CN112864026B - 激光结合hf湿刻蚀加工tgv通孔的工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，包括A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔；B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，将容器放入超声设备中，开启超声设备，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径；C、取出玻璃晶圆，用去离子水清洗干净；D、检测玻璃通孔的孔径和通透性。通过激光诱导作用，可采用HF溶液刻蚀出孔径小于或等于50μm的圆孔，效率高，且通孔内壁光滑，锥度小，通孔密度可大于2500个/cm2，可有效减小玻璃晶圆的尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及，尤其是一种激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺。
背景技术
转接板(Interposer)是三维集成微系统中高密度互联和集成无源元件的载体，是实现三维集成的核心材料。目前数字电路(如DRAM、逻辑芯片)的三维集成普遍应用的是以硅为转接板的通孔技术(Through-Silicon Via，TSV)。然而，对于高频应用，要求转接板材料必须具有低介电损耗和低介电常数，以减少基板的射频功率耗散、增加自谐振频率。但是，由于硅是一种半导体材料，TSV周围的载流子在电场或磁场作用下可以自由移动，对邻近的电路或信号产生影响，降低芯片高频性能。此外，也因为硅的半导体特性，TSV还需要在通孔内制作电隔离层、扩散阻挡层、种子层以及无空隙的铜填充，不仅工艺复杂，而且寄生电容明显，往往难以满足三维集成射频微系统的性能要求。玻璃材料没有自由移动的电荷，介电性能优良，以玻璃替代硅材料的玻璃通孔技术(Through Glass Via，TGV)可以避免TSV的高频损耗问题。此外，TGV技术可以省去铜填充前的前阻挡层和氧化覆膜层制作；同时显著减小镀铜层与基板之间的过孔电容，降低过孔有源和无源电路之间的电磁干扰。这样不仅大幅提高射频微系统的性能、减小体积，而且可大幅降低工艺复杂度和加工成本。因此，对射频微系统而言，玻璃是最合适的转接板材料，而TGV则是理想的射频微系统三维集成解决方案。
TGV技术已有许多在玻璃中成孔的方法，包括机械方法(钻孔、喷砂)、化学方法(湿法、等离子刻蚀)以及激光刻蚀方法等。但是，相对于TSV技术的成熟，由于玻璃性能的特殊性，TGV技术面临的关键问题是难以制作高深宽比的玻璃通孔或沟槽。目前普遍采用的激光打孔TGV孔径大、崩边、侧壁粗糙、倾斜，并且由于是单点操作，在制作数量巨大的通孔时其成本将非常高。例如，基于激光来实现基片的通孔加工，最小孔径约为150μm，最小的孔间距约为50μm，如果要实现良好的隔离传输，按25个阵列孔的射频端口进行设计，则每个传输孔阵列单元的尺寸将达到2mm×2mm以上。总之，目前TGV技术在集成度、实现可接受的侧壁粗糙度、深宽比、可靠性以及总体成本和效率方面还有不少问题，远未成熟。申请号为202010693932.4的发明申请公开了一种飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，需要反复翻面减薄，效率低下。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，解决TGV孔径大，侧壁粗糙，打孔效率低的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，所述工艺由以下步骤构成：
A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔；
B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，所述HF溶液的质量浓度为8％至15％，所述HF溶液的温度为20℃到40℃；将容器放入超声设备中，开启超声设备，所述超声设备发出的超声波频率为40KHZ，在60-120min的腐蚀时间，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径；
C、取出玻璃晶圆，用去离子水清洗干净；
D、检测玻璃通孔的孔径和通透性；
所述工艺能够在120min的腐蚀时间内在玻璃晶圆上得到孔密度大于等于2500个/cm2的通孔，且通孔的孔径大小均匀，通孔内壁光滑、锥度小。
进一步地，步骤C中，清洗在超声设备中进行。
进一步地，步骤D中，利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
本发明的有益效果是：通过激光诱导作用，可采用HF溶液刻蚀出孔径小于或等于50μm的圆孔，效率高，且通孔内壁光滑，锥度小，通孔密度可大于2500个/cm2，可有效减小玻璃晶圆的尺寸。
附图说明
图1是在玻璃晶圆上预设小孔后的示意图；
图2是实施例一制得的TGV表面示意图；
图3是实施例一制得的TGV剖视示意图；
图4是实施例二制得的TGV表面示意图；
图5是实施例三制得的TGV表面示意图；
图6是对比例一制得的TGV表面示意图；
图7是对比例一制得的TGV剖视示意图；
图8是对比例二制得的TGV表面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
本发明的激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，包括以下步骤：
A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔，小孔的直径远小于玻璃通孔的设计直径，如图1所示。
B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，所述HF溶液的质量浓度为8％至15％，所述HF溶液的温度为20℃到40℃；将容器放入超声设备中，开启超声设备，所述超声设备发出的超声波频率为40KHZ，在60-120min的腐蚀时间，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径。
HF溶液对小孔进行腐蚀，使得小孔的直径逐渐增加，腐蚀的同时通过超声设备发出超声波，使得HF溶液对小孔的腐蚀更加均匀，从而使得玻璃通孔的孔壁光滑，锥度较小。
采用质量浓度为8％至15％的HF溶液，兼顾腐蚀效率的同时确保通孔质量。
C、腐蚀完成后，取出玻璃晶圆，先用去离子水清洗干净，再将玻璃晶圆放入去离子水中，并将去离子水放入超声设备中，利用超声波将玻璃通孔内的杂质洗掉。
D、检测玻璃通孔的孔径和通透性，具体可利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
实施例一
利用激光在玻璃晶圆上预设小孔。
准备一个容器，配质量浓度为9％的HF溶液，控制HF溶液的温度在20℃到40℃，将设有小孔的玻璃晶圆放入HF溶液，并将容器放入超声设备中，启动超声设备，发出40KHZ的超声波，腐蚀120min后取出玻璃晶圆。
利用去离子水清洗玻璃晶圆，并将玻璃晶圆放入装有去离子水的容器中，将容器放入超声设备中，利用超声波去除通孔中的杂质。
利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
实施例二
利用激光在玻璃晶圆上预设小孔。
准备一个容器，配质量浓度为12％的HF溶液，控制HF溶液的温度在20℃到40℃，将设有小孔的玻璃晶圆放入HF溶液，并将容器放入超声设备中，启动超声设备，发出40KHZ的超声波，腐蚀90min后取出玻璃晶圆。
利用去离子水清洗玻璃晶圆，并将玻璃晶圆放入装有去离子水的容器中，将容器放入超声设备中，利用超声波去除通孔中的杂质。
利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
实施例三
利用激光在玻璃晶圆上预设小孔。
准备一个容器，配质量浓度为15％的HF溶液，控制HF溶液的温度在20℃到40℃，将设有小孔的玻璃晶圆放入HF溶液，并将容器放入超声设备中，启动超声设备，发出40KHZ的超声波，腐蚀70min后取出玻璃晶圆。
利用去离子水清洗玻璃晶圆，并将玻璃晶圆放入装有去离子水的容器中，将容器放入超声设备中，利用超声波去除通孔中的杂质。
利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
对比例一
利用激光在玻璃晶圆上预设小孔。
准备一个容器，配质量浓度为50％的HF溶液，控制HF溶液的温度在20℃到40℃，将设有小孔的玻璃晶圆放入HF溶液，并将容器放入超声设备中，启动超声设备，发出40KHZ的超声波，腐蚀60min后取出玻璃晶圆。
利用去离子水清洗玻璃晶圆，并将玻璃晶圆放入装有去离子水的容器中，将容器放入超声设备中，利用超声波去除通孔中的杂质。
利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
对比例二
利用激光在玻璃晶圆上预设小孔。
准备一个容器，配质量浓度为5％的HF溶液，控制HF溶液的温度在20℃到40℃，将设有小孔的玻璃晶圆放入HF溶液，并将容器放入超声设备中，启动超声设备，发出40KHZ的超声波，腐蚀180min后取出玻璃晶圆。
利用去离子水清洗玻璃晶圆，并将玻璃晶圆放入装有去离子水的容器中，将容器放入超声设备中，利用超声波去除通孔中的杂质。
利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
上述实施例一至三和对比例一至二中，预设小孔的直径相同。
实施例一中，大概腐蚀120分钟后孔径达到50μm，玻璃晶圆的表面示意图如图2所示，剖视示意图如图3所示。
实施例二中，大概腐蚀90分钟后孔径达到50μm，玻璃晶圆的表面示意图如图4所示。
实施例三中，大概腐蚀70分钟后孔径达到50μm，玻璃晶圆的表面示意图如图5所示。
对比例一中，大概腐蚀60分钟后孔径达到50μm，玻璃晶圆的表面示意图如图6所示，剖视示意图如图7所示。
对比例二中，大概腐蚀180分钟后孔径达到50μm，玻璃晶圆的表面示意图如图8所示。
可以看出，实施例一至三得到的玻璃通孔内壁光滑，锥度小，各个通孔的大小均匀，满足要求。而对比例一种，孔壁大多有裂纹，孔的形状不规则，孔径不统一，难以满足要求。对比例二中，孔径大小不一致，不符合要求，且腐蚀的时间过长，效率低下。
综上，本发明能够加工孔径和锥度可控，孔径均匀的玻璃通孔，打孔效率显著提高，且孔密度大于等于2500个/cm2，极大地提升了孔的密度，有利于减小玻璃晶圆的尺寸。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，其特征在于，所述工艺由以下步骤构成：
A、利用激光在玻璃晶圆上预设小孔；
B、将玻璃晶圆放入装有HF溶液的容器，所述HF溶液的质量浓度为8％至15％，所述HF溶液的温度为20℃到40℃；将容器放入超声设备中，开启超声设备，所述超声设备发出的超声波频率为40KHZ，在60-120min的腐蚀时间，利用HF溶液将玻璃晶圆上的小孔腐蚀至需要的直径；
C、取出玻璃晶圆，用去离子水清洗干净；
D、检测玻璃通孔的孔径和通透性；
所述工艺能够在120min的腐蚀时间内在玻璃晶圆上得到孔密度大于等于2500个/cm2的通孔，且通孔的孔径大小均匀，通孔内壁光滑、锥度小。
2.如权利要求1所述的激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，其特征在于，步骤C中，清洗在超声设备中进行。
3.如权利要求1所述的激光结合HF湿刻蚀加工TGV通孔的工艺，其特征在于，步骤D中，利用光学显微镜nikon-MM-400L将孔放大50到500倍观察孔径的大小和通透性。
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111799169B (zh) * | 2020-07-17 | 2024-05-28 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种飞秒激光结合hf湿蚀刻加工tgv的工艺 |
| CN114560634A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-05-31 | 广东工业大学 | 一种异形玻璃通孔的加工方法 |
| CN114671623A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-06-28 | 广东工业大学 | 一种单面板上加工不同孔径tgv的方法及其刻蚀装置 |
