖는 표시 패널(DIP)의 경우이다.
표시 패널(DIP)은 표시 영역(DA)과 비 표시 영역(NDA)으로 구분된다. 표시 영역(DA)은 영상 정보를 제공하는 영역으로 표시 패널(DIP)의 중앙 영역에 정의된다. 비 표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 영역으로 게이트 구동부(GIP)와 같은 구동 회로가 배치될 수 있다.
표시 패널(DIP)은, 기판(SUB), 표시층(EL), 봉지층(ENC), 배면 기판(BF) 및 커버 기판(CB)을 포함할 수 있다. 표시층(EL)은 기판(SUB)의 상부 표면에 형성된다. 여기서 상부 표면은, 영상 정보가 출력되는 표면의 반대면을 의미한다. 표시층(EL)은 구동 소자인 박막 트랜지스터들(ST, DT, GIP) 그리고 발광 소자(OLE)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 표시 영역(DA)에는 각 화소(P)에 배치된 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)가 배치될 수 있다. 또한, 비 표시 영역(NDA)에는 게이트 구동부(GIP)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터들(ST, DT)에 대한 상세한 구조는 제1 실시 예와 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 게이트 구동부(GIP) 위에는 평탄화 막(PL)이 기판(SUB) 전체를 덮도록 도포되어 있다. 평탄화 막(PL) 위에는 발광 소자(OLE)가 형성되어 있다.
발광 소자(OLE)는 애노드 전극(ANO), 발광층(OL) 및 캐소드 전극(CAT)을 포함한다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(PL) 위에 형성되며, 평탄화 막(PL)을 관통하는 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 구동 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO) 위에는 뱅크(BA)가 형성되어 있다. 뱅크(BA)는 애노드 전극(ANO)의 중앙 영역을 노출하며, 가장자리 영역을 덮음으로써, 발광 영역(EA)을 정의한다.
뱅크(BA) 및 애노드 전극(ANO) 위에는 발광층(OL)이 적층된다. 발광층(OL) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 적층된다. 캐소드 전극(CAT)은 적어도 표시 영역(DA) 전체를 덮도록 연결된 구조로 적층될 수 있다. 또한, 캐소드 전극(CAT)은 표시 영역(DA)을 넘어 비 표시 영역(NDA)의 일부까지 덮도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 게이트 구동부(GIP) 상부를 덮어 게이트 구동부(GIP)를 차폐하는 구조를 가질 수도 있다.
제3 실시 예에서는 발광 소자(EL)에서 생성되는 빛이 기판(SUB)의 아래 방향으로 제공되므로, 캐소드 전극(CAT)은 반사율이 높은 금속 물질을 포함하고, 애노드 전극(ANO)은 투명한 도전 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 일례로, 캐소드 전극(CAT)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 혹은 구리(Cu)와 같은 금속 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 또한, 애노드 전극(ANO)은 인듐-주석 산화물(Indium Tin Oxide) 혹은 인듐-아연 산화물(Indium Zinc Oxide)을 포함할 수 있다.
발광층(EL) 위에는 발광 소자(OLE)를 보호하기 위한 봉지층(ENC)이 적층되어 있다. 봉지층(ENC)은 표시층(EL)을 보호하기 위한 것으로 외부로부터 공기나 이물질이 침투하는 것을 방지한다. 봉지층(ENC)은 무기 물질막 및 유기 물질막이 다층으로 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 봉지층(EN)은 제1 무기 봉지층(PA1), 제1 무기 봉지층(PA1) 상의 유기 봉지층(PCL) 및 유기 봉지층(PCL) 상의 제2 무기 봉지층(PA2)을 포함할 수 있다.
유기 봉지층(PCL)이 발광 소자(OLE)가 형성된 영역 내부에 제한되도록 하기 위해 표시 영역(DA)의 주변을 둘러싸도록 비 표시 영역(NDA)에 댐(DM)이 형성될 수 있다. 유기 봉지층(PCL)은 댐(DM)의 내측 공간에 도포된다.
봉지층(ENC)의 상부에는 배면 기판(BF)이 적층된다. 예를 들어, 봉지층(ENC) 상부 표면에 광학 접착층(OCA)을 도포하고, 배면 기판(BF)을 합착할 수 있다. 배면 기판(BF)은 하부에 배치된 봉지층(ENC) 및 표시층(EL)들을 외력에 의한 손상을 방지하기 위한 강성 기판일 수 있다. 제3 실시 예에서 발광 소자(OLE)의 빛이 기판(SUB)의 하부 방향으로 출광되므로, 배면 기판(BF)은 불투명한 금속 재질로 형성할 수 있다.
기판(SUB)의 하부 표면에 광 변색 접착제(DPS)가 도포되어 있다. 광 변색 접착제(DPS)는, 차광 영역(NA)과 투광 영역(OA)으로 구분될 수 있다. 차광 영역(NA)은 가시광선의 흡수율이 95% 이상이고, 투광 영역(OA)은 가시광선의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
차광 영역(NA)은 표시 영역(DA)에서 발광 영역(EA)를 제외한 비 발광 영역에 대응하도록 정의할 수 있다. 또한, 차광 영역(NA)은 비 표시 영역(NDA) 전체에 대응하도록 정의할 수 있다. 투광 영역(OA)은 표시 영역(DA)에 다수 개가 배치된 화소(P)에 형성된 발광 소자(OLE)에 정의된 발광 영역(EA)에 대응하도록 정의할 수 있다.
광 변색 접착층(DPS) 하면에는 보호 기판(AR)이 합착되어 있다. 보호 기판(AR)은 투명하고, 단단한 판상의 재질일 수 있으나, 이에 국한되는 것은 아니다. 예를 들어, 플렉서블 표시 장치에 적용하고자 하는 경우에는 투명한 필름 소재일 수 있다.
보호 기판(AR)은 광 변색 접착층(DPS)의 투광 영역(OA)이 태양광의 자외선에 의해 변색되는 것을 방지하기 위해 98% 이상의 자외선 차단 기능을 갖는 것이 바람직하다. 일례로, 보호 기판(AR)을 자외선 차단 필름으로 형성할 수 있다. 다른 예로 투명한 기판의 상부 표면에 자외선 차단 코팅층과 긁힘 방지 코팅층이 순차 적층하여, 보호 기판(AR)을 형성할 수 있다. 긁힘 방지 코팅층은 자외선 차단 코팅층이 외부에서 가해지는 힘이나 스트레스에 의해 벗겨지는 것을 방지하기 위한 것일 수 있다. 자외선 차단 코팅층은 보호 기판(AR)의 내측 표면에 더 형성할 수 있다. 이는 자외선 차단 성능을 더 높일 수 있으며, 자외선 차단 코팅층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 필요한 경우, 외광 반사 방지 코팅을 더 구비할 수 있다. 이 출원의 제3 실시 예에서는 투광 영역을 통해 외부의 빛이 반사될 수 있기 때문에, 외광 반사 방지 코팅을 통해 투광 영역에서의 외광 반사를 더 저감할 수 있다. 따라서, 표시 패널 전체의 광 반사율을 5% 미만으로 좀 더 저감시킬 수 있다.
이와 같이, 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는, 발광 영역을 제외한 비 발광 영역에는 가시 광선 흡수율이 95% 이상인 광 변색 접착층이 배치되어 있다. 따라서, 외광 반사를 방지하기 위한 선편광자와 사반파장판을 구비하지 않고도 5% 이하의 외광 반사율을 확보할 수 있다.
외광 반사 방지를 위한 광학 필름을 구비하지 않기 때문에 표시 장치 전체의 두께를 얇게 구성할 수 있고, 제조 단가도 더 절감할 수 있다. 특히, 이 출원의 제3 실시 예에 의한 전계 발광 표시 장치는 발광 소자에서 출광되는 빛을 감소하는 광학 소자가 없기 때문에, 낮은 소비 전력으로 동일한 휘도를 제공할 수 있다.
또한, 별도의 도면을 이용한 실시 예로 제시하지 않았으나, 제3 실시 예에 의한 구조에 제2 실시 예에 의한 구조를 적용하여, 기판(SUB)의 하면에 광 변색 접착층(DPS)을 도포하고, 커버 기판(CB)을 합착할 수 있다. 이 경우, 보호 기판(AR)을 구비하지 않을 수 있으며, 커버 기판(CB)이 보호 기판(AR)의 기능을 함께 구비할 수 있다.
상술한 이 출원의 예들 각각에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 이 출원의 적어도 하나의 예에 포함되며, 반드시 하나의 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 이 출원의 적어도 하나의 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 이 출원이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 이 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 이 출원은 전술한 실시 예들 및 첨부된 도면들에만 한정되는 것이 아니고, 이 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 이 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 이 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 이 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
DIP: 표시 패널 DPS: 광 변색 접착층
AR: 보호 기판 P: 화소
DA: 표시 영역 NDA: 비 표시 영역
EA: 발광 영역 NA: 차광 영역
OA: 투광 영역 BA: 베젤 영역
ENC: 봉지층 OCA: 광 접착층
BF: 배면 기판 CB: 커버 기판

Claims (14)

  1. 발광 영역 및 비 발광 영역을 구비한 화소 다수 개가 배치된 표시 패널; 그리고
    상기 표시 패널의 일면에서 광 변색 접착층을 매개로 합착된 보호 기판을 포함하되,
    상기 광 변색 접착층은,
    상기 발광 영역에 대응하는 투광 영역; 그리고
    상기 비 발광 영역에 대응하는 차광 영역을 구비하는 전계 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투광 영역은, 90% 이상의 광 투과율을 갖고;
    상기 차광 영역은, 95% 이상의 광 흡수율을 갖는 전계 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 변색층은,
    자외선이 조사된 부분이 선택적으로 차광 영역으로 설정된 전계 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 화소들이 정의된 기판;
    상기 기판 위에서 상기 화소들에 배치된 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 구비한 발광층; 그리고
    상기 발광층을 덮는 봉지층을 포함하는 전계 발광 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광 변색 접착층은, 상기 봉지층 상부에 도포되고;
    상기 보호 기판은, 상기 광 변색 접착층 위에 합착된 전계 발광 표시 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 광 변색 접착층은, 상기 기판의 하면에 도포되고;
    상기 보호 기판은, 상기 광 변색 접착층 아래에 합착된 전계 발광 표시 장치.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 봉지층 위에 광 접착제를 매개로 합착된 커버 기판을 더 구비하고;
    상기 광 변색 접착층은, 상기 커버 기판의 상부에 도포되며;
    상기 보호 기판은, 상기 광 변색 접착층 위에 합착된 전계 발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 기판은,
    자외선 차단 필름인 전계 발광 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 기판은,
    투명 기판의 표면에 순차 적층된 자외선 차단 코팅과 긁힘 방지 코팅을 포함하는 전계 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호 기판은,
    외광 반사 방지 코팅을 더 구비한 전계 발광 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    중앙부에 정의된 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비 표시 영역을 구비하고;
    상기 광 변색 접착층의 상기 차광 영역은,
    상기 비 표시 영역에 대응하여 더 배치된 전계 발광 표시장치.
  12. 기판;
    상기 기판 위에 정의된 표시 영역 및 상기 표시 영역 외측에 배치된 비 표시 영역;
    상기 표시 영역 내에 배치된 다수 개의 화소들;
    상기 화소 영역 내에 배치된 발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 비 발광 영역;
    상기 기판의 일측면에 도포된 광 변색 접착층; 그리고
    상기 광 변색 접착층을 매개로 상기 기판과 합착된 보호 기판을 포함하되,
    상기 광 변색 접착층은,
    상기 비 표시 영역, 상기 비 발광 영역에 대응하는 차광 영역; 및
    상기 발광 영역에 대응하는 투광 영역을 구비하는 전계 발광 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 광 변색 접착제는,
    접착 물질 및 광 반응 염료를 포함하여 구성된 전계 발광 표시 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 차광 영역은, 가시광선 흡수율이 95% 이상이고;
    상기 투광 영역은, 가시광선 투과율이 90% 이상인 전계 발광 표시 장치.
KR1020190171930A 2019-12-20 2019-12-20 전계 발광 표시 장치 KR20210079786A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190171930A KR20210079786A (ko) 2019-12-20 2019-12-20 전계 발광 표시 장치
CN202011392612.1A CN113013192A (zh) 2019-12-20 2020-12-02 电致发光显示器
US17/125,997 US11758762B2 (en) 2019-12-20 2020-12-17 Electroluminescent display including photo tunable adhesive
EP20215428.2A EP3840079A1 (en) 2019-12-20 2020-12-18 Electroluminescent display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190171930A KR20210079786A (ko) 2019-12-20 2019-12-20 전계 발광 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210079786A true KR20210079786A (ko) 2021-06-30

Family

ID=73855762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190171930A KR20210079786A (ko) 2019-12-20 2019-12-20 전계 발광 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11758762B2 (ko)
EP (1) EP3840079A1 (ko)
KR (1) KR20210079786A (ko)
CN (1) CN113013192A (ko)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101002659B1 (ko) 2008-12-23 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150019620A (ko) * 2013-08-14 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
KR101753941B1 (ko) 2014-08-29 2017-07-04 주식회사 엘지화학 광학 필름
KR102611500B1 (ko) * 2016-08-31 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR20180047559A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180062108A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102656795B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
KR20180078669A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR102463737B1 (ko) * 2017-12-04 2022-11-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN113013192A (zh) 2021-06-22
US20210193972A1 (en) 2021-06-24
US11758762B2 (en) 2023-09-12
EP3840079A1 (en) 2021-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3016168B1 (en) Touch panel integrated organic light emitting display device
KR101797018B1 (ko) 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
US20180182814A1 (en) Display device including color filters
KR20180047559A (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2023093412A (ja) 表示装置
KR20170000030A (ko) 표시 장치
KR102488080B1 (ko) 표시 장치
KR102553875B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102572763B1 (ko) 투명표시장치와 그의 제조방법
EP3809481A1 (en) Display device and method of manufacturing the display device
KR102245505B1 (ko) 양면 표시장치 및 그 제조방법
KR20210081603A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20170014043A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN113851507A (zh) 透明显示装置
CN113130569A (zh) 有机发光显示装置
KR20150078392A (ko) 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20210079786A (ko) 전계 발광 표시 장치
KR102589905B1 (ko) 협 베젤 플렉서블 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20210033233A (ko) 전계발광 표시장치
KR102667252B1 (ko) 플렉서블 표시 장치
KR102648979B1 (ko) 표시 장치
US20220285463A1 (en) Display apparatus
US20240215405A1 (en) Display apparatus
KR20220094374A (ko) 전계 발광 표시장치
KR20240094114A (ko) 발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination