CN112838143A - 一种perc电池中氧化铝膜的沉积方法 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 115
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 70
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 70
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 70
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 51
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 33
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 97
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法对现有工艺路线：碱制绒‑低压扩散‑SE激光掺杂‑刻蚀‑氧化退火‑氧化铝膜沉积‑正面镀氮化硅膜‑背面镀氮化硅膜‑激光开槽‑丝网印刷‑烧结的基础上，对氧化铝膜沉积的沉积方法进行改进，使氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，真空条件下交替通入三甲基铝与H2O进行沉积；所述交替通入的次数为20‑32次。从而使获得的氧化铝膜的均匀性得到改善，且沉积时间短，且丝网印刷烧结后的EL黑边的比例较低，有利于提高PERC电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种PERC电池，尤其涉及一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法。
背景技术
太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转化成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。随着科技的发展，出现了局部接触背钝化PERC太阳能电池，其核心是在硅片的背面用氧化铝和氮化硅覆盖，以起到钝化表面、提高长波响应的作用，从而提升电池的转换效率。
氧化铝沉积方式包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法和原子层沉积(ALD)法，ALD沉积氧化铝，存在丝网印刷后烧结，SiNX薄膜中存在的H与氧化铝膜中的-CH3和-OH结合形成CH4或者H2O，在高温下聚集逃逸时破坏氧化铝和SiNX薄膜，从而形成电池片网带印的缺陷。
而且，目前ALD方式的PERC太阳能电池的制备工艺主要是：碱制绒-低压扩散-SE激光掺杂-刻蚀-氧化退火-氧化铝膜沉积-正面镀氮化硅膜-背面镀氮化硅膜-激光开槽-丝网印刷-烧结。ALD方法制备的氧化铝膜的厚度在1-10nm，ALD方法同时在正反两面沉积氧化铝层，无法做到只镀背面氧化铝薄膜；ALD方法氧化铝薄膜难以被银浆腐蚀，从而造成欧姆接触不良。
因此，需要严格控制ALD沉积氧化铝膜的工艺，以提高氧化铝膜的厚度均匀性以及致密性。但现有技术中，为了提高PERC电池的转换效率，通常都是对镀好氧化铝薄膜的电池片进行改性。
CN 111384209A公开了一种ALD方式PERC电池降低污染和提升转换效率的方法，包括：(1)将镀好氧化铝薄膜的电池片进镀正面减反射薄膜炉管中；(2)炉管升温，气体抽干净，充氮气，调节炉管内的压力；(3)完成电离气体制作等离子体；(4)完成多层减反射薄膜沉积；(5)完成电池片正面减反射薄膜沉积。所述方法利用高能量的等离子体供给去除电池正表面的氧化铝薄膜，使后续烧结工序的银浆能够穿透电池片正面的减反射薄膜，从而提高转换效率，改善EL发黑比例。
CN 109148643A公开了一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，所述方法在现有工艺路线：制绒-扩散-刻蚀/背抛-正面氧化硅膜沉积-背面ALD方式氧化铝膜沉积-背面氮化硅膜沉积-背面ALD方式氧化铝膜沉积-背面氮化硅膜沉积-激光开槽-丝印印刷-烧结基础上，在背面氮化硅膜趁机供需进行工艺变动，在氮化硅膜制作前，先利用笑气、氨气、硅烷在射频电力下制作一层折射率与背面氧化铝膜接近的氮氧化硅薄膜，然后采用正常工艺制作氮化硅膜，从而提高转换效率。
上述方法均未对ALD方式进行氧化铝膜沉积的具体操作进行改进，而ALD工艺对降低EL发黑比例以及提高PERC电池的转换效率息息相关，因此，需要提供一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法能够显著改善氧化铝膜的均匀性；由本发明提供沉积方法得到的氧化铝膜在后期的丝网印刷烧结后，出现边缘黑边的比例较低，从而使对应PERC电池的转化效率得以提高。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，真空条件下交替通入三甲基铝与H2O进行沉积；所述交替通入的次数为20-32次。
本发明所述交替通入的次数为20-32次，例如可以是20次、21次、22次、24次、25次、27次、28次、30次、31次或32次，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。在本发明提供的通入三甲基铝与H2O的条件下，通过控制交替通入的次数为20-32次，使包括该氧化铝膜的PERC电池的转换效率较高，且能够显著降低丝网印刷烧结后，EL黑边出现的比例。所述EL黑边出现的比例为EL黑边面积占整个材料表面积的比例。
优选地，单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1-5s，例如可以是1s、2s、3s、4s或5s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用；吹扫时间为3-9s，例如可以是3s、4s、5s、6s、7s、8s或9s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，单次通入过程中，三甲基铝的流量为5-30sccm，例如可以是5sccm、10sccm、15sccm、20sccm、25sccm或30sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1-5s，例如可以是1s、2s、3s、4s或5s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用；吹扫时间为5-15s，例如可以是5s、6s、7s、8s、9s、10s、11s、12s、13s、14s或15s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，单次通入过程中，H2O的流量为5-30sccm，例如可以是5sccm、10sccm、15sccm、20sccm、25sccm或30sccm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明通过调节三甲基铝的沉积条件以及H2O的通入条件，有效降低了所形成氧化铝膜的粗糙度，避免了TMA分子与水之间发生的CVD反应，降低了氧化铝膜的缺陷。而通过控制三甲基铝的吹扫时间以及H2O的吹扫时间，提高了所得氧化铝膜的均匀性。通过三甲基铝与H2O的脉冲时间、吹扫时间以及通入流量的配合，极大地降低了所得PERC电池的EL黑边比例。
优选地，所述沉积的温度为240-260℃，例如可以是240℃、245℃、250℃、255℃或260℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用，优选为245-255℃。
优选地，所述沉积时的绝对压力不超过1.2mbar，例如可以是0.3mbar、0.5mbar、0.6mbar、0.8mbar、0.9mbar、1mbar或1.2mbar，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述沉积时的绝对压力不超过1.2mbar是指，管式ALD炉的内腔压力不超过1.2mbar。优选地，在保证管式ALD炉的内腔压力不超过1.2mbar的基础上，保证外腔压力为3-10mbar，例如可以是3mbar、4mbar、5mbar、6mbar、7mbar、8mbar、9mbar或10mbar，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明所述内腔压力为炉管内的压力，所述外腔压力为炉管与管式ALD炉壁之间的压力。本发明通过控制外腔压力与内腔压力，避免了外部气体对沉积的影响。
优选地，所述沉积的升温速率为0.5-0.75℃/s，例如可以是0.5℃/s、0.55℃/s、0.6℃/s、0.65℃/s、0.7℃/s或0.75℃/s，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述沉积结束后通氮气破真空。
作为本发明所述沉积方法的优选技术方案，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，抽真空至绝对压力不超过1.2mbar，以0.5-0.75℃/s的升温速率升高至240-260℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为20-32次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为3-9s，三甲基铝的流量为5-30sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为5-15s，H2O的流量为5-30sccm。
作为本发明所述沉积方法的进一步优选技术方案，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为3-10mbar，以0.5-0.75℃/s的升温速率升高至240-260℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为20-32次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为3-9s，三甲基铝的流量为5-30sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为5-15s，H2O的流量为5-30sccm。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)在本发明提供的通入三甲基铝与H2O的条件下，通过控制交替通入的次数为20-32次，使包括该氧化铝膜的PERC电池的转换效率较高，且能够显著降低EL黑边的比例；
(2)本发明通过调节三甲基铝的沉积条件以及H2O的通入条件，有效降低了所形成氧化铝膜的粗糙度，避免了TMA分子与水之间发生的CVD反应，降低了氧化铝膜的缺陷；而通过控制三甲基铝的吹扫时间以及H2O的吹扫时间，提高了所得氧化铝膜的均匀性；通过三甲基铝与H2O的脉冲时间、吹扫时间以及通入流量的配合，极大地降低了所得PERC电池的EL黑边比例。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
本发明具体实施方式为对现有工艺路线：碱制绒-低压扩散-SE激光掺杂-刻蚀-氧化退火-氧化铝膜沉积-正面镀氮化硅膜-背面镀氮化硅膜-激光开槽-丝网印刷-烧结的基础上，对氧化铝膜沉积的沉积方法进行改进，除氧化铝膜沉积的步骤外，其余均为常规步骤。
实施例1
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片插入铝舟内，送入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为6mbar，以0.6℃/s的升温速率升高至250℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为27次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为3s，吹扫时间为6s，三甲基铝的流量为18sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为3s，吹扫时间为10s，H2O的流量为18sccm。
对所得氧化铝膜的均匀性进行测试；本实施例所述氧化退火后的电池片为按照常规工艺流程得到的氧化退火电池片，氧化铝膜沉积结束后，按照常规工艺流程完成PERC电池的制备，并对PERC电池的转换效率以及EL黑边比例进行测试。
实施例2
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片插入铝舟内，送入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为4mbar，以0.55℃/s的升温速率升高至245℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为24次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为4s，吹扫时间为8s，三甲基铝的流量为10sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为4s，吹扫时间为12s，H2O的流量为10sccm。
对所得氧化铝膜的均匀性进行测试；本实施例所述氧化退火后的电池片为按照常规工艺流程得到的氧化退火电池片，氧化铝膜沉积结束后，按照常规工艺流程完成PERC电池的制备，并对PERC电池的转换效率以及EL黑边比例进行测试。
实施例3
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片插入铝舟内，送入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为8mbar，以0.7℃/s的升温速率升高至255℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为30次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为2s，吹扫时间为4s，三甲基铝的流量为24sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为2s，吹扫时间为8s，H2O的流量为24sccm。
对所得氧化铝膜的均匀性进行测试；本实施例所述氧化退火后的电池片为按照常规工艺流程得到的氧化退火电池片，氧化铝膜沉积结束后，按照常规工艺流程完成PERC电池的制备，并对PERC电池的转换效率以及EL黑边比例进行测试。
实施例4
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片插入铝舟内，送入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为3mbar，以0.5℃/s的升温速率升高至240℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为20次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1s，吹扫时间为3s，三甲基铝的流量为30sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1s，吹扫时间为5s，H2O的流量为30sccm。
对所得氧化铝膜的均匀性进行测试；本实施例所述氧化退火后的电池片为按照常规工艺流程得到的氧化退火电池片，氧化铝膜沉积结束后，按照常规工艺流程完成PERC电池的制备，并对PERC电池的转换效率以及EL黑边比例进行测试。
实施例5
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片插入铝舟内，送入ALD管式炉，抽真空至炉管内的绝对压力不超过1.2mbar且炉管外的绝对压力为10mbar，以0.75℃/s的升温速率升高至260℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为32次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为5s，吹扫时间为9s，三甲基铝的流量为5sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为5s，吹扫时间为15s，H2O的流量为5sccm。
对所得氧化铝膜的均匀性进行测试；本实施例所述氧化退火后的电池片为按照常规工艺流程得到的氧化退火电池片，氧化铝膜沉积结束后，按照常规工艺流程完成PERC电池的制备，并对PERC电池的转换效率以及EL黑边比例进行测试。
实施例6
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除升温速率为0.45℃/s外，其余均与实施例1相同。
实施例7
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除升温速率为0.8℃/s外，其余均与实施例1相同。
实施例8
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除沉积温度为230℃外，其余均与实施例1相同。
实施例9
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除沉积温度为270℃外，其余均与实施例1相同。
实施例10
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为0.5s外，其余均与实施例1相同。
实施例11
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为5.5s外，其余均与实施例1相同。
实施例12
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的吹扫时间为2s外，其余均与实施例1相同。
实施例13
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的吹扫时间为10s外，其余均与实施例1相同。
实施例14
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的脉冲时间为0.5s外，其余均与实施例1相同。
实施例15
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的脉冲时间为5.5s外，其余均与实施例1相同。
实施例16
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的吹扫时间为4s外，其余均与实施例1相同。
实施例17
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的吹扫时间为16s外，其余均与实施例1相同。
实施例18
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的流量为4sccm外，其余均与实施例1相同。
实施例19
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，三甲基铝的流量为32sccm外，其余均与实施例1相同。
实施例20
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的流量为4sccm外，其余均与实施例1相同。
实施例21
本实施例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除单次通入过程中，水的流量为32sccm外，其余均与实施例1相同。
对比例1
本对比例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除交替通入的次数为18次外，其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供了一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，除交替通入的次数为34次外，其余均与实施例1相同。
对实施例1-21以及对比例1-2得到的氧化铝膜的厚度以及均匀性进行测试，厚度测试方法为在所得电池片的右上、右下、左上、左下以及中间位置进行取点，测定厚度后取平均值；其中均匀性则是右上、右下、左上、左下以及中间位置所测数值的方差，所得数据如表1所示。
表1
由表1可知，实施例1-5提供的沉积方法所得氧化铝膜的厚度均匀性较好；由实施例6-21可知，当沉积过程中参数不在工艺要求范围之内时，所得氧化铝膜的厚度均匀性较差。由对比例1-2与实施例1的对比可知，当交替的次数过多或过少时，所得氧化铝膜的均匀性同样变差。
利用实施例1-21以及对比例1-2得到的沉积有氧化铝膜的电池片，按照常规方法制备得到的PERC电池的电性能进行测试，测试结果如表2所示。
表2
利用实施例1-21以及对比例1-2得到的沉积有氧化铝膜的电池片，按照常规方法制备得到的PERC电池的EL黑边比例结果如表3所示。
表3
由表3可知，实施例1-5提供的沉积方法能够显著降低PERC电池丝网印刷烧结后的EL黑边比例。由实施例6-21可知，当沉积过程中参数不在工艺要求范围之内时，所得PERC电池丝网印刷烧结后的EL黑边比例较高。实施例11、13、15与17中的EL黑边比例虽然升高不多，但原料消耗较多，不利于降低沉积的成本。由对比例1与对比例2可知，当交替的次数过多或过少时，均不利于降低PERC电池丝网印刷烧结后的EL黑边比例。
综上所述，在本发明提供的通入三甲基铝与H2O的条件下，通过控制交替通入的次数为20-32次，使包括该氧化铝膜的PERC电池的转换效率较高，且能够显著降低EL黑边的比例；本发明通过调节三甲基铝的沉积条件以及H2O的通入条件，有效降低了所形成氧化铝膜的粗糙度，避免了TMA分子与水之间发生的CVD反应，降低了氧化铝膜的缺陷；而通过控制三甲基铝的吹扫时间以及H2O的吹扫时间，提高了所得氧化铝膜的均匀性；通过三甲基铝与H2O的脉冲时间、吹扫时间以及通入流量的配合，极大地降低了所得PERC电池的EL黑边比例。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种PERC电池中氧化铝膜的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，真空条件下交替通入三甲基铝与H2O进行沉积；所述交替通入的次数为20-32次。
2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为3-9s。
3.根据权利要求1或2所述的沉积方法，其特征在于，单次通入过程中，三甲基铝的流量为5-30sccm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的沉积方法，其特征在于，单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为5-15s。
5.根据权利要求1-4任一项所述的沉积方法，其特征在于，单次通入过程中，H2O的流量为5-30sccm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的温度为240-260℃，优选为245-255℃。
7.根据权利要求1-6任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积时的绝对压力不超过1.2mbar。
8.根据权利要求1-7任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积的升温速率为0.5-0.75℃/s。
9.根据权利要求1-8任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积结束后通氮气破真空。
10.根据权利要求1-9任一项所述的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括如下步骤：
氧化退火后的电池片放入ALD管式炉，抽真空至绝对压力不超过1.2mbar，以0.5-0.75℃/s的升温速率升高至240-260℃，然后交替通入三甲基铝与H2O进行沉积，沉积结束后通氮气破真空，完成PERC电池中氧化铝膜的沉积；所述交替通入的次数为20-32次；
单次通入过程中，三甲基铝的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为3-9s，三甲基铝的流量为5-30sccm；
单次通入过程中，H2O的脉冲时间为1-5s，吹扫时间为5-15s，H2O的流量为5-30sccm。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|
| CN202011619391.7A CN112838143A (zh) | 2020-12-31 | 2020-12-31 | 一种perc电池中氧化铝膜的沉积方法 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN112838143A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114420790A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-29 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种基于ald工艺制备叠层氧化铝膜层的方法 |
| CN114921771A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-08-19 | 平煤隆基新能源科技有限公司 | 一种改善晶硅氧化铝绕镀的pecvd工艺 |
| CN114959646A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-08-30 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种优异的ald镀膜工艺 |
| CN115020542A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-06 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种去除ald绕镀氧化铝的pecvd镀膜方法 |
| CN116682894A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-09-01 | 无锡松煜科技有限公司 | 提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101921994A (zh) * | 2010-07-30 | 2010-12-22 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法 |
| CN102005390A (zh) * | 2010-10-19 | 2011-04-06 | 复旦大学 | 一种锗的表面钝化方法 |
| CN102593245A (zh) * | 2012-02-13 | 2012-07-18 | 常州大学 | 一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN103474484A (zh) * | 2013-09-16 | 2013-12-25 | 深圳先进技术研究院 | 太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件 |
| CN105140319A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-12-09 | 北京大学深圳研究生院 | 一种薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN105226114A (zh) * | 2015-08-31 | 2016-01-06 | 南京航空航天大学 | 一种黑硅钝化结构及其制备方法 |
| CN105514182A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-04-20 | 江苏微导纳米装备科技有限公司 | 用于太阳能电池表面钝化和电流收集的方法、材料及应用 |
| CN107527958A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-29 | 苏州焜原光电有限公司 | 一种超晶格红外探测器表面钝化方法 |
| CN107916412A (zh) * | 2016-10-10 | 2018-04-17 | 宁波昆特医疗设备有限公司 | 利用ald技术在金属医疗器械上制备氧化物表面的方法 |
| CN109457235A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-12 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109728104A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-07 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法 |
| CN111455351A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-07-28 | 厦门大学 | 一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用 |
| CN111564530A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-21 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新型晶硅perc电池前氧化层制备工艺 |
| CN112768565A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-05-07 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触结构制备方法和具有钝化接触结构的晶体硅 |
-
2020
- 2020-12-31 CN CN202011619391.7A patent/CN112838143A/zh active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101921994A (zh) * | 2010-07-30 | 2010-12-22 | 北京印刷学院 | 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法 |
| CN102005390A (zh) * | 2010-10-19 | 2011-04-06 | 复旦大学 | 一种锗的表面钝化方法 |
| CN102593245A (zh) * | 2012-02-13 | 2012-07-18 | 常州大学 | 一种高效低价晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN103474484A (zh) * | 2013-09-16 | 2013-12-25 | 深圳先进技术研究院 | 太阳电池器件的背电极及其制备方法以及太阳电池器件 |
| CN105140319A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-12-09 | 北京大学深圳研究生院 | 一种薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| CN105226114A (zh) * | 2015-08-31 | 2016-01-06 | 南京航空航天大学 | 一种黑硅钝化结构及其制备方法 |
| CN105514182A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-04-20 | 江苏微导纳米装备科技有限公司 | 用于太阳能电池表面钝化和电流收集的方法、材料及应用 |
| CN107916412A (zh) * | 2016-10-10 | 2018-04-17 | 宁波昆特医疗设备有限公司 | 利用ald技术在金属医疗器械上制备氧化物表面的方法 |
| CN107527958A (zh) * | 2017-08-25 | 2017-12-29 | 苏州焜原光电有限公司 | 一种超晶格红外探测器表面钝化方法 |
| CN109457235A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-12 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 一种氧化铝薄膜及其制备方法和应用 |
| CN109728104A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-05-07 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法 |
| CN111455351A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-07-28 | 厦门大学 | 一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用 |
| CN111564530A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-21 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种新型晶硅perc电池前氧化层制备工艺 |
| CN112768565A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-05-07 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触结构制备方法和具有钝化接触结构的晶体硅 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114420790A (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-29 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种基于ald工艺制备叠层氧化铝膜层的方法 |
| CN114959646A (zh) * | 2022-04-08 | 2022-08-30 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种优异的ald镀膜工艺 |
| CN114921771A (zh) * | 2022-05-23 | 2022-08-19 | 平煤隆基新能源科技有限公司 | 一种改善晶硅氧化铝绕镀的pecvd工艺 |
| CN114921771B (zh) * | 2022-05-23 | 2023-09-22 | 平煤隆基新能源科技有限公司 | 一种改善晶硅氧化铝绕镀的pecvd工艺 |
| CN115020542A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-09-06 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种去除ald绕镀氧化铝的pecvd镀膜方法 |
| CN116682894A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-09-01 | 无锡松煜科技有限公司 | 提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用 |
| CN116682894B (zh) * | 2023-07-28 | 2023-11-17 | 无锡松煜科技有限公司 | 提升TOPCon电池ALD钝化膜批间均匀性的方法及应用 |
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