CN114695485A - 电致发光显示器 - Google Patents

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CN114695485A CN202111641404.5A CN202111641404A CN114695485A CN 114695485 A CN114695485 A CN 114695485A CN 202111641404 A CN202111641404 A CN 202111641404A CN 114695485 A CN114695485 A CN 114695485A
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卢炫宗
郑真亨
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Abstract

本公开内容涉及电致发光显示器，其能够减少外部光的反射。根据本公开内容的电致发光显示器包括：包括多个像素的基板，每个像素具有发光区域和非发光区域；布置在基板上发光区域中的发光二极管；覆盖发光二极管的封装层；以及图案层，该图案层包括对应于发光区域的光透射区域和对应于非发光区域的光阻挡区域，并且该图案层沿从基板起的第一方向布置，其中第一方向对应于由发光二极管产生的光的发光方向。

Description

电致发光显示器
技术领域
本公开内容涉及减少外部光的反射的电致发光显示器。具体地，本公开内容涉及在没有偏振(光学)元件的情况下防止外部光的反射的电致发光显示器。
背景技术
近来，已经开发了各种类型的显示器，例如阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些类型的显示器用于针对各种产品根据其独特的特性和用途来显示图像数据，该各种产品例如是计算机、移动电话、银行存取款设备(ATM)和车辆导航系统。
特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器例如在视角、颜色实现度方面具有优异的光学性能，使得其应用领域逐渐拓宽，并且作为图像显示设备受到关注。电致发光显示器具有优异的颜色再现性，因此其作为目前开发的平板显示设备中最优异的设备而备受关注。
在诸如电致发光显示器的平板显示器的情况下，存在着外部光被反射以使得显示质量劣化的问题。为了抑制外部光反射，已经提出了应用诸如偏振膜或偏振片的光学元件的方法。然而，因为发光材料所提供的光的量由于光学元件而减少，所以发生亮度降低。为了防止亮度劣化，应该使用更高的功率，这会导致功耗增加。因此，需要开发在不应用导致显示器的亮度劣化的光学元件的情况下抑制外部光反射的新技术。
发明内容
关于解决上述问题，本公开内容的目的是提供一种在没有显示器的亮度劣化的情况下抑制外部光反射的电致发光显示器。本公开内容的另一目的是提供一种在没有任何光学元件的情况下减少外部光反射并且防止显示器的亮度劣化的电致发光显示器。
为了实现本公开内容的上述目的之一，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示器包括：包括多个像素的基板，每个像素具有发光区域和非发光区域；布置在基板上发光区域中的发光二极管；覆盖发光二极管的封装层；以及图案层，该图案层包括对应于发光区域的光透射区域和对应于非发光区域的光阻挡区域，并且该图案层沿从基板起的第一方向布置，其中第一方向对应于由发光二极管产生的光的发光方向。
在一个实施方式中，图案层包括非液晶染料，随着通过照射特定波长的紫外光而使共轭结构的长度缩短，该非液晶染料透射可见光。通过缩短非液晶染料的共轭结构的长度，光透射区域具有50％或更高的可见光的第一透射率。通过保持非液晶染料的共轭结构的长度，光阻挡区域具有25％或更低的可见光的第二透射率。
在一个实施方式中，紫外光的特定波长可以选自于300nm至370nm的波长范围。
在一个实施方式中，非液晶染料包括第一染料、第二染料和第三染料。在照射紫外光之前，第一染料针对380nm至480nm的波段内的可见光具有75％或更高的第一光吸收率，第二染料针对480nm至600nm的波段内的可见光具有75％或更高的第二光吸收率，第三染料针对600nm至750nm的波段内的可见光具有75％或更高的第三光吸收率。
在一个实施方式中，在照射紫外光之后，第一染料针对380nm至480nm的波段内的可见光具有50％至99％的第一透光率，第二染料针对480nm至600nm的波段内的可见光具有50％至99％的第二透光率，第三染料针对600nm至750nm的波段内的可见光具有50％至99％的第三透光率。
在一个实施方式中，非液晶染料包括偶氮染料。
在一个实施方式中，电致发光显示器还包括：沿从图案层起的第一方向布置的紫外光阻挡层。
在一个实施方式中，电致发光显示器还包括：布置在图案层与紫外光阻挡层之间的防氧层。
在一个实施方式中，电致发光显示器还包括：布置在图案层与紫外光阻挡层之间的光学膜。
在一个实施方式中，光学膜包括偏振层和光吸收层中的任一个。
在一个实施方式中，发光二极管向布置有基板的方向发光。图案层被布置在基板的下表面下面。
在一个实施方式中，发光二极管向布置有封装层的方向发光。图案层被布置在封装层的顶表面上。
在一个实施方式中，图案层还包括光吸收材料。
根据本公开内容的电致发光显示器不具有以下问题：从外部入射的光被反射，因此显示质量劣化。根据本公开内容的电致发光显示器可以将由自发光元件发出的光的亮度的降低最小化，同时抑制或减少外部光反射。因此，由外部光反射引起的对显示光的干扰可以被最小化或消除，并且可以以低功耗确保显示光的高亮度。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且附图被并入并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式并且与描述一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的图。
图2是示出根据本公开内容的一个像素的结构的电路图。
