CN112853277B - 一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法 - Google Patents

一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种CuGa2‑GaIn固‑液双相导电薄膜的制备方法，该方法创新性的通过以低成本Cu为固相活性点，Ga为两相活性层，经过真空热处理使得Cu与Ga反应生成固相CuGa2，同时Ga与上层In原子合金化，在Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，由于Cu只能与Ga发生金属间化学反应，从而避免Cu对液相GaIn合金的成核影响，该方法解决了固‑液双相薄膜精准组装的技术难题，并解决了当前Au‑Ga固‑液双相材料体系存在的耐低温能力弱及贵金属Au为固相活性点成本高的问题，在柔性电子电极领域具有非常优异的应用前景。

Description

一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及先进电子材料技术领域，特别是一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法。
背景技术
随着新材料技术的不断进步，电子器件已从第一代“刚性”升级为第二代“柔性”，并向第三代“可拉伸”发展。相对于刚性电子，柔性电子具备弯曲、折叠、扭曲形变下仍有高可靠的电信号传输特性，已应用于柔性显示、柔性储能、柔性电路等高科技领域，极大提升了我国电子产品在国际市场上的竞争力。然而，与柔性电子相比，可拉伸电子需要满足压缩、拉伸等改变材料体积形状条件下仍能保持稳定的电信号传输能力，在可穿戴医疗设备、可拉伸晶体管、可拉伸智能传感器、可拉伸能量存储器件等新兴前沿科技领域具有潜在的应用前景，是我国消费类电子产品的下一个技术革命窗口。
目前，科学家通过对刚性金属的微尺寸化，并采用与柔性高分子衬底相结合的技术路线，已实现了将高模量金属制备成可弯曲、扭曲、折叠等非拉伸形变导电元件。但是，上述技术仍无法实现导电元件的可拉伸，并已成为可拉伸电子领域亟待解决的技术问题。近年来，围绕刚性金属导电材料的可拉伸几何结构设计，如弹簧、褶皱、蛇形结构等，只能实现沿预设结构方向伸缩形变，导致该技术难于得到实际的应用。此外，用纳米材料(如碳纳米管、金属纳米线等)制备的高分子复合材料，虽然可以实现多轴方向的可拉伸性，但导电性比相同尺寸的金属要低得多，难于满足导电元件对高通量电信号的传输需求。
另外，科学家研制出兼具固体金属形貌稳定性和液体金属可拉伸性的Au-Ga固-液双相材料体系，然而，当该体系所处的环境温度低于Ga凝固温度(29.8℃)，此时液相Ga由液态凝固为固体，此时固-液双相转变为固体结构，失去可拉伸性。可见，液相的凝固点高低将直接决定固-液双相导电薄膜的耐低温能力，并且以贵金属Au为固相活性点，高成本也是当前亟待解决的问题之一。研究证实：Ga与In、Sn通过熔融冶炼可以得到凝固点分别15.5℃的GaIn(75％Ga和25％In)。然而，由于GaIn高达624mN m-1，导致无法通过共混的方式获得低凝固点GaIn为液相固-液双相导电薄膜。因此，如何设计低凝固点Ga基合金为液相的固-液双相导电薄膜，有效提高低温可拉伸能力，是当前面临的关键技术难点和亟需解决的科学问题。
针对上述所述的Au-Ga固-液双相材料体系耐低温能力弱及贵金属Au为固相活性点高成本的问题，本发明公开了一种区别于传统的Au-Ga固-液双相材料体系的CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法，该方法的特征在于采用通过In原子掺杂液相Ga有效降低液相的凝固温度，提高固-液薄膜的低温相稳定性；采用薄膜结构设计，以及精准化学反应与合金化，获得Cu取代昂贵的Au为固相活性点的低成本新型Cu基固-液双相导电薄膜。该技术解决当前Au-Ga固-液双相材料体系存在的耐低温能力弱及贵金属Au为固相活性点成本高的问题，具有重大的创新性和经济价值。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法。
为了解决上述问题，本发明提供了一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法，包括以下制备步骤：
(1)采用柔性耐高温(在220-250℃下能稳定存在)聚合物薄膜为柔性衬底材料，如硅橡胶(PDMS)、聚酰亚胺(PI)，并对薄膜采用等离子处理及其表面巯基化，待用。
(2)将步骤(1)得到的柔性衬底材料通过去离子水清洗，并放入真空镀膜机的腔室内，将铜(Cu)(纯度:99.9％-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中。
(3)调控热蒸发槽的电流(A)将Cu原子均匀沉积在衬底上，获得Cu单层薄膜。
(4)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，将镓(Ga)(纯度:99.9％-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中。
(5)将调控热蒸发槽的电流(A)将Ga原子均匀沉积在步骤(3)得到的薄膜上，获得Cu-Ga双层结构薄膜。
(6)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，铟(In)(纯度:99.9-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中
(7)将调控热蒸发槽的电流(A)将In原子均匀沉积在步骤(5)得到的Cu-Ga薄膜上，获得Cu-Ga-In三层薄膜，待用。
(8)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同时，将步骤(7)获得的Cu-Ga-In三层薄膜从真空镀膜机中取出。
(9)将步骤(10)获得的Cu-Ga-In薄膜置于真空热处理炉中，抽真空并将热处理温度设置在120-250℃之间，加热时间为大于1小时，Ga、Cu原子接触的下界面层生成固相CuGa2，Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，形成固-液双相CuGa2-GaIn导电薄膜。
(10)关闭真空热处理炉的加热装置，待真空热处理炉的温度降至25-30℃后，向真空热处理炉中充入空气，达到真空热处理炉中的气压与大气压相同时取出固-液双相CuGa2-GaIn导电薄膜，完成制备。
本发明的有益效果是：本发明所述一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法，该方法创新性的在衬底上以低成本Cu为固相活性点，Ga为两相活性层，经过真空热处理使得 Cu与Ga反应生成固相CuGa2，同时Ga与上层In原子合金化，在Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，由于Cu只能与Ga发生金属间化学反应，从而避免Cu对液相GaIn合金的成核影响，解决固-液双相薄膜精准组装的科学技术问题，该方法解决了当前Au-Ga固- 液双相材料体系存在的耐低温能力弱及贵金属Au为固相活性点成本高的问题，可应用于可拉伸导电元器件中，具有非常优异的应用前景。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：
图1为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(3) Cu单层薄膜的结构示意图；
图2为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(5) Cu-Ga薄膜的结构示意图；
图3为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(7) 从真空镀膜机中取出的Cu-Ga-In三层薄膜的结构示意图；
图4为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(9) 在真空热处理炉中加热前的Cu-Ga-In三层薄膜的结构示意图；
图5为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(9) 在真空热处理炉中加热后的Cu-Ga-In三层薄膜的结构示意图；
图6为本发明一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法其实施例1中制备步骤(10) 从真空热处理炉中取出，完成制备的CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜结构示意图。
具体实施方式
实施例1
一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法，包括以下制备步骤：
(1)采用柔性耐高温(在220-250℃下能稳定存在)聚合物薄膜为柔性衬底材料，如硅橡胶(PDMS)、聚酰亚胺(PI)，并对薄膜采用等离子处理及其表面巯基化，待用。
(2)将步骤(1)得到的柔性衬底材料通过去离子水清洗，并放入真空镀膜机的腔室内，将铜(Cu)(纯度:99.9％-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中。
(3)关闭真空镀膜机的室门，将真空镀膜机的腔室抽真空，并将真空度降至4×10- 6mbar。
(4)调控热蒸发槽的电流(A)将Cu原子均匀沉积在衬底上，获得Cu单层薄膜。
(5)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，将镓(Ga)(纯度:99.9％-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中。
(6)将调控热蒸发槽的电流(A)将Ga原子均匀沉积在步骤(4)得到的薄膜上，获得Cu-Ga薄膜。
(7)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，铟(In)(纯度:99.9-99.9999％)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中
(8)关闭真空镀膜机的室门，将真空镀膜机的腔室抽真空，并将真空度降至4×10- 6mbar。
(9)将调控热蒸发槽的电流(A)将In原子均匀沉积在步骤(6)得到的Cu-Ga薄膜上，获得Cu-Ga-In三层薄膜，待用。
(10)向真空镀膜机的腔室内放入空气，带腔室气压升至与大气压相同时，将步骤(9) 获得的Cu-Ga-In三层薄膜从真空镀膜机中取出。
(11)将步骤(10)获得的Cu-Ga-In薄膜置于真空热处理炉中，抽真空并将热处理温度设置在120-250℃之间，加热时间为大于1小时，Ga、Cu原子接触的下界面层生成固相CuGa2，Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，形成固-液双相CuGa2-GaIn 导电薄膜。
(12)关闭真空热处理炉的加热装置，待真空热处理炉的温度降至25-30℃后，向真空热处理炉中充入空气，达到真空热处理炉中的气压与大气压相同时取出固-液双相CuGa2-GaIn导电薄膜，完成制备
上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (1)

1.一种CuGa2-GaIn固-液双相导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
(1)采用在220-250℃下能稳定存在的柔性耐高温聚合物薄膜为柔性衬底材料，所述柔性衬底材料为硅橡胶(PDMS)或聚酰亚胺(PI)，并对所述柔性衬底材料采用等离子处理及其表面巯基化，待用；
(2)将步骤(1)得到的柔性衬底材料通过去离子水清洗，并放入真空镀膜机的腔室内，将纯度为99.9％-99.9999％的铜(Cu)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中；
(3)调控热蒸发槽的电流，将Cu原子均匀沉积在衬底上，获得Cu单层薄膜；
(4)向真空镀膜机的腔室内放入空气，待腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，将纯度为99.9％-99.9999％的镓(Ga)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中；
(5)调控热蒸发槽的电流，将Ga原子均匀沉积在步骤(3)得到的薄膜上，获得Cu-Ga双层结构薄膜；
(6)向真空镀膜机的腔室内放入空气，待腔室气压升至与大气压相同，打开真空镀膜机的室门，将纯度为99.9% -99.9999％的铟(In)放入到真空镀膜机的电阻蒸发槽中；
(7)调控热蒸发槽的电流，将In原子均匀沉积在步骤(5)得到的Cu-Ga薄膜上，获得Cu-Ga-In三层薄膜，待用；
(8)向真空镀膜机的腔室内放入空气，待 腔室气压升至与大气压相同时，将步骤(7)获得的Cu-Ga-In三层薄膜从真空镀膜机中取出；
(9)将步骤(8)获得的Cu-Ga-In薄膜置于真空热处理炉中，抽真空并将热处理温度设置在120-250℃之间，加热时间为大于1小时，Ga、Cu原子接触的下界面层生成固相CuGa2，Ga、In接触的上界面层生成液相GaIn合金，形成固-液双相CuGa2-GaIn导电薄膜，关闭真空热处理炉后待温度降至20-30℃后取出，完成制备。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3462462A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-03 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (EPFL) EPFL-TTO Patterned biphasic electrical conductor and methods for producing thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Transforming Bulk Metals into Metallic Nanostructures: A Liquid-Metal-Assisted Top-Down Dealloying Strategy with Sustainability;Zhenbin Wang 等;《ACS Sustainable Chem. Eng.》;20190703;第3274–3281页 *

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