CN112808668B - 一种单片式晶片清洁工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及晶片清洁技术领域，具体为一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，通过清水冲洗仓进行首次冲洗，通过化学冲洗仓进行化学反应吸附冲洗，通过清洗仓进行最后一遍的冲刷，通过烘干仓进行烘干。

Description

一种单片式晶片清洁工艺
技术领域
本发明涉及晶片清洁技术领域，具体为一种单片式晶片清洁工艺。
背景技术
众所周知，超大型集成电路(VLSI)、极大型集成电路(ULSI)或微机电系统(MEMS)的制作是利用一半导体基底，如硅晶片，并反复经历数百道的薄膜沉积、氧化、光刻、蚀刻与掺杂等不同工艺加以形成。在蚀刻反应的过程中，难免会产生些副产物，例如高分子物质微粒，这些高分子物质微粒会粘附在晶片表面，因此，在蚀刻工艺完成后，通常会进行一清洁工艺将该些高分子物质微粒自晶片表面移除，确保所制作的MOS元件的电性表现，以利后续其他工艺的施行。
现有的晶片清洗方法，先经过碱洗去除晶片表面颗粒和有机物，然后再将晶片取出放在另一槽内进行酸洗，主要去除晶片表面微粒和金属离子，然后再经过超纯水进行清洗，去除晶片表面残留的离子，然而现有的该种清洗方法大多都是在不同的装置上进行的，不能进行自动化以及一体化，从而浪费了人力物力，并且清洁效率也得不到提高。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种清洗效率高的一体化单片式晶片清洁工艺。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述存放盒上设有通孔，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，并且所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的下端均设有导流槽，且所述导流槽分别连接第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内部均设有喷头，所述喷头分别安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内壁上，并且分别与第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱之间设有连通管连接，所述化学冲洗仓以及清洗仓的上端均设有吸风机，所述吸风机上设有吸风板，所述吸风板安装在吸风机的下端，所述烘干仓的上端设有热风机，所述热风机上设有热风口，并且所述热风口位于烘干仓的内部。
为了提高烘干效果，本发明的改进有，所述烘干仓上设有电热管，所述电热管安装在烘干仓的内壁上。
为了提高本结构的实用性，本发明的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓上均设有视镜，所述视镜安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓的一侧，所述视镜的材质为防雾钢化玻璃，所述存放盒与传送网带之间设有可拆卸结构。
为了提高本结构的清洗效果，本发明的改进有，所述清洗仓的内部设有超声波发生器，所述超声波发生器安装在清洗仓的两侧，所述存放盒上设有存放板，所述存放板安装在存放盒的中间部分，所述存放板上设有通孔，并且所述存放板与存放板之间设有可拆卸结构。
为了提高本结构的防尘效果，本发明的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓之间设有防尘板。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种单片式晶片清洁工艺，具备以下有益效果：
该单片式晶片清洁工艺,所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述存放盒上设有通孔，通过设有通孔，可以使存放盒内部的液体流入导流槽中，并且通过导流槽分别流入到第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱中，清洗液不反复使用，并且进行回收，不仅提高了清洗的效果，也提高了资源的回收利用率，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，通过设有传送网带以及工作台，使本结构实现一体化，不仅节省了人力物力，也缩小了占地面积，并且提高了生产效率，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内部均设有喷头，所述喷头分别安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内壁上，并且分别与第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱之间设有连通管连接，所述化学冲洗仓以及清洗仓的上端均设有吸风机，所述吸风机上设有吸风板，所述吸风板安装在吸风机的下端，通过设有吸风机以及吸风板，使物料在清洗底端时间后，能脱离存放盒，防止存放盒内部积攒过多的杂物，从而保证了物料的清洗质量。
附图说明
图1为本发明的局部刨面图；
图2为本发明中烘干仓处的刨面图；
图3为本发明图1中清水冲洗仓的侧视图；
图4为本发明图1中化学冲洗仓的侧视图；
图5为本发明图2中烘干仓的侧视图；
图6为本发明中存放盒的刨面图；
图中：1、机体；2、化学液回收箱；3、第二回收箱；4、第一回收箱；5、第一清洗箱；6、化学液存储箱；7、第二清洗箱；8、第一支架；9、第二支架；10、导流管；11、导流槽；12、传动轴；13、传送网带；14、隔离板；15、工作台；16、清水冲洗仓；17、化学冲洗仓；18、清洗仓；19、吸风机；20、吸风板；21、存放盒；22、存放板；23、通孔；24、喷头；25、超声波发生器；26、烘干仓；27、热风机；28、热风口；29、电热管；30、隔板；31、连通管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6，本发明的一种单片式晶片清洁工艺，包括机体1、第一支架8以及第二支架9，所述第一支架8的上端以及第二支架9的上端均设有传动轴12，所述传动轴12之间设有传送网带13连接，所述传送网带13上设有存放盒21，所述存放盒21上设有通孔23，所述机体1上设有工作台15、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体1的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板30，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱5、化学液存储箱6以及第二清洗箱7，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱4、化学液回收箱2以及第二回收箱3，所述工作台15安装在机体1的上端，所述工作台15上设有清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26，并且所述清水冲洗仓16、化学冲洗仓17以及清洗仓18的下端均设有导流槽11，且所述导流槽11分别连接第一回收箱4、化学液回收箱2以及第二回收箱3，所述清水冲洗仓16、化学冲洗仓17以及清洗仓18的内部均设有喷头24，所述喷头24分别安装在清水冲洗仓16、化学冲洗仓17以及清洗仓18的内壁上，并且分别与第一清洗箱5、化学液存储箱6以及第二清洗箱7之间设有连通管31连接，所述化学冲洗仓17以及清洗仓18的上端均设有吸风机19，所述吸风机19上设有吸风板20，所述吸风板20安装在吸风机19的下端，所述烘干仓26的上端设有热风机27，所述热风机27上设有热风口28，并且所述热风口28位于烘干仓26的内部。
本发明的单片式晶片清洁工艺在使用时，第一支架8以及第二支架9分别用来支撑传动轴12，如图1所示，存放盒21在传送网带13上，从左往右依次经过清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26，当存放盒21移动到清水冲洗仓16的内部时，第一清洗仓18提供清洗液，清洗通过连通管31运输至喷头24处进行喷出，通过清洗液来冲刷掉单片晶上面的大颗粒杂物，冲刷后的清洗液会通过导流槽11进入导流管10，进一步的进入到第一回收箱4中，冲刷一段时间后，传动轮启动，存放盒21进一步的移动到清洗仓18中，化学液存储箱中的液体通过连通管31在清洗仓18中的喷头24处喷出，从而给单片晶进行化学吸附清洗(化学吸附清洗可以洗掉单片晶表面上的金属离子等，在这里不做详细的解释)，在这里注意的时，化学吸附清洗是本工艺中最主要的步骤，也是“下料”最多的步骤，当清洗一段时间后，喷头24关闭，这时启动吸风机19，吸风机19启动后，会在吸风板20上产生吸力，从而讲单片晶吸到吸风板20上，这时开启喷头24，使化学液冲刷存放盒21，本次冲刷是为了防止因为存放盒21上留有过多的金属杂质，而影响到单片晶的清洗质量，清洗仓18内部的化学液会通过导流槽11进入到化学液回收箱2中，当化学液吸附清洗完毕后，存放盒21进入到清洗仓18中进行清洗，本次的清洗为了冲洗掉单片晶上携带的残留化学液，在本次清洗中，中途有加有吸风步骤，本次的吸风步骤类似于清洗仓18中的吸风步骤，在这里不做重复的解释，清洗仓18中的液体会通过导流槽11进入到第二回收箱3中，通过设有通孔23，可以使存放盒21内部的液体流入导流槽11中，并且通过导流槽11分别流入到第一回收箱4、化学液回收箱2以及第二回收箱3中，清洗液不反复使用，并且进行回收，不仅提高了清洗的效果，也提高了资源的回收利用率，单片晶经过清洗仓18之后，也就是完成了清洗工艺，最后将要进行烘干处理，烘干时，存放盒21进过传送网带13运输至烘干仓26的内部，热风机27产生的热风通过热风口28吹向存放盒21，从而达到热风烘干的目的。
为了提高烘干效果，本发明的改进有，所述烘干仓26上设有电热管29，所述电热管29安装在烘干仓26的内壁上，通过设有电热管29，使烘干仓26内部的温度得以提高，从而缩短了烘干时间，提高了烘干效率，进一步的提高了生产效率。
为了提高本结构的实用性，本发明的改进有，所述清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26上均设有视镜，所述视镜安装在清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26的一侧，所述视镜的材质为防雾钢化玻璃，所述存放盒21与传送网带13之间设有可拆卸结构，通过视镜可以观察到清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26的内部情况，方便在有特殊情况时，及时进行处理，防雾钢化玻璃，硬度高，并且经济实惠。
为了提高本结构的清洗效果，本发明的改进有，所述清洗仓18的内部设有超声波发生器25，所述超声波发生器25安装在清洗仓18的两侧，所述存放盒21上设有存放板22，所述存放板22安装在存放盒21的中间部分，所述存放板22上设有通孔23，并且所述存放板22与存放板22之间设有可拆卸结构，通过设有超声波发生器25，可以给单片晶进行超声波清洗，使单片晶在进行化学液清洗时清洗的更加均匀，从而提高单片晶的清洗效果，通过设有存放板22，使物料处于存放盒21的中间部分，防止接触到存放盒21底端的积攒物。
为了提高本结构的防尘效果，本发明的改进有，所述清水冲洗仓16、化学冲洗仓17、清洗仓18以及烘干仓26之间设有防尘板，通过设有防尘板，提高了单片晶的清洗质量，防止单片晶在清洗的时候粘上灰尘。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (9)

1.一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，包括以下结构及步骤：所述结构包括机体(1)、第一支架(8)以及第二支架(9)，所述第一支架(8)的上端以及第二支架(9)的上端均设有传动轴(12)，所述传动轴(12)之间设有传送网带(13)连接，所述传送网带(13)上设有存放盒(21)，所述存放盒(21)上设有通孔(23)，所述机体(1)上设有工作台(15)、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体(1)的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板(30)，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱(5)、化学液存储箱(6)以及第二清洗箱(7)，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱(4)、化学液回收箱(2)以及第二回收箱(3)，所述工作台(15)安装在机体(1)的上端，所述工作台(15)上依次设有清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)、清洗仓(18)以及烘干仓(26)，并且所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的下端均设有导流槽(11)，且所述导流槽(11)分别连接第一回收箱(4)、化学液回收箱(2)以及第二回收箱(3)，所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的内部均设有喷头(24)，所述喷头(24)分别安装在清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的内壁上，并且分别与第一清洗箱(5)、化学液存储箱(6)以及第二清洗箱(7)之间设有连通管(31)连接，所述化学冲洗仓(17)以及清洗仓(18)的上端均设有吸风机(19)，所述吸风机(19)上设有吸风板(20)，所述吸风板(20)安装在吸风机(19)的下端，所述烘干仓(26)的上端设有热风机(27)，所述热风机(27)上设有热风口(28)，并且所述热风口(28)位于烘干仓(26)的内部；
所述步骤包括：
第一步：单片晶传送，将单片晶放置在存放盒(21)上通过传动轴(12)的相互配合对其进行传送；
第二步：单片晶预洗处理，单片晶在存放盒(21)上被运输到清水冲洗仓(16)中，第一清洗箱(5)给清水冲洗仓(16)提供清水，通过清水对其进行轻度冲洗，冲刷掉单片晶上的颗粒杂物，并且在此过程中，清洗冲洗仓(16)内部水通过第一回收箱(4)来回收处理；
第三步：单片晶清洗处理，单片晶在存放盒(21)上被运输到化学冲洗仓(17)中，通过化学液存储箱(6)给化学冲洗仓(17)提供化学液，通过化学液对单片晶进行化学冲洗，并且在此过程中，需要通过吸风机(19)将存放盒(21)内的单片晶吸附到吸风板(20)上，从而对存放盒(21)进行冲洗，冲洗完毕后，吸风机(19)关闭，单片晶进一步的落到存放盒(21)中；
第四步：单片晶冲刷处理，单片晶在存放盒(21)上被运输到清洗仓(18)中，第二清洗箱(7)给清洗仓(18)提供清洗液，从而对化学清洗完毕后的单片晶进行冲洗，保证单片晶上不会存在剩余残留物；
第五步：单片晶烘干处理，单片晶在存放盒(21)上被运输到烘干仓(26)中，通过热风机(27)产生的热风带走冲洗完毕后的单片晶上剩余的清洗液。
2.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述烘干仓(26)上设有电热管(29)，所述电热管(29)安装在烘干仓(26)的内壁上。
3.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)、清洗仓(18)以及烘干仓(26)上均设有视镜，所述视镜安装在清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)、清洗仓(18)以及烘干仓(26)的一侧。
4.根据权利要求3所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述视镜的材质为防雾钢化玻璃。
5.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述清洗仓(18)的内部设有超声波发生器(25)，所述超声波发生器(25)安装在清洗仓(18)的两侧。
6.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述存放盒(21)上设有存放板(22)，所述存放板(22)安装在存放盒(21)的中间部分。
7.根据权利要求6所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述存放板(22)上设有通孔(23)，并且所述存放板(22)与存放板(22)之间设有可拆卸结构。
8.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述存放盒(21)与传送网带(13)之间设有可拆卸结构。
9.根据权利要求1所述的一种单片式晶片清洁工艺，其特征在于，所述清水冲洗仓(16)、化学冲洗仓(17)、清洗仓(18)以及烘干仓(26)之间设有防尘板。
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