CN112863737B - 导电膜和包括该导电膜的显示装置 - Google Patents

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Abstract

导电膜和包括该导电膜的显示装置。本公开涉及导电膜和包括该导电膜的显示装置。更具体地，由于导电膜包括导电聚合物层和多个金属纳米线并且包括插入在导电聚合物层中的网状结构，因此可以提供具有高透光率和优异导电性的导电膜以及包括该导电膜的显示装置。

Description

导电膜和包括该导电膜的显示装置
技术领域
本公开涉及导电膜和包括该导电膜的显示装置。更具体地，本公开涉及透明且柔性且具有优异导电性的导电膜，以及包括该导电膜的显示装置。
背景技术
透明电极广泛应用于等离子显示面板(PDP)、有机发光显示(OLED)装置、液晶显示(LCD)装置、太阳能电池、触摸装置等。通常，铟锡氧化物(ITO)用作透明电极的材料。ITO具有透明和具有优异导电性的优点。
发明内容
ITO包含铟，其是具有少量储备的稀土元素，因此存在由于少量储备而导致铟价格高的问题。为了解决这样的问题，为了替换ITO，发明人开发了通过包括导电聚合物层和插入导电聚合物层中的网状结构而具有优异导电性的导电膜，并成功地将导电膜应用于显示装置。
根据本公开的一个方面，提供了具有优异的导电性和高透光率的导电膜以及应用该导电膜的显示装置。
根据本公开的实施方式的导电膜包括基层、导电聚合物层和网状结构。
导电聚合物层位于基层上并包括导电聚合物。
网状结构插入到导电聚合物层中并且包括多个金属纳米线。
根据本公开实施方式的显示装置包括电极，该电极包括导电膜。
根据本公开的实施方式，通过应用导电聚合物层和插入到导电聚合物层中的网状结构，可以提供具有优异导电性和高透光率的导电膜。
根据本公开的实施方式，可以通过使用导电膜代替ITO。
根据本公开的实施方式，通过应用包括导电膜的电极，可以提供一种显示装置，其中可以用导电膜代替高成本的ITO。
附图说明
图1示出了根据本公开实施方式的显示装置的系统配置。
图2和图3示出了根据本公开实施方式的显示面板的子像素电路。
图4示出根据本公开实施方式的导电膜。
图5示出根据本公开的实施方式的导电膜的导电聚合物层和网状结构。
图6示出根据本公开的实施方式的制造导电膜的方法。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的本公开的实施方式，本公开的优点和特征以及实现其的方法将变得显而易见。然而，本公开并不限于下面阐述的实施方式，而是可以以各种不同的形式来实现。提供以下实施方式仅是为了完全公开本公开并将本公开的范围告知本领域技术人员，并且本公开仅由所附权利要求的范围限定。
另外，在用于描述本公开的示例性实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。贯穿整个说明书，相似的标号始终指代相似的元件。此外，在以下对本公开的描述中，当确定本文中并入的公知功能和组件的详细描述可能使得本公开的一些实施方式中的主题很不清楚时，将省略该详细描述。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“含有”、“构成”、“由…组成”和“由…形成”这样的术语通常旨在允许添加其它组件，除非该术语与术语“仅”一起使用。本文所使用的单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
在解释本公开的实施方式的任何元件或特征时，应当认为，即使没有进行具体描述，层、区域和区的任何尺寸和相对大小也包括公差或误差范围。
例如“在.上”、“在.之上”、“在.上方”、“在.下”、“在.之下”、“在.下方”、“在.底下”、“在.下面”、“在.上面”、“在.附近”、“在.旁边”、“和.相邻”等空间相对术语在此可以用来描述一个元件或特征与附图所示的另一个元件或特征的关系，并且应当解释为一个或多个元件可以进一步“插置”在元件之间，除非使用诸如“直接”、“仅”这样的术语。
这里用于描述事件、操作等之间的时间关系的时间相关术语(例如“之后”、“接着”、“然后”、“之前”等)通常旨在包括除非使用例如“直接”、“立即”等的术语否则不会连续发生的事件、情形、情况、操作等。
当使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种元件或组件时，应当认为这些元件或组件不限于此。这些术语在此仅用于将元件与其它元件区分开。因此，下面提到的第一元件可以是本公开的技术概念中的第二元件。
