CN112857248B - 深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法。该投射模块包括用于投射光信号的投射单元，保持于所述投射单元的投射路径上的光学元件；以及，电连接基座。所述电连接基座包括封装体和被包覆于所述封装体内的电连接结构，所述电连接结构包括形成于所述封装体上表面的至少一第一电连接端和自所述第一电连接端向下延伸并裸露于所述封装体下表面的至少一第二电连接端，所述投射单元安装于所述封装体的上表面且电连接于形成于所述封装体的上表面的所述第一电连接端。这样，所述投射模块取得小型化尺寸和较优散热性能的平衡。

Description

深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法

技术领域

本申请涉及深度信息测量领域，尤其涉及深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法。

背景技术

近年来，随着光学测量技术的发展，深度信息的获取以及基于深度信息的应用开发已成为智能终端设备的热点功能。例如，一些产商已经在智能手机上配置深度信息摄像模组，以实现手机人脸识别功能。深度信息的获取原理可基于飞行时间、结构光或者双目测量等原理实现，其中，在深度信息摄像模组中，基于飞行时间法则(Time of Flight,TOF)的TOF深度信息摄像模组是其中较为热门的产品之一。

图1图示了现有的TOF深度信息摄像模组的示意图，如图1所示，现有的TOF深度信息摄像模组，包括投射模块1、接收模块2和用于导通投射模块1和接收模块2的电路板3。在工作过程中，投射模块1在被导通之后投射具有特定波段的光信号至被测目标，接收模块2接收从该被测目标反射回来的光信号，以根据发射光信号和接收光信号之间的时间差或者相位差获得该被测目标的深度信息。

然而，一方面，随着各类移动终端设备不断朝着小型化、薄型化的方向发展，其预留给深度信息摄像模组的组装空间不断地被压缩；另一方面，对于深度信息摄像模组的工作性能要求越来越高，这些因素导致现有的深度信息摄像模组出现尺寸结构难以适配，散热问题难以解决等技术问题。

因此，需要一种改进的深度信息摄像模组。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，通过一体封装工艺封装用于导通所述投射模块的投射单元的电连接结构以形成电连接基座，所述投射模块能够取得小型化尺寸和较优散热性能之间的平衡。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，通过一体封装工艺封装用于导通所述投射模块的投射单元的电连接结构以形成电连接基座，所述电连接结构延伸于所述电连接基座内以使得所述投射单元所产生的热量能够藉由所述电连接结构散发以增强所述投射单元的散热性能。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，所述电连接结构包括裸露于所述电连接基座上表面的电连接区域，相对于现有的引线，所述电连接区域具有相对较大的面积尺寸，以增强所述投射单元的散热性能。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，在本申请一种可能的实现方式中，所述电连接结构包括被弯折的导电片，未被弯折的导电片和导电柱，所述导电片能够提供裸露于所述电连接基座上表面的具有较大面积的电连接区域，以增强所述投射单元的散热性能。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，在本申请一种可能的实现方式中，所述电连接结构包括被弯折的导电片，所述导电片能够提供裸露于所述电连接基座上表面的具有较大面积的电连接区域，以增强所述投射单元的散热性能。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，其中，相对于现有的以印刷电路板为电连接结构的方式，以导电片或者导电片和铜柱为电连接结构具有更好的高频信号传导性能，且电阻更低，从而能够降低功耗减少热量产生。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，所述电连接基座的整体高度可调整，以适配于接收模块的整体高度尺寸。也就是说，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组在发射端无需额外的转接板(或者，其他垫高电路的结构)来平衡接收端和发射端的高度。

本申请的另一目的在于提供一种深度信息摄像模组、投射模块及其制备方法，所述投射模块通过所述电连接基座能够直接与深度信息摄像模组的电路板实现导通。也就是说，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组无需额外的线路板便能够实现所述投射模块与所述电路板之间的电连接，从而不仅降低所述深度信息摄像模组的整体成本，而且还能够减少生产工序，提高生产效率。

通过下面的描述，本申请的其它优势和特征将会变得显而易见，并可以通过权利要求书中特别指出的手段和组合得到实现。

为实现上述至少一目的或优势，本申请提供一种投射模块，包括：

用于投射光信号的投射单元；

保持于所述投射单元的投射路径上的光学元件；以及

电连接基座，包括封装体和被包覆于所述封装体内的电连接结构，所述电连接结构包括形成于所述封装体上表面的至少一第一电连接端和自所述第一电连接端向下延伸并裸露于所述封装体下表面的至少一第二电连接端，所述投射单元安装于所述封装体的上表面且电连接于形成于所述封装体的上表面的所述第一电连接端。

在根据本申请的投射模块中，所述电连接结构包括相互独立的至少二导电片，所述至少二导电片中至少部分导电片被弯折；被弯折的所述导电片包括第一部分、第三部分和延伸于所述第一部分和所述第三部分之间的第二部分，所述第一部分的至少一部分裸露于所述封装体上表面，所述第三部分的至少一部分裸露于所述封装体下表面，部分所述第一电连接端设置于所述第一部分中裸露于所述封装体上表面的部分，部分所述第二电连接端设置于所述第三部分中裸露于所述封装体下表面的部分。

在根据本申请的投射模块中，所述电连接结构进一步包括至少一导电柱，所述导电柱被设置于且电连接于未被弯折的所述导电片的下表面，所述导电柱具有预设高度以延伸至所述封装体的下表面；未被弯折的所述导电片的上表面的至少一部分裸露于所述封装体上表面，所述导电柱的下表面的至少一部分裸露于所述封装体下表面；其余部分所述第一电连接端设置于未被弯折的所述导电片中裸露于所述封装体上表面的部分，其余部分所述第二电连接端设置于所述导电柱的下表面中裸露于所述封装体下表面的部分。

在根据本申请的投射模块中，所述至少二导电片全部被弯折，每一被弯折的所述导电片形成第一部分、第三部分和延伸于所述第一部分和所述第三部分之间的第二部分，至少部分所述第一部分裸露于所述封装体上表面，至少部分第三部分裸露于所述封装体下表面；所述第一电连接端设置于所述第一部分中裸露于所述封装体上表面的部分，所述第二电连接端设置于所述第三部分中裸露于所述封装体下表面的部分。

在根据本申请的投射模块中，所述第二部分自所述第一部分垂直地且向下地延伸，所述第三部分横向地自所述第二部分延伸。

在根据本申请的投射模块中，所述第二部分自所述第一部分垂直地且向下地延伸，所述第三部分横向地自所述第二部分延伸。

在根据本申请的投射模块中，所述导电柱的高度与被弯折的所述导电片中的第二部分的高度相一致。

在根据本申请的投射模块中，所述第二部分的至少一部分裸露于所述封装体的侧表面。

在根据本申请的投射模块中，所述电连接基座进一步包括形成于所述封装体上表面的承载支架，所述光学元件安装于所述承载支架。

在根据本申请的投射模块中，所述承载支架一体成型于所述封装体的上表面。

在根据本申请的投射模块中，所述投射单元被实施为激光投射器，所述激光投射器包括一负电端和至少一正电端，当所述投射单元安装于所述封装体的上表面时，所述激光投射器的所述负电端和所述至少一正电端分别电连接于不同的所述第一电连接端。

在根据本申请的投射模块中，所述投射模块进一步包括光电二极管，所述光电二极管安装于所述封装体的上表面并电连接于形成于所述封装体上表面的所述第一电连接端。

在根据本申请的投射模块中，所述至少二导电片被实施为包括至少三导电片，所述至少三导电片中一个导电片用于电连接所述光电二极管，其余至少二导电片用于电连接于所述投射单元。

在根据本申请的投射模块中，所述光电二极管邻近地设置于所述投射单元

根据本申请的另一方面，还提供一种深度信息摄像模组，包括：

如上所述的投射模块；

具有预设高度的接收模块，以及

电路板，所述接收组件和所述投射组件电连接于所述电路板。

在根据本申请的深度信息摄像模组中，所述投射模块中所述承载支架与所述封装体的高度之和与所述接收模块所具有的高度相一致。

根据本申请的又一方面，还提供一种投射模块的制备方法，包括：

提供一导电拼版，所述导电拼版包括至少二通过连筋结构相连的导电片，每一所述导电片具有至少一第一电连接端和至少一第二电连接端；

弯折所述至少二导电片中至少部分导电片，被弯折的所述导电片形成第一部分、第三部分和延伸于所述第一部分和所述第三部分之间的第二部分，所述第一电连接端设置于所述第一部分，所述第二电连接端设置于所述第三部分；

通过模塑工艺一体成型一包覆所述导电拼版的封装体，所述至少一第一电连接端裸露于所述封装体的上表面，所述至少一第二电连接端裸露于所述封装体的下表面，所述封装体还包括一体延伸于所述封装体上表面的承载支架；

分割所述封装体，以获得至少一电连接基座，在分割所述封装体的过程中，所述导电拼版中用于连接所述至少二导电片的所述连筋结构被切断，以使得所述电连接基座中的所述至少二导电片之间相互独立；

安装一投射单元于所述封装体的上表面；

电连接所述投射单元的至少一正电端和所述负电端至裸露于所述封装体的上表面的不同的所述第一电连接端；以及

安装一光学元件于所述承载支架，以使得所述光学元件保持于所述投射单元的投射路径

在根据本申请的制备方法中，通过模塑工艺一体成型一包覆所述导电拼版的封装体进一步包括：

在未被弯折的所述导电片的下表面设置一导电柱，所述导电柱具有预设高度以使得在形成所述封装体后，所述导电柱的下表面裸露于所述封装体的下表面。

通过对随后的描述和附图的理解，本申请进一步的目的和优势将得以充分体现。

本申请的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现。

附图说明

通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

图1图示了现有技术中TOF深度信息摄像模组的示意图。

图2图示了根据本申请实施例的TOF深度信息摄像模组的示意图。

图3图示了根据本申请实施例的所述导电片被弯折的示意图。

图4图示了根据本申请实施例的所述电连接基座的一个变形实施的示意图。

图5图示了根据本申请实施例的所述电连接结构的一种具体示例。

图6图示了基于图5所示的所述电连接结构的所述投射单元和所述光电二极管的电路布置示意图。

图7图示了根据申请实施例的所述电连接基座的另一个变形实施的示意图。

图8图示了根据申请实施例的所述电连接基座的又一个变形实施的示意图。

图9图示了根据申请实施例的所述电连接基座的又一个变形实施的示意图。

图10A至10C图示了根据申请实施例的所述投射模块的制备过程示意图。

具体实施方式

下面，将参考附图详细地描述根据本申请的示例实施例。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是本申请的全部实施例，应理解，本申请不受这里描述的示例实施例的限制。

申请概述

如上所述，随着各类移动终端设备不断朝着小型化、薄型化的方向发展，其预留给深度信息摄像模组的组装空间不断地被压缩，同时，对于深度信息摄像模组的工作性能要求越来越高，这些因素导致现有的深度信息摄像模组出现尺寸结构难以适配，散热问题难以解决等技术问题。

更具体地说，如图1所示，在现有的深度信息摄像模组中，投射模块1与接收模块2具有不同的高度尺寸并且电连接于同一电路板，因此，为了使得投射模块1与接收模块2的安装高度齐平，通常需要将投射模块1的安装位置抬高，常用的做法有两种：垫高或者架高。在架高的技术方案中，通过支架抬高投射模块1的安装位置以使其能够保持在与接收模块2高度相等的位置，进而通过一软板将投射模块1电连接到深度信息摄像模组的电路板3。在垫高的技术方案中，在投射模块1的下方放置一块垫高块4以垫高投射模块1的安装位置以使其能够保持在与接收模块2高度相等的位置，进而，通过一软板5将投射模块1电连接到深度信息摄像模组的电路板3。

虽然藉由垫高或者架高的技术方案能够将实现投射模块与接收模块的安装高度齐平的技术目的，然而，具有如此配置的深度信息摄像模组具有相对较大的整体尺寸，其难以满足当下移动终端设备不断朝着小型化、薄型化的发展趋势。并且，随着对于深度信息摄像模组性能需求的加强，现有深度信息摄像模组的散热不佳的越发凸显。这里应特殊注意到，深度信息摄像模组尺寸的小型化与散热性能在某种程度上为相反的一对参数，因为模组小型化会导致热量集中而加剧散热难题。在深度信息摄像模组工作的过程中，如果模组产生的热量不能及时散去而是堆积起来，会造成模组温度逐步升高，随着模组温度升高，其失效概率呈指数级增长，当模组温度高于某一临界值后，模组就可能因为温度过高而发生不可逆的热变性，失去原有的功能。

针对上述技术问题，本申请的基本构思是通过一体封装工艺封装用于导通所述投射模块的投射单元的电连接结构以形成电连接基座，所述投射模块取得小型化尺寸和较优散热性能的平衡。

基于此，本申请提供一种投射模块，其包括用于投射光信号的投射单元，保持于所述投射单元的投射路径上的光学元件；以及，电连接基座。所述电连接基座包括封装体和被包覆于所述封装体内的电连接结构，所述电连接结构包括形成于所述封装体上表面的至少一第一电连接端和自所述第一电连接端向下延伸并裸露于所述封装体下表面的至少一第二电连接端，所述投射单元安装于所述封装体的上表面且电连接于形成于所述封装体的上表面的所述第一电连接端。这样，所述投射模块取得小型化尺寸和较优散热性能的平衡。

示例性深度信息摄像模组及其投射模块

如图2所示，基于本申请实施例的深度摄像模组被阐明，特别地，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组为TOF深度信息摄像模组。在具体应用中，所述深度信息摄像模组能够组装于终端设备(包括但不限于智能手机、平板电脑、膝上型电脑、可穿戴设备等)，以通过所述TOF深度信息摄像模组采集被测目标的深度信息。

如图2所示，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组，包括：投射模块10、接收模块20和电路板30，其中，所述投射模块10和所述接收模块20分别电连接于所述电路板30。在工作过程中，所述投射模块10被激发产生具有预设波长的光信号至一被测目标，所述接收模块20被设置用于接收由该被测目标所反射的光信号，进而通过测量光信号从发射到接收的时间间隔t(常被称为脉冲测距法)或往返被测物体一次所产生的相位(常称为相位差测距法)来实现对被测物体的深度测量。

如图2所示，在本申请实施例中，所述接收模块20包括感光芯片21、滤光元件22和光学镜头23，其中，所述感光元件用于接收来自被测目标的所反射的激光后产生感应信号，以实现深度信息采集。所述滤光元件22和所述光学镜头23分别被保持于所述感光元件的感光路径，其中，所述光学镜头23供采集来自被测目标的反射激光，所述滤光元件22用于过滤杂散，以使得仅具有预设波长的激光能够穿过所述滤光元件22并抵至所述感光元件。本领域普通技术人员应知晓，除了如上所述的感光芯片21、滤光元件22和光学镜头23之外，所述接收模块20还包括其他必要元件，例如，用于支持所述光学镜头23的支架24等。并且，所述接收模块20还可以依据所述深度信息摄像模组的需求配置其他元件，对此，并不为本申请所局限。

如图2所示，在本申请实施例中，所述投射模块10包括用于投射光信号的投射单元11，保持于所述投射单元11的投射路径上的光学元件12，邻近地安装于所述投射单元11且用于检测所述投射单元11所投射的光信号的光强信息的光电二极管13(Photodiode，PD)、用于驱动控制所述投射单元11的工作模式的驱动集成电路，以及安装并电连接于所述电路板30的电连接基座14，其中，所述投射单元11安装于所述电连接基座14并藉由所述电连接基座14电连接于所述电路板30。相应地，所述电路板30能够藉由所述电连接基座14提供用于激发所述投射单元11的电能，这样，在被导通之后，所述投射单元11产生具有预设波长的光信号，该光信号在投向被测目标之前进一步地所述光学元件12所调制。在具体实施中，所述投射单元11可被实施为激光投射器(例如VCSEL激光投射器(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser，垂直腔面发射激光器)或者LED光源，其中，在一些具体的示例中，激光投射器或者LED光源能够以阵列的方式布置以形成激光投射器阵列或LED光源阵列。所述光学元件12可被实施为光学衍射元件，其作用在于对由投射单元11所产生的光信号进行复制和/或扩散而不改变该光信号的特征(例如，波形、波长等)，当然，在本申请其他示例中，所述光学元件12还可被实施为其他类型的光学元件12(例如，毛玻璃)，对此，并不为本申请所局限。

特别地，在本申请实施例中，通过所述电连接基座14的特殊配置，所述投射模块10在小型化尺寸和较优散热性能方面取得平衡。具体来说，如图2所示，在本申请实施例中，所述电连接基座14包括封装体141和被包覆于所述封装体141内的电连接结构142，所述电连接结构142包括形成于所述封装体141上表面的至少一第一电连接端1421和自所述第一电连接端1421向下延伸并裸露于所述封装体141下表面的至少一第二电连接端1422，也就是说，在本申请实施例中，所述电连接基座14的上下表面为设有电连接端口的电连接面。相应地，当所述投射单元11安装于所述电连接基座14的上表面时，所述投射单元11能够以电连接于所述第一电连接端1421的方式电连接于所述电连接基座14的上表面，并且，当所述投射模块10安装于所述深度信息摄像模组的电路板30时，所述投射模块10能够以所述电连接基座14的所述第二电连接端1422电连接于所述电路板30的方式电连接于所述电路板30，通过这样的方式，实现所述投射单元11与所述电路板30之间的电导通。

以下，以所述投射单元11被实施为VCSEL激光投射器为示例，说明本申请实施例的所述电连接结构142的配置。本领域普通技术人员应知晓，VCSEL激光投射器包括一个设置于其下表面负电端和设置于其上表面的至少一个正电端，其中，所述正电端的数量取决于所述VCSEL激光投射器的功率要求，具体关系为正相关，即，当所述VCSEL激光投射器的功率要求越高时，所述正电端的数量越多。

为了导通所述VCSEL激光投射器，在本申请实施例中，所述电连接结构142包括相互独立的至少二导电片1423，所述至少二导电片1423中至少部分导电片1423被弯折，被弯折的所述导电片1423包括第一部分1424、第三部分1426和延伸于所述第一部分1424和所述第三部分1426之间的第二部分1425。如图2所示，在本申请实施例中，当被弯折的所述导电片1423被所述封装体141所包覆后，被弯折的所述导电片1423的第一部分1424的至少一部分裸露于所述封装体141上表面，所述第三部分1426的至少一部分裸露于所述封装体141下表面，其中，部分所述第一电连接端1421设置于所述第一部分1424中裸露于所述封装体141上表面的部分，部分所述第二电连接端1422设置于所述第二部分1425中裸露于所述封装体141下表面的部分。

进一步地，在如图2所示意的示例中，所述至少二导电片1423中部分导电片1423被弯折，还有部分所述导电片1423没有被弯折。相应地，所述电路连接结构还包括至少一导电柱1427，所述导电柱1427被设置于且电连接于未被弯折的所述导电片1423的下表面，所述导电柱1427具有预设高度以延伸至所述封装体141的下表面。如图2所示，在本申请实施例中，未被弯折的所述导电片1423的上表面的至少一部分裸露于所述封装体141上表面，所述导电柱1427的下表面的至少一部分裸露于所述封装体141下表面，其余部分所述第一电连接端1421设置于未被弯折的所述导电片1423中裸露于所述封装体141上表面的部分，其余部分所述第二电连接端1422设置于所述导电柱1427的下表面中裸露于所述封装体141下表面的部分。

综上，通过所述导电片1423(包括弯折的和不被弯折的)和所述导电柱1427形成用于导通所述投射单元11的电连接结构142。相应地，当所述VCSEL激光投射器安装于所述电连接基座14的上表面时，所述VCSEL激光投射器的所述负电端以直接接触于裸露于所述电连接基座14上表面的所述第一电连接端1421的方式电连接于所述电连接基座14，进而通过引线(例如，金线)将所述VCSEL激光投射器的正电端电连接于裸露于所述电连接基座14上表面的其他所述第一电连接端1421(除了与所述VCSEL激光投射器的所述负电端接触的所述第一电连接端1421)，这样实现所述VCSEL激光投射器与所述电连接基座14之间的电气连接。

值得一提的是，对于VCSEL激光投射器而言，其正电端打线的方式包括两种：一种是单边打线，另一种是双边打线，其区别在于：当所述VCSEL激光投射器的正电端布设于其上表面的两侧时采用双边打线，当其正电端布设于其上表面的一侧时采用单边打线。还值得一提的是，所述导电片1423的数量取决于所述VCSEL投射器的正电端的数量和所述第一电连接端1421在所述导电片1423上的布置方式。这里，所述第一电连接端1421在所述导电片1423上的布置方式表示：所述第一电连接端1421在每一所述导电上的布置数量和在所述导电片1423上的设置位置。当然，本领域普通技术人员应可以理解，当将所述投射单元11的其他电子元器件也设置于所述电连接基座14的上表面时(例如，将所述光电二极管13和/或所述驱动集成电路设置于所述电连接基座14的上表面)，所述导电片1423的数量还应相应地增加。例如，如图2所示，在本申请实施例中，所述光电二极管13设置于并电连接于所述电连接基座14的上表面，相应地，所述至少二导电片1423被实施为包括至少三导电片1423，其中，所述至少三导电片1423中一个导电片1423用于电连接所述光电二极管13，其余至少二导电片1423用于电连接于所述投射单元11。

图3图示了根据本申请实施例的所述导电片1423被弯折的示意图。如图3所示，未弯折的所述导电片1423具有“片状”结构，其具有较薄的厚度尺寸和一定的宽度尺寸，并且，宽度尺寸远大于厚度尺寸。相应地，在被弯折之后，所述导电片1423具有三个部分：第一部分1424，自所述第一部分1424向下地且垂直地延伸的第二部分1425，以及，自所述第二部分1425和横向延伸的第三部分1426。优选地，在本申请实施例中，所述第一部分1424平行于所述第三部分1426，所述第二部分1425垂直于所述第一部分1424和所述第三部分1426。如图3所示，在本申请实施例中，被弯折的所述导电片1423的所述第一部分1424、所述第二部分1425和所述第三部分1426具有“Z”字型。当然，在本申请其他示例中，被弯折的所述导电片1423的所述第一部分1424、所述第二部分1425和所述第三部分1426还可以形成或者字型结构，对此，并不为本申请所局限。当然，本领域普通技术人员应知晓，所述导电片1423还能够以其他方式被弯折以形成其他形状的结构，例如，所述第二部分1425倾斜地延伸于所述第一部分1424和所述第三部分1426之间，对此，同样并不为本申请所局限。

应可以理解，在被弯折的所述导电片1423通过一体成型工艺(例如，模塑工艺)被包覆于所述封装体141内后，所述第一部分1424的至少一部分裸露于所述封装体141的上表面(即，所述电连接基座14的上表面)。应可以理解，相较于现有的通过引线导通的方式，裸露于所述封装体141的上表面的所述第一部分1424具有相对较大的面积尺寸，因而能够为所述投射单元11提供较大的散热面积，以增强所述投射单元11的散热性能。也就是说，在本申请实施例中，所述电连接结构142包括裸露于所述电连接基座14上表面的由被弯折的所述导电片1423所形成的电连接区域，相对于现有的引线，该电连接区域具有相对较大的面积尺寸，以能够增强所述投射单元11的散热性能。进一步地，相较于现有的引线，所述第二部分1425和所述第三部分1426同样具有相对较大的尺寸，本领域普通技术人员应可以理解，当所述投射单元11并电连接于所述电连接基座14的上表面时，被弯折的所述导电片1423的第一部分1424、第二部分1425和所述第三部分1426形成散热通道，其能够将由所述投射单元11所产生的热量沿着被弯折的所述导电片1423的第一部分1424、第二部分1425和第三部分1426散发至外界，因此，当所述第一部分1424、第二部分1425和所述第三部分1426具有相对较大的尺寸时，其所形成的散热通道的散热性能得以增强。

对于未被弯折的所述导电片1423而言，其仅具有裸露于所述电连接基座14上表面的第一电连接端1421，为了形成完整的电路，在其下表面设置所述导电柱1427，以通过所述导电柱1427在所述电连接基座14的下表面形成于所述第一电连接端1421导通的第二电连接端1422。优选地，在本申请实施例中，所述导电柱1427的高度与被弯折的所述导电片1423中的第二部分1425的高度相一致。应可以理解，相较于引线导通的方式，裸露于所述封装体141的上表面的未被弯折的所述导电片1423具有相对较大的面积尺寸，因而能够为所述投射单元11提供较大的散热面积，增强所述投射单元11的散热性能。进一步地，相较于现有的引线而言，所述导电柱1427同样具有相对较大的尺寸。本领域普通技术人员应可以理解，当所述投射单元11并电连接于所述电连接基座14的上表面时，未被弯折的所述导电片1423和所述导电柱1427形成散热通道，其能够将由所述投射单元11所产生的热量沿着未被弯折的所述导电片1423和所述导电柱1427散发至外界，因此，最终所形成的散热通道的散热性能得以增强。

为了进一步地增强所述投射单元11的散热性能，在本申请的一些实施例中，被弯折的所述导电片1423的所述第二部分1425的至少一部分裸露于所述封装体141的侧表面。这样，在通过弯折的所述导电片1423将由所述投射单元11所产生的热量沿着未被弯折的所述导电片1423的第一部分1424、第二部分1425和第三部分1426散发至外界的过程中，热量能够通过所述第二部分1425直接散发至外界，以增强所述投射单元11的散热性能，如图4所示。

值得一提的是，在本申请实施例的具体示例中，所述导电片1423可被实施为由金属材料、金属与金属合金材料、非金属导电材料、非金属与金属合金材料制成的具有片状结构的导电片1423，例如，所述导电片1423可被实施为铜片。当然，本领域普通技术人员应可以理解，在具体实施中，所述导电片1423的具体选材并不为本申请所局限，其仅需具有一定的导电性能和较佳的散热性能即可。

还值得一提的是，相对于现有的以印刷电路板30为电连接结构142的方式，以导电片1423和铜柱为电连接结构142具有更好的高频信号传导性能，且电阻更低，从而能够降低功耗减少热量产生。

图4图示了根据本申请实施例的所述电连接结构142的一种具体示例，如图5所示，在该具体示例中，所述电连接结构142包括4片所述导电片1423，其中，4片所述导电片1423中有三片所述导电片1423被弯折，剩余一片所述导电片1423未被弯折，其中，所述投射单元11贴装于未被弯折的所述导电片1423。图6图示了基于图5所示的所述电连接结构142的所述投射单元11和所述光电二极管13的电路布置示意图。如图6所示，对应于图5所示意的所述电连接结构142，所述投射单元11贴装于未被弯折的所述导电片1423，其负电端电连接于形成于未被弯折的所述导电片1423的所述第一电连接端1421，其正电端通过双边打线的方式电连接于被弯折的所述导电片1423；所述光电二极管13贴装并电连接于被弯折的所述导电片1423。

在本申请其他示例中，所述电连接结构142可完全地由被弯折的所述导电片1423形成。图7图示了根据申请实施例的所述电连接基座14的一个变形实施的示意图。如图7所示，在该变形实施中，所述电连接结构142包括相互独立的至少二导电片1423，其中，所述至少二导电片1423全部被弯折。每一被弯折的所述导电片1423形成第一部分1424、第三部分1426和延伸于所述第一部分1424和所述第三部分1426之间的第二部分1425，至少部分所述第一部分1424裸露于所述封装体141上表面，至少部分第二部分1425裸露于所述封装体141下表面，其中，所述第一电连接端1421设置于所述第一部分1424中裸露于所述封装体141上表面的部分，所述第二电连接端1422设置于所述第三部分1426中裸露于所述封装体141下表面的部分。也就是说，在该变形实施中，完全通过被弯折的所述导电片1423形成用于导通所述投射单元11的电连接结构142。相应地，当所述VCSEL激光投射器安装于所述电连接基座14的上表面时，所述VCSEL激光投射器的所述负电端以直接接触于裸露于所述电连接基座14上表面的所述第一电连接端1421的方式电连接于所述电连接基座14，进而通过引线(例如，金线)将所述VCSEL激光投射器的正电端电连接于裸露于所述电连接基座14上表面的其他所述第一电连接端1421(除了与所述VCSEL激光投射器的所述负电端接触的所述第一电连接端1421)，这样实现所述VCSEL激光投射器与所述电连接基座14之间的电气连接。

与上述被弯折的所述导电片1423一致，在该变形实施例中，被弯折的所述导电片1423具有较薄的厚度尺寸和一定的宽度尺寸，并且，宽度尺寸远大于厚度尺寸。相应地，被弯折的所述导电片1423具有三个部分：第一部分1424，自所述第一部分1424向下地且垂直地延伸的第二部分1425，以及，自所述第二部分1425和横向延伸的第三部分1426。优选地，在该变形实施中，所述第一部分1424平行于所述第三部分1426，所述第二部分1425垂直于所述第一部分1424和所述第三部分1426，即，优选地被弯折的所述导电片1423的所述第一部分1424、所述第二部分1425和所述第三部分1426具有“Z”字型。

在本申请其他示例中，所述电连接结构142可完全地由所述导电柱1427形成。图8图示了根据申请实施例的所述电连接基座14的一个变形实施的示意图。如图8所示，在该变形实施中，所述电连接结构142包括相互独立的至少二导电柱1427，其中，所述导电柱1427延伸于所述电连接基座14的上表面和下表面之间。相应地，所述第一电连接端1421设置于所述导电柱1427中裸露于所述封装体141上表面的部分，所述第二电连接端1422设置于所述导电柱1427中裸露于所述封装体141下表面的部分。也就是说，在该变形实施中，完全通过所述导电柱1427形成用于导通所述投射单元11的电连接结构142。当然，在本申请其他示例中，所述电连接结构142还可以完全由未被弯折的所述导电片1423和所述导电柱1427形成，对此，不再赘述。

进一步地，如图2所示，在本申请实施例中，所述电连接基座14进一步包括形成于所述封装体141上表面的承载支架140，所述光学元件12安装于所述承载支架140，以使得所述光学元件12被保持于所述投射单元11的投射路径。优选地，在本申请实施例中，所述承载支架140一体成型于所述封装体141的上表面，也就是说，优选地，所述承载支架140与所述封装体141具有一体结构。在具体实施中，可通过模塑工艺或其他一体形成工艺一体成型所述封装体141和所述承载支架140。也就是说，在本申请实施例中，所述电连接基座14的整体高度可调整，从而可适配于所述接收模块20的整体高度尺寸。换言之，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组在发射端无需额外的转接板(或者，其他垫高电路的结构)来平衡接收端和发射端的高度

当然，在本申请其他示例中，所述承载支架140与所述封装体141可被设置为分体结构，如图9所示，即，所述承载支架140预先成型并安装于所述封装体141的上表面。当所述承载支架140为分体式支架时，所述电连接基座14的整体高度可通过所述封装体141的高度和所述承载支架140的高度共同调整，以适配于所述接收模块20的整体高度尺寸。

综上，基于本申请实施例的所述深度信息摄像模组及其投射模块10被阐明，其至少具有如下优势。

首先，通过一体封装工艺封装用于导通所述投射模块10的投射单元11的电连接结构142以形成电连接基座14，所述投射模块10能够取得尺寸小型化和较优散热性能之间的平衡。

其次，通过一体封装工艺封装用于导通所述投射模块10的投射单元11的电连接结构142以形成电连接基座14，其中，所述电连接结构142延伸于所述电连接基座14内以使得所述投射单元11所产生的热量能够藉由所述电连接结构142散发以增强所述投射单元11的散热性能。

再次，所述电连接结构142包括裸露于所述电连接基座14上表面的电连接区域，相对于现有的引线，所述电连接区域具有相对较大的面积尺寸，以增强所述投射单元11的散热性能。

还有，在本申请一种可能的实现方式中，所述电连接结构142包括被弯折的导电片1423，未被弯折的导电片1423和导电柱1427，其中，所述导电片1423能够提供裸露于所述电连接基座14上表面的具有较大面积的电连接区域，以增强所述投射单元11的散热性能。

此外，在本申请一种可能的实现方式中，所述电连接结构142包括被弯折的导电片1423，其中，所述导电片1423能够提供裸露于所述电连接基座14上表面的具有较大面积的电连接区域，以增强所述投射单元11的散热性能。

还有，相对于现有的以印刷电路板30为电连接结构142的方式，以导电片1423或者导电片1423和铜柱为电连接结构142具有更好的高频信号传导性能，且电阻更低，从而能够降低功耗减少热量产生。

此外，所述电连接基座14的整体高度可调整，以适配于接收模块20的整体高度尺寸。也就是说，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组在发射端无需额外的转接板(或者，其他垫高电路的结构)来平衡接收端和发射端的高度。

还有，所述投射模块10通过所述电连接基座14能够直接与深度信息摄像模组的电路板30实现导通。也就是说，在本申请实施例中，所述深度信息摄像模组无需额外的线路板便能够实现所述投射模块10与所述电路板30之间的电连接，从而不仅降低所述深度信息摄像模组的整体成本，而且还能够减少生产工序，提高生产效率。

示例性投射模块制备方法

如图10A至图10C所示，基于本申请实施例的所述投射模块10的一种制备过程被阐明，其中，如图10A至图10C所示意的所述制备过程以制造如图2所示意的所述投射模块10为示例。

如图10A至图10C所示，所述制备过程，首先包括：提供一导电拼版100，其中，所述导电拼版100包括至少二通过连筋结构1428相连的导电片1423，每一所述导电片1423具有至少一第一电连接端1421和至少一第二电连接端1422。在具体实施中，所述导电拼版100可通过蚀刻工艺得到，例如，当所述导电片1423被实施为铜片时，所述导电拼版100可通过蚀刻铜片层形成：在铜片层经过蚀刻后，形成一片片具有特定形状的导电片1423，并且，所述导电片1423之间通过连筋结构1428相连。

接着，弯折所述至少二导电片1423中至少部分导电片1423，其中，被弯折的所述导电片1423形成第一部分1424、第三部分1426和延伸于所述第一部分1424和所述第三部分1426之间的第二部分1425，其中，所述第一电连接端1421设置于所述第一部分1424，所述第二电连接端1422设置于所述第二部分1425；

然后，通过焊接或贴装工艺将导电柱1427设置于未被弯折的所述导电片1423的下表面。

然后，通过模塑工艺一体成型一包覆所述导电拼版100的封装体141，其中，所述至少一第一电连接端1421裸露于所述封装体141的上表面，所述至少一第二电连接端1422裸露于所述封装体141的下表面，所述封装体141还包括一体延伸于所述封装体141上表面的承载支架140；

继而，分割所述封装体141，以获得至少一电连接基座14，其中，在分割所述封装体141的过程中，所述导电拼版100中用于连接所述至少二导电片1423的所述连筋结构1428被切断，以使得所述电连接基座14中的所述至少二导电片1423之间相互独立；

然后，安装一投射单元11于所述封装体141的上表面；

接着，电连接所述投射单元11的至少一正电端和所述负电端至裸露于所述封装体141的上表面的不同的所述第一电连接端1421；以及

然后，安装一光学元件12于所述承载支架140，以使得所述光学元件12保持于所述投射单元11的投射路径。

综上，基于本申请实施例的所述投射模块10的制备过程被阐明，其用于制备如图2所示意的所述投射模块10。本领域普通技术人员应可以理解，对应于本申请实施例的变型实施例中的其他投射模块10，可微调如上所述的制备过程进行制备，在此不再赘述。

本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (13)

1.一种投射模块，其特征在于，包括:

用于投射光信号的投射单元；

保持于所述投射单元的投射路径上的光学元件；以及

电连接基座，所述电连接基座包括封装体和被包覆于所述封装体内的电连接结构，所述电连接结构包括形成于所述封装体上表面的至少一第一电连接端和自所述第一电连接端向下延伸并裸露于所述封装体下表面的至少一第二电连接端，所述投射单元安装于所述封装体的上表面且电连接于形成于所述封装体的上表面的所述第一电连接端；

其中，所述电连接结构包括相互独立的至少二导电片和至少一导电柱，所述至少二导电片中至少部分导电片被弯折；

被弯折的所述导电片包括第一部分、第三部分和延伸于所述第一部分和所述第三部分之间的第二部分，所述第一部分的至少一部分裸露于所述封装体上表面，所述第三部分的至少一部分裸露于所述封装体下表面，部分所述第一电连接端设置于所述第一部分中裸露于所述封装体上表面的部分，部分所述第二电连接端设置于所述第三部分中裸露于所述封装体下表面的部分；

所述导电柱被设置于且电连接于未被弯折的所述导电片的下表面，所述导电柱具有预设高度以延伸至所述封装体的下表面；

未被弯折的所述导电片的上表面的至少一部分裸露于所述封装体上表面，所述导电柱的下表面的至少一部分裸露于所述封装体下表面，其余部分所述第一电连接端设置于未被弯折的所述导电片中裸露于所述封装体上表面的部分，其余部分所述第二电连接端设置于所述导电柱的下表面中裸露于所述封装体下表面的部分。

2.根据权利要求1所述的投射模块，其中，所述第二部分自所述第一部分垂直地且向下地延伸，所述第三部分横向地自所述第二部分延伸。

3.根据权利要求2所述的投射模块，其中，所述导电柱的高度与被弯折的所述导电片中的第二部分的高度相一致。

4.根据权利要求1所述的投射模块，其中，所述第二部分的至少一部分裸露于所述封装体的侧表面。

5.根据权利要求1所述的投射模块，其中，所述电连接基座进一步包括形成于所述封装体上表面的承载支架，所述光学元件安装于所述承载支架。

6.根据权利要求5所述的投射模块，其中，所述承载支架一体成型于所述封装体的上表面。

7.根据权利要求1所述的投射模块，其中，所述投射单元被实施为激光投射器，所述激光投射器包括一负电端和至少一正电端，当所述投射单元安装于所述封装体的上表面时，所述激光投射器的所述负电端和所述至少一正电端分别电连接于不同的所述第一电连接端。

8.根据权利要求7所述的投射模块，进一步包括光电二极管，所述光电二极管安装于所述封装体的上表面并电连接于形成于所述封装体上表面的所述第一电连接端。

9.根据权利要求8所述的投射模块，其中，所述至少二导电片被实施为包括至少三导电片，所述至少三导电片中一个导电片用于电连接所述光电二极管，其余至少二导电片用于电连接于所述投射单元。

10.根据权利要求8所述的投射模块，其中，所述光电二极管邻近地设置于所述投射单元。

11.一种深度信息摄像模组，其特征在于，包括：

根据权利要求1-4和6-10中任一所述的投射模块；

具有预设高度的接收模块，以及

电路板，所述接收组件和所述投射组件电连接于所述电路板。

12.根据权利要求11所述的深度信息摄像模组，其中，所述投射模块中所述电连接基座进一步包括形成于所述封装体上表面的承载支架，所述光学元件安装于所述承载支架，所述投射模块中所述承载支架与所述封装体的高度之和与所述接收模块具有的高度相一致。

13.一种投射模块的制造方法，其特征在于，包括：

提供一导电拼版，所述导电拼版包括至少二通过连筋结构相连的导电片，每一所述导电片具有至少一第一电连接端和至少一第二电连接端；

弯折所述至少二导电片中至少部分导电片，被弯折的所述导电片形成第一部分、第三部分和延伸于所述第一部分和所述第三部分之间的第二部分，所述第一电连接端设置于所述第一部分，所述第二电连接端设置于所述第三部分；

在未被弯折的所述导电片的下表面设置一导电柱，所述导电柱电连接于未被弯折的所述导电片；

通过模塑工艺一体成型一包覆所述导电拼版的封装体，至少一所述第一电连接端裸露于所述封装体的上表面，至少一所述第二电连接端裸露于所述封装体的下表面，所述封装体还包括一体延伸于所述封装体上表面的承载支架；未被弯折的所述导电片的上表面的至少一部分裸露于所述封装体上表面，所述导电柱具有预设高度以使得在形成所述封装体后，所述导电柱的下表面的至少一部分裸露于所述封装体的下表面，其余部分所述第一电连接端设置于未被弯折的所述导电片中裸露于所述封装体上表面的部分，其余部分所述第二电连接端设置于所述导电柱的下表面中裸露于所述封装体下表面的部分；

分割所述封装体，以获得至少一电连接基座，其中，在分割所述封装体的过程中，所述导电拼版中用于连接所述至少二导电片的连筋结构被切断，以使得所述电连接基座中的所述至少二导电片之间相互独立；

安装一投射单元于所述封装体的上表面；

电连接所述投射单元的至少一正电端和负电端至裸露于所述封装体的上表面的不同的所述第一电连接端；以及

安装一光学元件于所述承载支架，以使得所述光学元件保持于所述投射单元的投射路径。