CN112909209A - 一种高密封性能的oled器件封装工艺及结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高密封性能的OLED器件封装结构，包括：阳极的玻璃基板以及设于所述玻璃基板内部的OLED器件，且所述OLED器件由金属阴极层、电子传输层、有机发光层及空穴传输层组成，其特征在于，所述玻璃基板的内侧设有可抗老化的三元乙丙再生胶，所述玻璃基板的两侧还设有透明状的第一封装板及第二封装板，所述第一封装板、第二封装板通过胶水粘合于OLED器件的外侧，所述金属阴极层、空穴传输层的高度均与所述玻璃基板的高度同一水平线上，并以特定温度进行烘烤固化，然后镀膜，本申请密封性强，可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及封装工艺及结构技术领域，具体为一种高密封性能的OLED 器件封装工艺及结构。
背景技术
作为新一代的显示器件，OLED(Organic Electroluminesence Display) 器件即有机发光显示器有着传统显示器不可比拟的优势，如自发光、不需要背光源、可实现超薄显示和柔性显示、驱动电压低、省电、反应速度快等等。但是OLED器件对氧气和湿气非常敏感，受到氧气和湿气侵袭会性能劣化最终失效。因此封装工艺对OLED器件寿命的影响很大。目前采用玻璃料封装方法密封保护OLED器件被广泛使用，但现有的OLED器件在封装过程中的工艺以及结构存在有密封性较差的问题，可靠性不强，为此，提出一种高密封性能的OLED器件封装工艺及结构。
发明内容
为了克服现有技术方案的不足，本发明提供一种高密封性能的OLED器件封装工艺及结构，能有效的解决背景技术提出的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种高密封性能的OLED器件封装结构，包括：带阳极的玻璃基板以及设于所述玻璃基板内部的OLED器件，且所述OLED器件由金属阴极层、电子传输层、有机发光层及空穴传输层组成，所述玻璃基板的内侧设有可抗老化的三元乙丙再生胶，所述玻璃基板的两侧还设有透明状的第一封装板及第二封装板，所述第一封装板、第二封装板通过胶水粘合于OLED器件的外侧，所述金属阴极层、空穴传输层的高度均与所述玻璃基板的高度同一水平线上；
所述第一封装板、第二封装板上均涂覆有拒水涂层的第一保护层及第二保护层，所述第一保护层、第二保护层之间的厚度相等，且所述第一保护层的内侧与所述金属阴极层连接，所述第二保护层与所述空穴传输层连接，且所述第一保护层、第二保护层与第一封装板第二封装板的连接处设有非厌氧型UV胶，所述第一封装板与所述第二封装板与所述OLED器件的连接处设有绝缘胶及可防水阻燃的灌封胶，所述所述第一封装板与所述第二封装板还设有真空管及单向抽气的抽气孔，所述真空管与所述抽气孔相通，所述真空管上开设有若干组真空吸盘，所述真空吸盘与所述OLED器件吸附连接，且所述真空吸盘之间的距离相等。
特别的，所述灌封胶、绝缘胶对称分布设于所述第一封装板、第二封装板的两侧，且所述灌封胶、绝缘胶的与所述OLED器件粘合连接，所述灌封胶与所述OLED器件之间的间隙不大于0.015mm。
特别的，所述真空管与所述OLED器件相对垂直，所述真空管贯穿所述玻璃基板，且所述真空管的直径不大于0.03mm，所述真空管的一侧与所述三元乙丙再生胶粘合连接。
特别的，所述第一保护层、第二保护层与所述金属阴极层、空穴传输层之间的间隙均不大于0.08mm。
5.根据权利要求1所述的一种高密封性能的OLED器件封装工艺，包括以下步骤：
步骤S1：提供玻璃基板，所述玻璃基板上设置OLED器件，并在所述玻璃基板的内侧形成用于固定所述三元乙丙再生胶的槽口，所述三元乙丙再生胶与所述OLED器件粘合，所述真空管穿过所述三元乙丙再生胶后通过烘烤工艺使所述三元乙丙再生胶固化，烘烤时间的最佳温度为60摄氏度至80 摄氏度之间，并且烘烤时间为3分钟至5分钟；