本公开的各种示例性实施方式的元件或特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，如本领域的普通技术人员可以完全理解的，并且各种示例性实施方式可以彼此独立地或相互关联地执行。
在下文中，将对根据本公开的实施方式的导电膜的各种特征或配置进行讨论。
根据导电膜的实施方式，导电聚合物可以是阳离子聚合物和阴离子聚合物的共轭聚合物。
根据导电膜的实施方式，阴离子聚合物可以是聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)。
根据导电膜的实施方式，阴离子聚合物可以是硫酸葡聚糖。
根据导电膜的实施方式，导电聚合物层可以具有20Ω/□或更小的薄层电阻。
根据导电膜的实施方式，导电聚合物层可以具有85％或更高的透光率。
根据导电膜的实施方式，金属纳米线可以是银纳米线。
根据导电膜的实施方式，网状结构可以包括结部分，在所述结部分中，多个金属纳米线中的两个相邻金属纳米线彼此接触或交叠。
根据导电膜的实施方式，网状结构可具有20Ω/□或更小的薄层电阻。
根据导电膜的实施方式，网状结构可具有90％或更高的透光率。
根据导电膜的实施方式，形成所述网状结构的所述多个金属纳米线之间的孔中填充有所述导电聚合物。
在下文中，将参照附图对根据本公开的实施方式的显示装置的各种特征或配置进行讨论。
根据显示装置的实施方式，显示装置可以包括有机发光元件。
根据显示装置的实施方式，有机发光元件可以包括第一电极、发光层和第二电极。
根据显示装置的实施方式，第一和第二电极中的至少一个可以包括本文所述的导电膜。
根据显示装置的实施方式，显示装置可以包括触摸面板或包括多个触摸电极的触摸传感器。
根据显示装置的实施方式，多个触摸电极中的一个或多个可以包括本文所述的导电膜。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种实施方式。
图1示出了根据本公开实施方式的电子装置100的系统配置。
参照图1，根据本发明实施方式的显示装置100包括：显示面板DISP，其中布置有多条数据线DL和多条栅极线GL，并且布置有由多条数据线DL和多条栅极线GL限定的多个子像素SP；数据驱动电路DDC(或数据驱动器)，用于驱动多条数据线DL；栅极驱动电路GDC(或栅极驱动器)，用于驱动多条栅极线GL；控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的控制器D-CTR等。
控制器D-CTR通过向数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC提供各自的控制信号(DCS，GCS)来控制数据驱动电路DDC和栅极驱动电路GDC的操作。
控制器D-CTR根据在每一帧中处理的定时开始像素的扫描，将从其它设备或其它图像提供源输入的图像数据转换为适合于在数据驱动电路DDC中使用的数据信号形式，然后输出由转换产生的图像数据DATA，并根据扫描在预先配置的时间将数据加载到像素中。
控制器D-CTR可以实现为与数据驱动电路DDC分离的部件，或者可以与数据驱动电路DDC集成，因此控制器D-CTR可以实现为集成电路。
数据驱动电路DDC通过向数据线DL提供与从控制器D-CTR接收的图像数据DATA对应的数据电压来驱动多条数据线DL。这里，数据驱动电路DDC有时被称为源极驱动电路或源极驱动器。
数据驱动电路DDC可以包括要实现的至少一个源极驱动器集成电路SDIC。
每个源极驱动器集成电路SDIC可以包括移位寄存器、锁存电路、数模转换器DAC、输出缓冲器等。
在一些情况下，每个源极驱动器集成电路SDIC还可以包括一个或多个模数转换器ADC。
栅极驱动电路GDC通过向多条栅极线GL依次提供扫描信号来依次驱动多条栅极线GL。这里，栅极驱动电路GDC有时被称为扫描驱动电路或扫描驱动器。
栅极驱动电路GDC可以包括要实现的至少一个栅极驱动器集成电路GDIC。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以包括移位寄存器、电平移位器等。
每个栅极驱动器集成电路GDIC可以以带自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接到显示面板DISP的诸如接合焊盘之类的焊盘，或者以板内栅极(GIP)类型直接设置在显示面板DISP上。在一些情况下，栅极驱动器集成电路GDIC可以被设置为与显示面板DISP集成。此外，每个栅极驱动器集成电路GDIC可以实现为膜上芯片(COF)类型，其中栅极驱动器集成电路GDIC安装在与显示面板DISP连接的薄膜上。
根据控制器D-CTR的控制，栅极驱动电路GDC向多条栅极线GL依次提供导通电压或截止电压的扫描信号。
当来自栅极驱动电路GDC的扫描信号断言特定栅极线时，数据驱动电路DDC将从控制器D-CTR接收的图像数据DATA转换为模拟数据电压，并将获得的模拟数据电压提供给多个数据线DL。
根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路DDC可以但不限于位于显示面板DISP的仅一侧(例如上侧或下侧)，或者在一些情况下，可以但不限于位于显示面板DISP的两侧(例如上侧和下侧)。
根据驱动方案、面板设计方案等，栅极驱动电路GDC可以但不限于位于面板DISP的仅一侧(例如左侧或右侧)，或者在一些情况下，可以但不限于位于显示面板DISP的两侧(例如左侧和右侧)。
根据本公开实施方式的显示装置100可以是各种类型的显示装置中的一种，例如液晶显示装置、有机发光显示装置、等离子体显示装置等。
在根据本公开实施方式的显示装置100是有机发光显示装置的情况下，布置在显示面板DISP中的每个子像素SP可以包括电路元件，例如作为自发光元件的有机发光二极管(OLED)、用于驱动OLED的驱动晶体管等。
包括在每个子像素SP中的电路元件的类型和电路元件的数量可以根据面板的类型(例如LCD面板、OLED面板等)、所提供的功能、设计方案/特征等而不同。
在下文中，将参照附图详细描述使用有机发光元件(“OLED”)显示图像的显示面板中的子像素结构(子像素电路)。
图2和图3示出了根据本公开实施方式的显示面板的子像素电路。
参考图2和图3，作为基本元件，每个子像素SP可以包括OLED和用于驱动OLED210的驱动晶体管DRT。
参照图2，每个子像素SP还可以包括：第一晶体管T1，其允许将数据电压VDATA提供给与驱动晶体管DRT的栅极节点相对应的第一节点N1；以及存储电容器C1，其用于在一个帧时间期间保持与图像信号电压相对应的数据电压VDATA或与之相对应的电压。
OLED可以包括第一电极E1(阳极或阴极)、发光层212、第二电极E2(阴极或阳极)等。
在一个实施方式中，可以将低电平电压EVSS施加到OLED的第二电极213。
驱动晶体管DRT通过向OLED提供驱动电流来使OLED被驱动。
驱动晶体管DRT包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是对应于其栅极节点的节点，并且可以电连接到第一晶体管T1的源极节点或漏极节点。
驱动晶体管DRT的第二节点N2可以电连接到OLED的第一电极211，并且可以是源节点或漏节点。
驱动晶体管DRT的第三节点N3可以是作为施加驱动电压EVDD的节点的漏极节点或源极节点，并且可以电连接到用于提供驱动电压EVDD的驱动电压线DVL。
驱动晶体管DRT和第一晶体管T1可以是n型晶体管或p型晶体管。
第一晶体管T1可以电连接在数据线DL和驱动晶体管DL的第一节点之间，并且可以由扫描信号SCAN1控制，该扫描信号SCAN1通过栅极线GL传送并施加到第一晶体管T1的栅极节点N1。
第一晶体管T1可以由扫描信号SCAN导通，并且允许通过数据线DL提供的数据电压VDATA被提供给驱动晶体管DRT的第一节点N1。
存储电容器C1可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间。
存储电容器C1是有意设计成位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是诸如存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间的寄生电容器(例如Cgs、Cgd)这样的内部存储器。
参照图3，除了OLED、驱动晶体管DRT、第一晶体管T1和存储电容器C1之外，根据本公开的实施方式布置在显示面板中的每个子像素SP还可以包括第二晶体管T2。
第二晶体管T2可以电连接在驱动晶体管DRT的第二节点N2和用于提供参考电压VREF的参考电压线RVL之间，并且可以由施加到第二晶体管T2的栅极节点的感测信号SENSE来控制，该感测信号是一种扫描信号。
另外包括第二晶体管T2使得包括在子像素SP中的驱动晶体管DRT的第二节点N2的电压被有效地控制。
第二晶体管T2由扫描信号SENSE导通，并且允许通过参考电压线RVL提供的参考电压VREF被施加到驱动晶体管DRT的第二节点N2。
图3所示的子像素结构在精确地初始化驱动晶体管DRT的第二节点N2中的电压以及感测驱动晶体管DRT的固有特征值(例如，阈值电压或迁移率)和OLED的固有特征值(例如，阈值电压)方面是有利的。
同时，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以是分离的栅极信号。在这种情况下，可以通过不同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE分别施加到第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
在一些情况下，扫描信号SCAN和感测信号SENSE可以是相同的栅极信号。在这种情况下，可以通过相同的栅极线将扫描信号SCAN和感测信号SENSE共同施加到第一晶体管T1的栅极节点和第二晶体管T2的栅极节点。
图4示出根据本发明实施方式的导电膜。
参照图4，导电膜400包括诸如基板等的基层420、导电聚合物层430和网状结构440。
基层420是形成导电膜400的基底的层。基层420可以包括例如聚酰亚胺PI、聚碳酸酯PC、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET和硅晶片中的一种或多种。
在一个实施方式中，由于聚酰亚胺是轻的、柔性的，并且耐热性、抗冲击性和耐磨性优异，所以基层420可以包括聚酰亚胺PI。
导电聚合物层430设置在基层420上。此外，导电聚合物层430包括导电聚合物。
导电聚合物是指具有优异导电性的聚合物，并且不限于特定类型，只要其薄层电阻为60Ω/□或更小。
导电聚合物可以是阴离子聚合物和阳离子聚合物的共轭聚合物。当导电聚合物是阴离子聚合物和阳离子聚合物的共轭聚合物时，包含导电聚合物的导电聚合物层可以具有低的薄层电阻和优异的导电性。
阴离子聚合物可以是使导电聚合物具有优异导电性的聚合物。例如，阴离子聚合物可以是聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)。
阳离子聚合物可以是使导电聚合物具有优异导电性的聚合物。例如，阳离子聚合物可以是硫酸葡聚糖(DS)。
在PEDOT和DS分别用作阳离子聚合物和阴离子聚合物的情况下，导电聚合物可以具有优异的导电性和高透光率。
导电聚合物可以具有例如9000S/cm或更高的电导率。由于电导率越高，导电膜的导电性越好，因此导电聚合物的电导率的上限可以不限于特定值。例如，导电聚合物的电导率的上限可以是20000S/cm或更小。在导电聚合物具有上述范围值内的电导率的情况下，导电膜可以具有优异的电导率，并且可以提高显示装置的亮度和功率效率。
导电聚合物对于波长为550nm的光可以具有85％或更高的透光率。透光率的下限可以是例如87％或更大或90％或更大。由于导电聚合物的透光率越高，导电膜的透明度越高，因此透光率的上限可以不限于特定值。例如，透光率的上限可以是99％或更小或95％或更小。在导电聚合物具有上述范围值内的光透明度的情况下，导电膜可以具有优异的透明度，并且可以提高显示装置的亮度和功率效率。
网状结构440可以插入到导电聚合物层430中。网状结构440具有比包含在导电聚合物层430中的导电聚合物更高的电导率，导致导电膜具有高电导率。
如图4所示，网状结构440可以包括多个金属纳米线。包括多个金属纳米线的网状结构440可以包括其中两个相邻的金属纳米线彼此接触的结部分441。在足够数量的金属纳米线设置在基层420上的情况下，相邻的金属纳米线定位成彼此交叠和/或接触以形成结部分441。结部分441可以指两个或更多个相邻金属纳米线彼此接触的部分。
由于网状结构440包括结部分441，因此可以形成允许电流流过金属纳米线和结部分441的路径，从而引导电流通过金属纳米线和结部分441流过整个网状结构。因此，(包括网状结构440的)导电膜400的导电性可以显著提高。
金属纳米线的类型可以是例如银纳米线、金纳米线或铂纳米线。在这些金属中，由于银具有优异的导电性并且易于制成导线形式，因此根据本公开的实施方式的金属纳米线可以是银纳米线。
由于银纳米线具有80Ω至120Ω的电阻值，这低于具有200Ω至400Ω的电阻值的ITO，因此对于大尺寸是有利的。此外，由于可以应用不沉积的印刷方法并且可以实现曲面，因此银纳米线也适用于柔性显示装置。
银纳米线可以具有10nm至100nm的直径和1μm至100μm的长度。因此，由于银纳米线具有非常大的直径-长度比，因此即使当使用少量的银纳米线时，相邻的银纳米线也可以彼此接触形成结部分441，从而形成网状结构440。在银纳米线形成网状结构440的情况下，由于位于银纳米线之间的孔和银纳米线的纳米量级的尺寸的大小，网状结构440可以具有高透光率。
图5示出根据本公开实施方式的导电膜的导电聚合物层430和网状结构440。
如上所述，包括金属纳米线的网状结构440具有包括位于金属纳米线之间的孔的孔隙特性。这种孔隙特性具有例如优异的透光率、柔性特性等优点，但也具有导电性降低和电阻增加的问题。网状结构440的孔填充有包括在导电聚合物层430中的导电聚合物。因此，导电聚合物可以位于形成网状结构440的多个金属纳米线之间的孔中。当导电聚合物填充网状结构440的孔时，可以补充网状结构440的弱机械性能，并且导电膜可以具有优异的硬度、抗刮性和耐久性。
根据本公开的实施方式，导电聚合物可以是阴离子聚合物和阳离子聚合物的共轭聚合物，并且包括作为阴离子聚合物的PEDOT和作为阳离子聚合物的DS。这种导电聚合物可以通过气相聚合来聚合。当通过气相聚合来聚合导电聚合物时，由于可以有效地填充网状结构440的孔，并且在填充网状结构440的孔的过程中，可以最大程度地防止相邻金属纳米线彼此接触的结部分441的连接断开，所以可以形成具有优异导电性的网状结构440。
网状结构440可以具有低薄层电阻。例如，网状结构440可以具有20Ω/□或更小的薄层电阻。因为薄层电阻越低，导电膜的导电性越好，所以网状结构440的薄层电阻的下限可以不限于特定值。例如，网状结构440的薄层电阻的下限可以为1Ω/□或更多或者5Ω/□或更多。由于网状结构440具有低的薄层电阻，导电膜可以具有优异的导电性，因此有效地代替ITO。
网状结构440可以具有高透光率。例如，网状结构440对于波长为550nm的光可以具有90％或更高的透光率。因为透光率越高，导电膜的透明度越好，所以网状结构440的透光率的上限可以不限于特定值。例如，网状结构440的透光率的上限可以是99％或更小或者95％或更小。由于网状结构440具有高透射率，因此导电膜可以具有优异的透明度，从而有效地代替ITO。
如上所述，由于根据本公开的实施方式的导电膜具有优异的透光率、导电性和柔性，因此，该导电膜可以应用于包括在几种类型的电子装置中的触摸面板，并且可以用作柔性显示装置的透明电极。
根据本公开实施方式的显示装置可以包括其中布置有多个触摸电极的触摸面板，用于执行触摸面板的驱动和感测处理的触摸感测电路等，作为用于触摸感测的触摸传感器。在触摸面板是嵌入式的情况下，触摸面板可以是多个触摸电极的集合。这里，其上设置有多个触摸电极的板或层可以是专用基板，或者是设置在显示面板中的层(例如，封装层)。包括在触摸面板中的多个触摸电极和触摸感测电路可以包括如上根据本公开的实施方式所述的导电膜。
图6示出根据本公开的实施方式的制造导电膜的方法。
在描述与制造导电膜的方法相关的实施方式中，将不重复执行与上述实施方式相同或相应的元件或配置的描述。在下文中，将讨论根据本公开的实施方式的制造导电膜的方法。
参考图6，制造导电膜的方法可以包括在基层420上形成包括的金属纳米线的网状结构440的步骤。
在基层420上形成网状结构440的过程可以是例如银纳米线在空气中在多元醇溶液相工艺中合成然后通过使用印刷工艺和喷涂工艺涂覆在基层420上的方法。然而，在基层420上涂覆包括金属纳米线的溶液的方法不限于特定的方法。
网状结构440的具体形状可以通过调节涂覆在基层420上的银纳米线的含量来调节。由于银纳米线的含量越高，包括在网状结构440中的结部分441的数量越大，因此该网状结构可以具有更低的薄层电阻。
根据本公开的实施方式的制造导电膜的方法可以包括形成导电聚合物层430的步骤。形成导电聚合物层430的步骤可以通过以下方法进行：在形成网状结构440之后，导电聚合物层430通过对包括在导电聚合物层430中的导电聚合物进行气相聚合而形成。
通过气相聚合形成的导电聚合物例如可以是PEDOT：DS，它是包括作为阴离子聚合物的聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)和作为阳离子聚合物的硫酸葡聚糖(DS)的共轭聚合物。当PEDOT：DS用作导电聚合物时，可以容易地使用气相聚合，并且导电聚合物可以具有优异的导电性。
当通过气相聚合在其上形成有包括金属纳米线的网状结构440的基板或基层420上形成导电聚合物层时，与通过溶液聚合等形成导电聚合物层相比，可以更有效地防止网状结构440的结部分中的连接断开。此外，导电聚合物可以有效地填充位于形成网状结构440的金属纳米线之间的孔。当导电聚合物填充网状结构440中的孔时，由于可以降低交叉结电阻，所以导电膜可以具有低的薄层电阻和优异的导电性。
本公开的一些实施方式涉及显示装置。
在描述与制造导电膜的方法相关的实施方式中，将不重复执行与上述实施方式相同或相应的元件或配置的描述。在下文中，将讨论根据本公开的实施方式的制造导电膜的方法。
根据本公开实施方式的显示装置包括电极，该电极包括导电膜。该导电膜基本上等于根据上述本公开的实施方式的导电膜。由于显示装置包括具有导电膜的电极，因此可以用导电膜代替ITO，或者可以减少所使用的ITO电极的数量或整体尺寸。
电极可以是例如包括在显示装置的有机发光元件中的电极。显示装置可以包括有机发光元件，并且有机发光元件可以包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极可以是阳极或阴极，第二电极可以是阴极或阳极。包括导电膜的电极可以用作有机发光元件的第一和第二电极中需要高透明度和优异导电性的电极。
已经给出了以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出和使用本发明，并且已经在特定应用及其要求的上下文中提供了以上描述。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以将本文中限定的一般原理应用于其它实施方式和应用。尽管为了说明的目的描述了示例性实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的基本特征的情况下，各种修改和应用是可能的。例如，示例性实施方式的具体部件可以进行各种修改。以上描述和附图仅出于说明目的提供了本发明的技术思想的示例。即，所公开的实施方式旨在说明本公开的技术思想的范围。因此，本公开的范围不限于所示的实施方式，而是符合与权利要求一致的最宽范围。本公开的保护范围应当根据权利要求来解释，并且在权利要求的范围内的所有技术思想应当被解释为包括在本发明的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2019-0144251的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

Claims (12)

1.一种导电膜，该导电膜包括：
基层；
导电聚合物层，该导电聚合物层位于所述基层上并包括导电聚合物；以及
插入到所述导电聚合物层中的网状结构，
其中，所述网状结构包括多个金属纳米线，
其中，所述导电聚合物是阴离子聚合物和阳离子聚合物的共轭聚合物，
其中，所述阳离子聚合物是硫酸葡聚糖，并且
其中，所述导电聚合物层是通过气相聚合来形成的。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述阴离子聚合物是聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)。
3.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述导电聚合物具有等于或大于9000S/cm的电导率。
4.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述导电聚合物具有等于或大于85％的透光率。
5.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述金属纳米线是银纳米线。
6.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述网状结构包括结部分，在所述结部分中，所述多个金属纳米线中的两个相邻的金属纳米线彼此接触或交叠。
7.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述网状结构具有等于或小于20Ω/□的薄层电阻。
8.根据权利要求1所述的导电膜，其中，所述网状结构具有等于或大于90％的透光率。
9.根据权利要求1所述的导电膜，其中，形成所述网状结构的所述多个金属纳米线之间的孔中填充有所述导电聚合物。
10.一种显示装置，该显示装置包括含有根据权利要求1至9中的任一项所述的导电膜的电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示装置包括有机发光元件，
其中，所述有机发光元件包括第一电极、发光层和第二电极，并且
其中，所述第一电极和所述第二电极中的一个或更多个包括根据权利要求1至9中的任一项所述的导电膜。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示装置包括触摸面板，所述触摸面板包括多个触摸电极，并且
其中，所述多个触摸电极中的一个或更多个包括根据权利要求1至9中的任一项所述的导电膜。
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