图3是示出根据本公开内容的像素的结构的平面图。
图4是用于示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
图5是化学结构式的图，其说明了根据本公开内容的用于改变图案层中所包括的非液晶染料的透光率的机制。
图6A至6C是示出根据本公开内容的电致发光显示器中设置的防外部光反射膜的结构的横截面图。
图7是用于示出根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
图8是用于示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
图9是用于示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
图10是用于示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本公开内容的示例性实施方式，在附图中示出了其示例。在可能的情况下，在附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似部分。在说明书中，应当注意，已经在其他附图中用于表示相似元件的相似附图标记被尽可能用于元件。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开内容的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应理解如下。将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为局限于本文中所述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容是彻底的和完整的，并且将本公开内容的范围充分地传达给本领域技术人员。此外，本公开内容仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开内容的实施方式的在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数字仅是示例，因此，本公开内容不限于示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在下面的描述中，当相关的已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地使本公开内容的重点模糊时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中所描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一部分。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在说明元件时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下”和“靠近……”时，可以包括其间没有接触的情况，除非使用“正好”或“直接”。如果提到第一元件位于第二元件“上”，并不意味着在附图中第一元件实质上位于第二元件上方。有关对象的上部和下部可以取决于对象的取向而改变。因此，在附图中或在实际配置中，第一元件位于第二元件“上”的情况包括第一元件位于第二元件“下”的情况以及第一元件位于第二元件“上方”的情况。
例如，在描述时间关系时，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。
将要理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件进行区分。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开内容的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语只是为了将元件与其他元件进行区分，并且术语不限制元件的性质、顺序、次序或数目。当元件被描述为“链接”、“耦接”或“连接”到另一元件时，该元件可以被直接地连接或连接到其他元件，除非另有说明而间接连接。应当理解，其他元件可以“插入”在可被连接或耦接的每个元件之间。
应当理解，术语“至少一个”包括与任何一个物品有关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一、第二和第三元件中的两个或更多个元件的所有组合，以及第一、第二和第三元件中的每个元件。
本领域技术人员可以充分理解的是，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦接或组合，并且可以以各种方式彼此互操作以及在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以相互独立地实行，或者可以以相互依赖的关系一起实行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示装置的示例。在为每个附图的元件指定附图标记时，相同的部件可以尽可能地具有相同的附图标记，即使它们在不同附图中示出。为了便于描述，附图中示出的元件的比例与实际比例不同，不限于附图中示出的比例。图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的示意结构的图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。
参照图1，电致发光显示器包括基板110、栅极(或扫描)驱动器200、数据焊盘部300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和时序控制器500。
基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器为柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。