步骤S2：安装封装板，所述第一封装板、第二封装板均为抗压、耐磨的亚力克高透光的镜片制成，通过在所述第一封装板、第二封装板的中部设置第一保护层、第二保护层形成对所述OLED器件的密封防护，所述第一保护层通过有机材料在真空下加热，液化再气化或直接升华，以一定的初始速度脱离材料表面向外飞散，运动到OLED器件表面，冷却沉积下来形成一层薄膜，并具有防水效果；
步骤S3:真空吸附密封，所述真空管与所述抽气孔相通后，在通过抽气孔将内部的空气抽出，使真空吸盘与OLED器件之间形成真空，且所述抽气孔为单向抽气，再经过后处理，然后完成封装。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的一种高密封性能的OLED器件封装工艺及结构，在使用的过程中，通过利用真空管以及相通的抽气孔进行抽气后，设置在真空管上的真空吸盘则形成强大吸力，能使OLED器件的连接更紧密，具有高密封效果，并且，在结构上的连接粘合采用多种密封性强，防水阻燃的胶水进行粘合，能有效提高OLED器件的密封性，同时，运用制定的工艺进行固化、预处理及后处理，进一步提高结构的稳定性与连接的紧密性，并且，降低了生产的加工难度，间接减少了成本。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明的工艺流程示意图。
图中标号：
1、第一封装板；2、第二封装板；3、第一保护层；4、第二保护层；5、非厌氧型UV胶；6、灌封胶；7、抽气孔；8、金属阴极层；9、电子传输层； 10、有机发光层；11、空穴传输层；12、绝缘胶；13、三元乙丙再生胶； 14、玻璃基板；15、真空管；16、真空吸盘。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
如图1-2所示，本发明提供了一种高密封性能的OLED器件封装结构，包括：带阳极的玻璃基板14以及设于所述玻璃基板14内部的OLED器件，且所述OLED器件由金属阴极层8、电子传输层9、有机发光层10及空穴传输层11组成，所述玻璃基板14的内侧设有可抗老化的三元乙丙再生胶13，所述玻璃基板14的两侧还设有透明状的第一封装板1及第二封装板2，所述第一封装板1、第二封装板2通过胶水粘合于OLED器件的外侧，所述金属阴极层8、空穴传输层11的高度均与所述玻璃基板14的高度同一水平线上，所述第一封装板1、第二封装板2上均涂覆有拒水涂层的第一保护层3 及第二保护层4，所述第一保护层3、第二保护层4之间的厚度相等，且所述第一保护层3的内侧与所述金属阴极层8连接，所述第二保护层4与所述空穴传输层11连接，且所述第一保护层3、第二保护层4与第一封装板 1第二封装板2的连接处设有非厌氧型UV胶5，所述第一封装板1与所述第二封装板2与所述OLED器件的连接处设有绝缘胶12及可防水阻燃的灌封胶6，所述所述第一封装板1与所述第二封装板2还设有真空管15及单向抽气的抽气孔7，所述真空管15与所述抽气孔7相通，所述真空管15上开设有若干组真空吸盘16，所述真空吸盘16与所述OLED器件吸附连接，且所述真空吸盘16之间的距离相等。
进一步说明的是，所述灌封胶6、绝缘胶12对称分布设于所述第一封装板1、第二封装板2的两侧，且所述灌封胶6、绝缘胶12的与所述OLED 器件粘合连接，所述灌封胶6与所述OLED器件之间的间隙不大于0.015mm，在封装板上分别设置了用于放置灌封胶6及绝缘胶12的槽口，结构分别清晰，安装方便。
进一步说明的是，所述真空管15与所述OLED器件相对垂直，所述真空管15贯穿所述玻璃基板14，且所述真空管15的直径不大于0.03mm，所述真空管15的一侧与所述三元乙丙再生胶13粘合连接，通过通过利用真空管15以及相通的抽气孔7进行抽气后，设置在真空管15上的真空吸盘 16则形成强大吸力，能使OLED器件的连接更紧密。
进一步说明的是，所述第一保护层3、第二保护层4与所述金属阴极层 8、空穴传输层11之间的间隙均不大于0.08mm。
本实施例还提供一种高密封性能的OLED器件封装工艺，包括以下步骤：
步骤S1：提供玻璃基板14，所述玻璃基板14上设置OLED器件，并在所述玻璃基板14的内侧形成用于固定所述三元乙丙再生胶13的槽口，所述三元乙丙再生胶13与所述OLED器件粘合，所述真空管15穿过所述三元乙丙再生胶13后通过烘烤工艺使所述三元乙丙再生胶13固化，烘烤时间的最佳温度为60摄氏度至80摄氏度之间，并且烘烤时间为3分钟至5分钟；
步骤S2：安装封装板，所述第一封装板1、第二封装板2均为抗压、耐磨的亚力克高透光的镜片制成，通过在所述第一封装板1、第二封装板2 的中部设置第一保护层3、第二保护层4形成对所述OLED器件的密封防护，所述第一保护层3通过有机材料在真空下加热，液化再气化或直接升华，以一定的初始速度脱离材料表面向外飞散，运动到OLED器件表面，冷却沉积下来形成一层薄膜，并具有防水效果；
步骤S3:真空吸附密封，所述真空管15与所述抽气孔7相通后，在通过抽气孔7将内部的空气抽出，使真空吸盘16与OLED器件之间形成真空，且所述抽气孔7为单向抽气，再经过后处理，然后完成封装。
具体工作原理：在使用的过程中，通过利用真空管15以及相通的抽气孔7进行抽气后，设置在真空管15上的真空吸盘16则形成强大吸力，能使OLED器件的连接更紧密，具有高密封效果，并且，在结构上的连接粘合采用多种密封性强，防水阻燃的胶水进行粘合，能有效提高OLED器件的密封性，同时，运用制定的工艺进行固化、预处理及后处理，进一步提高结构的稳定性与连接的紧密性。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (5)
1.一种高密封性能的OLED器件封装结构，包括：带阳极的玻璃基板以及设于所述玻璃基板内部的OLED器件，且所述OLED器件由金属阴极层、电子传输层、有机发光层及空穴传输层组成，其特征在于，所述玻璃基板的内侧设有可抗老化的三元乙丙再生胶，所述玻璃基板的两侧还设有透明状的第一封装板及第二封装板，所述第一封装板、第二封装板通过胶水粘合于OLED器件的外侧，所述金属阴极层、空穴传输层的高度均与所述玻璃基板的高度同一水平线上；
所述第一封装板、第二封装板上均涂覆有拒水涂层的第一保护层及第二保护层，所述第一保护层、第二保护层之间的厚度相等，且所述第一保护层的内侧与所述金属阴极层连接，所述第二保护层与所述空穴传输层连接，且所述第一保护层、第二保护层与第一封装板第二封装板的连接处设有非厌氧型UV胶，所述第一封装板与所述第二封装板与所述OLED器件的连接处设有绝缘胶及可防水阻燃的灌封胶，所述所述第一封装板与所述第二封装板还设有真空管及单向抽气的抽气孔，所述真空管与所述抽气孔相通，所述真空管上开设有若干组真空吸盘，所述真空吸盘与所述OLED器件吸附连接，且所述真空吸盘之间的距离相等。
2.根据权利要求1所述的一种高密封性能的OLED器件封装结构，其特征在于，所述灌封胶、绝缘胶对称分布设于所述第一封装板、第二封装板的两侧，且所述灌封胶、绝缘胶的与所述OLED器件粘合连接，所述灌封胶与所述OLED器件之间的间隙不大于0.015mm。
3.根据权利要求1所述的一种高密封性能的OLED器件封装结构，其特征在于，所述真空管与所述OLED器件相对垂直，所述真空管贯穿所述玻璃基板，且所述真空管的直径不大于0.03mm，所述真空管的一侧与所述三元乙丙再生胶粘合连接。
4.根据权利要求1所述的一种高密封性能的OLED器件封装结构，其特征在于：所述第一保护层、第二保护层与所述金属阴极层、空穴传输层之间的间隙均不大于0.08mm。
5.根据权利要求1所述的一种高密封性能的OLED器件封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供玻璃基板，所述玻璃基板上设置OLED器件，并在所述玻璃基板的内侧形成用于固定所述三元乙丙再生胶的槽口，所述三元乙丙再生胶与所述OLED器件粘合，所述真空管穿过所述三元乙丙再生胶后通过烘烤工艺使所述三元乙丙再生胶固化，烘烤时间的最佳温度为60摄氏度至80摄氏度之间，并且烘烤时间为3分钟至5分钟；
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |