CN112920722B

CN112920722B - 一种阻水封装胶膜及其制备方法

Info

Publication number: CN112920722B
Application number: CN202110351654.9A
Authority: CN
Inventors: 胡求学; 王磊; 余昊宸; 陈洪野; 吴小平
Original assignee: Cybrid Technologies Inc
Current assignee: Cybrid Technologies Inc
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2021-03-31
Publication date: 2022-11-08
Anticipated expiration: 2041-03-31
Also published as: CN112920722A

Abstract

本发明提供了一种阻水封装胶膜及其制备方法。所述阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：基体材料75‑95％、改性片层填料1‑20％、交联助剂0.1‑1％、助交联剂0.2‑1.5％、偶联剂0.1‑1％、抗氧剂0.1‑1％、光稳定剂0.1‑0.5％、抗PID母粒1‑5％。本发明的阻水封装胶膜，可有效避免或减缓组件水汽透过率的问题，进一步避免或减缓电池片功率衰减。

Description

一种阻水封装胶膜及其制备方法

技术领域

本发明属于封装胶膜技术领域，涉及一种阻水封装胶膜及其制备方法。

背景技术

目前市场上存在两种组件结构：一是单玻组件，玻璃/上层封装材料/电池片/下层封装材料/背板；二是双玻结构，玻璃/上层封装材料/电池片/下层封装材料/玻璃。有些特殊的电池片，对水汽比较敏感，水汽会加速电池片功率衰减。双玻组件由于上下两层用的是阻水能力优异的玻璃，没有水汽透过的问题的存在。单玻组件中的背板所用的是高分子材料，不管是普通的白色背板还是透明背板，其阻水能力都不高，约为0.5-3.0g/m²*24h(IR法、38℃、90％RH)。单玻组件需要搭配高阻水的胶膜，使背板与胶膜的组合具有优异的阻水能力，才能实现对电池片的保护。

CN107141619B公开了一种具有超低水汽透过率的聚异丁烯背板，它主要由聚异丁烯、活性聚异丁烯、橡胶交联剂、硅烷改性烯烃聚合物、补强填料、白色填料、干燥剂和抗氧剂按照质量比100:5-10:0.1-0.3:5-30:2-8:20-40:5-10:0.1-0.5混炼挤出得到；少量活性聚异丁烯和交联剂在挤出成型过程中局部交联形成稀疏网状结构，保留聚异丁烯柔软性的前提下增加了材料的韧性，极大改善聚异丁烯材料的冷流性能。该发明水汽透过率小于0.1g/m²/24h，使得组件的水汽阻隔性能大幅度提升，有效延长组件使用寿命，但目前市场上使用的背板都是PET材料的，这些背板存在水汽透过的问题。

CN110016170A公开了一种低水汽透过率聚烯烃弹性体胶膜及制备方法，它包括50～100质量份的基体树脂、0～40质量份的改性树脂、0.001～2质量份的活性剂、0.1～3质量份的有机过氧化物、0.02～5质量份的助交联剂、0.02～2质量份的硅烷偶联剂、0.005～2质量份的光稳定剂、0～20质量份的阻水填料。该发明中采用多孔吸附型材料或吸附水汽形成结晶水的化合物，如：分子筛、沸石、硅藻土、活性炭、多孔二氧化硅、多孔三氧化铝、炭黑、氧化钙、碳酸钙、氯化钙、碳酸镁、氯化镁、硫酸铜、硫酸钠、硫酸钙、硫酸锌、氢氧化钙。这些材料虽然具有较好的吸湿性，但其颗粒形状大多数为粒状、球状或柱状，在基体材料中它们之间还是有大片区域可以供水汽通过，并且其自身的添加也引入新的离子，有的填料(如氯化镁)存在腐蚀性存在腐蚀电池片的风险。

CN105647406A公开了一种高水汽阻隔的EVA胶膜，所述胶膜包括以下重量份的组分：EVA树脂100份；交联剂0.1～5份；抗氧剂0.1～1份；抗紫外剂0.3～1份；光稳定剂0.3～0.7份；片层填料1～20份，其中所述片层填料为绢云母、滑石粉，玻璃鳞片、云母中的一种。本发明所揭示的一种高水汽阻隔的EVA胶膜，具有良好的耐紫外性能以及拉伸强度、撕裂强度等主要力学性能，并可与光伏其他封装材料和层压工艺具有良好的兼容性。但是，由于填料为无机物易出现团聚等问题，其在EVA基体中的分散性能不好，造成材料的水汽阻隔性不稳定。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种阻水封装胶膜及其制备方法，本发明的阻水封装胶膜，可有效避免或减缓组件水汽透过率的问题，进一步避免或减缓电池片功率衰减。

本发明的目的之一在于提供一种阻水封装胶膜，为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：

其中，所述改性片层填料为经疏水改性的片层填料。

本发明的阻水封装胶膜，通过在基体材料中添加改性片层填料，配合其他助剂，减少了填料间水汽通过胶膜的区域，并且形成无数的水通道，延长了水汽在胶膜内部流通的路径，由此制备的阻水封装胶膜与背板组合使用后，避免或减缓了组件水汽透过率的问题，进一步避免或减缓了电池片功率衰减。

具体的，本发明的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：

基体材料的质量百分比为75-95％，例如为75％、76％、77％、78％、79％、80％、81％、82％、83％、84％、85％、86％、87％、88％、89％、90％、91％、92％、93％、94％或95％等。

改性片层填料的质量百分比为1-20％，例如为1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％或20％等。

交联助剂的质量百分比为0.1-1％，例如为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％等。

助交联剂的质量百分比为0.2-1.5％，例如为0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1％、1.1％、1.2％、1.3％、1.4％或1.5％等。

偶联剂的质量百分比为0.1-1％，例如为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％等。

抗氧剂的质量百分比为0.1-1％，例如为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％、0.9％或1％等。

光稳定剂的质量百分比为0.1-0.5％，例如为0.1％、0.2％、0.3％、0.4％或0.5％等。

抗PID母粒的质量百分比为1-5％，例如为1％，2％，3％，4％或5％等。

本发明通过在胶膜中添加改性片层填料，除片层填料自身具有吸湿性外，可以在胶膜内部形成无数的水通道，延长水分子在胶膜内部流通的路径，并且纳米级的填料可以将胶膜内部原本的空洞堵住，使得水分子很难进入胶膜内部，基本原理如附图所示。所述改性片层填料是使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷对片层填料进行疏水改性。所述改性片层填料增加了其水汽透过路径，从而实现进一步的阻水。对片层填料进行疏水改性，提高其在基体材料中的分散性和相容性，更好的提高材料的抗渗透性。

所述片层填料为云母、蒙脱土、滑石粉、玻璃鳞片、水滑石、高岭土、石墨烯、石墨和氮化硼中的任意一种或至少两种的混合物。

优选地，所述改性片层填料为超细粉。

优选地，所述改性片层填料的尺寸为大于200目，优选为90-120nm，例如为90nm、100nm、110nm或120nm等，更优选为100nm。

所述基体材料为聚异丁烯、EVA和POE中的任意一种或至少两种的混合物。

所述交联助剂为叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯。

所述助交联剂为三烯丙基异氰脲酸酯。

所述抗PID母粒为抗PID助剂与基体树脂的共混物，二者的质量比为1:(20-25)，例如质量比为1:20、1:21、1:22、1:23、1:24或1:25等，所述抗PID助剂为聚碳化二亚胺、碳化二亚胺、多孔纳米二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、氧化铝、氧化锆、磷酸锆、氧化钙、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、碳酸镁、碳酸铝和碳酸钙中的任意一种或至少两种的混合物。

优选地，所述基体树脂为聚异丁烯、EVA和POE中的任意一种或至少两种的混合物。

所述偶联剂为马来酸酐接枝物、硅烷接枝物、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硅烷偶联剂中的任意一种或至少两种的混合物。

优选地，所述钛酸酯偶联剂为异丙基三(异硬脂酰基)钛酸酯、异丙基三(二辛基焦磷酰基)钛酸酯、二(二辛基焦磷酰基)氧代乙酸钛和异丙基三(十二烷基苯磺酰基)钛酸酯中的任意一种或至少两种的混合物。

优选地，所述铝酸酯偶联剂为异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯和/或双(乙酰丙酮基)异丙基铝酸酯。

优选地，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧)丙氧三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙氧三甲氧基硅烷、γ-疏丙基三甲氧基硅烷和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷中的任意一种或至少两种的混合物。

优选地，所述马来酸酐接枝物为马来酸酐与EVA、POE的接枝物。

优选地，所述硅烷接枝物为硅烷偶联剂与EVA或POE的接枝物。

其余各助剂均为行业内所公知的没有具体的限制，比如交联剂选用叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，助交联剂选用三烯丙基异氰脲酸酯。

所述抗氧剂为抗氧剂1010、丁基羟基茴香醚(BHA)、二丁基羟基甲苯(BHT)、抗氧剂168、抗氧剂1076、抗氧剂245、抗氧剂618、抗氧剂B215中的任意一种或至少两种的混合物，优选为Irganox 1010。

所述光稳定剂为

7001EF、光稳定剂622、光稳定剂944、光稳定剂123、光稳定剂3853中的任意一种或至少两种的混合物，优选为

7001EF。

其中，本发明的阻水封装胶膜为单层结构或多层结构。

优选地，本发明的阻水封装胶膜为多层结构，所述多层胶膜还包含阻水层，阻水层可以为中间层或面向背板层，使用多层结构是避免因为添加分层材料的胶膜伤到电池片，造成电池片的功率衰减。

本发明的目的之二在于提供一种目的之一所述的阻水封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：

先对片层填料进行疏水改性，按配比将EVA、改性片层填料、交联剂、助交联剂、偶联剂、抗氧剂、光稳定剂、抗PID母粒通过混料机混合均匀后投入流延机中，再经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成所述阻水封装胶膜。

优选地，所述阻水封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：先使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷对片层填料进行疏水改性，按配比将EVA、改性片层填料、交联剂、助交联剂、偶联剂、抗氧剂、光稳定剂、抗PID母粒通过混料机混合均匀后投入流延机中，在90-120℃经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成克重为500-600g/m²的阻水封装胶膜。

在拉膜过程中注意分层材料放在哪层中，即投放到哪台挤出机中(在模头内树脂流道分为前中后三层，三台单螺杆挤出机分别对应三层)。在实际中(前层)面向钢棍面在收卷中是外卷，(后层)面向胶辊面在收卷时是内卷。实际应用时内卷向电池片，外卷面向背板。

所述阻水封装胶膜为单层阻水封装胶膜或多层阻水封装胶膜。

优选地，所述多层阻水封装胶膜至少一层为阻水封装胶膜。

本发明的阻水封装胶膜可以为单层膜，也可以为多层膜，当阻水封装胶膜为多层膜时，至少一层为上述阻水封装胶膜，其它层可以为不含改性片层填料的封装胶膜层，即其它封装胶膜层与阻水封装胶膜层的区别为不含改性片层填料。

本发明的所述多层阻水封装胶膜的制备方法为，将不含改性片层填料的封装胶膜原料在一台单螺杆机中，将含有改性片层填料的阻水封装胶膜原料在另一台单螺杆机中，再经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成所述多层阻水封装胶膜，其中层数可以根据实际需要做成两层、三层等多层胶膜。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

本发明的阻水封装胶膜，可有效避免或减缓组件水汽透过率的问题，进一步避免或减缓电池片功率衰减。具体的，本发明制得的阻水封装胶膜38℃，90％RH条件下的水汽透过率为1.6-8.9g/(m²·d)，体积电阻率为1.3×10¹⁵-9.4×10¹⁵Ω·cm。

附图说明

图1为本发明添加片层填料的阻水原理示意图。

具体实施方式

下面结合附图1，并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

如无具体说明，本发明的各种原料均可市售购得，或根据本领域的常规方法制备得到。

本发明通过在胶膜中添加片层填料，除片层填料自身具有吸湿性外，可以在胶膜内部形成无数的水通道，延长水分子在胶膜内部流通的路径，并且纳米级的填料可以将胶膜内部原本的空洞堵住，使得水分子很难进入胶膜内部，基本原理如附图1所示。

实施例1

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为93％，100nm的改性蒙脱土为2％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，

7001EF为0.1％，抗PID母粒为3％，其中，抗PID母粒为质量比为1:24的聚碳化二亚胺与EVA的共混物。

本实施例的阻水封装胶膜的制备方法包括如下步骤：先使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷对蒙脱土进行疏水改性得到改性蒙脱土，将上述组分通过混料机混合均匀后投入流延机中，在100℃经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成克重为570g/m²的EVA胶膜。

实施例2

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为89％，100nm的改性蒙脱土为6％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，光稳定剂3853为0.1％，抗PID母粒为3％，其中，抗PID母粒为质量比为1:24的聚碳化二亚胺与EVA的共混物。

本实施例的阻水封装胶膜的制备方法同实施例1。

实施例3

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为87％，100nm的改性蒙脱土为8％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，丁基羟基茴香醚为0.1％，

7001EF为0.1％，抗PID母粒为3％，其中，抗PID母粒为质量比为1:24的聚碳化二亚胺与EVA的共混物。本实施例的阻水封装胶膜的制备方法同实施例1。

实施例4

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为85％，100nm的改性蒙脱土为10％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，

本实施例的阻水封装胶膜的制备方法同实施例1。

实施例5

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为81％，100nm的改性蒙脱土为14％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，

本实施例的阻水封装胶膜的制备方法同实施例1。

实施例6

本实施例的阻水封装胶膜，按质量百分比计，包含如下组分：EVA为77％，100nm的改性蒙脱土为18％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，

本实施例的阻水封装胶膜的制备方法同实施例1。

实施例7

本实施例与实施例1的区别之处在于，改性片层填料的尺寸为100目，其他的与实施例1的相同。

实施例8

本实施例与实施例1的区别之处在于，改性片层填料为使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷改性的云母，其他的与实施例1的相同。

实施例9

本实施例与实施例1的区别之处在于，疏水改性剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷替换为γ-(2,3-环氧丙氧)丙氧三甲氧基硅烷，其他的与实施例1的相同。

实施例10

本实施例的阻水封装胶膜为两层，其中一层为实施例1的含有改性片层填料改性蒙脱土的阻水封装胶膜层，另一层为不含改性蒙脱土的普通封装胶膜层，其中，普通封装胶膜层的具体组成为：EVA为95％，叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯为0.5％，三烯丙基异氰脲酸酯为0.9％，3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为0.4％，抗氧剂1010为0.1％，

7001EF为0.1％，抗PID母粒为3％，其中，抗PID母粒为质量比为1:24的聚碳化二亚胺与EVA的共混物。其中，阻水封装胶膜层的厚度为300μm，普通封装胶膜层的厚度为100μm。

对比例1

本对比例与实施例1的区别之处在于，未添加改性片层填料，减少的改性片层填料的量平均增加至其他组分中，以保证总量不变，其他的与实施例1的相同。

对比例2

本对比例与实施例1的区别之处在于，改性片层填料的用量为30％，增加的改性片层填料的量平均从其他各组分中扣除，以保证总量不变，其他的与实施例1的相同。

对比例3

本对比例与实施例1的区别之处在于，改性片层填料替换为未经改性的蒙脱土，其他的与实施例1的相同。

对实施例1-10与对比例1-3制得的胶膜，进行性能测试，实验结果如表1所示。

其中，水汽透过率的测试标准参照GB/T 21529-2008标准进行。

体积电阻率的测试标准参照GB/T1410-2006标准进行。

表1

从表1可以看出，EVA胶膜的水汽透过率随着改性片层填料的含量增加呈现先降低后升高的现象，这可能是因为当填料含量低时不能均匀的分散在EVA胶膜中，水汽可以从其他位置直接透过。但当填料含量过多时又出现团聚的现象，使的水通道没有很好的形成影响水汽透过。

实施例7增加改性层状填料的尺寸使其不能均匀的分散，没有较好的形成水通道，造成水汽透过率高。

实施例8通过改变改性片层填料的种类发现不同改性片层填料在胶膜中所形成的水通道对胶膜的水汽透过性影响不同。

实施例9采用其他的硅烷或表面活性剂进行疏水改性，会使胶膜的水汽透过率有所降低，但没有γ-氨丙基三乙氧基硅烷改性后的效果好。

对比例1未添加改性片层填料，会使制得的胶膜水汽透过率高。

对比例2改性片层填料的用量太多，会使制得的胶膜水汽透过率高。

对比例3改性片层填料替换为未经改性的蒙脱土，会使水汽透过率高。

本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims

1.一种阻水封装胶膜，其特征在于，按质量百分比计，由如下组分组成：

基体材料 75-95%

改性片层填料 8-10%

交联助剂 0.1-1%

助交联剂 0.2-1.5%

偶联剂 0.1-1%

抗氧剂 0.1-1%

光稳定剂 0.1-0.5%

抗PID母粒 1-5%，

上述组分的质量百分比之和不超过100%；

所述基体材料为EVA；

其中，所述改性片层填料为经疏水改性的片层填料；所述改性片层填料是使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷对片层填料进行疏水改性；所述片层填料为蒙脱土；所述改性片层填料为超细粉，所述改性片层填料的尺寸为90-120nm；

所述交联助剂为叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，所述助交联剂为三烯丙基异氰脲酸酯；

所述抗PID母粒为抗PID助剂与基体材料的共混物；

所述抗PID助剂与所述基体材料的质量比为1:(20-25)。

2.根据权利要求1所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述偶联剂为马来酸酐接枝物、硅烷接枝物、钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂和硅烷偶联剂中的任意一种或至少两种的混合物。

3.根据权利要求2所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述钛酸酯偶联剂为异丙基三（异硬脂酰基）钛酸酯、异丙基三（二辛基焦磷酰基）钛酸酯、二（二辛基焦磷酰基）氧代乙酸钛和异丙基三（十二烷基苯磺酰基）钛酸酯中的任意一种或至少两种的混合物。

4.根据权利要求2所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述铝酸酯偶联剂为异丙氧基二硬脂酸酰氧基铝酸酯和/或双（乙酰丙酮基）异丙基铝酸酯。

5.根据权利要求2所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙氧三甲氧基硅烷、γ-疏丙基三甲氧基硅烷和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷中的任意一种或至少两种的混合物。

6.根据权利要求2所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述马来酸酐接枝物为马来酸酐与EVA或POE的接枝物。

7.根据权利要求2所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述硅烷接枝物为硅烷偶联剂与EVA或POE的接枝物。

8.根据权利要求1所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂1010、丁基羟基茴香醚、二丁基羟基甲苯、抗氧剂168、抗氧剂1076、抗氧剂245、抗氧剂618、抗氧剂B215中的任意一种或至少两种的混合物。

9.根据权利要求8所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述抗氧剂为抗氧剂 1010。

10.根据权利要求1所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述光稳定剂为CYASORBTHT^®7001EF、光稳定剂622、光稳定剂944、光稳定剂123、光稳定剂3853中的任意一种或至少两种的混合物。

11.根据权利要求10所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述光稳定剂为CYASORBTHT^®7001EF。

12.根据权利要求1所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述抗PID助剂为聚碳化二亚胺、碳化二亚胺、多孔纳米二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、氧化铝、氧化钙、氧化锆、磷酸锆、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钙、碳酸镁、碳酸铝和碳酸钙中的任意一种或至少两种的混合物。

13.根据权利要求1所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述阻水封装胶膜为单层阻水封装胶膜或多层阻水封装胶膜。

14.根据权利要求13所述的阻水封装胶膜，其特征在于，所述多层阻水封装胶膜至少一层为阻水封装胶膜。

15.一种如权利要求1-14之一所述的阻水封装胶膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

16.一种如权利要求15所述的阻水封装胶膜的制备方法，其特征在于，所述阻水封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：先使用γ-氨丙基三乙氧基硅烷对片层填料进行疏水改性，按配比将EVA、改性片层填料、交联剂、助交联剂、偶联剂、抗氧剂、光稳定剂、抗PID母粒通过混料机混合均匀后投入流延机中，在90-120℃经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成克重为500-600g/m²的阻水封装胶膜。