CN112887880A - 电子装置及电子装置的制作方法 - Google Patents

电子装置及电子装置的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112887880A
CN112887880A CN202110035489.6A CN202110035489A CN112887880A CN 112887880 A CN112887880 A CN 112887880A CN 202110035489 A CN202110035489 A CN 202110035489A CN 112887880 A CN112887880 A CN 112887880A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
metal oxide
oxide layer
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110035489.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112887880B (zh
Inventor
胡小波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110035489.6A priority Critical patent/CN112887880B/zh
Publication of CN112887880A publication Critical patent/CN112887880A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112887880B publication Critical patent/CN112887880B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
    • H04R7/04—Plane diaphragms
    • H04R7/06—Plane diaphragms comprising a plurality of sections or layers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/03—Constructional features of telephone transmitters or receivers, e.g. telephone hand-sets
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
    • H04R2307/027—Diaphragms comprising metallic materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)

Abstract

本申请提供一种电子装置及电子装置的制作方法，该电子装置包括：显示组件和发声组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；发声组件包括：金属氧化层，设置于所述第一部分；金属层，具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分设置于所述金属氧化层，所述第四部分和所述第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔；激励器，设置于所述第三部分和所述第四部分，以驱动所述第四部分振动而发出声音，可见，可以直接在屏幕基板上形成该发声组件，无需在屏幕基板上挖孔，从而避免基板强度降低，进而提高了产品良率。

Description

电子装置及电子装置的制作方法
技术领域
本申请涉及一种发声设备技术，特别涉及一种电子装置及电子装置的制作方法
背景技术
近些年来，随着全面屏的发展越来越快，屏幕无孔化的需求随之而来。基于屏幕无孔化的要求，传统的在诸如智能手机等电子设备上开设听筒孔发声的技术，已经不再适合现阶段屏幕无孔化的要求，因此屏幕发声技术应运而生。与传统的内置扬声器相比，屏幕发声技术作为一种表面音频技术，直接利用屏幕振动发声，屏幕本身兼具显示器和扬声器的双重功效，无需再外置扬声器。
现有技术中，通常在屏幕基板上挖孔，使得屏幕部分悬空，以形成发声微腔，从而振动器可带动悬空的屏幕振动，进而产生声音。然而，在屏幕基板上挖孔会使得基板强度降低，产品良率难以得到保证。
发明内容
本申请实施例提供一种电子装置，以避免屏幕基板强度降低，提高产品良率。
本申请实施例提供一种电子装置，包括显示组件和发声组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
所述发声组件包括：
金属氧化层，设置于所述第一部分；
金属层，具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分设置于所述金属氧化层，所述第四部分和第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔；和
激励器，设置于所述第三部分和第四部分，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
在本申请实施例所提供的电子装置中，所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件内部的一面；或者
所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件外部的一面。
在本申请实施例所提供的电子装置中，所述第一基板是所述显示组件的盖板，所述第二基板是所述显示组件的TFT基板；或者
所述第一基板是所述显示组件的TFT基板，所述第二基板是所述显示组件的盖板。
在本申请实施例所提供的电子装置中，所述金属氧化层包括一体成型的第五部分和第六部分，所述第五部分连接所述第一部分和所述第三部分，所述第六部分设置于所述第二部分，且与所述第四部分通过所述发声微腔相互间隔。
在本申请实施例所提供的电子装置中，所述金属层开设有在所述金属层厚度方向贯穿所述金属层的通孔，所述通孔与所述发声微腔连通。
