CN112908711A - 一种电容器的生产工艺 - Google Patents

一种电容器的生产工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN112908711A
CN112908711A CN202110153765.9A CN202110153765A CN112908711A CN 112908711 A CN112908711 A CN 112908711A CN 202110153765 A CN202110153765 A CN 202110153765A CN 112908711 A CN112908711 A CN 112908711A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mass
parts
capacitor
carbon nanotube
deionized water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110153765.9A
Other languages
English (en)
Inventor
黄亮
蒋紫秋
刘进朗
王诗函
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Chinsan Electronic Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Chinsan Electronic Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Chinsan Electronic Co ltd filed Critical Guangzhou Chinsan Electronic Co ltd
Priority to CN202110153765.9A priority Critical patent/CN112908711A/zh
Publication of CN112908711A publication Critical patent/CN112908711A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/003Apparatus or processes for encapsulating capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/006Apparatus or processes for applying terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/022Electrolytes; Absorbents
    • H01G9/035Liquid electrolytes, e.g. impregnating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • H01G9/0425Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明涉及电容器领域,提供一种电容器的生产工艺,用于提高电容器的电学性能。本发明提供的电容器的生产工艺,包括:将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;将多空活性炭制成负极;将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1~1.5mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为1~3:1;将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。提高了电容器的电学性能,具有广阔的应用前景。

Description

一种电容器的生产工艺
技术领域
本发明涉及电容器领域,具体涉及一种电容器的生产工艺。
背景技术
电容器是储存电量和电能(电势能)的元件。一个导体被另一个导体所包围,或者由一个导体发出的电场线全部终止在另一个导体的导体系,称为电容器。
电容器的性能与其电极材料有关,如何通过改善电极材料来提高电容器的性能是亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明解决的技术问题为提高电容器的电学性能,提供电容器的生产工艺。
为了解决上述技术问题,本发明提供的技术方案为:
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1~1.5mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为1~3:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
有机体系的电解液,尤其是四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成的电解液,可以适应不同类型的工作环境。
提高了电容器的电学性能,提高了电容器的可靠性,具有广阔的应用前景。
优选地,所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管1~5质量份,单壁碳纳米管0.1~0.5质量份,乙酸锰5~10质量份,2%高锰酸钾150~250质量份,碳粉0.1~0.5质量份,聚四氟乙烯0.05~0.2质量份;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
将碳粉、聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
优选地,多壁碳纳米管2~5质量份,单壁碳纳米管0.15~0.5质量份,乙酸锰4~10质量份,2%高锰酸钾200~250质量份,碳粉0.2~0.5质量份,聚四氟乙烯0.1~0.2质量份。
优选地,多壁碳纳米管2质量份,单壁碳纳米管0.15质量份,乙酸锰4质量份,2%高锰酸钾200质量份,碳粉0.2质量份,聚四氟乙烯0.1质量份。
优选地,加入中间体粉末前还包括:
取高锰酸钾5~10质量份,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将中间体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
优选地,所述单壁碳纳米管为改性单壁碳纳米管。
优选地,所述改性碳纳米管的制备方法包括:
取单壁碳纳米管0.1~0.5质量份,N-甲基吡咯烷酮800~1200质量份,硝酸银0.2~1质量份,去离子水50~100质量份;
将单壁碳纳米管分散到N-甲基吡咯烷酮中,超声30min,取上清液,得到分散液;
将硝酸银溶解到去离子水中,再加入到分散液中,20~30摄氏度下搅拌反应48h,过滤,用去离子水洗涤2~3次,40摄氏度下真空干燥,得到改性碳纳米管。
优选地,取单壁碳纳米管0.15~0.5质量份,N-甲基吡咯烷酮1000~1200质量份,硝酸银0.6~1质量份,去离子水80~100质量份。
优选地,取单壁碳纳米管0.15质量份,N-甲基吡咯烷酮1000质量份,硝酸银0.6质量份,去离子水80质量份。
优选地,超声30min后,进行离心分离,取上清液为分散液。
与现有技术相比,本发明具有的有益效果为:提高了电极材料的比电容,同时提高了电容器的电学性能,具有广阔的应用前景。
较好地利用了单壁碳纳米管线性的特点,得到了一种新的复合物,即银与锰的复合氧化物纳米线材料,所得材料继承了单壁碳纳米管良好的线层结构,且结合了银与锰两种电化学活性材料的优点,同有机体系的电解液联用,进一步提高了电极材料的性能。
具体实施方式
以下实施列是对本发明的进一步说明,不是对本发明的限制。
实施例1
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1.2mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为2:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2g,单壁碳纳米管0.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
另取高锰酸钾6g,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将中间体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料
所述单壁碳纳米管为改性单壁碳纳米管。
所述改性碳纳米管的制备方法包括:
取单壁碳纳米管0.15g,N-甲基吡咯烷酮1000g,硝酸银0.6g,去离子水80g;
将单壁碳纳米管分散到N-甲基吡咯烷酮中,超声30min后,进行离心分离,取上清液为分散液;
将硝酸银溶解到去离子水中,再加入到分散液中,20~30摄氏度下搅拌反应48h,过滤,用去离子水洗涤2~3次,40摄氏度下真空干燥,得到改性碳纳米管。
实施例2
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1.2mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为2:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2g,单壁碳纳米管0.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料实施例3
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1.2mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为2:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2g,单壁碳纳米管0.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
另取高锰酸钾6g,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将中间体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料实施例4
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1.2mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为2:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
另取高锰酸钾6g,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将前驱体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的前驱体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的前驱体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
实施例5
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1.2mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为2:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2g,复合氧化物纳米线0.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入复合氧化物纳米线,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
所述单壁碳纳米管为改性单壁碳纳米管。
所述复合氧化物纳米线的制备方法包括:
取单壁碳纳米管0.15g,N-甲基吡咯烷酮1000g,硝酸银0.6g,去离子水80g;
将单壁碳纳米管分散到N-甲基吡咯烷酮中,超声30min后,进行离心分离,取上清液为分散液;
将硝酸银溶解到去离子水中,再加入到分散液中,20~30摄氏度下搅拌反应48h,过滤,用去离子水洗涤2~3次,40摄氏度下真空干燥,得到改性碳纳米管;
取高锰酸钾6g,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将改性碳纳米管浸泡到高锰酸钾溶液中,5℃下反应4h,得到复合氧化物纳米线。
对比例1
一种电容器的生产工艺,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将氢氧化钾和水制成电解液,所述氢氧化钾的浓度为1.25mol/L;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管2g,单壁碳纳米管0.15g,乙酸锰4g,2%高锰酸钾200g,碳粉0.2g,聚四氟乙烯0.1g;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
另取高锰酸钾6g,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将中间体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料所述单壁碳纳米管为改性单壁碳纳米管。
所述改性碳纳米管的制备方法包括:
取单壁碳纳米管0.15g,N-甲基吡咯烷酮1000g,硝酸银0.6g,去离子水80g;
将单壁碳纳米管分散到N-甲基吡咯烷酮中,超声30min后,进行离心分离,取上清液为分散液;
将硝酸银溶解到去离子水中,再加入到分散液中,20~30摄氏度下搅拌反应48h,过滤,用去离子水洗涤2~3次,40摄氏度下真空干燥,得到改性碳纳米管。
实验例
将实施例1~5对比例1所制电极材料裁剪为2cm×2cm电极片,以1片电极片为正极;考虑合适的正负极容量配比,以2片相同尺寸的多孔活性炭电极片为负极,隔膜用聚乙烯无纺布,以不锈钢外壳制成超级电容器。
测试电极材料的比容量,比容量的测试条件按正极符合材料质量计算,以电流密度50mA/g充电到1.2V、1.2V恒压充电10min、静置10s后以电流密度50mA/g放电到0.6V;循环性能按上述测试条件进行5000次不断充放电循环,计算容量衰减率。测试结果如下表所示。
比容量 容量衰减率
实施例1 585F/g 5%
实施例2 464F/g 14%
实施例3 454F/g 11%
实施例4 390F/g 25%
实施例5 565F/g 7%
对比例1 571F/g 9%
从上表可知,实施例1中的电极材料上,尤其是在电极材料表面的单壁碳纳米管的位置形成了二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线,对于提升电极材料的性能有重要作用,尤其是长期使用过程中容量衰减率较低。
实施例2中的压制成型后的材料未经改性处理,实施例3中的碳纳米管未改性,两个实施例对应的电极材料的比电容低于实施例1,容量衰减率也高于实施例1,表明在电极材料表面原位形成一定量的的二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线有助于提高电极材料的性能。
实施例4中的电解液直接增加的多壁碳纳米管的含量,没有多壁碳纳米管重新分散后添加到前驱体粉末中的步骤,比电容较低,容量衰减也比较严重。
实施例5中直接将复合氧化物纳米线作为原材料来制备电极材料,其性能并未强于实施例1。
对比例1中的电解液同实施例1不同,表明只有采用有机体系的电解液才能进一步提高电容器的性能。
上列详细说明是针对本发明可行实施例的具体说明,以上实施例并非用以限制本发明的专利范围,凡未脱离本发明所为的等效实施或变更,均应包含于本案的专利范围中。

Claims (10)

1.一种电容器的生产工艺,其特征在于,包括:
将电极材料压在正极集流体表面,干燥得到正极;
将多空活性炭制成负极;
将四乙基四氟硼酸铵、环丁砜、乙腈制成电解液,所述四乙基四氟硼酸铵的浓度为1~1.5mol/L,所述环丁砜与乙腈的质量比为1~3:1;
将所述正极、所述负极、所述电解液及隔膜封装到壳体中,得到电容器。
2.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,所述电极材料的制备方法包括:
取多壁碳纳米管1~5质量份,单壁碳纳米管0.1~0.5质量份,乙酸锰5~10质量份,2%高锰酸钾150~250质量份,碳粉0.1~0.5质量份,聚四氟乙烯0.05~0.2质量份;
将多壁碳纳米管、乙酸锰加入到100倍量的去离子水中,混合均匀,超声30min,后滴加2%的高锰酸钾的溶液,滴加过程中保持搅拌,滴加完成后,搅拌4h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到前驱体粉末;
将前驱体粉末重新分散到100倍量的去离子水中,加入单壁碳纳米管,超声2h,过滤,将滤渣用水清洗3~5次,烘干后得到中间体粉末;
将碳粉、聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
3.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,多壁碳纳米管2~5质量份,单壁碳纳米管0.15~0.5质量份,乙酸锰4~10质量份,2%高锰酸钾200~250质量份,碳粉0.2~0.5质量份,聚四氟乙烯0.1~0.2质量份。
4.根据权利要求2所述的电容器的生产工艺,其特征在于,多壁碳纳米管2质量份,单壁碳纳米管0.15质量份,乙酸锰4质量份,2%高锰酸钾200质量份,碳粉0.2质量份,聚四氟乙烯0.1质量份。
5.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,加入中间体粉末前还包括:
取高锰酸钾5~10质量份,溶解到100倍量的去离子水中,得到高锰酸钾溶液;
将中间体粉末加入到高锰酸钾溶液中,5℃下反应48h,反应过程中,对高锰酸钾溶液进行慢速搅拌,得到改性的中间体粉末;
将所述碳粉、所述聚四氟乙烯分散到20倍量的去离子水中,加入改性的中间体粉末,超声30min,干燥,压制成型,得到电极材料。
6.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,所述单壁碳纳米管为改性单壁碳纳米管。
7.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,所述改性碳纳米管的制备方法包括:
取单壁碳纳米管0.1~0.5质量份,N-甲基吡咯烷酮800~1200质量份,硝酸银0.2~1质量份,去离子水50~100质量份;
将单壁碳纳米管分散到N-甲基吡咯烷酮中,超声30min,取上清液,得到分散液;
将硝酸银溶解到去离子水中,再加入到分散液中,20~30摄氏度下搅拌反应48h,过滤,用去离子水洗涤2~3次,40摄氏度下真空干燥,得到改性碳纳米管。
8.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,取单壁碳纳米管0.15~0.5质量份,N-甲基吡咯烷酮1000~1200质量份,硝酸银0.6~1质量份,去离子水80~100质量份。
9.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,取单壁碳纳米管0.15质量份,N-甲基吡咯烷酮1000质量份,硝酸银0.6质量份,去离子水80质量份。
10.根据权利要求1所述的电容器的生产工艺,其特征在于,超声30min后,进行离心分离,取上清液为分散液。
CN202110153765.9A 2021-02-04 2021-02-04 一种电容器的生产工艺 Pending CN112908711A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110153765.9A CN112908711A (zh) 2021-02-04 2021-02-04 一种电容器的生产工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110153765.9A CN112908711A (zh) 2021-02-04 2021-02-04 一种电容器的生产工艺

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112908711A true CN112908711A (zh) 2021-06-04

Family

ID=76122222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110153765.9A Pending CN112908711A (zh) 2021-02-04 2021-02-04 一种电容器的生产工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112908711A (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101966976A (zh) * 2010-09-21 2011-02-09 南京理工大学 二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线及其采用单壁碳纳米管为模板的制备方法
CN102683037A (zh) * 2012-05-10 2012-09-19 中国第一汽车股份有限公司 二氧化锰不对称超级电容器及其制备方法
CN103346021A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 中国铝业股份有限公司 一种混合型电化学电容器
CN103400701A (zh) * 2013-07-11 2013-11-20 燕山大学 一种二氧化锰/碳纳米管复合材料及其制备方法
CN103545122A (zh) * 2013-10-30 2014-01-29 中国第一汽车股份有限公司 一种超级电容器用二氧化锰/碳复合材料的制备方法
CN104609476A (zh) * 2014-12-16 2015-05-13 安泰科技股份有限公司 一种以单壁碳纳米管为轴制备同轴复合纳米线的方法
CN104900419A (zh) * 2015-04-16 2015-09-09 电子科技大学 使用CNTs@SiO2@Ni/Al-LDH核壳结构为正极材料的超级电容器
WO2020081167A2 (en) * 2018-09-06 2020-04-23 Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Porous carbon fiber electrodes, methods of making thereof, and uses thereof
CN111825076A (zh) * 2020-06-19 2020-10-27 郑州轻工业大学 一种核鞘纳米电缆结构的碳纳米管/MnO2复合材料及其制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101966976A (zh) * 2010-09-21 2011-02-09 南京理工大学 二氧化锰-氧化银复合氧化物纳米线及其采用单壁碳纳米管为模板的制备方法
CN102683037A (zh) * 2012-05-10 2012-09-19 中国第一汽车股份有限公司 二氧化锰不对称超级电容器及其制备方法
CN103346021A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 中国铝业股份有限公司 一种混合型电化学电容器
CN103400701A (zh) * 2013-07-11 2013-11-20 燕山大学 一种二氧化锰/碳纳米管复合材料及其制备方法
CN103545122A (zh) * 2013-10-30 2014-01-29 中国第一汽车股份有限公司 一种超级电容器用二氧化锰/碳复合材料的制备方法
CN104609476A (zh) * 2014-12-16 2015-05-13 安泰科技股份有限公司 一种以单壁碳纳米管为轴制备同轴复合纳米线的方法
CN104900419A (zh) * 2015-04-16 2015-09-09 电子科技大学 使用CNTs@SiO2@Ni/Al-LDH核壳结构为正极材料的超级电容器
WO2020081167A2 (en) * 2018-09-06 2020-04-23 Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Porous carbon fiber electrodes, methods of making thereof, and uses thereof
CN111825076A (zh) * 2020-06-19 2020-10-27 郑州轻工业大学 一种核鞘纳米电缆结构的碳纳米管/MnO2复合材料及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107359054B (zh) 一种复合电极材料、其制备方法及应用
CN105097299B (zh) 四氧化三钴/NiCoAl双层氢氧化物复合材料及其制备方法
CN109390561B (zh) 一种石墨烯铅碳电池的铅负极板及其制备方法
CN107919463B (zh) 一种铅炭电池负极材料、铅炭电池和制备方法
CN104966625B (zh) 一种掺N多孔碳/NiO复合材料及其制备方法
CN109741966B (zh) 一种Ni6MnO8@碳纳米管复合材料及其制备方法和应用
Yuan et al. Preparation of cellulose-based carbon nanofibers/NiCo2S4 composites for high-performance all-solid-state symmetric supercapacitors
CN114665053B (zh) 一种二氧化锰纳米材料正极极片及其制备方法和含有其的锌离子电池
Lv et al. A novel NiMn2O4@ NiMn2S4 core-shell nanoflower@ nanosheet as a high-performance electrode material for battery-type capacitors
Zhang et al. Nanocellulose/nitrogen and fluorine co-doped graphene composite hydrogels for high-performance supercapacitors
Chen et al. High-performanced flexible solid supercapacitor based on the hierarchical MnCo2O4 micro-flower
CN112038106B (zh) 一种电极材料及其制备方法和超级电容器电极
CN111063549B (zh) 二维MOFs纳米片衍生的混合电容器全电极材料
CN112927947A (zh) 一种基于蛋黄壳结构的镍钴硫电极材料、制备方法及超级电容器
CN106057497B (zh) 一种三明治结构复合石墨烯纸电极材料的制备方法
CN105869901B (zh) 一种结构可控的碳纳米纤维复合材料及其制备方法和应用
CN112908711A (zh) 一种电容器的生产工艺
CN112908729B (zh) 一种电容器的电极材料及其制备方法
KR102518691B1 (ko) 음극 활물질, 이를 포함하는 음극, 이를 포함하는 이차 전지, 및 음극 활물질의 제조 방법
KR102518143B1 (ko) 스프레이건조를 이용한 활물질 제조방법, 이를 통해 제조된 활물질 및 이를 포함하는 에너지 저장 디바이스
CN113299901B (zh) 磷掺杂五氧化二钒/七氧化三钒多孔纳米纤维及其制备方法和应用
CN111710532B (zh) 一种三氧化二锑-碳纳米管复合材料及其制备和应用
CN107394179A (zh) 一种石墨烯模板垂直生长大孔氧化锰纳米片复合材料的制备及其应用
CN113643908A (zh) 一种(Ni,Co)3S4/CNT材料及其制备方法和应用
CN108766779B (zh) 钴镍基超级电容器、其粉体及粉体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210604