基板110可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。作为用于呈现视频图像的区域的显示区域DA可以被限定为基板110的大部分中央区域，但不限于此。在显示区域DA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。每个像素可以包括多个子像素。每个子像素分别包括扫描线和数据线。
作为不呈现视频图像的区域的非显示区域NDA可以被限定在围绕全部或一部分显示区域DA的基板110的周缘区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置栅极驱动器200和数据焊盘部300。
栅极驱动器200可以根据从时序控制器500接收的栅极控制信号向扫描线提供扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以形成在基板110上显示区域DA的任何一侧处的非显示区域NDA，作为GIP(面板内栅极)型。GIP型意味着栅极驱动器200直接形成在基板110上。
数据焊盘部300可以根据从时序控制器500接收的数据控制信号向数据线提供数据信号。数据焊盘部300可以被制成驱动芯片并且安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附接在基板110上显示区域DA的任何一侧处的非显示区域NDA，作为TAB(带载自动封装)型。
源极驱动IC 410可以从时序控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，然后将其提供给数据线。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以被安装在柔性膜430上，作为COF(膜上芯片)型或COP(塑料上芯片)型。
柔性膜430可以包括将数据焊盘部300连接至源极驱动IC 410的多条第一连线，以及将数据焊盘部300连接至电路板450的多条第二连线。可以使用各向异性导电膜将柔性膜430附接到数据焊盘部300上，使得数据焊盘部300可以连接到柔性膜430的第一连线。
电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括实现为驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
时序控制器500可以通过电路板450的线缆从外部系统板接收数字视频数据和时序信号。时序控制器500可以基于时序信号产生用于控制栅极驱动器200的操作时序的栅极控制信号以及用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。时序控制器500可以向栅极驱动器200提供栅极控制信号，并且向源极驱动IC 410提供源极控制信号。取决于产品类型，时序控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并且安装在基板110上。
图2是示出根据本公开内容的一个像素的结构的电路图。图3是示出根据本公开内容的像素的结构的平面图。
参照图2至图3，根据本公开内容的电致发光显示器可以包括以矩阵方式布置的多个像素P。电致发光显示器的一个像素P可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。电致发光显示器的一个像素P可以包括呈现原色之一的子像素。例如，一个像素P可以包括发射红光的红色像素PR、发射绿光的绿色像素PG和发射蓝光的蓝色像素PB。再如，还可以将发射白光的白色像素PW包括在像素P中。
参照图2至图3，根据本公开内容的电致发光显示器可以包括以矩阵方式布置的多个像素P。电致发光显示器的一个像素P可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD限定。电致发光显示器的一个像素P可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被提供以高电平电压以驱动发光二极管OLE。设置有线路SL、DL和VDD的区域可以被定义为线路区域LA，并且设置有薄膜晶体管ST和DT的区域可以被定义为驱动区域DRA。此外，设置有发光二极管OLE的区域可以被定义为发光区域EA。
<第一实施方式>
在下文中，参照图3和图4，将说明根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器。图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。
参照图4，遮光层LS可以形成在基板SUB的表面上。遮光层LS可以被设置为对应于驱动区域DRA。遮光层LS可以用于防止外部光侵入和影响薄膜晶体管ST和DT的半导体层。可以在遮光层LS上沉积缓冲层BUF以覆盖基板SUB的整个表面。
可以在缓冲层BUF上形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT。例如，开关薄膜晶体管ST可以被设置在扫描线SL和数据线DL交叉的部分。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅电极SG、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关栅电极SG可以连接至扫描线SL。开关源电极SS可以连接至数据线DL，并且开关漏电极SD可以连接至驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT提供数据信号，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。
