CN112885947B - 一种n型立方相Ge-Te基热电材料 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N germanium telluride Chemical compound [Te]=[Ge]=[Te] GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 241001315286 Damon Species 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 germanium chalcogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
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Abstract
本发明涉及一种n型立方相Ge‑Te基热电材料及制备方法,n型立方相Ge‑Te基热电材料的化学分子式是(GeTex)(ABTe2)y,其中A为金属Ag,B为金属Bi,0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25。(GeTex)(ABTe2)y热电材料的制备方法由球磨混合、熔融反应、固体烧结三步组成。首先按照(GeTex)(ABTe2)y分子式中的摩尔分数称取相应质量的Ge、A、B、Te的单质粉末,然后将粉末球磨混合均匀,将混匀的粉末冷压成块体,密封在石英管中,在高温下熔融反应,然后在适当的压力和温度条件下,利用放电等离子体烧结技术烧结成块体热电材料。立方相(GeTex)(ABTe2)y热电材料呈现出负的Seebeck系数和霍尔系数,是n型热电材料,并且在414K时(GeTe0.8)(ABTe2)的ZTmax=0.20,表现出较好的热电性能。
Description
技术领域
本发明属于热电领域,具体涉及一种n型立方相Ge-Te基热电材料及制备方法。
背景技术
热电技术能够通过热电器件直接实现热能与电能之间的相互转化,具有无运动部件、无噪声、无有害气体排放等优点,是一种环境友好的清洁能源技术。热电器件的转换效率取决于热电材料的性能。热电材料的性能可以用无量纲热电优值ZT来衡量,热电优值由下式计算,,其中S是Seebeck系数,/>是电导率,T是绝对温度,K是热导率,功率因子/>。热电器件要求性能相匹配的p型和n型热电材料。碲化锗(GeTe)是一种已经投入使用、性能优异的p型锗硫族中温发电热电材料,发现于20世纪60年代。最近几年,研究者们对GeTe进行了大量的再研究,发表了很多高质量的文章。研究表明,GeTe本身含有大量的锗空位,从而具有高的空穴载流子浓度(~1021cm-3),同时GeTe在700 K附近经历一个三方相到立方相的相变,这些使得本征GeTe具有低的热电性能和稳定性。通过元素掺杂和合金化,GeTe的热电性能和稳定性可以得到大幅提高,其热电优值ZTmax已经达到2.4;通过结构调控,可实现室温立方相和降低相变不稳定性。然而,由于GeTe热电材料包含大量的本征锗空位(D.H. Damon, M.S. Lubell, R. Mazelsky,J. Phys. Chem. Solids,1966, 28, 520-522.),无论是三方相还是立方相,文献报道的都是p型热电性能,n型GeTe至今未见报道。因此,通过适当的方法消除锗空位,并进行有效电子掺杂,获得n型GeTe基热电材料具有重要的科学意义和应用价值。
发明内容
本发明技术解决问题:提供了性能较好的n型Ge-Te基热电材料的制备方法。
本发明技术解决方案:一方面提供一种Ge-Te基热电材料,所述Ge-Te基热电材料的化学通式是(GeTex)(ABTe2)y,其中A为元素Ag,B为元素Bi,Ge : A : B:Te的摩尔比为1 :y : y : (2y+x),并且0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25;所述Ge-Te基热电材料具有立方晶体结构,是n型热电材料。
基于以上技术方案,优选的,所述x=0.8,所述y=1.0。
本发明另一方面提供一种Ge-Te基热电材料的制备方法如下:
(1)球磨混合:按上述(GeTex)(ABTe2)y中的摩尔分数比,称取Ge、A、B、Te元素单质的粉末,放入球磨罐中进行球磨混合,在一定转速和球磨时间内将粉末球磨均匀;
(2)熔融反应:将球磨混合后的粉末冷压成块,放入石英管内,然后用氢氧火焰真空封管,放入管式炉中,升温至熔融温度,保持一段反应时间,自然降温到室温后得到块状材料;
(3)固体烧结:将熔融后的块状材料研磨成粉末,放入烧结模具中,然后将模具放入烧结炉中,利用放电等离子体烧结技术,加压至设定压力,抽真空,然后加电流升温,升温至烧结温度,保持此烧结温度一段时间,然后卸掉压力,减小电流至零,降温至室温,结束烧结,得到(GeTex)(ABTe2)y热电材料。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(1)中,球磨混合的转速为200-600 rpm,优选转速450 rpm,球磨时间为6-24h,优选时间12 h,优选的转速和时间能保证材料的充分混合。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(2)中,熔融温度为673 K-873 K,优选为773K,反应时间1-6h,优选时间2 h,优选的时间和温度能保证材料充分熔融反应。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,设定压力为30 MPa-60 MPa,优选为50MPa,有利于使材料具有高的密度,并且烧结后材料不发生断裂。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,烧结温度为573K-773 K,优选为673K,保持时间为1-30 min,优选保温时间5 min,优选的温度和时间能保证材料烧结完全,从而使材料有高的密度,同时防止材料发生分解。
基于以上技术方案,优选的,所述步骤(3)中,烧结炉为放电等离子体烧结仪。优点在于放电等离子体烧结技术可以使材料快速烧结成型,得到高密度的热电材料。
有益效果
本发明与现有技术相比的优点在于:
(1)本发明通过在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi有效调控了GeTe的晶体结构,得到了一种室温下的立方GeTe热电材料。
(2)本发明通过过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi有效调控了GeTe的多数载流子种类,制备的立方相GeTe是n型热电材料。
(3)本发明通过在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属的方法制备的立方相(GeTex)(ABTe2)y具备较好的电学性能。当x=0.8,y=0.5时,(GeTe0.8)(ABTe2)0.5的结构为立方结构,此时Seebeck系数和载流子浓度都为负数,室温时分别为-294 μV/K和,其中,Seebeck系数的绝对值随温度升高降低到70 μV/K。当y进一步增大,(GeTe0.8)(ABTe2)y的功率因子得到提高。其中,(GeTe0.8)(ABTe2)的功率因子最大,在656 K时最大为440 μW/mK2。
(4)本发明制备的立方相(GeTe0.8)(ABTe2)y具有强的双极效应,导致了随温度急剧升高的热导率,其总热导率范围为0.55-1.94 W/mK。最终,n型(GeTe0.8)(ABTe2)y的最大ZT值在414K时能达到0.1-0.3。
(5)本发明所使用的制备方法对制备条件要求较低,容易大批量制备,有利于热电器件的实际应用。
本发明主要利用在过量Ge对Ge空位产生的抑制作用下进一步共掺杂双金属Ag和Bi,调控了GeTe的晶体结构和多数载流子种类,形成了一种n型立方相GeTe热电材料。与现有技术比较(文献:M. Hong, J. Zou, Z-G. Chen,Adv. Mater.2019, 31, 1807071.; S.Perumal, S. Roychowdhury, K. Biswas,J. Mater. Chem. C,2016, 4, 7520-7536.; X.Zhang, J. Li, X. Wang, Z. Chen, J. Mao, Y. Chen, Y. Pei,J. Am. Chem. Soc.2018, 140, 15883-15888.;J. Li, X. Zhang, Z. Chen, S. Lin, W. Li, J. Shen,IT Witting, A. Faghaninia, Y. Chen, A. Jain, L. Chen, G. J. Snyder,Y. Pei,Joule,2018, 2, 976-987. ),文献报道的均是p型热电材料,本发明中的(GeTex)(ABTe2)y是n型热电材料,并且PFmax能达到440,热电优值ZTmax能达到0.2。
附图说明
图1为本发明实施例1,2和3的热导率K随温度的变化曲线图;
图2为本发明实施例1,2和3的Seebeck系数S随温度的变化曲线图;
图3为本发明实施例1,2和3的电导率随温度的变化图;
图4为本发明实施例1,2和3的功率因子随温度的变化曲线图;
图5为本发明实施例1,2和3的热电优值(ZT)随温度的变化曲线图;
图6为本发明实施例1,2和3室温下的粉末X射线衍射 (XRD) 图。
具体实施方式
本发明成功制备了一种新颖的热电材料,本发明中热电材料的化学通式为(GeTex)(ABTe2)y,其中A是金属Ag,B是金属Bi,其中:Ge : A : B : Te的摩尔比为1: y : y: (2y+x),且0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25。
本发明是通过封管熔融和放电等离子体烧结技术,制备双金属共掺杂的(GeTex)(ABTe2)y热电材料,并有效调控了晶体结构和多数载流子种类,成功获得了n型立方GeTe热电材料,其具有较好的功率因子和品质因子。
本发明的实施方案包括球磨、熔融反应、放电等离子体烧结三个步骤,详细的实施方案如下所示:
(1)球磨混合:按照化学通式中的化学比,先将需要的Ge、A、B、Te的单质粉末称量好,放入球磨罐内,在每分钟450转(rpm)条件下,球磨12h,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末取出,利用冷压压片机,将球磨后的粉末压成块状,然后放入直径为20mm,长度为25cm的石英管中,将石英管安装在氢氧封管装置上,利用氢氧火焰完成石英管的封管,将块状材料真空封装在石英管中,将装有样品的石英管置于管式炉中,在773 K温度下熔融2h。
(3)固体烧结:利用放电等离子体烧结技术(SPS),将熔融反应得到的材料进一步烧结成块。首先将熔融后得到的块状材料研磨成粉末,然后放入放电等离子体烧结装置中,施加一定的压力,施加的压强范围为30-60MPa。抽真空,当压力小于5Pa时,开始升温烧结。缓慢增加电流,使温度由室温经过20-30min升温至烧结温度673K,升温速率为15-25 K/min,在烧结温度保温一段时间,一般为5 min,然后开始降温,降温过程中卸去模具两端的压力,并直接将电流减到0,使模具缓慢降温,防止因为快速降温发生断裂。在降至室温后,得到具有高密度的(GeTex)(ABTe2)y块体热电材料。
实施例1
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y=0.5,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)0.5中的摩尔比,首先称量1.4526克Ge、2.0898克Ag、1.0787克Bi、4.5936克Te的单质粉末,总质量为9.2147克;放入球磨罐内球磨12h,转速为450rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,冷压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,并保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例2
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y = 0.75,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)0.75中的摩尔比,首先称量1.0895克Ge、1.2135克Ag、2.3510克Bi、4.4022克Te的单质粉末,总质量为9.2147克;放入球磨罐内球磨12 h,转速为450 rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,在773 K保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K,并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例3
过量Ge 抑制Ge空位的产生和Ag、Bi共掺杂的(GeTex)(AgBiTe2)y,具体的制备方法:
(1)球磨混合:x=0.8,y=1.0,按照化学式(GeTe0.8)(AgBiTe2)中的摩尔比,首先称量0.7263克Ge、1.0787克Ag、2.0898克Bi、3.5728克Te的单质粉末,总质量为7.4676克放入球磨罐内球磨12 h,转速为450 rpm,使单质粉末充分混合。
(2)熔融反应:将球磨后的粉末从球磨罐内取出,压成片后,放入石英管中,用氢氧火焰封管,放入炉子中,以3 K/min升温至773 K,在773 K保温2 h,然后自然冷却,降至室温,然后取出。
(3)固体烧结:将熔融反应得到的材料用研钵研磨成粉末,在模具内加一层碳纸,然后将粉末放入内径为12.7 mm的石墨模具中,放入SPS装置中,在模具两端加压,压力为50MPa,抽真空至5 Pa以下,然后开始升温,以20 K/min升温至673 K并保温5 min,然后卸去压力,直接将电流减到0,自然降至室温,然后取出。
实施例4
热导性质
如图1所示,通过激光闪射分析法(LFA)和差示扫描量热法(DSC),分别测得实施例1,2和3的热扩散系D和比热Cp,利用公式是热电材料的密度),通过计算获得热电材料的热导率K。测试时所使用的仪器是NETZSCH LFA 457和NETZSCH STA,温度范围:300-656 K。从图1可以看出,实施例1,2和3的热导率随温度升高均升高;在300 K-500 K范围内,实施例1的热导率最低,300 K时为0.55 W/mK;实施例3的热导率室温时为0.6W/mK,656 K时为1.85 W/mK。这表明n型(GeTe0.8)(AgBiTe2)y具有较低的热导率。
实施例5
电学性质
对实施例1,2和3的电学性质,包括电导率和Seebeck系数S进行了系统的测试,如图2、图3、图4所示。电学测试所用仪器是ULVAC ZEM-3。实施例1,2和3的Seebeck系数均为负值,其中,实施例3的Seebeck在-202μV/K到-114μV/K之间变化表明(GeTe0.8)(AgBiTe2)y(y=0.5,0.75,1.0)均为n型热电材料。实施例1,2和3的电导率均随温度升高而升高,656 K时实例3的电导率最高,为33841S/m;实施例3的功率因子最大,656 K时最大为440 μW/mK2。
从热导率和电学数据可以计算出热电优值ZT。图5是实施例1,2和3的热电优值随温度的变化曲线。由图5可以看出实施例3的ZT值最大,在414 K时为0.2,表明n型(GeTe0.8)(AgBiTe2)y具有较好的热电性能。
XRD表征图6是实施例1,2和3的XRD表征图。室温条件下,实施例1,2和3都呈现立方晶体结构(Fm-3m),均为性能较好的n型立方GeTe热电材料。
提供以上实施例仅仅是为了描述本发明的目的,而并非要限制本发明的范围。本发明的范围由所附权利要求限定。不脱离本发明的精神和原理而做出的各种等同替换和修改,均应涵盖在本发明的范围之内。
Claims (7)
1.一种Ge-Te基热电材料,其特征在于,所述材料化学通式为(GeTex)(ABTe2)y,其中:Ge: A : B :Te的摩尔比为1 : y : y : (2y+x),0.5≤x≤1.0,0.5≤y≤1.25;A为金属Ag,B为金属Bi;
所述的Ge-Te基热电材料是具有立方晶体结构的n型热电材料;
所述的Ge-Te基热电材料的制备方法包括如下步骤:
(1)球磨混合:按照所述(GeTex)(ABTe2)y中的摩尔比,取Ge、A、B、Te元素单质的粉末,球磨混合得到混合粉末;
(2)熔融反应:将所述混合粉末冷压成块,放入石英管内,然后抽真空封管,放入管式炉中,升温至熔融温度,保持一段反应时间,自然降温到室温后得到块状材料;
(3)固体烧结:将所述块状材料研磨成粉末,放入烧结模具中,然后将模具放入烧结炉中,利用放电等离子体烧结技术,加压至设定压力,抽真空至1-5 Pa,然后加电流升温,升温至烧结温度,保持此烧结温度一段时间,然后卸掉压力,减小电流到零,降温至室温,结束烧结,得到所述Ge-Te基热电材料。
2.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(1)中,球磨混合的转速为200-600 rpm,球磨混合的时间为8-24h。
3.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(1)中,球磨混合的转速为450 rpm,球磨混合的时间为12 h。
4.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(2)中,熔融温度为673 K-873 K,反应时间为1-6 h。
5.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(2)中,熔融温度为773 K,反应时间为2h。
6.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(3)中,放电等离子体烧结温度为573 K-773 K,烧结压力为30-60 MPa,烧结温度保持时间1-10 min。
7.根据权利要求1所述的Ge-Te基热电材料,其特征在于:所述步骤(3)中,放电等离子体烧结温度为673 K,烧结压力为50 MPa,烧结温度保持时间为5 min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911209999.XA CN112885947B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种n型立方相Ge-Te基热电材料 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112885947A CN112885947A (zh) | 2021-06-01 |
CN112885947B true CN112885947B (zh) | 2024-04-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911209999.XA Active CN112885947B (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种n型立方相Ge-Te基热电材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112885947B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114394577B (zh) * | 2021-12-31 | 2022-10-14 | 武汉理工大学 | 一种消除PbTe基热电材料中阳离子空位的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3945855A (en) * | 1965-11-24 | 1976-03-23 | Teledyne, Inc. | Thermoelectric device including an alloy of GeTe and AgSbTe as the P-type element |
KR20130092069A (ko) * | 2012-02-10 | 2013-08-20 | 한국전기연구원 | Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법 |
CN107155379A (zh) * | 2014-08-23 | 2017-09-12 | 马渊真人 | 热电材料、热电转换元件以及由热电转换元件和由热电材料制成的π型模块组和由除了这种π型模块组之外的热电材料制成的π型模块组构成的模块组 |
CN109950389A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-28 | 清华大学 | 中温区高性能热电材料制备方法及中温区高性能热电材料 |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201911209999.XA patent/CN112885947B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3945855A (en) * | 1965-11-24 | 1976-03-23 | Teledyne, Inc. | Thermoelectric device including an alloy of GeTe and AgSbTe as the P-type element |
KR20130092069A (ko) * | 2012-02-10 | 2013-08-20 | 한국전기연구원 | Ag 및 Sb가 도핑된 GeTe계 열전재료 및 그 제조방법 |
CN107155379A (zh) * | 2014-08-23 | 2017-09-12 | 马渊真人 | 热电材料、热电转换元件以及由热电转换元件和由热电材料制成的π型模块组和由除了这种π型模块组之外的热电材料制成的π型模块组构成的模块组 |
CN109950389A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-06-28 | 清华大学 | 中温区高性能热电材料制备方法及中温区高性能热电材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112885947A (zh) | 2021-06-01 |
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