CN1127411A - 高温超导体Bi(2223)/Ag带材的联接方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及高温超导体Bi(2223)/Ag带材的联接技术。其工艺步骤是：首先分别将两条带材的一端待联接部位去掉同样大小的银层，然后将两条带材去掉银层的部位对齐迭合并加压，再用银箔将联接部分包裹起来进行常温冷压和热处理完成两带材相联的。应用本发明方法联接超导体Bi(2223)/Ag带材，由于在带材联接处不会发生将银层挤入超导体内而导致横截面积减小，故不会造成带材联接处临界电流衰减。
Description
本发明属于高温超导材料的联接技术。
高温超导体Bi(2223)/Ag带材是用粉末充管法，先将预烧过的Bi(2223)熟粉充入银套管，再经拉拔、滚压、热处理过程制备而成。所以Bi(2223)/Ag带材是由Bi(2223)相超导体及其外部的银套管复合而成。联接两条Bi(2223)/Ag带材，需使两条带中的Bi(2223)相超导体结合，同时还需使两条带上的银套管密封结合。目前采用的联接法有化学刻蚀、机械剥离等，但各种方法对两条带材作压接和热处理时，都不能避免由于联接处的银层被挤入超导体而造成的联接处超导体横截面积的减小，因而都将导致带材临界电流值在该处的下降。一般情况，这种下降在30％左右。
有鉴于此，本发明的目的是提出一种高温超导体Bi(2223)/Ag带材的联接方法，用该方法可实现高温超导体Bi(2223)/Ag带材无临界电流衰减的联接。
本发明的技术解决方案结合附图加以说明。
图1至图4是联接两带材的工艺过程示意图，图中1为银层，2为超导体，3为银箔。
图5是现有技术联接的两带材联接处的金相照片。
图6是用本发明联接的两带材联接处的金相照片。
参照图1至图4，本发明具体步骤包括：
(1)分别将两条带材的一端待联接部位用刀片和摄子去掉一块同长度、同宽度的银层，去掉银层的待联接端如图1所示；
(2)将两条带材去掉银层的部位对齐迭合，并用压机对整个迭合部分加压，以使迭合部分不松动(见图2)，通常，所加压力不小于100psi(psi代表磅/英寸)；
(3)用银箔将联接部分包裹起来(见图3)，一般取银箔长度略大于联接部分长度，宽度略大于带材宽度两倍，厚度为0.015～0.025mm；
(4)对包裹好的联接部分进行先常温冷压后热处理过程，其中冷压压力至少1000psi：优选压力为1500psi，热处理温度为830℃～850℃，热处理时间为90～200小时，优选时间为150小时。联接成的带材如图4所示，在热处理过程中，包裹用银箔与Bi(2223)/Ag带材上的银套管完全结合成一体。至此，两条Bi(2223)/Ag带材无临界电流衰减的联接已完成。
比较图5和图6带材联接处的金相照片，用现有技术联接两带材，在联接处有银层被挤入超导体(图5)，而应用本发明提供的联接法，在带材联接处没有银层被挤入超导体内而导致横截面积减少(图6)故不会造成联接处临界电流衰减。
Claims (4)
1.高温超导体Bi(2223)/Ag带材的联接方法，其特征在于它包括以下步骤：
(1)分别将两条带材的一端待联接部位去掉一块同长度、同宽度的银层；
(2)将两条带材去掉银层的部位对齐迭合，并用压机对整个迭合部分加压，使其不松动；
(3)用银箔将联接部分包裹起来；
(4)对包裹好的联接部位进行先常温冷压后热处理过程，其中冷压压力至少1000psi，热处理温度为830℃～850℃，热处理时间为90～200小时。
2.按权利要求1所述的带材联接法，其特征在于包裹用银箔的长度略大于联接部分长度，宽度略大于带材宽度两倍，厚度为0.015～0.025mm。
3.按权利要求1所述的带材联接法，其特征在于对包裹好的联接部位进行常温冷压的压力为1500psi。
4.按权利要求1，3所述的带村联接法，其特征在于热处理时间为150小时。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN100386825C (zh) * | 2006-05-23 | 2008-05-07 | 清华大学 | 一种提高Bi-2223带材临界电流密度的方法 |
| CN107103957A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-29 | 上海交通大学 | 提高第二代高温超导带材层间结合力的处理方法 |
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1995
- 1995-09-07 CN CN95115713A patent/CN1127411A/zh active Pending
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| CN107103957B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-08-09 | 上海交通大学 | 提高第二代高温超导带材层间结合力的处理方法 |
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