CN112893453A - 玉米和蟛蜞菊间作并接种amf修复镉污染土壤的方法 - Google Patents
玉米和蟛蜞菊间作并接种amf修复镉污染土壤的方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于重金属污染修复技术和农产品种植技术领域,具体涉及玉米和蟛蜞菊间作并接种AMF修复镉污染土壤的方法。该方法采取间作的方式在被镉污染的土壤中种植蟛蜞菊和玉米,并将丛枝菌根真菌菌剂添加到被镉污染的土壤中;其中丛枝菌根真菌侵染至植蟛蜞菊和玉米根系并于宿主共生,大量延伸到土壤中的根外丛枝菌根真菌菌丝扩大了根系的吸收面积,改善玉米和蟛蜞菊的矿质营养状况,尤其是P素营养,从而促进玉米和蟛蜞菊的生长。同时,接种丛枝菌根真菌降低了玉米镉含量和吸收量,保障农产品的安全;相反提高了蟛蜞菊镉含量和吸收量,进一步提高蟛蜞菊修复镉污染土壤的效率。
Description
技术领域
本发明属于重金属污染修复技术和农产品种植技术领域。更具体地,涉及玉米和蟛蜞菊间作并接种AMF修复镉污染土壤的方法。
背景技术
由于农田污灌、固体废弃物施用以及矿山开采与冶炼等人类活动,土壤镉污染越来越严重。并且镉在土壤中移动性大、毒性高,是环境中最毒的无机污染物之一;当镉被植物吸收后进入植物体,可通过食物链富集进入人体,严重威胁着农业生产和人类健康。因此,必须采取措施降低土壤和农作物中重金属含量以保障农业生产安全。
植物修复是指利用植物去除环境污染物或降低污染物毒性的一种技术。重金属污染土壤的植物修复可分为植物提取、植物稳定和植物挥发。其中,植物提取又称植物吸收,是指利用植物对重金属的吸收作用和在地上部分的积累,通过收获其地上部分进行集中处理,以达到降低土壤中重金属含量的目的。但是一些重金属超积累植物存在植株矮小、生长缓慢、生物量低等缺点,导致重金属污染修复的效率低、修复时间长等。
现有技术常在种植农作物中接种丛枝菌根真菌(Arbuscular mycorrhizalfungi,AMF)来降低农作物的重金属积累。如zhang等(Zhang et al.Arbuscularmycorrhizal fungi alleviate Cd phytotoxicity by altering Cd subcellulardistribution and chemical forms in Zea mays.Ecotoxicology and EnvironmentalSafety,2019,171(APR.):352-360.)公开了将玉米接种AMF-地表球囊霉和根内根孢囊霉,可以促进玉米生长并降低玉米对镉的积累。但是针对大面积污染的耕地,该方法修复的效率低、修复时间长,从而影响农民的收入,经济效益低;另外的,中国专利申请CN108901686A公开了一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法,该方法将玉米和野生龙葵均匀间作,收获的玉米各器官镉浓度显著下降,但是该方法仅适用于郑单958号玉米品种和野生龙葵,对于其他品种是否可以种植,种植效果如何,尚未可知也无法预料;并且土壤中仍然残留较多的镉,修复效果并不理想。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有镉污染土壤修复方法修复效率低和经济效率低的缺陷和不足,提供一种玉米和蟛蜞菊间作并接种丛枝菌根真菌修复镉污染土壤的方法,显著降低玉米镉积累,提高蟛蜞菊修复镉污染土壤效率,达到边生产边修复镉污染土壤,同时提高修复效率和经济效率的目的。
本发明的目的是提供一种玉米和蟛蜞菊间作并接种丛枝菌根真菌修复镉污染土壤的方法。
本发明上述目的通过以下技术方案实现:
一种玉米和蟛蜞菊间作并接种丛枝菌根真菌修复镉污染土壤的方法,采取间作的方式在被镉污染的土壤中种植蟛蜞菊和玉米,并将丛枝菌根真菌菌剂添加到被镉污染的土壤中。
丛枝菌根真菌可以促进植物生长,缓解重金属对植物的毒害,影响植物对重金属的吸收、转运和积累,加快土壤中重金属的植物提取或植物稳定。但是其对植物的镉吸收、转运和积累的影响,与镉污染程度、AMF和植物种类等相关,可能是强化植物的镉吸收,也可能是削弱植物的镉吸收,其效果无法预料。
蟛蜞菊(Sphagneticola calendulacea)是华南常见的多年生园林绿化草本植物,匍伏状,侵占能力强,种植后能很快地抑制其他杂草生长,趋于单一种群成片生长。研究表明其对重金属镉有一定的富集能力,但是当与其他植物一起种植时,可能会影响其他植物的生长。
间作是我国传统农业生产中普遍且极为重要的栽培方式,是指两种或多种作物分行或分带在同一生长期生长在同一块地的种植方式,它可通过各类作物之间不同的组合方式,来充分利用光能、水分和养分等有限资源,提高作物产量。但是由于不同植物的生长条件、习性不同,可能会出现营养掠夺,抑制生长的情况。因此,如何让间作种植的植物共同健康生长,仍需花费大量的创造性劳动。
本发明采取间作的方式在被镉污染的土壤中种植蟛蜞菊和玉米,并将丛枝菌根真菌菌剂添加到被镉污染的土壤中;其中丛枝菌根真菌菌剂侵染至植物蟛蜞菊和玉米根系并于宿主共生,大量延伸到土壤中的根外丛枝菌根真菌菌丝扩大了根系的吸收面积,改善玉米和蟛蜞菊的矿质营养状况,尤其是P素营养,从而促玉米和蟛蜞菊同时健康生长。同时,接种丛枝菌根真菌降低了玉米镉含量和吸收量,保障农产品的安全;相反提高了蟛蜞菊镉含量和吸收量,进一步提高蟛蜞菊修复镉污染土壤的效率。
优选地,所述丛枝菌根真菌菌剂中丛枝菌根真菌选自摩西斗管囊霉Funneliformis mosseae、地表球囊霉Glomus versiforme和根内根孢囊霉Rhizophagusintraradices中的一种或多种。
更优选地,所述丛枝菌根真菌菌剂中丛枝菌根真菌为地表球囊霉Glomusversiforme。
进一步地,所述丛枝菌根真菌菌剂包括玉米根段、真菌菌丝、菌根真菌孢子和土壤。
更进一步地,所述丛枝菌根真菌菌剂的制备包括以下步骤:
将丛枝菌根真菌接种至无菌土壤中,接种量为土壤重量的3~4%,播种玉米种子,于22~28℃温度下培育3~5个月,收获时剪去玉米地上部分,收获地下的玉米根段、真菌菌丝、菌根真菌孢子和土壤,粉碎,冷藏待用。
进一步地,所述丛枝菌根真菌菌剂的接种量为土壤重量的3~4%。
更进一步地,所述玉米和蟛蜞菊的间作比例为1:1~2。
进一步地,所述蟛蜞菊每行的株距为20~30cm,玉米每行的株距为20~30cm。
更进一步地,所述蟛蜞菊与玉米之间的行距为10~15cm。
进一步地,所述玉米的品种为京科516。发明人经过大量创造性劳动发现,不是所有AMF都能降低玉米京科516的镉浓度,摩西斗管囊霉提高玉米京科516的镉含量;不是所有AMF都能提高蟛蜞菊镉浓度,根内根孢囊霉降低蟛蜞菊镉含量。发明人的研究结果表明,地表球囊霉具有降低玉米京科516的镉浓度同时能提高蟛蜞菊镉浓度的作用。
本发明具有以下有益效果:
本发明采取间作的方式在被镉污染的土壤中种植蟛蜞菊和玉米,并将丛枝菌根真菌菌剂添加到被镉污染的土壤中;其中丛枝菌根真菌菌剂侵染至植蟛蜞菊和玉米根系并于宿主共生,大量延伸到土壤中的根外丛枝菌根真菌菌丝扩大了根系的吸收面积,改善玉米和蟛蜞菊的矿质营养状况,尤其是P素营养,从而促玉米和蟛蜞菊同时健康生长。同时,接种丛枝菌根真菌降低了玉米镉含量和吸收量,保障农产品的安全;相反提高了蟛蜞菊镉含量和吸收量,进一步提高蟛蜞菊修复镉污染土壤的效率。
具体实施方式
以下结合具体实施例来进一步说明本发明,但实施例并不对本发明做任何形式的限定。除非特别说明,本发明采用的试剂、方法和设备为本技术领域常规试剂、方法和设备。
本发明地表球囊霉(Glomus versiforme)、摩西斗管囊霉(Funneliformismosseae)和根内根孢囊霉(Rhizophagus intraradices),由北京市农林科学院植物营养与资源研究所提供。
除非特别说明,以下实施例所用其他试剂和材料均为市购。
实施例1丛枝菌根真菌菌剂的扩繁培养
利用玉米作为宿主植物进行盆栽扩繁后,将含有宿主植物根段、真菌菌丝、菌根真菌孢子和盆栽土壤的混合物作为接种的地表球囊霉菌剂。具体包括以下步骤:
S1、装灭菌的沙土(沙:土(W:W)=1:1)培养基至塑料盆的4/5,按照4%(W:W)的接种量将地表球囊霉接种剂均匀平铺在基质上一薄层,覆盖灭菌的沙土2cm,浇水,播种玉米种子10~15粒/盆,覆盖0.5cm灭菌的沙土,移至温室培养;
S2、盆栽5个月后进行收获,收获时,先剪去植物株地上部分茎叶,将盆置于温度湿度相对稳定的房间干燥两周,然后收获盆中所有培养物(包括植物根系、菌丝、孢子和基质);
S3、操作桌面先用70%酒精擦拭消毒,再在桌面上覆盖3层干净的纸,将盆中培养物倒在纸上,用火焰消毒的短柄斧剁碎,用两张纸卷起剁碎了的培养物,纸筒的一端插入预先准备的能封口的干净塑料袋中。当所有的培养物都转移入袋中后,轻轻取出纸,封上袋,任何时候都不要让手接触到一点盆栽培养物,再在外面套一个相同的塑料袋,然后放置在4℃冰箱中保藏待用,得到地表球囊霉菌剂。
摩西斗管囊霉菌剂、根内根孢囊霉菌剂参考上述方法制备得到。
实施例2接种AMF对玉米和蟛蜞菊生长和吸收镉的影响
1、实验材料
(1)供试植物蟛蜞菊育苗
蟛蜞菊以无性繁殖的方式扩繁,将其匍匐茎叶片除去,剪成8~10厘米长的茎段并且保证每小段具有两个节,将其形态学下端的节间置于含有生根粉的溶液中浸泡4~5小时后,将茎条取出并转移至装有自来水的培养瓶中在培养箱中进行室温培养,其中培养瓶用锡箔纸包住遮光;待蟛蜞菊根长至2~3厘米,茎段上长出嫩芽后,将幼苗移植到装有土壤花盆内进行培养。
(2)供试植物玉米育苗
供试植物为玉米,品种为京科516;发芽前,种子用10%NaClO浸泡10min对其表面消毒,用去离子水反复洗净,将种子放入灭菌的沙子中,置于光照培养箱内催芽,温度设置为28℃,光照和暗处理各12小时;催芽3到4天后,挑选长势良好、高度一致(3~5cm)的玉米苗进行移栽。
(3)供试地表球囊霉菌剂、摩西斗管囊霉菌剂、根内根孢囊霉菌剂:由实施例1方法制备得到。
(4)供试土壤
实验土壤采自华南师范大学生物园,土壤基本理化性质如下:pH 6.23、Cd 0.05mgkg-1、Zn 75.0mg kg-1、Pb 34.00mg kg-1,有机质1.65%。
将采回的土壤经自然风干后磨碎,过2mm筛,在连续高温高压蒸汽灭菌2小时(121℃),土壤自然冷却后,为避免土壤板结,与同样高温高压蒸汽灭菌处理的河沙以2:1的比例混合均匀,土壤添加CdCl2·2.5H2O,浓度为5mg Cd kg-1。加水浸润搅拌使土壤中的镉分布均匀且稳定,而后静置于阴凉通风处稳定两个月后备用。
2、实验过程
实验设置接种AMF和不接种AMF处理,每个处理5个重复。试验盆为容量11kg土的塑料花盆(高21cm、内口直径28cm、底部直径19cm),将AMF菌剂按4%质量比(w:w)的接种量与灭菌土壤均匀混合后装盆,同时未接种AMF处理的添加等量的灭菌(121℃,2h)菌剂;每盆移栽4株生长状况良好且长势一致的玉米或蟛蜞菊幼苗。将移栽好的盆栽摆放在温室中进行培养,培养温度为22~28℃,每两天浇一次无菌水,保持土壤55~62%持水量,培养三个月后收获植物并测定相关指标。
3、试验指标测定及结果
(1)浸染率的测定
用蒸馏水将根洗净,剪成约1cm长的小段,放入15%的KOH溶液中,90℃恒温水浴30min,用蒸馏水轻轻漂洗根样;用10%的H2O2漂白30min,用蒸馏水冲洗;再将根浸入1%的HCl溶液中静置3min,用蒸馏水洗去HCl溶液后,加入0.05%的Trypanblue染液,90℃水浴下染色30min,染色后,用酸性甘油(乳酸:甘油1:1)洗去根的浮色,随机挑取50条根段于显微镜下观察侵染情况。参照Giovannetti等(1980)的方法计算AMF侵染强度,结果见表1。
表1玉米和蟛蜞菊的侵染率(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,没有接种AMF的处理,未发现AMF侵染玉米和蟛蜞菊根部,而接种AMF的处理,玉米和蟛蜞菊根部有AMF侵染现象,且侵染率高,表示玉米和蟛蜞菊与三种AMF:摩西斗管囊霉、地表球囊霉和根内根孢囊霉有很好的共生关系。
(2)植物生物量的测定
将植物收获后,用去离子水冲洗干净,分开植物地上(茎、叶和花)和地下部分,置于80℃烘箱中72小时至恒重,称干重作为植物生物量;结果见表2。
表2不同AMF对玉米和蟛蜞菊的生物量影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,接种的三种AMF:摩西斗管囊霉、地表球囊霉和根内根孢囊霉均能提高玉米和蟛蜞菊生物量。
(3)植物镉含量的测定
采用HNO3-HClO4-HF消解待测植物,用TAS-986火焰型原子吸收仪测定溶液中镉含量,结果见表3。
表3不同AMF对玉米和蟛蜞菊的镉含量影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,地表球囊霉和根内根孢囊霉降低玉米京科516的镉含量,而摩西斗管囊霉提高玉米京科516的镉含量;三种AMF均提高玉米京科糯2000和玉米华旺甜7号的镉含量;另外,地表球囊霉和摩西斗管囊霉提高蟛蜞菊镉含量,而根内根孢囊霉降低蟛蜞菊镉含量。因此,选择具有降低了玉米京科516的镉含量同时提高蟛蜞菊镉含量作用的地表球囊霉作后续的研究。
实施例3玉米和蟛蜞菊间作并接种AMF修复镉污染土壤的方法
1、实验材料:土壤添加CdCl2·2.5H2O,浓度为1mg Cd kg-1。其他参考实施例2。
2、实验过程:
各组实验处理为:
单作-M:玉米或蟛蜞菊单作并不接种AMF-地表球囊霉;
间作-M:玉米和蟛蜞菊间作并不接种AMF-地表球囊霉;
单作+M:玉米或蟛蜞菊单作并接种AMF-地表球囊霉;
间作+M:玉米和蟛蜞菊间作并接种AMF-地表球囊霉。
其中,蟛蜞菊与玉米的间作比例为1:1,株距为10cm,行距为10cm。
试验盆为容量11kg土的塑料花盆(高21cm、内口直径28cm、底部直径19cm),将AMF菌剂按4%质量比(w:w)的接种量与灭菌土壤均匀混合后装盆,同时未接种AMF处理的添加等量的灭菌(121℃,2h)菌剂;单作处理每盆移栽4株生长状况良好且长势一致的玉米或蟛蜞菊幼苗,间种处理每盆移栽2株玉米和蟛蜞菊幼苗。将移栽好的盆栽摆放在温室中进行培养,培养温度为22~28℃,每两天浇一次无菌水,保持土壤55~62%持水量,培养三个月后收获植物并测定相关指标。
3、实验指标测定及结果:
(1)浸染率的测定
实验方法参考实施例2,结果见表4。
表4玉米和蟛蜞菊的侵染率(平均值±标准差,n=5)
处理 | 玉米侵染率(%) | 蟛蜞菊侵染率(%) |
单作-M | 0 | 0 |
间作-M | 0 | 0 |
单作+M | 72±6.2a | 65±4.2a |
间作+M | 71±4.2a | 67±5.3a |
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,没有接种地表球囊霉处理的单作-M组和间作-M组,没有发现AMF-地表球囊霉侵染植物根部;而接种地表球囊霉处理的单作+M组和间作+M组,两种植物根都被AMF-地表球囊霉侵染了,且侵染率高,表示植物和地表球囊霉的共生关系好。
(2)植物生物量的测定
实验方法参考实施例2,结果见表5。
表5间作和接种地表球囊霉对玉米和蟛蜞菊生物量的影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,与单作-M组比较,添加地表球囊霉(单作+M)和间作并接种地表球囊霉(间作+M)均可以明显增加玉米的地上、地下和籽粒生物量;同样,添加地表球囊霉(单作+M)和间作并接种地表球囊霉(间作+M)的蟛蜞菊地上和地下生物量明显增加。
(3)植物体磷含量测定
将植株根茎叶各部分用清水洗干净,然后放入烘箱内75℃烘48h,直至恒重。分别称取烘干的根茎叶各部分用硫酸-过氧化氢进行消化,冷却稀释后,P含量采用钼锑抗分光光度法测定,结果见表6。
表6间作和接种地表球囊霉对玉米和蟛蜞菊P含量的影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,接种地表球囊霉促进了玉米和蟛蜞菊吸收P的能力,与单作-M组比较,单作+M和间作+M二个处理组的玉米和蟛蜞菊的地上和地下P含量明显增加。
(4)玉米和蟛蜞菊净光合速率测定
用LI-6400便携式光合作用分析仪(LI-COR,Inc,USA)测定玉米和蟛蜞菊净光合速率;光源使用叶室内标配的LED红蓝光源,CO2浓度为400μmol mol-1,光强为800μmolm-2s-1,待数值稳定后记录数据;仪器自动计算和保存净光合速率。结果见表7。
表7间作和接种地表球囊霉对玉米和蟛蜞菊光合速率的影响(平均值±标准差,n=5)
处理 | 玉米净光合速率(μmolCO<sub>2</sub> m<sup>-2</sup>s<sup>-1</sup>) | 蟛蜞菊净光合速率(μmolCO<sub>2</sub> m<sup>-2</sup>s<sup>-1</sup>) |
单作-M | 9.43±0.85a | 11.19±0.92a |
间作-M | 11.51±0.91b | 13.53±1.12b |
单作+M | 14.33±1.12d | 17.26±1.35d |
间作+M | 12.89±0.95c | 15.93±1.21c |
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,间作和接种地表球囊霉促进了玉米和蟛蜞菊的光合作用,与单作-M组比较,间作-M、单作+M和间作+M三个处理组的玉米和蟛蜞菊净光合速率明显上升。
(5)植物镉含量的测定
采用HNO3-HClO4-HF消解待测植物,用TAS-986火焰型原子吸收仪测定溶液中镉含量,结果见表8。
表8间作和接种地表球囊霉对玉米和蟛蜞菊镉含量的影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,与单作-M组比较,间作-M、单作+M和间作+M三个处理组玉米的地上、地下和籽粒镉含量显著降低。而且,间作和接种地表球囊霉的复合处理组玉米的地上、地下和籽粒镉含量最低,分别为0.37、3.34和0.15mg/kg,下降幅度分别达到60%、46%和81%。其中,间作并接种地表球囊霉(间作+M)组中玉米籽粒中的镉浓度为0.15mg/kg,低于我国GB2762-2012食品中重金属限量标准(0.2mg/kg)。
相反,与单作-M组比较,间作-M、单作+M和间作+M三个处理组蟛蜞菊的地上和地下镉含量显著增加。而且,间作并接种地表球囊霉的复合处理组(间作+M)蟛蜞菊的地上和地下镉含量最高,分别为8.55和8.53mg/kg,增加幅度分别为31%和32%。
(6)植物镉吸收量的测定
测定/计算方法:植物镉吸收量=植物镉含量*植物生物量
结果见表9~10。
表9间作和接种地表球囊霉对玉米镉吸收量的影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,与单作-M组比较,间作-M、单作+M和间作+M三个处理组玉米的地上、地下和整个植株镉吸收量显著降低。而且,间作和接种地表球囊霉的复合处理组(间作+M)玉米的地上、地下和整个植株镉吸收量最低,分别为1.90、4.74和6.75μg/植株,下降幅度分别达到56%、38%和45%。
表10间作和接种地表球囊霉对蟛蜞菊镉吸收量的影响(平均值±标准差,n=5)
其中,不同字母代表差异显著(p<0.05)。
由表可见,与单作-M组比较,间作-M、单作+M和间作+M三个处理组蟛蜞菊的地上、地下和整个植株镉吸收量显著增加。而且,间作并接种AMF的复合处理组蟛蜞菊的地上、地下和整个植株镉吸收量最高,分别为68.65、10.58和79.23μg/植株,增加幅度分别为62%、49%和61%。
综上,在地表球囊霉-玉米和蟛蜞菊间作体系中,玉米镉含量和吸收量显著降低,其中,间作+M组中玉米籽粒中的镉浓度为0.15mg/kg,低于我国GB2762-2012食品中重金属限量标准(0.2mg/kg),保证了玉米生产安全。同时,蟛蜞菊镉含量和吸收量显著增加,大大提高了蟛蜞菊对镉污染土壤的修复效率。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种玉米和蟛蜞菊间作并接种丛枝菌根真菌修复镉污染土壤的方法,其特征在于,采取间作的方式在被镉污染的土壤中种植蟛蜞菊和玉米,并将丛枝菌根真菌菌剂添加到被镉污染的土壤中。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述丛枝菌根真菌菌剂中丛枝菌根真菌选自摩西斗管囊霉Funneliformis mosseae、地表球囊霉Glomus versiforme和根内根孢囊霉Rhizophagus intraradices中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述丛枝菌根真菌菌剂中丛枝菌根真菌为地表球囊霉Glomus versiforme。
4.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述丛枝菌根真菌菌剂包括玉米根段、真菌菌丝、菌根真菌孢子和土壤。
5.根据权利要求4所述方法,其特征在于,所述丛枝菌根真菌菌剂的制备包括以下步骤:
将丛枝菌根真菌接种至无菌土壤中,接种量为土壤重量的3~4%,播种玉米种子,于22~28℃温度下培育3~5个月,收获时剪去玉米地上部分,收获地下的玉米根段、真菌菌丝、菌根真菌孢子和土壤,粉碎,冷藏待用。
6.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述丛枝菌根真菌菌剂的接种量为土壤重量的3~4%。
7.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述玉米和蟛蜞菊的间作比例为1:1~2。
8.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述蟛蜞菊每行的株距为20~30cm,玉米每行的株距为20~30cm。
9.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述蟛蜞菊与玉米之间的行距为10~15cm。
10.根据权利要求1~9任一所述方法,其特征在于,所述玉米的品种为京科516。
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CN202110351395.XA CN112893453B (zh) | 2021-03-31 | 2021-03-31 | 玉米和蟛蜞菊间作并接种amf修复镉污染土壤的方法 |
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