驱动薄膜晶体管DT可以起到对通过开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE进行驱动的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅电极DG、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动栅电极DG可以连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD。驱动源电极DS可以连接至驱动电流线VSS，并且驱动漏电极DD可以连接至发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG和发光二极管OLE的阳极电极ANO之间的交叠区域处。
如图4中所示出的，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以具有底栅(bottomgate)结构，其中在基板SUB上首先形成栅电极SG和DG。在这种情况下，栅绝缘层GI可以沉积在栅电极SG和DG上，并且半导体层SA和DA可以形成在栅绝缘层GI上。此外，可以在半导体层SA和DA的两个侧端部分别形成源电极SS和DS以及漏电极SD和DD。然而，不限于此，而是开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以具有顶栅结构，其中可以在基板SUB上首先形成半导体层。
平坦化层PL可以沉积在开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT上或上方。平坦化层PL用于使包括薄膜晶体管ST和DT的基板的顶表面处于平坦状态。优选的是，平坦化层PL可以由有机材料制成，以确保基板SUB的顶表面的平坦度。在其他情况下，平坦化层PL可以具有多层结构，在该多层结构中交替地堆叠至少一层无机层和至少一层有机层。
驱动薄膜晶体管DT可以被设置在驱动电流线VDD和发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据与开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD连接的驱动栅电极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流向发光二极管OLE的电流的量。
发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发光层OL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发射光。换句话说，可以通过由驱动薄膜晶体管DT所控制的低电平电压和高电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE。
阳极电极ANO可以形成在覆盖薄膜晶体管ST和DT的平坦化层PL上。阳极电极ANO可以通过形成在平坦化层PL处的接触孔而连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD。堤BA可以形成在阳极电极ANO上。堤BA可以通过覆盖阳极电极ANO的周缘并且暴露阳极电极ANO的最中心区域来限定在阳极电极ANO处的发光区域。
发光层OL可以沉积在堤BA的顶表面和阳极电极ANO的露出部分上。发光层OL可以包括用于产生光的有机材料或无机材料。发光层OL可以被堆叠为覆盖基板SUB上的整个显示区域DA。在其他情况下，发光层OL可以被沉积为分离的以对应于由堤BA限定的每个发光区域，并且被沉积为接触阳极电极ANO。
阴极电极CAT可以沉积在发光层OL上。可以通过由堤BA暴露的阳极电极ANO、接触阳极电极ANO的发光层OL以及阴极电极的堆叠结构来形成发光二极管OLE。
电致发光显示器可以具有底部发光型的结构，其中从发光二极管OLE产生的光沿着朝向具有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB的方向辐射。在这种情况下，可以在发光二极管OLE下面进一步形成滤色器CF。例如，在形成薄膜晶体管ST和DT之后，滤色器CF可以被形成为对应于发光区域。此后，平坦化层PL可以被沉积为覆盖薄膜晶体管ST和DT以及滤色器CF。然而，不限于此。在另一示例中，电致发光显示器可以具有顶部发光结构，其中从发光二极管OLE发射的光可以沿着朝向发光二极管OLE上所形成的封装层EN的方向辐射。在这种情况下，滤色器CF可以被设置在发光二极管OLE上或上方。
封装层EN可以形成在包括发光二极管OLE的基板SUB的顶表面上。封装层EN用于保护发光二极管OLE免受从外部环境侵入的异物的影响。
封装层EN可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在一个示例中，可以通过顺序地堆叠第一无机层PAS1、有机层PCL和第二无机层PAS2来形成封装层EN。第一无机层PAS1和第二无机层PAS2可以用于防止来自外部环境的水分和气体的渗透。第一无机层PAS1和第二无机层PAS2可以由诸如硅氧化物和硅氮化物的无机材料形成。有机层PCL可以包括用于覆盖异物的有机材料。
对于来自发光层OL的光沿着朝向基板SUB的方向发射的底部发光型的情况，可以在基板SUB的底侧附接防外部光反射膜100。防外部光反射膜100可以包括图案层PF和紫外光阻挡层UT。
例如，可以在基板SUB的下表面附接图案层PF。图案层PF可以包括光阻挡区域BA和光透射区域TA。光阻挡区域BA可以被设置为对应于驱动区域DRA。另外，光阻挡区域BA可以被设置为对应于遮光层LS。同时，光透射区域TA可以被设置为对应于发光区域EA。
图案层PF可以包括光分解材料。详细地，图案层PF可以包括具有N＝N双键的长共轭结构(P-P结)的染料。具有N＝N双键的长共轭结构可以吸收可见光而不透射可见光。然而，当用紫外光照射时，N＝N双键可以分解并且共轭结构的长度缩短，使得其变成不吸收可见光的透明状态。例如，在UV照射之前，在不透明状态下透光率可以为6％或更低，但是在UV照射之后，透光率可以为至少50％至99％。取决于照射的紫外光的能量和照射时间，可以分解双键以控制共轭结构的长度。随着照射的紫外光的总能量增加，共轭结构可以变得更短并且透明度可以增加。通过控制紫外线照射能量或紫外线照射时间，可以将可见光的透射率调整在50％与99％之间。
例如，图案层PF可以包括非液晶偶氮染料。虽然偶氮染料在特定波段内展现颜色，但是当用300nm至370nm的波段内的紫外光照射时，偶氮染料可以变得透明。如图5中所示，偶氮染料可以具有N＝N双键结构。图5是化学结构式的图，用于说明根据本公开内容的用于改变包含在图案层中的非液晶染料的透光率的机制。当紫外光(UV)照射此处时，一些N＝N双键可以被分解，并且可见光的透射率可以增加。例如，作为包括在图案层PF中的染料，可以使用单一的偶氮染料，其中该单一的偶氮染料在UV照射之前可以吸收大于75％的在380nm至750nm范围内的可见光，但是在UV照射之后具有对可见光的更高的透射率。再如，可以混合并使用各种偶氮染料，其中各种偶氮染料在UV光的照射之前可以吸收特定波段的可见光，但是在UV光的照射之后，相应波段的可见光的透射率可以增加。
例如，图案层PF可以包括第一偶氮染料、第二偶氮染料和第三偶氮染料。第一偶氮染料在UV光的照射之前可以通过共轭结构来吸收75％或更高的在380nm至480nm的波长范围内的可见光，并且对于其他波段内的可见光可以具有85％或更高的透射率，但是当用UV光照射时，对于所有可见光的第一偶氮的透射率可以增加到90％或更高。第二偶氮染料在UV光的照射之前可以通过共轭结构吸收75％或更高的在480nm至600nm的波长范围中的可见光，并且对于其他波段内的可见光可以具有85％或更高的透射率，但是当用UV光照射时，对于所有可见光的第二偶氮的透射率可以增加到90％或更高。另外，第三偶氮染料在UV光的照射之前可以通过共轭结构吸收75％或更高的在600nm至750nm的波长范围内的可见光，并且对于其他波段内的可见光可以具有85％或更高的透射率，但是当用UV光照射时，对于所有可见光的第三偶氮的透射率可以增加到90％或更高。当第一偶氮染料、第二偶氮染料和第三偶氮染料被混合以形成膜时，该膜可以被制成黑膜，该黑膜在UV照射之前对于380nm至750nm波段内的可见光具有6％或更低的透射率(或者94％或更高的吸收率)。
通过混合这三种偶氮染料，图案层PF可以形成在基板SUB的底表面上。此后，紫外光可以照射到除了驱动区域DRA之外的发光区域EA。结果，图案层PF可以被划分为两个区域，包括对应于发光区域EA的光透射区域TA以及对应于驱动区域DRA的光阻挡区域BA。
光透射区域TA可以被图案化为仅对应于发光区域EA，或对应于发光区域EA和线路区域LA。然而，优选的是，在任何情况下，光阻挡区域BA可以被图案化为对应于驱动区域DRA。
可以进一步在图案层PF的下表面上附接紫外光阻挡层UT。紫外光阻挡层UT可以防止由于从基板SUB的外部入射的阳光中所包括的UV光被照射到图案层PF而导致光阻挡区域BA的光阻挡能力或性能劣化。此外，紫外光阻挡层UT可以是增强膜，该增强膜包括用于紫外光屏蔽(或阻挡)材料的材料。在这种情况下，紫外光阻挡层UT可以防止图案层PF由于外部冲击或划痕而损坏，并且阻挡UV光。
在下文中，参照图6A和图6B，将详细说明防外部光反射膜100。图6A至6C是示出根据本公开内容的电致发光显示器中所设置的防外部光反射膜的结构的横截面图。利用图6A和图6B，将描述具有以下结构的各种配置：其中，图案层PF以膜形式形成，并且可以使用另外的粘结剂层PSA而附接到基板SUB。
参照图6A，示例性防外部光反射膜100可以包括紫外光阻挡层UT、粘结剂图案层PPF和离型膜(release film)RF。紫外光阻挡层UT可以被设置在最顶层。包括粘结剂材料和偶氮染料的粘结剂图案层PPF可以被设置在紫外光阻挡层UT下面。图6A示出了粘结剂图案层PPF被图案化为划分成对应于光阻挡区域BA和光透射区域TA的两个部分的状态。然而，不限于此。在附接到基板SUB或被用UV光照射之前，粘结剂图案层PPF可以仅被设置在光阻挡区域BA处。
详细地，通过将偶氮染料与光学透明粘结剂(OCA)或压敏粘结剂(PSA)混合，可以形成粘结剂图案层PPF。在紫外光阻挡层UT的一侧上沉积粘结剂图案层PPF，离型膜RF可以沉积在粘结剂图案层PPF上以保护粘结剂图案层PPF。随着在设置离型膜RF的一侧照射UV光，可以在粘结剂图案层PPF处形成光透射区域TA和光阻挡区域BA。此后，图案层PF可以被附接到基板SUB的下表面上。图4示出了具有图6A中所示出的防外部光反射膜100的电致发光显示器。
参照图6B，另一示例性防外部光反射膜100可以包括紫外光阻挡层UT、图案层PF、光学粘结剂层PSA和离型膜RF。紫外光阻挡层UT可以被设置在最顶层。图案层PF可以被设置在紫外光阻挡层UT下面。图6B示出了图案层PF被图案化为划分成对应于光阻挡区域BA和光透射区域TA的两个部分。然而，不限于此。在附接到基板SUB或被用UV光照射之前，图案层PF可以仅被设置在光阻挡区域BA处。
光学粘结剂层PSA可以被设置在图案层PF的下表面下面。使用光学粘结剂层PSA，图案层PF可以被附接在基板SUB的下表面上。离型膜RF可以是用于保护光学粘结剂层PSA的膜。在去除离型膜RF之后，防外部光反射膜100的光学粘结剂层PSA被附接到基板SUB的下表面上。
参照图6C，又一示例性防外部光反射膜100可以包括紫外光阻挡层UT、防氧层OB、图案层PF、光学粘结剂层PSA和离型膜RF。关于与图6B中示出的元件相同的元件的说明不被重复。防氧层OB可以包括用于吸收可能从外部环境侵入的氧的材料。防氧层OB可以是用于防止氧侵入图案层PF的保护层。当偶氮染料被过度暴露于氧时，偶氮染料的属性可能改变，并且光的透射率可能改变。为了防止该问题，优选的是，防氧层OB可以被设置在图案层PF的上表面上。
在图4中所示出的结构中，当没有防外部光反射膜100时，从基板SUB的向下方向入射的外部光可能被形成在基板SUB上的各种元件反射并且被观察者识别到。由于外部光，由发光区域EA提供的图像信息可能无法被正确地识别。虽然遮光层LS被设置在驱动区域DRA下面，但是为了完全防止外部光反射，优选的是，可以进一步添加根据本公开内容的防外部光反射膜100，原因是大约10％至15％的光也被从遮光层LS反射。
由于根据本公开内容的图案层PF的光阻挡区域BA具有利用染料的化学属性吸收可见光的特征，所以可见光吸收率可以降低至6％或更低。另外，通过控制紫外光的波长或照射时间，可以根据紫外光的能量自由地调整光透射区域TA中的可见光透射率。
例如，光透射区域TA可以具有95％或更高的可见光透射率。在这种情况下，从发光二极管OLE发射的光中的95％或更多被透射，使得可以确保高亮度。然而，通过光透射区域TA入射的外部光也可能被阴极电极CAT反射，并且反射光中的95％或更多可能被观察者识别到。
为了减少从发光区域EA反射的外部光的量，光透射区域TA中可见光透射率可以被调整为在50％至90％之间，如上所述。当光透射区域TA的可见光透射率低于50％时，由发光二极管OLE提供的光的亮度可能会太低，因此显示质量可能会劣化。
可以根据本公开内容中呈现的显示器的应用领域而适当地调整光透射区域TA的可见光透射率。例如，在观察者被暴露于提供具有强亮度的外部光的情况下，优选地将光透射区域TA的可见光透射率调整得尽可能低。再例如，在来自外部光的影响小的情况下，例如当显示器主要用于室内或应用于车辆仪表板时，优选地将光透射区域TA的可见光透射率调整为高。
<第二实施方式>
在下文中，将参照图7说明根据本公开内容的第二实施方式。图7是用于说明根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。根据第二实施方式的电致发光显示器的结构可以与第一实施方式的电致发光显示器的结构非常相似。区别可以在于防外部光反射膜100的结构。因此，除非需要，可以不重复对相同元件的说明。
参照图7，根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器可以包括基板SUB、薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE、封装层EN和防外部光反射膜100。在基板SUB的上表面上，薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE和封装层EN可以被设置为顺序地堆叠。在基板SUB的下表面下面，可以附接防外部光反射膜100。
防外部光反射膜100可以包括图案层PF、偏振层POL和紫外光阻挡层UT。图案层PF可以包括光阻挡区域BA和光透射区域TA。光阻挡区域BA可以被设置为对应于驱动区域DRA。另外，光阻挡区域BA可以被设置为对应于遮光层LS。同时，光透射区域TA可以被设置为对应于发光区域EA。
图案层PF可以包括光分解材料。偏振层POL可以被设置在图案层PF的下表面下面。偏振层POL可以是用于防止外部光反射的光学膜。偏振层POL可以通过利用光的线性偏振特性来防止外部光被反射。然而，在视角范围内，偏振层POL的吸收轴与以该视角行进的线性偏振反射光之间的偏振角变动，使得反射光可能泄漏。因此，在本公开内容的第二实施方式中，可以通过利用偏振层POL和图案层PF的组合更有效地防止外部光的反射。
特别地，偏振层POL可以防止入射到光透射区域TA内的外部光被反射。因此，即使当将图案层PF中的光透射区域TA的可见光透射率调整为95％或更高时，也可以抑制外部光反射。结果，根据第二实施方式的电致发光显示器可以将外部光反射最小化，并且将从发光二极管OLE发射的光的发光效率最大化。
紫外光阻挡层UT可以附接在偏振层POL的下表面下面。紫外光阻挡层UT可以防止由于从基板SUB的外部入射的阳光中所包括的紫外光被照射到图案层PF而导致光阻挡区域BA的光阻挡性能劣化。
在通过图7说明的第二实施方式中，粘结剂层不包括在防外部光反射膜100中。这种情况可以是如下情况：可以通过利用如图6A中所示出的粘结剂图案层PPF来形成防外部光反射膜100。然而，不限于此，对于其他示例，防外部光反射膜100可以包括光学粘结剂层PSA，如图6B和图6C中所示出的。
<第三实施方式>
在下文中，将参照图8说明根据本公开内容的第三实施方式。图8是用于示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。根据第三实施方式的电致发光显示器的结构可以与第一实施方式的电致发光显示器的结构非常相似。区别可以在于防外部光反射膜100的结构。因此，除非需要，可以不重复对相同元件的说明。
参照图8，根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器可以包括基板SUB、薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE、封装层EN和防外部光反射膜100。在基板SUB的上表面上，薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE和封装层EN可以被设置为顺序地堆叠。在基板SUB的下表面下面，可以附接防外部光反射膜100。
防外部光反射膜100可以包括图案层PF和紫外光阻挡层UT。图案层PF可以包括光阻挡区域BA和半透光区域HTA。光阻挡区域BA可以被设置为对应于驱动区域DRA。另外，光阻挡区域BA可以被设置为对应于遮光层LS。同时，半透光区域HTA可以被设置为对应于发光区域EA。
图案层PF可以包括非液晶偶氮染料和光吸收材料。在此，光吸收材料可以是吸收具有380nm至780nm的波长范围的可见光的染料或颜料。通过向图案层PF照射紫外光，可以限定光阻挡区域BA和半透光区域HTA。光阻挡区域BA可以处于偶氮染料通过紫外光的照射而吸收可见光的状态。另一方面，半透光区域HTA包含光吸收材料，因此可以通过调整光吸收材料的含量而将穿过半透光区域HTA的光的量设置为减少20％至50％。
例如，半透光区域HTA可以包括光吸收材料，以将通过其透射的光的量减少30％。在这种情况下，入射到半透光区域HTA内的外部光的大约70％可以穿过半透光区域HTA。之后，透射的光可以被阴极电极CAT反射，并且再次穿过半透光区域HTA，使得大约70％的反射光可以穿出半透光区域HTA。因此，外部光的总量的大约49％可被反射并且提供给观察者。也就是说，入射到半透光区域HTA内的外部光可以减少50％或更高。同时，从发光二极管OLE提供的发射到半透光区域HTA的光的量可以减少大约30％。结果，可以确保从发光二极管OLE提供的光的透射率尽可能高，并且同时可以抑制外部光的反射率。
紫外光阻挡层UT可以附接在图案层PF的下表面。紫外光阻挡层UT可以防止光阻挡区域BA的光阻挡性能由于从基板SUB的外部入射的阳光而劣化。另外，紫外光阻挡层UT可以防止图案层PF被外部冲击损坏。
在用图8说明的第三实施方式中，粘结剂层不包括在防外部光反射膜100中。这种情况可以是如下情况：可以通过在如图6A中所示出的粘结剂图案层PPF上分布一定量的光吸收材料来形成防外部光反射膜100。然而，不限于此，对于其他示例，防外部光反射膜100可以包括光学粘结剂层PSA，如图6B和图6C中所示出的。
<第四实施方式>
在下文中，将参照图9说明根据本公开内容的第四实施方式。图9是用于示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。根据第四实施方式的电致发光显示器的结构可以与第一实施方式的电致发光显示器的结构非常相似。区别可以在于防外部光反射膜100的结构。因此，除非需要，可以不重复对相同元件的说明。
参照图9，根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器可以包括基板SUB、薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE、封装层EN和防外部光反射膜100。在基板SUB的上表面上，薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE和封装层EN可以被设置为顺序地堆叠。在基板SUB的下表面下面，可以附接防外部光反射膜100。
防外部光反射膜100可以包括光吸收层OTF、图案层PF和紫外光阻挡层UT。图案层PF可以包括光阻挡区域BA和光透射区域TA。光阻挡区域BA可以被设置为对应于驱动区域DRA。另外，光阻挡区域BA可以被设置为对应于遮光层LS。同时，光透射区域TA可以被设置为对应于发光区域EA。
光吸收层OTF可以包括光吸收材料。在此，光吸收材料可以是吸收具有380nm至780nm的波长范围的可见光的染料或颜料。优选的是，光吸收层OTF可以对于380nm至780nm波段内的可见光具有70％或更低的光吸收率(或者30％或更高的透光率)。例如，通过调整光吸收层OTF中光吸收材料的含量，可以将穿过光透射区域TA的光的透射率设置为20％至60％。
例如，光吸收层OTF可以包括光吸收材料，以将通过其透射的光的量减少30％。在这种情况下，入射到光透射区域TA内的外部光的大约70％可以穿过光吸收层OTF。之后，透射的光可以被阴极电极CAT反射，并且再次穿过光吸收层OTF，使得大约70％的反射光可以穿出光吸收层OTF。因此，外部光的总量的大约49％可以被反射并且提供给观察者。另外，考虑到光透射区域TA的透光率可以在50％至99％之间调整，入射到光透射区域TA的外部光的反射率可以减少远大于50％。同时，从发光二极管OLE提供的发射到半透光区域HTA的光的量可以减少大约30％。结果，可以确保从发光二极管OLE提供的光的透射率尽可能高，并且同时可以抑制外部光的反射率。
可以通过将光吸收材料与粘结剂材料混合来将光吸收层OTF制成膜型。例如，可以将光吸收材料与图6B或图6C中所示出的防外部光反射膜100的粘结剂层PSA混合，以形成光吸收层OTF。
紫外光阻挡层UT可以附接在图案层PF的下表面。紫外光阻挡层UT可以防止光阻挡区域BA的光阻挡性能由于从基板SUB的外部入射的阳光而劣化。另外，紫外光阻挡层UT可以防止图案层PF被外部冲击损坏。
在用图9说明的第四实施方式中，可以通过在如图6A中所示出的粘结剂层PSA中分布一定量的光吸收材料而制成防外部光反射膜100。然而，不限于此，对于其他示例，可以通过用光吸收层OTF代替如图7中所示出的第二实施方式中的偏振层POL来制造防外部光反射膜100。
<第五实施方式>
在下文中，将参照图10说明根据本公开内容的第五实施方式。图10是用于示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构的、沿着图3中的切线I-I’的横截面图。到目前为止，在实施方式中已经描述了底部发光型。然而，不限于此，防外部光反射膜100可以应用于顶部发光型。顶部发光型是指从发光二极管OLE产生的光沿着朝向图4中所示出的结构中的封装层EN的方向而发射的结构。
在这种情况下，观察者可以沿封装层EN的方向观看显示器。因此，防外部光反射膜100可以被设置在封装层EN的顶表面处。
例如，根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器可以包括基板SUB、薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE、滤色器层CFL、封装层EN和防外部光反射膜100。在基板SUB的上表面上，薄膜晶体管ST和DT、发光二极管OLE和封装层EN可以被设置为顺序地堆叠。滤色器层CFL可以被设置在封装层EN上。
滤色器层CFL可以包括滤色器CF和黑矩阵BM。滤色器CF可以被设置为对应于发光区域EA，并且黑矩阵BM可以被设置为对应于驱动区域DRA。再如，尽管未在附图中示出，但是滤色器层CFL可以被设置在阴极电极CAT和封装层EN之间。
防外部光反射膜100可以附接在滤色器层CFL的顶表面上。防外部光反射膜100可以包括图案层PF和紫外光阻挡层UT。图案层PF可以包括光阻挡区域BA和光透射区域TA。光阻挡区域BA可以被设置为对应于驱动区域DRA。同时，光透射区域TA可以被设置为对应于发光区域EA。
紫外光阻挡层UT可以附接在图案层PF的下表面处。紫外光阻挡层UT可以防止光阻挡区域BA的光阻挡性能由于从基板SUB的外部入射的阳光而劣化。另外，紫外光阻挡层UT可以防止图案层PF被外部冲击损坏。
尽管未在图中示出，但是包括触摸感测层的显示器可以包括根据本公开内容的防外部光反射膜100。例如，触摸感测层可以被设置在滤色器层CFL和防外部光反射膜100之间。
另外，可以包括覆盖膜。在这种情况下，覆盖膜可以附接在防外部光反射膜100上。再例如，覆盖膜可以与紫外光阻挡层UT组合为在一个膜或一个板中。
上述根据本公开内容的电致发光显示器的特征可以在于使用非液晶染料，该非液晶染料通过照射紫外光而增加透光率。与使用光吸收率随着紫外光的照射而增加的染料的情况相比，设备的安全性可以非常优异。例如，由于根据本公开内容的非液晶染料可以长时间使用，光吸收率不会根据环境改变(诸如温度)而劣化，使得可以始终保持显示质量。
本公开内容的上述示例中描述的特征、结构、效果等被包括在本公开内容的至少一个示例中，而不仅限于一个示例。此外，在至少一个示例中说明的特征、结构、效果等可以由本公开内容所属领域的技术人员关于其他示例以组合方式或修改方式而实现。因此，与这些组合和变型有关的内容应当被解释为包括在本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本公开内容的构思或范围的情况下，可以在本公开内容中做出各种修改和变型。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内。根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其他改变。一般而言，在所附权利要求中，所使用的术语不应当被解释为将权利要求限制为说明书和权利要求中所公开的特定实施方式，而应当被解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所享有的等同物的全部范围。因此，权利要求不受本公开内容的限制。

Claims (15)

1.一种电致发光显示器，包括：
包括多个像素的基板，每个像素具有发光区域和非发光区域；
布置在所述基板上所述发光区域中的发光二极管；
覆盖所述发光二极管的封装层；以及
图案层，所述图案层包括对应于所述发光区域的光透射区域和对应于所述非发光区域的光阻挡区域，并且所述图案层沿从所述基板起的第一方向布置，
其中，所述第一方向对应于由所述发光二极管产生的光的发光方向。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述图案层包括非液晶染料，随着通过照射特定波长的紫外光而使共轭结构的长度缩短，所述非液晶染料透射可见光，
其中，通过缩短所述非液晶染料的所述共轭结构的长度，所述光透射区域具有50％或更高的可见光的第一透射率，以及
其中，通过保持所述非液晶染料的所述共轭结构的长度，所述光阻挡区域具有25％或更低的可见光的第二透射率。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述紫外光的特定波长选自于300nm至370nm的波长范围。
4.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述非液晶染料包括：
第一染料，在照射所述紫外光之前，其针对380nm至480nm的波段内的可见光具有75％或更高的第一光吸收率；
第二染料，在照射所述紫外光之前，其针对480nm至600nm的波段内的可见光具有75％或更高的第二光吸收率；以及
第三染料，在照射所述紫外光之前，其针对600nm至750nm的波段内的可见光具有75％或更高的第三光吸收率。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，在照射所述紫外光之后，
所述第一染料针对380nm至480nm的波段内的可见光具有50％至99％的第一透光率，
所述第二染料针对480nm至600nm的波段内的可见光具有50％至99％的第二透光率，以及
所述第三染料针对600nm至750nm的波段内的可见光具有50％至99％的第三透光率。
6.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述非液晶染料包括偶氮染料。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：
沿从所述图案层起的所述第一方向布置的紫外光阻挡层。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，还包括：
布置在所述图案层与所述紫外光阻挡层之间的防氧层。
9.根据权利要求7所述的电致发光显示器，还包括：
布置在所述图案层与所述紫外光阻挡层之间的光学膜。
10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述光学膜包括偏振层和光吸收层中的任一个。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示器，其中，所述发光二极管向布置有所述基板的方向发光，以及
其中，所述图案层被布置在所述基板的下表面下面。
12.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述发光二极管向布置有所述封装层的方向发光，以及
其中，所述图案层被布置在所述封装层的顶表面上。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述图案层还包括光吸收材料。
14.一种电致发光显示器，包括：
包括多个像素的基板，每个像素具有发光区域和非发光区域；
布置在所述基板上每个像素的发光区域中的发光二极管；以及
图案层，所述图案层布置在所述基板下面，并且包括对应于所述发光区域的光透射区域和对应于所述非发光区域的光阻挡区域，
其中，所述发光二极管沿着朝向所述基板的方向发光。
15.一种电致发光显示器，包括：
包括多个像素的基板，每个像素具有发光区域和非发光区域；
布置在所述基板上每个像素的发光区域中的发光二极管；
覆盖所述发光二极管的封装层；以及
图案层，所述图案层布置在所述封装层上，并且包括对应于所述发光区域的光透射区域和对应于所述非发光区域的光阻挡区域，
其中，所述发光二极管沿着朝向所述封装层的方向发光。
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