在本申请实施例所提供的电子装置中，所述通孔包括多个间隔设置的子通孔，所述发声微腔包括多个间隔设置的子发声微腔，每一所述子通孔与一所述子发声微腔连通。
本申请实施例还提供一种电子装置的制作方法，包括：
提供一显示组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层，所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第一部分相对，所述第四部分和所述第二部分相对；
对所述金属层进行第一刻蚀处理，以刻蚀未被所述保护层保护的金属层；
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的所述金属氧化层，以使所述第四部分和所述第二部分相互间隔形成一发声微腔；
剥离所述保护层；
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
在本申请实施例所提供的电子装置的制作方法中，对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，包括：
利用刻蚀液对所述金属氧化层进行湿法刻蚀处理；
其中，所述刻蚀液为PAN酸、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种，其中，所述PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。
在本申请实施例所提供的电子装置的制作方法中，制作所述金属氧化层的材料包括氧化铟锌、氧化钼和氧化铟锡中的一种；
制作所述金属层的材料包括钛、钼钛、钼铌、钨、钛钨和钼钽中的一种。
本申请实施例还提供一种电子装置的制作方法，包括：
提供一显示组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层，所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第一部分相对，所述第四部分和所述第二部分相对；
对所述金属层进行第一刻蚀处理，以刻蚀未被所述保护层保护的金属层；
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的部分所述金属氧化层，以在所述第二部分上形成所述金属氧化层的第六部分，且所述第六部分与所述第四部分相互间隔形成一发声微腔；
剥离所述保护层；
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
本申请实施例提供一种电子装置，包括：显示组件和发声组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；发声组件包括：金属氧化层，设置于所述第一部分；金属层，具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分设置于所述金属氧化层，所述第四部分和所述第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔；激励器，设置于所述第三部分和所述第四部分，以驱动所述第四部分振动而发出声音，可见，可以直接在屏幕基板上形成该发声组件，无需在屏幕基板上挖孔，从而避免基板强度降低，进而提高了产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例提供的电子装置的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例提供的电子装置的第二种结构示意图；
图3为本申请实施例提供的电子装置的第三种结构示意图；
图4为本申请实施例提供的电子装置的第四种结构示意图；
图5为本申请实施例提供的电子装置的第五种结构示意图；
图6为本申请实施例提供的电子装置的第六种结构示意图；
图7为本申请实施例提供的电子装置的第七种结构示意图；
图8为本申请实施例提供的电子装置的制作方法的第一种流程示意图；
图9为本申请实施例提供的与图8所示的电子装置的制作方法的各步骤对应的示意图；
图10为本申请实施例提供的电子装置的制作方法的第二种流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的电子装置1000的第一种结构示意图。其中，该电子装置1000可应用于LCD产品、OLED产品、micro-LED产品、mini-LED产品等。
该电子装置1000可包括显示组件10和发声组件20。显示组件10可包括第一基板110、第二基板130和设置于第一基板110和第二基板130之间的显示层120。第一基板110具有一体成型的第一部分111和第二部分112。
发声组件20可包括金属氧化层210、金属层220和激励器240。金属氧化层210设置于第一部分111。金属层220具有一体成型的第三部分221和第四部分222，第三部分221设置于金属氧化层210，第四部分222和第二部分112相对、且相互间隔形成一发声微腔230。激励器240设置于第三部分221和第四部分222，以驱动第四部分222振动而发出声音。
本申请实施例提供一种电子装置，包括：显示组件和发声组件，显示组件包括第一基板、第二基板和设置于第一基板和第二基板之间的显示层，第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；发声组件包括：金属氧化层，设置于第一部分；金属层，具有一体成型的第三部分和第四部分，第三部分设置于金属氧化层，第四部分和第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔；激励器，设置于第三部分和第四部分，以驱动第四部分振动而发出声音，可见，可以直接在屏幕基板上形成该发声组件，无需在屏幕基板上挖孔，从而避免基板强度降低，进而提高了产品良率。
其中，可通过对金属氧化层210进行湿法刻蚀处理形成发声微腔230。
具体的，可先在第一部分111和第二部分112上形成金属氧化层210，然后采用刻蚀液刻蚀掉第二部分112与第四部分222之间的金属氧化层210，使得第四部分222和第二部分112相对，且相互间隔形成一发声微腔230。其中，刻蚀液可以为PAN酸(Phosphoric acid、Acetic acid、Nitric acid)、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种。该PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。在上述多种刻蚀液中，PAN酸的刻蚀速度最快。
例如，可将第二部分112与第四部分222之间的金属氧化层210置于PAN酸中，以刻蚀掉第二部分112与第四部分222之间的金属氧化层210，使得第四部分222和第二部分112相对，且相互间隔形成一发声微腔230。
其中，为避免在对金属氧化层220进行湿法刻蚀处理时刻蚀掉金属层220，需要控制制作金属层220和金属氧化层210的材料，从而才能使得在金属氧化层210被刻蚀液刻蚀掉一部分的前提下，保持金属层220不被刻蚀液刻蚀掉，或者仅刻蚀掉很小的、可忽略不计的一部分，进而才能在金属层220和第一基板110之间形成发声微腔230。而由于钛(Ti)、钼钛(MoTi)、钼铌(MoNb)、钨(W)、钛钨(TiW)和钼钽(MoTa)均不易被刻蚀液刻蚀掉，因此，制作金属层220的材料可包括钛、钼钛、钼铌、钨、钛钨和钼钽中的一种。由于氧化铟锌(IZO)、氧化钼(MoOx)和氧化铟锡(ITO)均易被刻蚀液刻蚀掉，因此，制作金属氧化层210的材料可包括氧化铟锌、氧化钼和氧化铟锡中的一种。
在一些实施方式中，可通过集成电路(integrated circuit，IC)控制激励器240产生不同频率及幅度的机械振动，从而带动悬空的金属层220，即第四部分222发生机械振动，由于金属层220与第一基板110之间存在发声微腔230，因此第四部分222的振动可以产生声音，从而实现屏幕发声。
其中，上述发声微腔230仅仅是对发声微腔的一种示例，并不用于限制本申请。也即是说，本申请并不对发声微腔的具体形成方式以及具体形态进行限定，只要可在金属层和第一基板之间形成该发声微腔，均落入本申请的保护范围内。
在一些实施方式中，如图1所示，金属氧化层210可设置于第一基板110位于显示组件10外部的一面。
在一些实施方式中，金属氧化层210可设置于第一基板110位于显示组件10内部的一面。
在一些实施方式中，该第一基板110可以是显示组件10的盖板，第二基板130可以是显示组件10的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。
在一些实施方式中，该第一基板110也可以是显示组件10的TFT基板，第二基板130也可以是显示组件10的盖板。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的电子装置1000的第二种结构示意图。图2所示的电子装置1000与图1所示的电子装置1000的区别之处在于：金属层220开设有在金属层220厚度方向贯穿金属层220的通孔223。通孔223与发声微腔230连通。
其中，在对金属氧化层210进行湿法刻蚀处理形成发声微腔230时，可在金属层220上开设通孔223，将刻蚀液从通孔223灌入以刻蚀金属氧化层210，以形成发声微腔223。刻蚀结束后，可不对该通孔223进行填充，从而在最终形成的发声组件中，金属层220开设有在金属层200厚度方向贯穿金属层220的通孔223，且通孔223与发声微腔230连通。
具体的，可在第四部分222上开设通孔223，将刻蚀液从通孔223灌入以刻蚀第二部分112与第四部分222之间的金属氧化层210，以形成发声微腔223。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的电子装置1000的第三种结构示意图。图3所示的电子装置1000与图2所示的电子装置1000的区别之处在于：通孔223包括多个间隔设置的子通孔2231，发声微腔230包括多个间隔设置的子发声微腔2301，每一子通孔2231与一子发声微腔2301连通。
其中，在对金属氧化层210进行湿法刻蚀处理形成发声微腔230时，可在金属层230上间隔开设多个子通孔2231，将刻蚀液从每个子通孔2231灌入以刻蚀金属氧化层210，形成多个子发声微腔2301。刻蚀结束后，可不对多个子通孔2231进行填充，从而在最终形成的发声组件中，金属层220上间隔设置有多个子通孔2231，且每一子通孔2231与一子发声微腔2301连通。
具体的，可在第四部分222上间隔开设多个子通孔2231，将刻蚀液从每个子通孔2231灌入以刻蚀第二部分112与第四部分222之间的金属氧化层210，形成多个子发声微腔2301。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的电子装置1000的第四种结构示意图。在一些实施方式中，当多个子通孔2231之间的间隔较小时，随着刻蚀液的刻蚀，相邻子通孔2231对应的子发声微腔2301可能会相互连通，形成一更大的发声微腔。也即，一子发声微腔2301可以与至少一个子通孔2231连通。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的电子装置1000的第三种结构示意图。图5所示的电子装置1000与图1所示的电子装置1000的区别之处在于：图5所示的电子装置1000的金属氧化层210包括一体成型的第五部分211和第六部分212。其中，第五部分211连接第一部分111和第三部分221。第六部分212设置于第二部分112，且与第四部分222通过发声微腔230相互间隔。
其中，由于湿法刻蚀的刻蚀程度不同，在对金属氧化层210进行湿法刻蚀时，若刻蚀程度较小，在第二部分112与第四部分222之间会有部分金属氧化层210未被完整刻蚀掉，从而形成该第六部分212。
具体的，可将第二部分112与第四部分222之间的部分金属氧化层210置于刻蚀液中，以刻蚀掉第二部分112与第四部分222之间的部分金属氧化层210，从而形成该第六部分212。
其中，第六部分212的体积可以由刻蚀液的类型和刻蚀时间等确定。比如，由于PAN酸相对于其他刻蚀液的刻蚀能力更强，因此，在相同刻蚀时间和相同容量下，采用PAN酸刻蚀金属氧化层210可以形成体积更小的第六部分212。又比如，随着刻蚀液刻蚀时间的增加，第六部分212的体积也会相应减小。