| CN114605080B (zh) * | 2022-04-18 | 2022-12-06 | 广东工业大学 | 一种基于交变电场辅助加工玻璃通孔的方法及蚀刻装置 |
| CN114702246A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-05 | 广东工业大学 | 基于磁场协同超声脉冲对玻璃孔的加工方法、系统及应用 |
| CN114905343B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-06-30 | 广东工业大学 | 一种硬质颗粒光声共振辅助的玻璃加工方法 |
| CN116161870B (zh) * | 2023-02-28 | 2024-09-24 | 东南大学 | 一种多脉冲皮秒激光辅助koh湿刻加工高深宽比玻璃通孔的方法 |
| CN117247230A (zh) * | 2023-08-01 | 2023-12-19 | 咸宁南玻光电玻璃有限公司 | 玻璃及其通孔加工方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101494954A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-29 | 深圳市五株电路板有限公司 | 高密度积层线路板激光钻孔对位精度控制方法 |
| TW201528358A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | Disco Corp | 光裝置晶圓之加工方法 |
| CN105682850A (zh) * | 2013-08-29 | 2016-06-15 | 康宁股份有限公司 | 用于在玻璃基材中形成孔道的方法 |
| WO2020190489A1 (en) * | 2019-03-21 | 2020-09-24 | Corning Incorporated | Systems for and methods of forming micro-holes in glass-based objects using an annular vortex laser beam |
| CN111799169A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-20 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种飞秒激光结合hf湿蚀刻加工tgv的工艺 |
| CN113811517A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-12-17 | 康宁股份有限公司 | 加工贯穿玻璃的通孔的高硅酸盐玻璃制品及其制造和使用方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754429B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-06-22 | Corning Incorporated | Method of making optical fiber devices and devices thereof |
| US7390740B2 (en) * | 2004-09-02 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Sloped vias in a substrate, spring-like contacts, and methods of making |
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2021
- 2021-03-23 CN CN202110307378.6A patent/CN112864026B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101494954A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-07-29 | 深圳市五株电路板有限公司 | 高密度积层线路板激光钻孔对位精度控制方法 |
| CN105682850A (zh) * | 2013-08-29 | 2016-06-15 | 康宁股份有限公司 | 用于在玻璃基材中形成孔道的方法 |
| TW201528358A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | Disco Corp | 光裝置晶圓之加工方法 |
| WO2020190489A1 (en) * | 2019-03-21 | 2020-09-24 | Corning Incorporated | Systems for and methods of forming micro-holes in glass-based objects using an annular vortex laser beam |
| CN113811517A (zh) * | 2019-05-10 | 2021-12-17 | 康宁股份有限公司 | 加工贯穿玻璃的通孔的高硅酸盐玻璃制品及其制造和使用方法 |
| CN111799169A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-20 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种飞秒激光结合hf湿蚀刻加工tgv的工艺 |
Non-Patent Citations (1)
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| 一种新的激光诱导液相腐蚀法制作GaAs腐蚀孔;陈镇龙;叶玉堂;刘霖;田骁;吴云峰;焦世龙;范超;王昱琳;;光电子.激光(第09期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112864026A (zh) | 2021-05-28 |
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