CN112885947B - 一种n型立方相Ge-Te基热电材料 - Google Patents

一种n型立方相Ge-Te基热电材料 Download PDF

Info

Publication number
CN112885947B
CN112885947B CN201911209999.XA CN201911209999A CN112885947B CN 112885947 B CN112885947 B CN 112885947B CN 201911209999 A CN201911209999 A CN 201911209999A CN 112885947 B CN112885947 B CN 112885947B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermoelectric material
sintering
gete
based thermoelectric
abte
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911209999.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112885947A (zh
Inventor
姜鹏
晏明涛
包信和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Original Assignee
Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dalian Institute of Chemical Physics of CAS filed Critical Dalian Institute of Chemical Physics of CAS
Priority to CN201911209999.XA priority Critical patent/CN112885947B/zh
Publication of CN112885947A publication Critical patent/CN112885947A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112885947B publication Critical patent/CN112885947B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种n型立方相Ge‑Te基热电材料及制备方法,n型立方相Ge‑Te基热电材料的化学分子式是(GeTex)(ABTe2)y,其中A为金属Ag,B为金属Bi,0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25。(GeTex)(ABTe2)y热电材料的制备方法由球磨混合、熔融反应、固体烧结三步组成。首先按照(GeTex)(ABTe2)y分子式中的摩尔分数称取相应质量的Ge、A、B、Te的单质粉末,然后将粉末球磨混合均匀,将混匀的粉末冷压成块体,密封在石英管中,在高温下熔融反应,然后在适当的压力和温度条件下,利用放电等离子体烧结技术烧结成块体热电材料。立方相(GeTex)(ABTe2)y热电材料呈现出负的Seebeck系数和霍尔系数,是n型热电材料,并且在414K时(GeTe0.8)(ABTe2)的ZTmax=0.20,表现出较好的热电性能。

Description

一种n型立方相Ge-Te基热电材料
技术领域
本发明属于热电领域,具体涉及一种n型立方相Ge-Te基热电材料及制备方法。
背景技术
热电技术能够通过热电器件直接实现热能与电能之间的相互转化,具有无运动部件、无噪声、无有害气体排放等优点,是一种环境友好的清洁能源技术。热电器件的转换效率取决于热电材料的性能。热电材料的性能可以用无量纲热电优值ZT来衡量,热电优值由下式计算,,其中S是Seebeck系数,/>是电导率,T是绝对温度,K是热导率,功率因子/>。热电器件要求性能相匹配的p型和n型热电材料。碲化锗(GeTe)是一种已经投入使用、性能优异的p型锗硫族中温发电热电材料,发现于20世纪60年代。最近几年,研究者们对GeTe进行了大量的再研究,发表了很多高质量的文章。研究表明,GeTe本身含有大量的锗空位,从而具有高的空穴载流子浓度(~1021cm-3),同时GeTe在700 K附近经历一个三方相到立方相的相变,这些使得本征GeTe具有低的热电性能和稳定性。通过元素掺杂和合金化,GeTe的热电性能和稳定性可以得到大幅提高,其热电优值ZTmax已经达到2.4;通过结构调控,可实现室温立方相和降低相变不稳定性。然而,由于GeTe热电材料包含大量的本征锗空位(D.H. Damon, M.S. Lubell, R. Mazelsky,J. Phys. Chem. Solids,1966, 28, 520-522.),无论是三方相还是立方相,文献报道的都是p型热电性能,n型GeTe至今未见报道。因此,通过适当的方法消除锗空位,并进行有效电子掺杂,获得n型GeTe基热电材料具有重要的科学意义和应用价值。
发明内容
本发明技术解决问题:提供了性能较好的n型Ge-Te基热电材料的制备方法。
本发明技术解决方案:一方面提供一种Ge-Te基热电材料,所述Ge-Te基热电材料的化学通式是(GeTex)(ABTe2)y,其中A为元素Ag,B为元素Bi,Ge : A : B:Te的摩尔比为1 :y : y : (2y+x),并且0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25;所述Ge-Te基热电材料具有立方晶体结构,是n型热电材料。
基于以上技术方案,优选的,所述x=0.8,所述y=1.0。
本发明另一方面提供一种Ge-Te基热电材料的制备方法如下:
(1)球磨混合:按上述(GeTex)(ABTe2)y中的摩尔分数比,称取Ge、A、B、Te元素单质的粉末,放入球磨罐中进行球磨混合,在一定转速和球磨时间内将粉末球磨均匀;
(2)熔融反应:将球磨混合后的粉末冷压成块,放入石英管内,然后用氢氧火焰真空封管,放入管式炉中,升温至熔融温度,保持一段反应时间,自然降温到室温后得到块状材料;
(3)固体烧结:将熔融后的块状材料研磨成粉末,放入烧结模具中,然后将模具放入烧结炉中,利用放电等离子体烧结技术,加压至设定压力,抽真空,然后加电流升温,升温至烧结温度,保持此烧结温度一段时间,然后卸掉压力,减小电流至零,降温至室温,结束烧结,得到(GeTex)(ABTe2)y热电材料。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(1)中,球磨混合的转速为200-600 rpm,优选转速450 rpm,球磨时间为6-24h,优选时间12 h,优选的转速和时间能保证材料的充分混合。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(2)中,熔融温度为673 K-873 K,优选为773K,反应时间1-6h,优选时间2 h,优选的时间和温度能保证材料充分熔融反应。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,设定压力为30 MPa-60 MPa,优选为50MPa,有利于使材料具有高的密度,并且烧结后材料不发生断裂。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,烧结温度为573K-773 K,优选为673K,保持时间为1-30 min,优选保温时间5 min,优选的温度和时间能保证材料烧结完全,从而使材料有高的密度,同时防止材料发生分解。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,烧结炉为放电等离子体烧结仪。优点在于放电等离子体烧结技术可以使材料快速烧结成型,得到高密度的热电材料。
有益效果
本发明与现有技术相比的优点在于:
(1)本发明通过在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi有效调控了GeTe的晶体结构,得到了一种室温下的立方GeTe热电材料。
(2)本发明通过过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi有效调控了GeTe的多数载流子种类,制备的立方相GeTe是n型热电材料。
(3)本发明通过在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属的方法制备的立方相(GeTex)(ABTe2)y具备较好的电学性能。当x=0.8,y=0.5时,(GeTe0.8)(ABTe2)0.5的结构为立方结构,此时Seebeck系数和载流子浓度都为负数,室温时分别为-294 μV/K和,其中,Seebeck系数的绝对值随温度升高降低到70 μV/K。当y进一步增大,(GeTe0.8)(ABTe2)y的功率因子得到提高。其中,(GeTe0.8)(ABTe2)的功率因子最大,在656 K时最大为440 μW/mK2
(4)本发明制备的立方相(GeTe0.8)(ABTe2)y具有强的双极效应,导致了随温度急剧升高的热导率,其总热导率范围为0.55-1.94 W/mK。最终,n型(GeTe0.8)(ABTe2)y的最大ZT值在414K时能达到0.1-0.3。
(5)本发明所使用的制备方法对制备条件要求较低,容易大批量制备,有利于热电器件的实际应用。
本发明主要利用在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi,调控了GeTe的晶体结构和多数载流子种类,形成了一种n型立方相GeTe热电材料。与现有技术比较(文献:M. Hong, J. Zou, Z-G. Chen,Adv. Mater.2019, 31, 1807071.; S.Perumal, S. Roychowdhury, K. Biswas,J. Mater. Chem. C,2016, 4, 7520-7536.; X.Zhang, J. Li, X. Wang, Z. Chen, J. Mao, Y. Chen, Y. Pei,J. Am. Chem. Soc.2018, 140, 15883-15888.;J. Li, X. Zhang, Z. Chen, S. Lin, W. Li, J. Shen,IT Witting, A. Faghaninia, Y. Chen, A. Jain, L. Chen, G. J. Snyder,Y. Pei,Joule,2018, 2, 976-987. ),文献报道的均是p型热电材料,本发明中的(GeTex)(ABTe2)y是n型热电材料,并且PFmax能达到440,热电优值ZTmax能达到0.2。
附图说明
图1为本发明实施例1,2和3的热导率K随温度的变化曲线图;
图2为本发明实施例1,2和3的Seebeck系数S随温度的变化曲线图;
图3为本发明实施例1,2和3的电导率随温度的变化图;
图4为本发明实施例1,2和3的功率因子随温度的变化曲线图;
图5为本发明实施例1,2和3的热电优值(ZT)随温度的变化曲线图;
图6为本发明实施例1,2和3室温下的粉末X射线衍射 (XRD) 图。
具体实施方式
本发明成功制备了一种新颖的热电材料,本发明中热电材料的化学通式为(GeTex)(ABTe2)y,其中A是金属Ag,B是金属Bi,其中:Ge : A : B : Te的摩尔比为1: y : y: (2y+x),且0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25。
本发明是通过封管熔融和放电等离子体烧结技术,制备双金属共掺杂的(GeTex)(ABTe2)y热电材料,并有效调控了晶体结构和多数载流子种类,成功获得了n型立方GeTe热电材料,其具有较好的功率因子和品质因子。
本发明的实施方案包括球磨、熔融反应、放电等离子体烧结三个步骤,详细的实施方案如下所示:
(1)球磨混合:按照化学通式中的化学比,先将需要的Ge、A、B、Te的单质粉末称量好,放入球磨罐内,在每分钟450转(rpm)条件下,球磨12h,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末取出,利用冷压压片机,将球磨后的粉末压成块状,然后放入直径为20mm,长度为25cm的石英管中,将石英管安装在氢氧封管装置上,利用氢氧火焰完成石英管的封管,将块状材料真空封装在石英管中,将装有样品的石英管置于管式炉中,在773 K温度下熔融2h。
(3)固体烧结:利用放电等离子体烧结技术(SPS),将熔融反应得到的材料进一步烧结成块。首先将熔融后得到的块状材料研磨成粉末,然后放入放电等离子体烧结装置中,施加一定的压力,施加的压强范围为30-60MPa。抽真空,当压力小于5Pa时,开始升温烧结。缓慢增加电流,使温度由室温经过20-30min升温至烧结温度673K,升温速率为15-25 K/min,在烧结温度保温一段时间,一般为5 min,然后开始降温,降温过程中卸去模具两端的压力,并直接将电流减到0,使模具缓慢降温,防止因为快速降温发生断裂。在降至室温后,得到具有高密度的(GeTex)(ABTe2)y块体热电材料。
实施例1
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y=0.5,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)0.5中的摩尔比,首先称量1.4526克Ge、2.0898克Ag、1.0787克Bi、4.5936克Te的单质粉末,总质量为9.2147克;放入球磨罐内球磨12h,转速为450rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,冷压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,并保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例2
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y = 0.75,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)0.75中的摩尔比,首先称量1.0895克Ge、1.2135克Ag、2.3510克Bi、4.4022克Te的单质粉末,总质量为9.2147克;放入球磨罐内球磨12 h,转速为450 rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,在773 K保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K,并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例3
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y=1.0,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)中的摩尔比,首先称量0.7263克Ge、1.0787克Ag、2.0898克Bi、3.5728克Te的单质粉末,总质量为7.4676克放入球磨罐内球磨12 h,转速为450 rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,在773 K保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例4
热导性质
如图1所示,通过激光闪射分析法(LFA)和差示扫描量热法(DSC),分别测得实施例1,2和3的热扩散系D和比热Cp,利用公式是热电材料的密度),通过计算获得热电材料的热导率K。测试时所使用的仪器是NETZSCH LFA 457和NETZSCH STA,温度范围:300-656 K。从图1可以看出,实施例1,2和3的热导率随温度升高均升高;在300 K-500 K范围内,实施例1的热导率最低,300 K时为0.55 W/mK;实施例3的热导率室温时为0.6W/mK,656 K时为1.85 W/mK。这表明n型(GeTe0.8)(AgBiTe2)y具有较低的热导率。
实施例5
电学性质
对实施例1,2和3的电学性质,包括电导率和Seebeck系数S进行了系统的测试,如图2、图3、图4所示。电学测试所用仪器是ULVAC ZEM-3。实施例1,2和3的Seebeck系数均为负值,其中,实施例3的Seebeck在-202μV/K到-114μV/K之间变化表明(GeTe0.8)(AgBiTe2)y(y=0.5,0.75,1.0)均为n型热电材料。实施例1,2和3的电导率均随温度升高而升高,656 K时实例3的电导率最高,为33841S/m;实施例3的功率因子最大,656 K时最大为440 μW/mK2
从热导率和电学数据可以计算出热电优值ZT。图5是实施例1,2和3的热电优值随温度的变化曲线。由图5可以看出实施例3的ZT值最大,在414 K时为0.2,表明n型(GeTe0.8)(AgBiTe2)y具有较好的热电性能。
XRD表征图6是实施例1,2和3的XRD表征图。室温条件下,实施例1,2和3都呈现立方晶体结构(Fm-3m),均为性能较好的n型立方GeTe热电材料。
提供以上实施例仅仅是为了描述本发明的目的,而并非要限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求限定。不脱离本发明的精神和原理而做出的各种等同替换和修改,均应涵盖在本发明的范围之内。

Claims (7)

1.一种Ge-Te基热电材料,其特征在于,所述材料化学通式为(GeTex)(ABTe2)y,其中:Ge: A : B :Te的摩尔比为1 : y : y : (2y+x),0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25;A为金属Ag,B为金属Bi;
所述的Ge-Te基热电材料是具有立方晶体结构的n型热电材料;
所述的Ge-Te基热电材料的制备方法包括如下步骤:
(1)球磨混合:按照所述(GeTex)(ABTe2)y中的摩尔比,取Ge、A、B、Te元素单质的粉末,球磨混合得到混合粉末;
(2)熔融反应:将所述混合粉末冷压成块,放入石英管内,然后抽真空封管,放入管式炉中,升温至熔融温度,保持一段反应时间,自然降温到室温后得到块状材料;
(3)固体烧结:将所述块状材料研磨成粉末,放入烧结模具中,然后将模具放入烧结炉中,利用放电等离子体烧结技术,加压至设定压力,抽真空至1-5 Pa,然后加电流升温,升温至烧结温度,保持此烧结温度一段时间,然后卸掉压力,减小电流到零,降温至室温,结束烧结,得到所述Ge-Te基热电材料。
2.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(1)中,球磨混合的转速为200-600 rpm,球磨混合的时间为8-24h。
3.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(1)中,球磨混合的转速为450 rpm,球磨混合的时间为12 h。
4.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(2)中,熔融温度为673 K-873 K,反应时间为1-6 h。
5.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(2)中,熔融温度为773 K,反应时间为2h。
6.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(3)中,放电等离子体烧结温度为573 K-773 K,烧结压力为30-60 MPa,烧结温度保持时间1-10 min。
7.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(3)中,放电等离子体烧结温度为673 K,烧结压力为50 MPa,烧结温度保持时间为5 min。
CN201911209999.XA 2019-11-29 2019-11-29 一种n型立方相Ge-Te基热电材料 Active CN112885947B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911209999.XA CN112885947B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种n型立方相Ge-Te基热电材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911209999.XA CN112885947B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种n型立方相Ge-Te基热电材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112885947A CN112885947A (zh) 2021-06-01
CN112885947B true CN112885947B (zh) 2024-04-05

Family

ID=76039485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911209999.XA Active CN112885947B (zh) 2019-11-29 2019-11-29 一种n型立方相Ge-Te基热电材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112885947B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114394577B (zh) * 2021-12-31 2022-10-14 武汉理工大学 一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3945855A (en) * 1965-11-24 1976-03-23 Teledyne, Inc. Thermoelectric device including an alloy of GeTe and AgSbTe as the P-type element
KR20130092069A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 한국전기연구원 Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법
CN107155379A (zh) * 2014-08-23 2017-09-12 马渊真人 热电材料、热电转换元件以及由热电转换元件和由热电材料制成的π型模块组和由除了这种π型模块组之外的热电材料制成的π型模块组构成的模块组
CN109950389A (zh) * 2019-03-18 2019-06-28 清华大学 中温区高性能热电材料制备方法及中温区高性能热电材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3945855A (en) * 1965-11-24 1976-03-23 Teledyne, Inc. Thermoelectric device including an alloy of GeTe and AgSbTe as the P-type element
KR20130092069A (ko) * 2012-02-10 2013-08-20 한국전기연구원 Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법
CN107155379A (zh) * 2014-08-23 2017-09-12 马渊真人 热电材料、热电转换元件以及由热电转换元件和由热电材料制成的π型模块组和由除了这种π型模块组之外的热电材料制成的π型模块组构成的模块组
CN109950389A (zh) * 2019-03-18 2019-06-28 清华大学 中温区高性能热电材料制备方法及中温区高性能热电材料

Also Published As

Publication number Publication date
CN112885947A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4888685B2 (ja) 熱電材料及びその製造方法
CN107935596A (zh) 一种利用熔盐法低温烧结制备MAX相陶瓷Ti3AlC2粉体的方法
JP4976567B2 (ja) 熱電変換材料
JP2021515411A (ja) n−型Mg−Sb基室温熱電材料及びその製造方法
CN102931335B (zh) 一种石墨烯复合锑化钴基方钴矿热电材料及其制备方法
JP2011029566A (ja) 高圧焼結方法を利用した高密度化高性能ナノ結晶バルク熱電材料の製造方法
CN108238796A (zh) 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法
CN113480315B (zh) 一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法
CN104263980A (zh) 一种快速制备高性能ZrNiSn块体热电材料的方法
CN107123729B (zh) 一种纳米碳化硅/p型硅锗合金基热电复合材料及其制备方法
CN101478026A (zh) 一种热电化合物及其制备方法
CN112885947B (zh) 一种n型立方相Ge-Te基热电材料
Zhu et al. Enhanced average thermoelectric properties of n‑type Mg3Sb2 based materials by mixed-valence Ni doping
KR102157782B1 (ko) 복합 열전소재의 제조방법 및 이에 의해 수득된 복합 열전소재
CN109087987B (zh) 一种α-MgAgSb基纳米复合热电材料及其制备方法
Ioannidou et al. Microwave Synthesis and Characterization of the Series Co 1− x Fe x Sb 3 High Temperature Thermoelectric Materials
CN108198934B (zh) 一种复合热电材料及其制备方法
CN108242500A (zh) 一种铜硒基纳米复合热电材料及其制备方法
CN111162160B (zh) 一种p型立方相Ge-Se基热电材料及制备方法
CN109256459B (zh) 一种多金属共掺杂的GeSe基热电材料及制备方法
CN111304492A (zh) 一种低温n型热电材料及其制备方法
CN101307392B (zh) 液体急冷结合放电等离子烧结制备CoSb3基热电材料的方法
JP6082617B2 (ja) 熱電変換材料およびその製造方法
JP2003298122A (ja) 熱電変換材料の製造方法
Xin et al. Thermoelectric properties of rapid hot pressed polycrystalline Ag1− xPb18SbTe20 synthesized from doping PbTe nanocrystals

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant