CN112827862A - 一种等级分选的方法和测试设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种等级分选的方法和测试设备。通过检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；检测装置向处理器发送导通压降值和开通阈值电压值；处理器根据存储的导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级；处理器向打码装置发送等级；打码装置根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。本发明实施例提供的技术方案中，能够通过打码装置对IGBT单管进行打码，生成的等级追溯码提高每颗IGBT单管之间的协调性以及可靠性。

Description

一种等级分选的方法和测试设备
【技术领域】
本发明涉及车辆技术领域，尤其涉及一种等级分选的方法和测试设备。
【背景技术】
相关技术中没有对绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)单管进行等级分选的方法，将IGBT单管完全自由组合地使用于车辆中，使得每颗IGBT单管的电参数存在较大差异，从而使得每颗IGBT单管之间的协调性较差以及可靠性较低。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供了一种等级分选的方法和测试设备，用以提高每颗IGBT单管之间的协调性以及可靠性。
一方面，本发明实施例提供了一种等级分选的方法，应用于测试设备，所述测试设备包括：处理器、检测装置和打码装置；
所述检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；
所述检测装置向所述处理器发送所述导通压降值和所述开通阈值电压值；
所述处理器根据存储的所述导通压降值、所述开通阈值电压值和所述IGBT单管的等级的对应关系，查询出所述导通压降值和所述开通阈值电压值对应的所述IGBT单管的等级；
所述处理器向所述打码装置发送所述等级；
所述打码装置根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
可选地，所述检测装置响应于获取的成功信息，检测所述IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值之前包括：
所述处理器判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内；
所述处理器若判断出所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述集电极漏电流值位于第三设定范围内且所述门极电流值位于第四设定范围内，确定出测试成功；
所述处理器向所述检测装置发送成功信息。
可选地，所述测试设备还包括探针，所述探针包括第一探针、第二探针和第三探针，所述处理器判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内之前包括：
所述第一探针压紧IGBT单管的门极；
所述第二探针压紧IGBT单管的发射极；
所述第三探针压紧IGBT单管的集电极；
所述检测装置检测所述IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
可选地，还包括：
所述处理器若判断出第一条件、第二条件、第三条件和第四条件中不满足任一条件，则确定出测试失败，其中，所述第一条件包括所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述第二条件包括所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述第三条件包括所述集电极漏电流值位于第三设定范围内，所述第四条件包括所述门极电流值位于第四设定范围内。
可选地，所述测试设备还包括扫码相机和运送装置，所述打码装置根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码之后包括：
所述打码装置向所述扫码相机发送打码完成指令；
所述扫码相机响应于所述打码完成指令，对所述等级追溯码进行扫码，并将所述等级追溯码上传至生产执行系统MES；
所述扫码相机向所述运送装置发送扫码完成指令。
可选地，所述扫码相机向所述运送装置发送扫码完成指令之后包括：
所述运送装置响应于所述扫码完成指令，将所述IGBT单管运送至分选设备，以供所述分选设备根据所述等级追溯码对所述IGBT单管进行分选。
可选地，其特征在于，所述等级追溯码包括等级码和追溯码。
另一方面，本发明实施例提供了一种测试设备，包括：处理器、检测装置和打码装置；
所述检测装置，用于响应于获取的成功信息，检测所述IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；向所述处理器发送所述导通压降值和所述开通阈值电压值；
所述处理器，用于根据存储的所述导通压降值、所述开通阈值电压值和所述IGBT单管的等级的对应关系，查询出所述导通压降值和所述开通阈值电压值对应的所述IGBT单管的等级；向所述打码装置发送所述等级；
所述打码装置，用于根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
可选地，包括：
所述处理器，还用于判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内；若判断出所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述集电极漏电流值位于第三设定范围内且所述门极电流值位于第四设定范围内，确定出测试成功；向所述检测装置发送成功信息。
可选地，还包括：探针，所述探针包括第一探针、第二探针和第三探针；
所述第一探针，用于压紧IGBT单管的门极；
所述第二探针，用于压紧IGBT单管的发射极；
所述第三探针，用于压紧IGBT单管的集电极；
所述检测装置，还用于检测所述IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
本发明实施例提供的等级分选的方法的技术方案中，通过检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；检测装置向处理器发送导通压降值和开通阈值电压值；处理器根据存储的导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级；处理器向打码装置发送等级；打码装置根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。本发明实施例提供的技术方案中，能够通过打码装置对IGBT单管进行打码，生成的等级追溯码提高每颗IGBT单管之间的协调性以及可靠性。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的测试设备的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种等级分选的方法的流程图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，甲和/或乙，可以表示：单独存在甲，同时存在甲和乙，单独存在乙这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供了一种测试设备，图1为本发明实施例提供的测试设备1的结构示意图，如图1所示，该测试设备1包括：处理器11、检测装置12和打码装置13，处理器11与检测装置12连接，处理器11与打码装置13连接。
检测装置12用于响应于获取的成功信息，检测IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；向处理器11发送导通压降值和开通阈值电压值。
处理器11用于根据存储的所述导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级；向打码装置13发送等级。
打码装置13用于根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
本发明实施例中，处理器11还用于判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内；若判断出击穿电压值位于第一设定范围内，方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，集电极漏电流值位于第三设定范围内且门极电流值位于第四设定范围内，确定出测试成功；向检测装置12发送成功信息。
本发明实施例中，该测试设备1还包括：探针14，探针14与检测装置12连接，探针14包括第一探针、第二探针和第三探针。
第一探针用于压紧IGBT单管的门极。
第二探针用于压紧IGBT单管的发射极。
第三探针用于压紧IGBT单管的集电极。
检测装置12还用于检测IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
本发明实施例中，处理器11还用于若判断出第一条件、第二条件、第三条件和第四条件中不满足任一条件，则确定出测试失败，其中，第一条件包括击穿电压值位于第一设定范围内，第二条件包括方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，第三条件包括集电极漏电流值位于第三设定范围内，第四条件包括门极电流值位于第四设定范围内。
本发明实施例中，该测试设备1还包括扫码相机15和运送装置16，扫码相机15与运送装置16连接，打码装置13与扫码相机15连接。
打码装置13还用于向扫码相机15发送打码完成指令。
扫码相机15用于响应于打码完成指令，对等级追溯码进行扫码，并将等级追溯码上传至生产执行系统(Manufacturing Execution System，简称MES)；向运送装置16发送扫码完成指令。
本发明实施例中，测试设备1与分选设备2连接。运送装置16用于响应于扫码完成指令，将IGBT单管运送至分选设备2，以供分选设备2根据等级追溯码对所述IGBT单管进行分选。
本发明实施例中，等级追溯码包括等级码和追溯码。
本发明实施例提供的技术方案中，通过检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；检测装置向处理器发送导通压降值和开通阈值电压值；处理器根据存储的导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级；处理器向打码装置发送等级；打码装置根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。本发明实施例提供的技术方案中，能够通过打码装置对IGBT单管进行打码，生成的等级追溯码提高每颗IGBT单管之间的协调性以及可靠性。
基于图1中的测试设备，本发明实施例提供了一种等级分选的方法，图2为本发明实施例提供的一种等级分选的方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤102、第一探针压紧IGBT单管的门极，第二探针压紧IGBT单管的发射极，第三探针压紧IGBT单管的集电极。
本发明实施例中，各步骤由测试设备执行。
本发明实施例中，步骤102之前包括：工作人员使用斜口钳将装满IGBT单管的料管拔掉一侧的堵头，再将料管放入弹夹，将弹夹装入分选设备的上料区中。分选设备的上料机构取出一管料管以拔掉堵头的一侧向下，未拔堵头的一侧向上的方式倾斜料管，使得料管中的IGBT单管在重力的作用下滑出到测试设备。
步骤104、检测装置检测IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
例如，检测装置检测IGBT单管的击穿电压值为650V、方向二极管导通压降值为1.4V、集电极漏电流值40μA和门极电流值为250μA。
步骤106、处理器判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内且获取的门极电流值是否位于第四设定范围内，若是，执行步骤108；若否，执行步骤130。
本发明实施例中，第一设定范围、第二设定范围、第三设定范围和第四设定范围能够根据实际情况进行设置。
本发明实施例中，处理器若判断出获取的击穿电压值位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值位于第三设定范围内且获取的门极电流值位于第四设定范围内，则表明该IGBT单管的各个电参数性能良好；处理器若判断出第一条件、第二条件、第三条件和第四条件中不满足任一条件，则表明该IGBT单管的电参数性能存在不良情况，其中，第一条件包括击穿电压值位于第一设定范围内，第二条件包括方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，第三条件包括集电极漏电流值位于第三设定范围内，第四条件包括门极电流值位于第四设定范围内。
步骤108、处理器确定出测试成功。
步骤110、处理器向检测装置发送成功信息。
步骤112、检测装置响应于获取的成功信息，检测IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值。
例如，IGBT单管的导通压降值为4.4V，开通阈值电压值为1.7V。
步骤114、检测装置向处理器发送导通压降值和开通阈值电压值。
步骤116、处理器根据存储的导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级。
本发明实施例中，导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系如下表1所示：
表1
Figure BDA0002876270710000091
如上表1所示，导通压降值为4.300V～5.400V，开通阈值电压值为1.550V～1.650V对应的IGBT单管的等级为A级；导通压降值为4.300V～5.400V，开通阈值电压值为1.651V～1.800V对应的IGBT单管的等级为B级；导通压降值为4.300V～5.400V，开通阈值电压值为1.810V～1.915V对应的IGBT单管的等级为C级；导通压降值为5.410V～6.200V，开通阈值电压值为1.550V～1.650V对应的IGBT单管的等级为D级；导通压降值为5.410V～6.200V，开通阈值电压值为1.651V～1.800V对应的IGBT单管的等级为E级。
例如，若IGBT单管的导通压降值为4.4V，开通阈值电压值为1.7V，则该IGBT单管的等级为B级。
步骤118、处理器向打码装置发送等级。
步骤120、打码装置根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
本发明实施例中，等级追溯码是每颗IGBT单管的唯一标识码，能够根据等级追溯码事后追溯到每颗单管的生产制造过程情况，以及测试数据，该等级追溯码能够通过激光镭雕进行打码于每颗IGBT单管上。
本发明实施例中，等级追溯码包括等级码和追溯码。
例如，等级追溯码为B20B632780，其中，B为等级码，20B632780为追溯码，B用于表示IGBT单管的等级为B级，20用于表示年份的后两位数字为20年，B用于表示月份为11月，6用于表示日期为6日，32780用于表示流水号为测试的第32780颗IGBT单管。
步骤122、打码装置向扫码相机发送打码完成指令。
步骤124、扫码相机响应于打码完成指令，对等级追溯码进行扫码，并将等级追溯码上传至生产执行系统MES。
本发明实施例中，扫码相机能够通过可编程逻辑控制器(Programmable LogicController，简称PLC)将等级追溯码上传至MES进行存储。
步骤126、扫码相机向运送装置发送扫码完成指令。
步骤128、运送装置响应于扫码完成指令，将IGBT单管运送至分选设备，以供分选设备根据等级追溯码对IGBT单管进行分选，流程结束。
本发明实施例中，分选设备根据等级追溯码对IGBT单管进行分选，将等级追溯码对应的同等级的IGBT单管投放进指定的下料料管中。
步骤130、处理器确定出测试失败。
本发明实施例提供的技术方案中，通过检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；检测装置向处理器发送导通压降值和开通阈值电压值；处理器根据存储的导通压降值、开通阈值电压值和IGBT单管的等级的对应关系，查询出导通压降值和开通阈值电压值对应的IGBT单管的等级；处理器向打码装置发送等级；打码装置根据等级对IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。本发明实施例提供的技术方案中，能够通过打码装置对IGBT单管进行打码，生成的等级追溯码提高每颗IGBT单管之间的协调性以及可靠性。
本发明实施例提供的技术方案中，能够根据IGBT单管的测试电参数进行等级分级，更有利于保持每颗IGBT单管的输出一致性，保证了每颗IGBT单管的均匀输出，大大提高了IGBT单管的使用寿命，降低了使用成本，保证了IGBT单管的长期可靠性，还降低了车辆的安全风险。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种等级分选的方法，其特征在于，应用于测试设备，所述测试设备包括：处理器、检测装置和打码装置；
所述检测装置响应于获取的成功信息，检测绝缘栅双极型晶体管IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；
所述检测装置向所述处理器发送所述导通压降值和所述开通阈值电压值；
所述处理器根据存储的所述导通压降值、所述开通阈值电压值和所述IGBT单管的等级的对应关系，查询出所述导通压降值和所述开通阈值电压值对应的所述IGBT单管的等级；
所述处理器向所述打码装置发送所述等级；
所述打码装置根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测装置响应于获取的成功信息，检测所述IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值之前包括：
所述处理器判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内；
所述处理器若判断出所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述集电极漏电流值位于第三设定范围内且所述门极电流值位于第四设定范围内，确定出测试成功；
所述处理器向所述检测装置发送成功信息。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测试设备还包括探针，所述探针包括第一探针、第二探针和第三探针，所述处理器判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内之前包括：
所述第一探针压紧IGBT单管的门极；
所述第二探针压紧IGBT单管的发射极；
所述第三探针压紧IGBT单管的集电极；
所述检测装置检测所述IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：
所述处理器若判断出第一条件、第二条件、第三条件和第四条件中不满足任一条件，则确定出测试失败，其中，所述第一条件包括所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述第二条件包括所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述第三条件包括所述集电极漏电流值位于第三设定范围内，所述第四条件包括所述门极电流值位于第四设定范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试设备还包括扫码相机和运送装置，所述打码装置根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码之后包括：
所述打码装置向所述扫码相机发送打码完成指令；
所述扫码相机响应于所述打码完成指令，对所述等级追溯码进行扫码，并将所述等级追溯码上传至生产执行系统MES；
所述扫码相机向所述运送装置发送扫码完成指令。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述扫码相机向所述运送装置发送扫码完成指令之后包括：
所述运送装置响应于所述扫码完成指令，将所述IGBT单管运送至分选设备，以供所述分选设备根据所述等级追溯码对所述IGBT单管进行分选。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述等级追溯码包括等级码和追溯码。
8.一种测试设备，其特征在于，包括：处理器、检测装置和打码装置；
所述检测装置，用于响应于获取的成功信息，检测所述IGBT单管的导通压降值和开通阈值电压值；向所述处理器发送所述导通压降值和所述开通阈值电压值；
所述处理器，用于根据存储的所述导通压降值、所述开通阈值电压值和所述IGBT单管的等级的对应关系，查询出所述导通压降值和所述开通阈值电压值对应的所述IGBT单管的等级；向所述打码装置发送所述等级；
所述打码装置，用于根据所述等级对所述IGBT单管进行打码，生成等级追溯码。
9.根据权利要求8所述的测试设备，其特征在于，包括：
所述处理器，还用于判断获取的击穿电压值是否位于第一设定范围内，获取的方向二极管导通压降值是否位于第二设定范围内，获取的集电极漏电流值是否位于第三设定范围内和获取的门极电流值是否位于第四设定范围内；若判断出所述击穿电压值位于第一设定范围内，所述方向二极管导通压降值位于第二设定范围内，所述集电极漏电流值位于第三设定范围内且所述门极电流值位于第四设定范围内，确定出测试成功；向所述检测装置发送成功信息。
10.根据权利要求9所述的测试设备，其特征在于，还包括：探针，所述探针包括第一探针、第二探针和第三探针；
所述第一探针，用于压紧IGBT单管的门极；
所述第二探针，用于压紧IGBT单管的发射极；
所述第三探针，用于压紧IGBT单管的集电极；
所述检测装置，还用于检测所述IGBT单管的击穿电压值、方向二极管导通压降值、集电极漏电流值和门极电流值。
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