具体的，当采用PAN酸对金属氧化层210进行刻蚀时，当刻蚀时间达到200s时，可以形成约3微米深的发声微腔。
如图6所示，图6为本申请实施例提供的电子装置的第六种结构示意图。在一些实施方式中，在对金属氧化层210进行湿法刻蚀处理形成发声微腔230时，可在金属层220上开设通孔223，将刻蚀液从该通孔223中灌入，以刻蚀掉金属层220下的部分金属氧化层210，具体可以是刻蚀掉第二部分112与第四部分222之间的部分金属氧化层210，形成该第六部分212，从而第六部分212通过发声微腔230与第四部分222相互间隔。而在刻蚀结束之后，可以不对该通孔223进行填充，从而在最终形成的发声组件20中，金属层220开设有在金属层220厚度方向贯穿金属层220的通孔223。且由于刻蚀液是从该通孔223中灌入刻蚀金属氧化层210的，因此在最终形成的发声组件20中，发声微腔230与通孔223连通。
如图7所示，图7为本申请实施例提供的电子装置的第七种结构示意图。在一些实施方式中，可以在对金属氧化层210进行湿法刻蚀处理形成发声微腔230时，在金属层220上间隔开设多个子通孔2231，将刻蚀液从多个子通孔2231中灌入，以刻蚀掉金属层220下的部分金属氧化层210，具体为刻蚀掉第二部分112与第四部分222之间的部分金属氧化层210，形成多个间隔的第六部分212。多个六部分212与第四部分222相互间隔形成多个子发声微腔2301。而在形成子发声微腔2301之后，可以不对多个子通孔2231进行填充，从而在最终形成的发声组件20中，金属层220包括多个间隔设置的子通孔2231，金属层220与第一基板110之间形成有多个间隔设置的子发声微腔2301，且每一子通孔2231与一子发声微腔2301连通。
在一些实施方式中，当多个子通孔2231之间的间隔较小时，随着刻蚀液的刻蚀，相邻子通孔2231对应的子发声微腔2301可能会相互连通，形成一更大的发声微腔。也即，一子发声微腔2301可以与至少一个子通孔2231连通。
请参阅图8，图8为本申请实施例提供的电子装置的制作方法的第一种流程示意图。图9为本申请实施例提供的与图8所示的电子装置的制作方法的各步骤对应的示意图。该电子装置的制作方法可以包括：
在步骤301中，提供一显示组件10，显示组件10包括第一基板110、第二基板130和设置于第一基板110和第二基板130之间的显示层120，第一基板110具有一体成型的第一部分111和第二部分112。
其中，该显示组件10可以为诸如手机等电子设备的屏幕组件。第一基板110可以为显示组件10的盖板，第二基板130可以为显示组件10的TFT基板。第一基板110可以为显示组件10的TFT基板，第二基板130可以为显示组件10的盖板。
在步骤302中，在第一基板110上依次形成金属氧化层210、金属层220和保护层500，金属层220具有一体成型的第三部分221和第四部分222，第三部分221和第一部分111相对，第四部分222和第二部分112相对。
具体的，可以在第一部分111和第二部分112上依次沉积金属氧化层210和金属层220，并在金属层220上制作保护层500，以使得金属层220被保护层500保护的部分可以免于刻蚀。其中，该保护层500可以为光刻胶图案。
其中，金属氧化层210和金属层220的厚度可以为1000埃～10000埃。
在步骤303中，对金属层220进行第一刻蚀处理，以刻蚀掉未被保护层500保护的金属层220。
其中，可以对金属层220进行干法刻蚀处理，以刻蚀掉未被保护层500保护的金属层220，从而在金属层220上形成各种图案，以用于布置各种电路。其中，反应气体可以为BCL3+CL2。
在步骤304中，对金属氧化层230进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于第四部分222和第二部分112之间的金属氧化层230，以使第四部分222和第二部分112相互间隔形成一发声微腔230。
比如，可以对金属氧化层230进行湿法刻蚀处理，以刻蚀掉位于第四部分222和第二部分112之间的金属氧化层230，从而使得第四部分222与第二部分112相互间隔形成发声微腔230。
例如，将位于第四部分222和第二部分112之间的金属氧化层230置于刻蚀液中，以刻蚀金属氧化层230。
在步骤305中，剥离保护层500。
在步骤306中，在第三部分221和第四部分222设置激励器240，以驱动第四部分222振动而发出声音。
比如，可以在金属层220上方贴合激励器240。通过IC控制该激励器240产生不同频率及幅度的机械振动，带动悬空的金属层220发生机械振动，由于存在该发声微腔230，金属层220的振动可以产生声音，从而使屏幕发声。
在一些实施方式中，对金属氧化层进行第二刻蚀处理，包括：
利用刻蚀液对金属氧化层进行湿法刻蚀处理。
其中，刻蚀液可以为PAN酸、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种，其中，PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。
在一些实施方式中，制作金属层的材料可包括钛、钼钛、钼铌、钨、钛钨和钼钽中的一种。制作金属氧化层的材料可包括氧化铟锌、氧化钼和氧化铟锡中的一种。
比如，可以将第四部分和第二部分之间的金属氧化层置于PAN酸中，由于金属氧化层在PAN酸中的刻蚀速度达到约150埃/秒，而金属层在PAN酸中的刻蚀速度小于1埃/秒，随着刻蚀时间的增加，该第四部分和第二部分之间的金属氧化层可被PAN酸逐渐刻蚀掉，从而第二部分与第四部分相互间隔形成一发声微腔。
在一些实施方式中，可以在金属层上开设通孔，将PAN酸从该通孔中灌入，以刻蚀掉第四部分和第二部分之间的金属氧化层。
在一些实施方式中，可以在金属层上间隔开设多个子通孔，将PAN酸从每个子通孔中灌入，刻蚀金属氧化层，从而在金属层与第一基板之间形成多个子发声微腔。
在一些实施方式中，也可以在第一基板的不同位置形成该发声组件，从而可以实现在屏幕的不同位置发声。
请参阅图10，图10为本申请实施例提供的电子装置的制作方法的第二种流程示意图。该电子装置的制作方法可以包括：
在步骤401中，提供一显示组件，显示组件包括第一基板、第二基板和设置于第一基板和第二基板之间的显示层，第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分。
其中，该显示组件可以为诸如手机等电子设备的屏幕组件。第一基板可以为显示组件的盖板，第二基板可以为显示组件的TFT基板。第一基板可以为显示组件的TFT基板，第二基板可以为显示组件的盖板。
在步骤402中，在第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层，金属层具有一体成型的第三部分和第四部分，第三部分和第一部分相对，第四部分和第二部分相对。
比如，可以在第一基板上依次沉积金属氧化层和金属层，并在金属层上制作保护层，以使得金属层被保护层保护的部分可以免于刻蚀。其中，该保护层可以为光刻胶图案。
在步骤403中，对金属层进行第一刻蚀处理，以刻蚀掉未被保护层保护的金属层。
比如，可以对金属层进行干法刻蚀处理，以刻蚀掉未被保护层保护的金属层，从而在金属层上形成各种图案，以用于布置各种电路。其中，反应气体可以为BCL3+CL2。
在步骤404中，对金属氧化层进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于第四部分和第二部分之间的部分金属氧化层，以在第二部分上形成金属氧化层的第六部分，且第六部分与第四部分相互间隔形成一发声微腔。
比如，可以对金属氧化层进行湿法刻蚀处理，以刻蚀掉位于第四部分和第二部分之间靠近第四部分的部分金属氧化层，从而在第二部分上形成金属氧化层的第六部分，且第六部分与第四部分相互间隔形成一发声微腔。例如，在金属层上开设通孔，将刻蚀液从通孔灌入，以刻蚀该金属氧化层。
在步骤405中，剥离保护层。
在步骤406中，在第三部分和第四部分设置激励器，以驱动第四部分振动而发出声音。
比如，可以在金属层上方贴合激励器。通过IC控制该激励器产生不同频率及幅度的机械振动，带动悬空的金属层发生机械振动，由于存在该发声微腔，金属层的振动可以产生声音，从而使屏幕发声。
在一些实施方式中，对金属氧化层进行第二刻蚀处理，包括：
利用刻蚀液对金属氧化层进行湿法刻蚀处理。
其中，刻蚀液可以为PAN酸、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种，其中，PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。
比如，可以在金属层上开设通孔，将PAN酸从该通孔中灌入，以刻蚀掉位于第四部分和第二部分之间靠近第四部分的部分金属氧化层，从而在第二部分上形成金属氧化层的第六部分，且第六部分与第四部分相互间隔形成一发声微腔。
在一些实施方式中，可以在金属层上间隔开设多个子通孔，将PAN酸从每个子通孔中灌入，以刻蚀掉位于第四部分和第二部分之间靠近第四部分的部分金属氧化层，从而在第二部分上形成多个间隔的金属氧化层的第六部分，且多个第六部分与第四部分相互间隔形成多个子发声微腔。
在一些实施方式中，也可以在第一基板的不同位置形成该发声组件，从而可以实现在屏幕的不同位置发声。
以上对本申请实施例所提供的电子装置及电子装置的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括显示组件和发声组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
所述发声组件包括：
金属氧化层，设置于所述第一部分；
金属层，具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分设置于所述金属氧化层，所述第四部分和第二部分相对、且相互间隔形成一发声微腔；和
激励器，设置于所述第三部分和第四部分，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件内部的一面；或者
所述金属氧化层设置于所述第一基板位于所述显示组件外部的一面。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一基板是所述显示组件的盖板，所述第二基板是所述显示组件的TFT基板；或者
所述第一基板是所述显示组件的TFT基板，所述第二基板是所述显示组件的盖板。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述金属氧化层包括一体成型的第五部分和第六部分，所述第五部分连接所述第一部分和所述第三部分，所述第六部分设置于所述第二部分，且与所述第四部分通过所述发声微腔相互间隔。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电子装置，其特征在于，所述金属层开设有在所述金属层厚度方向贯穿所述金属层的通孔，所述通孔与所述发声微腔连通。
6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述通孔包括多个间隔设置的子通孔，所述发声微腔包括多个间隔设置的子发声微腔，每一所述子发声微腔与至少一所述子通孔连通。
7.一种电子装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供一显示组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层，所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第一部分相对，所述第四部分和所述第二部分相对；
对所述金属层进行第一刻蚀处理，以刻蚀未被所述保护层保护的金属层；
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的所述金属氧化层，以使所述第四部分和所述第二部分相互间隔形成一发声微腔；
剥离所述保护层；
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
8.根据权利要求7所述的电子装置的制作方法，其特征在于，对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，包括：
利用刻蚀液对所述金属氧化层进行湿法刻蚀处理；
其中，所述刻蚀液为PAN酸、磷酸、醋酸、硝酸和过氧化氢中的一种，其中，所述PAN酸为由磷酸、醋酸和硝酸混合而成的酸。
9.根据权利要求7或8所述的电子装置的制作方法，其特征在于，制作所述金属氧化层的材料包括氧化铟锌、氧化钼和氧化铟锡中的一种；
制作所述金属层的材料包括钛、钼钛、钼铌、钨、钛钨和钼钽中的一种。
10.一种电子装置的制作方法，其特征在于，包括：
提供一显示组件，所述显示组件包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的显示层，所述第一基板具有一体成型的第一部分和第二部分；
在所述第一部分和第二部分上依次形成金属氧化层、金属层和保护层，所述金属层具有一体成型的第三部分和第四部分，所述第三部分和所述第一部分相对，所述第四部分和所述第二部分相对；
对所述金属层进行第一刻蚀处理，以刻蚀未被所述保护层保护的金属层；
对所述金属氧化层进行第二刻蚀处理，以刻蚀掉位于所述第四部分和第二部分之间的部分所述金属氧化层，以在所述第二部分上形成所述金属氧化层的第六部分，且所述第六部分与所述第四部分相互间隔形成一发声微腔；
剥离所述保护层；
在所述第三部分和所述第四部分设置激励器，以驱动所述第四部分振动而发出声音。
CN202110035489.6A 2021-01-12 2021-01-12 电子装置及电子装置的制作方法 Active CN112887880B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110035489.6A CN112887880B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 电子装置及电子装置的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110035489.6A CN112887880B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 电子装置及电子装置的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112887880A true CN112887880A (zh) 2021-06-01
CN112887880B CN112887880B (zh) 2022-11-01

Family

ID=76045782

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110035489.6A Active CN112887880B (zh) 2021-01-12 2021-01-12 电子装置及电子装置的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112887880B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023024336A1 (zh) * 2021-08-24 2023-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 屏幕发声装置及其制作方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109390480A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 一种基于复合电极的qled器件及其制备方法
CN110049415A (zh) * 2019-03-19 2019-07-23 华为技术有限公司 振动发声装置和电子设备
CN110267182A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 一种屏幕发声显示装置
CN110493697A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 武汉华星光电技术有限公司 振动发声型显示面板
CN110572494A (zh) * 2019-09-16 2019-12-13 Oppo广东移动通信有限公司 屏幕组件及电子设备
US20200144548A1 (en) * 2018-07-10 2020-05-07 Shanghai Seeo Optronics Technology Co., Ltd. Top-emission type micro cavity oled display device
CN111554725A (zh) * 2020-05-19 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板组件和显示装置
CN111586534A (zh) * 2020-05-27 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 屏幕发声单元及其制造方法、显示装置
CN111862818A (zh) * 2020-07-31 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示模组、显示装置及制备方法
US10838241B1 (en) * 2019-06-17 2020-11-17 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Panel sounding display device
CN112087541A (zh) * 2020-09-07 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及其制备方法
WO2020258543A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 武汉华星光电技术有限公司 一种显示模组、移动终端
US20220116712A1 (en) * 2019-06-28 2022-04-14 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Sound Production Device, Display Device, and Terminal

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109390480A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 一种基于复合电极的qled器件及其制备方法
US20200144548A1 (en) * 2018-07-10 2020-05-07 Shanghai Seeo Optronics Technology Co., Ltd. Top-emission type micro cavity oled display device
CN110049415A (zh) * 2019-03-19 2019-07-23 华为技术有限公司 振动发声装置和电子设备
US10838241B1 (en) * 2019-06-17 2020-11-17 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Panel sounding display device
CN110267182A (zh) * 2019-06-17 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 一种屏幕发声显示装置
US20220116712A1 (en) * 2019-06-28 2022-04-14 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Sound Production Device, Display Device, and Terminal
WO2020258543A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 武汉华星光电技术有限公司 一种显示模组、移动终端
CN110493697A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 武汉华星光电技术有限公司 振动发声型显示面板
CN110572494A (zh) * 2019-09-16 2019-12-13 Oppo广东移动通信有限公司 屏幕组件及电子设备
CN111554725A (zh) * 2020-05-19 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板组件和显示装置
CN111586534A (zh) * 2020-05-27 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 屏幕发声单元及其制造方法、显示装置
CN111862818A (zh) * 2020-07-31 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 显示模组、显示装置及制备方法
CN112087541A (zh) * 2020-09-07 2020-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模组及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023024336A1 (zh) * 2021-08-24 2023-03-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 屏幕发声装置及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112887880B (zh) 2022-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW569637B (en) Display substrate and display device
US9783408B2 (en) Structure of MEMS electroacoustic transducer
CN111405455B (zh) 发声装置及其制作方法以及显示装置
CN201976248U (zh) 微电子机械系统传声器
JP2019528583A5 (zh)
CN113784241B (zh) 屏幕发声装置及其制作方法、显示装置
JP2011071975A (ja) 振動膜に取付けられた質量体を有する圧電型マイクロスピーカ及びその製造方法
US20110182450A1 (en) Piezoelectric micro-acoustic transducer and method of fabricating the same
JP2006012889A (ja) 半導体チップの製造方法および半導体装置の製造方法
WO2020215479A1 (zh) 显示面板及其制作方法
CN112887880B (zh) 电子装置及电子装置的制作方法
US9881860B2 (en) Method for producing waveguide substrate
CN112087541B (zh) 显示模组及其制备方法
CN102111705B (zh) 微电子机械系统传声器及其制造方法
CN111711900A (zh) 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110636420B (zh) 一种薄膜扬声器、薄膜扬声器的制备方法以及电子设备
CN104811881B (zh) 压电扬声器及其形成方法
JP2016500501A (ja) トップポートｍｅｍｓマイクロフォン及びその製造方法
CN112289180B (zh) 显示面板及其制作方法
JP2005203752A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置、回路基板、電子機器
WO2017135395A1 (ja) 貫通電極基板及びその製造方法
JP6344671B1 (ja) 貫通電極基板及びその製造方法
JP2005303778A (ja) 伝送線路およびその作製方法
JP5301182B2 (ja) 電極構造、及び電子デバイス
CN111415587B (zh) 一种显示基板及其制备方法和显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant