CN112740101B - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置(100)及其制备方法，该显示装置(100)包括相对设置的阵列基板(110)和盖板(120)，阵列基板(110)为硅基有机发光二极管阵列基板，盖板(120)包括多条边(21,22,23,24)。在盖板(120)的至少两条边处，阵列基板(110)在平行于阵列基板(110)的平面内的正投影(111)伸出到盖板(120)在该平面内的正投影(121)之外。该显示装置(100)可以降低玻璃盖板(120)破碎的风险，便于定位、固定及锁紧，避免玻璃盖板(120)受到二次切割，从而避免损伤切割机台，解决玻璃盖板(120)边缘不齐、崩边等问题，有助于提高玻璃盖板(120)的贴合精度和连接强度，改善贴合效果，提高显示装置(100)匹配结构的能力及机械强度，延长显示装置(100)的使用寿命。

Description

显示装置及其制备方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
随着技术的发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置由于具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点，OLED可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括相对设置的阵列基板和盖板，其中，所述阵列基板为硅基有机发光二极管阵列基板，所述盖板包括多条边，在所述盖板的至少两条边处，所述阵列基板在平行于所述阵列基板的平面内的正投影伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述盖板包括四条边，在所述盖板的四条边处，所述阵列基板在所述平面内的正投影均伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阵列基板包括多条边，所述盖板的多条边和所述阵列基板的多条边一一对应且对应的边彼此平行。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阵列基板和所述盖板的形状均为矩形、正方形或六边形。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阵列基板包括第一绑定区域，所述第一绑定区域在所述平面内的正投影与所述盖板在所述平面内的正投影不重叠。
例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括柔性印刷电路板，其中，所述阵列基板包括栅极驱动电路、数据驱动电路和多个像素单元，所述像素单元包括阴极，所述柔性印刷电路板电性连接至所述第一绑定区域，且配置为分别向所述栅极驱动电路、所述数据驱动电路和所述像素单元的所述阴极传输电信号。
例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括硬性印刷电路板，其中，所述硬性印刷电路板包括第二绑定区域，所述阵列基板设置在所述硬性印刷电路板上，所述第二绑定区域在平行于所述阵列基板的平面内的正投影与所述阵列基板不重叠，所述第一绑定区域与所述第二绑定区域通过导电部件电性连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述盖板的材料包括玻璃。
例如，本公开一实施例提供的显示装置包括显示区域，其中，所述显示区域在所述平面内的正投影位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阵列基板包括硅基板以及依次层叠设置在所述硅基板上的阳极层、有机发光层、阴极层、第一薄膜封装层和彩膜层，所述阳极层、所述有机发光层、所述阴极层、所述第一薄膜封装层和所述彩膜层在所述平面内的正投影均位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阳极层、所述有机发光层、所述阴极层、所述第一薄膜封装层和所述彩膜层至少位于所述显示区域中。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述阵列基板还包括第二薄膜封装层，所述第二薄膜封装层设置在所述彩膜层上，所述盖板设置在所述第二薄膜封装层上。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述第二薄膜封装层在所述平面内的正投影位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，在所述盖板与所述阵列基板彼此对应且长度不相等的边中，所述盖板的至少一条边与所述阵列基板的对应的边的长度之差约为-3mm至-0.5mm。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述显示区域包括多条边，所述盖板的多条边和所述显示区域的多条边一一对应且对应的边彼此平行，在所述显示区域与所述盖板彼此对应且长度不相等的边中，所述显示区域的至少一条边与所述盖板的对应的边的长度之差约为-2mm至-0.1mm。
本公开至少一个实施例还提供一种显示装置的制备方法，包括：提供阵列基板母板，其中，所述阵列基板母板为硅基有机发光二极管阵列基板母板且包括多个阵列基板区域；将多个盖板与所述阵列基板母板的多个阵列基板区域分别贴合，其中，所述盖板包括多条边，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在所述盖板的至少两条边处，所述阵列基板区域在平行于所述阵列基板母板的平面内的正投影伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外；对与所述盖板贴合后的所述阵列基板母板进行切割以将所述多个阵列基板区域彼此分离。
例如，在本公开一实施例提供的制备方法中，所述盖板的数量等于所述多个阵列基板区域的数量。
例如，在本公开一实施例提供的制备方法中，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在所述盖板的所有边处，所述阵列基板区域在平行于所述阵列基板母板的平面内的正投影均伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的示意图；
图1B为图1A所示的显示装置的投影示意图；
图2A为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图；
图2B为图2A所示的显示装置的投影示意图；
图3A为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图；
图3B为图3A所示的显示装置的投影示意图；
图4A为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图；
图4B为图4A所示的显示装置的阵列基板的平面示意图；
图5为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图；
图6A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的层结构示意图；
图6B为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的层结构示意图；
图7为本公开一些实施例提供的一种显示装置的部分截面示意图；
图8A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的阵列基板的电路原理示意图；
图8B为本公开一些实施例提供的一种显示装置的电压控制电路和像素电路的具体实现示例的电路图；以及
图9为本公开一些实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
Micro-OLED是一种以硅基板为衬底基板的新型OLED显示装置。硅基OLED具有体积小、分辨率高等特点，可采用成熟的集成电路互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，CMOS)工艺制备，实现了像素的有源寻址，具有逻辑控制(Timer Control Register，TCON)、过电流保护(Over Current Protection，OCP)等多种电路，可以实现轻量化，广泛应用于近眼显示与虚拟现实(Virtual Reality，VR)、增强现实(Augmented Reality，AR)领域中，特别是AR/VR头戴显示装置中。当OLED显示装置应用于近眼显示设备中时，显示装置的固定位置对于用户来说十分重要，其决定了用户的体验感受。
通常的硅基OLED显示装置(或显示面板)采用玻璃盖板与阵列基板齐边的设计，也即是，玻璃盖板与阵列基板的尺寸一致或几乎一致，且两者的边缘对齐，这会导致一系列问题。一方面，将硅基OLED显示装置应用在AR/VR装置中时，需要通过玻璃盖板来定位，固定和锁紧显示装置会对玻璃盖板造成挤压，容易使玻璃盖板破碎。另一方面，硅基OLED显示装置在制作过程中，在进行玻璃盖板的贴合之后，需要把阵列基板母板切割成小的显示面板，如果玻璃盖板与阵列基板为齐边设计，会使得玻璃盖板受到二次切割，不仅容易损坏切割机台(例如容易损伤切割刀轮)，还会使得显示面板的结构外轮廓不齐，出现崩边等问题。
本公开至少一实施例提供一种显示装置及其制备方法，该显示装置可以降低玻璃盖板破碎的风险，便于定位、固定及锁紧，避免玻璃盖板受到二次切割，从而避免损伤切割机台，解决玻璃盖板边缘不齐、崩边等问题，有助于提高玻璃盖板的贴合精度和连接强度，改善贴合效果，提高显示装置匹配结构的能力及机械强度，延长显示装置的使用寿命。
下面，将参考附图详细地说明本公开的实施例。应当注意的是，不同的附图中相同的附图标记将用于指代已描述的相同的元件。
本公开至少一实施例提供一种显示装置，该显示装置包括相对设置的阵列基板和盖板。阵列基板为硅基有机发光二极管阵列基板，盖板包括多条边。在盖板的至少两条边处，阵列基板在平行于阵列基板的平面内的正投影伸出到盖板在该平面内的正投影之外。
图1A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的示意图，图1B为图1A所示的显示装置的投影示意图。如图1A和图1B所示，该显示装置100包括相对设置的阵列基板110和盖板120。
例如，阵列基板110为硅基有机发光二极管阵列基板(硅基OLED阵列基板)，可用于进行显示。阵列基板110例如包括硅基板。例如，阵列基板110还可以包括设置在硅基板上的有机发光材料等任意适用的部件，以实现显示功能，本公开的实施例对此不作限制。例如，硅基板可以包括集成在硅基板中的栅极驱动电路、数据驱动电路、像素电路等任意适用的部件，本公开的实施例对此不作限制。
盖板120与阵列基板110相对设置，盖板120例如贴合在阵列基板110上，起保护、提高强度等作用。例如，盖板120与阵列基板110彼此平行。例如，盖板120的材料为透明材料，例如为玻璃，也即是，盖板120可以为玻璃盖板。例如，在一些示例中，盖板120可以采用高透过率的素玻璃制备而成。例如，盖板120包括多条边。例如，在一些示例中，如图1A所示，盖板120为矩形，因此包括四条边，分别为盖板第一边21、盖板第二边22、盖板第三边23和盖板第四边24。
例如，如图1B所示，在盖板120的至少两条边处(图中示出了在四条边21-24处的情形)，阵列基板110在平行于阵列基板110的平面内的正投影111伸出到盖板120在该平面内的正投影121之外。也即是，在盖板120的至少两条边处，阵列基板110的正投影111覆盖的区域大于盖板120的正投影121覆盖的区域，盖板120的正投影121位于阵列基板110的正投影111之内。结合图1A和图1B可知，盖板120的尺寸小于阵列基板110的尺寸，在盖板120的至少两条边处，盖板120和阵列基板110为不齐边的设计，也即是，盖板120的边缘与阵列基板110的边缘不对齐。例如，在盖板120的至少两条边处，阵列基板110具有不被盖板120覆盖的区域，在如图1A和图1B所示的示例中，阵列基板110不被盖板120覆盖的区域为矩形的环状。
这里，“正投影”是指阵列基板110沿垂直于阵列基板110的方向在平行于阵列基板110的平面内的投影，或者指盖板120沿垂直于阵列基板110的方向在平行于阵列基板110的平面内的投影。
通过上述方式，在对显示装置100进行定位、固定和锁紧时(例如将显示装置100固定于AR/VR设备中时)，用于定位、固定和锁紧的夹具仅接触阵列基板110(例如接触阵列基板110边缘处不被盖板120覆盖的区域)，而不会接触盖板120，因此可以降低盖板120破碎的风险，便于定位、固定及锁紧。
在生产过程中，当对阵列基板母板进行切割时，仅需要切割阵列基板110(例如切割阵列基板110边缘处不被盖板120覆盖的区域)，而不会切割盖板120，从而避免盖板120受到二次切割，以避免损伤切割机台，解决盖板120边缘不齐、崩边等问题。例如，在一些示例中，阵列基板母板与多个盖板120贴合之后再进行切割，这里的多个盖板120是指在切割阵列基板母板之前，将盖板母板切割为与阵列基板母板上的多个阵列基板区域对应的多个分离的部分而得到的，得到的多个盖板120与阵列基板母板上的多个阵列基板区域对应贴合。例如，在另一些示例中，阵列基板母板与盖板母板贴合，在对盖板母板切割之后再对阵列基板母板进行切割，切割盖板母板时，通过控制切割深度等参数，使得盖板母板被切割为与阵列基板母板上的多个阵列基板区域对应的盖板120，而不会损伤阵列基板母板，在盖板母板的切割完成之后，再进行阵列基板母板的切割。
该显示装置100有助于提高盖板120的贴合精度和连接强度，改善贴合效果，提高贴合效率和产品良率，提高匹配结构的能力及机械强度，延长使用寿命。
例如，在一些示例中，如图1A所示，阵列基板110包括多条边，分别为阵列基板第一边11、阵列基板第二边12、阵列基板第三边13和阵列基板第四边14。例如，盖板120的多条边21-24和阵列基板110的多条边11-14一一对应且对应的边彼此平行。例如，盖板第一边21与阵列基板第一边11对应且彼此平行，盖板第二边22与阵列基板第二边12对应且彼此平行，盖板第三边23与阵列基板第三边13对应且彼此平行，盖板第四边24与阵列基板第四边14对应且彼此平行。也即是，阵列基板110的形状与盖板120的形状相同或几乎相同，例如都为矩形、都为正方形或都为六边形等。当然，本公开的实施例不限于此，阵列基板110的形状与盖板120的形状也可以不同，这可以根据实际需求而定。这里，“形状相同或几乎相同”是指两者都为同一类形状，但是并非指两者对应的边的比例相同。例如，当两者均为矩形时，各自的长宽比可以相同也可以不同，本公开的实施例对此不作限制。
例如，在一些示例中，在盖板120与阵列基板110彼此对应且长度不相等的边中，盖板120的至少一条边与阵列基板110的对应的边的长度之差约为-3mm至-0.5mm，例如约为-1.2mm。例如，盖板第一边21与阵列基板第一边11的差值约为-3mm至-0.5mm，和/或盖板第二边22与阵列基板第二边12的差值约为-3mm至-0.5mm，以此类推。需要说明的是，上述差值范围仅是示例性的，其具体数值范围可以根据实际需求而定，例如上述示例性的数值范围的任意一个或多个端点值可以在-5％～+5％的范围内调整，本公开的实施例对此不作限制。
例如，如图1A所示，该显示装置100还包括显示区域130。显示区域130包括多个像素单元且用于进行显示，显示区域130例如为AA区(Active Area)。例如，该显示区域130中设置有像素电路和有机发光材料等，从而在扫描信号和数据信号的驱动下进行显示。例如，如图1B所示，显示区域130在上述平面(平行于阵列基板110的平面)内的正投影131位于盖板120在上述平面内的正投影121内。也即是，盖板120完全覆盖显示区域130，从而可以提供更好的水、氧阻挡功能，以提高显示质量，防止器件老化并延长使用寿命。
例如，显示区域130包括多条边。例如，在一些示例中，显示区域130为矩形，因此包括四条边，分别为显示区域第一边31、显示区域第二边32、显示区域第三边33和显示区域第四边34。例如，显示区域130的多条边31-34和盖板120的多条边21-24一一对应且对应的边彼此平行。例如，显示区域第一边31与盖板第一边21对应且彼此平行，显示区域第二边32与盖板第二边22对应且彼此平行，显示区域第三边33与盖板第三边23对应且彼此平行，显示区域第四边34与盖板第四边24对应且彼此平行。也即是，显示区域130的形状与盖板120的形状相同或几乎相同，例如都为矩形、都为正方形或都为六边形等。当然，本公开的实施例不限于此，显示区域130的形状与盖板120的形状也可以不同，这可以根据实际需求而定。这里，“形状相同或几乎相同”是指两者都为同一类形状，但是并非指两者对应的边的比例相同。例如，当两者均为矩形时，各自的长宽比可以相同也可以不同，本公开的实施例对此不作限制。
例如，在一些示例中，在显示区域130与盖板120彼此对应且长度不相等的边中，显示区域130的至少一条边与盖板120的对应的边的长度之差约为-2mm至-0.1mm，例如约为-0.5mm。例如，显示区域第一边31与盖板第一边21的长度的差值约为-2mm至-0.1mm，和/或显示区域第二边32与盖板第二边22的长度的差值约为-2mm至-0.1mm，以此类推。需要说明的是，上述差值范围仅是示例性的，其具体数值范围可以根据实际需求而定，例如上述示例性的数值范围的任意一个或多个端点值可以在-5％～+5％的范围内调整，本公开的实施例对此不作限制。
需要说明的是，在图1A和图1B所示的示例中，盖板120包括四条边21-24，在盖板120的四条边21-24处，阵列基板110在上述平面内的正投影111均伸出到盖板120在上述平面内的正投影121之外，从而可以避免盖板120的任意一边不会受到二次切割并且在定位、固定及锁紧时不受外力作用。当然，本公开的实施例包括但不限于此，在其他示例中，也可以仅在盖板120的两条边处或三条边处，使阵列基板110在上述平面内的正投影111伸出到盖板120在上述平面内的正投影121之外。当盖板120的边多于四条时，也可以在盖板120的五条边处、六条边处或其他条边处，使阵列基板110在上述平面内的正投影111伸出到盖板120在上述平面内的正投影121之外。
例如，在一些示例中，如图2A和图2B所示，在盖板第一边21和盖板第三边23处，阵列基板110在上述平面内的正投影111伸出到盖板120在上述平面内的正投影121之外，而在盖板第二边22和盖板第四边24处，阵列基板110在上述平面内的正投影111与盖板120在上述平面内的正投影121重叠。也即是，在盖板第一边21和盖板第三边23处，盖板120和阵列基板110为不齐边设计，而在盖板第二边22和盖板第四边24处，盖板120和阵列基板110为齐边设计。
例如，在一些示例中，如图3A和图3B所示，在盖板第一边21、盖板第二边22和盖板第三边23处，阵列基板110在上述平面内的正投影111伸出到盖板120在上述平面内的正投影121之外，而在盖板第四边24处，阵列基板110在上述平面内的正投影111与盖板120在上述平面内的正投影121重叠。也即是，在盖板第一边21、盖板第二边22和盖板第三边23处，盖板120和阵列基板110为不齐边设计，而在盖板第四边24处，盖板120和阵列基板110为齐边设计。
图4A为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图，图4B为图4A所示的显示装置的阵列基板的平面示意图。如图4A所示，显示装置100还包括柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)140。例如，阵列基板110包括第一绑定区域112，第一绑定区域112在平行于阵列基板110的平面内的正投影与盖板120在该平面内的正投影不重叠，也即是，第一绑定区域112未被盖板120覆盖。例如，如图4B所示，阵列基板110包括栅极驱动电路310、数据驱动电路320和多个像素单元330，像素单元330包括阴极331。例如，在一些示例中，多个像素单元330的阴极331一体形成，构成共阴极的结构。栅极驱动电路310配置为向多个像素单元330提供栅极扫描信号，数据驱动电路320配置为向多个像素单元330提供数据信号。例如，柔性印刷电路板140电性连接至第一绑定区域112，且配置为分别向栅极驱动电路310、数据驱动电路320和像素单元330的阴极331传输电信号，以实现外部信号的传输，从而驱动阵列基板110上的像素单元330进行显示。例如，柔性印刷电路板140还包括连接结构141，以便于与其他设备(例如控制电路、中央控制器等)进行电气连接。
图5为本公开一些实施例提供的另一种显示装置的示意图。如图5所示，显示装置100还包括硬性印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)150。例如，阵列基板110设置在硬性印刷电路板150上，硬性印刷电路板150为其提供支撑、固定等作用。例如，硬性印刷电路板150包括第二绑定区域151，第二绑定区域151在平行于阵列基板110的平面内的正投影与阵列基板110不重叠。阵列基板110的第一绑定区域112与硬性印刷电路板150的第二绑定区域151通过导电部件160电性连接，以实现外部信号的传输，从而驱动阵列基板110上的像素单元进行显示。例如，硬性印刷电路板150上还设置有控制电路、中央控制器、接口等，从而为阵列基板110上的像素单元提供相应的信号。例如，导电部件160可以为转接头、导电胶等任意适用的部件，只要能实现第一绑定区域112和第二绑定区域151的电连接即可，本公开的实施例对此不作限制。
图6A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的层结构示意图。如图6A所示，阵列基板110包括硅基板113以及依次层叠设置在硅基板113上的阳极层115、有机发光层116、阴极层117、第一薄膜封装层118、彩膜层119和第二薄膜封装层211。
例如，硅基板113起支撑、保护等作用。硅基板113包括用于驱动各个像素单元的像素电路(图6A中未示出硅基板113的详细结构)。该像素电路可以为通常的2T1C、4T1C像素电路，也可以为具有内部补偿、外部补偿等功能的像素电路，本公开的实施例对此不作限制。像素电路例如采用CMOS工艺制备在硅基板113中。
阳极层115设置在硅基板113上，例如采用透明导电材料制备，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，以具有较高的透过率、较高的功函数等。有机发光层116设置在阳极层115上，可以为单层或多层结构。例如，在一些示例中，有机发光层116可以为空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、电子传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、发光层等多个膜层组成的多层结构。阴极层117设置在有机发光层116上，例如可以采用镁、银等金属及其合金材料或者透明导电材料制备。在阳极层115和阴极层117的电压驱动下，有机发光层116利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。
第一薄膜封装层118设置在阴极层117上。彩膜层119设置在第一薄膜封装层118上，例如包括红(Red，R)、绿(Green，G)、蓝(Blue，B)等颜色的像素区域。当然，本公开的实施例不限于此，彩膜层119也可以包括其他颜色的像素区域，例如白色、黄色等。第二薄膜封装层211设置在彩膜层119上，以对彩膜层119提供保护。盖板120设置在第二薄膜封装层211上。例如，第一薄膜封装层118和第二薄膜封装层211采用密封特性较好的有机材料、无机材料中的一种或者多种结合制作而成，从而保护OLED器件结构，达到较好的密封效果。
例如，阳极层115、有机发光层116、阴极层117、第一薄膜封装层118和彩膜层119在平行于阵列基板110的平面内的正投影均位于盖板120在该平面内的正投影内。例如，阳极层115、有机发光层116、阴极层117、第一薄膜封装层118和彩膜层119至少位于显示区域130中，也即是，通过上述各个膜层的配合使显示区域130可以进行显示。例如，在一些示例中，如图6A所示，第二薄膜封装层211在平行于阵列基板110的平面内的正投影与盖板120在该平面内的正投影重叠，也即是，第二薄膜封装层211与盖板120的尺寸相同且被盖板120完全覆盖，从而可以提供更好的水、氧阻挡功能。当然，本公开的实施例不限于此，在另一些示例中，如图6B所示，第二薄膜封装层211在平行于阵列基板110的平面内的正投影也可以位于盖板120在该平面内的正投影内，也即是，盖板120的尺寸大于第二薄膜封装层211的尺寸，从而可以降低对工艺精度的要求。
例如，硅基板113的面积为S1，阳极层115、有机发光层116、阴极层117、第一薄膜封装层118和彩膜层119组成的多层结构的面积为S2，盖板120的面积为S3，则S1＞S3＞S2。
图7为本公开一些实施例提供的一种显示装置的部分截面示意图。除了阵列基板110的结构表示的更为详细以及示出了多个子像素外，该实施例的显示装置与图6A或图6B所示的显示装置基本相同。需要理解的是，该实施例中的阵列基板110可以与图6A或图6B所示的显示装置中的阵列基板110完全相同或基本相同，为了描述简洁而未在图6A或图6B中示出阵列基板110的详细结构。当然，该实施例中的阵列基板110也可以与图6A或图6B所示的显示装置中的阵列基板110不同，只要能实现相应功能即可。需要理解的是，图6A或图6B所示的显示装置也包括多个子像素，为了描述简洁而未在图6A或图6B中示出子像素。
在该实施例中，如图7所示，显示装置包括阵列基板110，阵列基板110包括硅基板113和发光元件410。例如，硅基板113包括依次层叠设置的衬底基板420、像素电路430、光反射层440和绝缘层450。发光元件410包括依次层叠设置在绝缘层450上的阳极层115、有机发光层116和阴极层117。阳极层115为透明电极层。例如，绝缘层450为透光的以使由有机发光层116发出的光从中穿透并且到达光反射层440以被光反射层440反射。
例如，绝缘层450包括填充有金属构件451的过孔452，光反射层440通过金属构件451与阳极层115电连接。这样，通过在绝缘层450中形成光反射层440和阳极层115之间的导电通道，有利于将硅基板113中像素电路430提供的电信号通过光反射层440传输到阳极层115。通过这种方式，不仅有利于实现像素电路430对发光元件410的控制，而且使该显示装置的结构更紧凑，有利于器件的微型化。进一步地，例如，金属构件451由金属材料制成，例如钨金属，由钨金属填充的过孔也称为钨过孔(W-via)。例如，在绝缘层450厚度较大的情况下，在绝缘层450中形成钨过孔可以保证导电通路的稳定性，而且，由于制作钨过孔的工艺成熟，所得到的绝缘层450的表面平坦度好，有利于降低绝缘层450与阳极层115之间的接触电阻。可以理解的是，钨过孔不仅适于实现绝缘层450与阳极层115之间的电连接，还适于光反射层440与像素电路430之间的电连接，以及其他布线层之间的电连接。
例如，硅基板113包括像素电路430，像素电路430与光反射层440彼此电连接，像素电路430用于驱动发光元件410发光。像素电路430至少包括驱动晶体管T1和开关晶体管(图中未示出)，驱动晶体管T1与光反射层440之间彼此电连接。由此，驱动发光元件410的电信号可通过光反射层440传输到阳极层115，从而控制发光元件410发光。例如，驱动晶体管T1包括栅电极G、源电极S和漏电极D。驱动晶体管T1的源电极S电连接于光反射层440。在驱动晶体管T1处于开启状态时，由电源线提供的电信号可经过驱动晶体管T1的源电极S和光反射层440传输到阳极层115。由于阳极层115与阴极层117之间形成电压差，在二者之间形成电场，有机发光层116在该电场作用下发光。可以理解的是，驱动晶体管T1中，源电极S和漏电极D的位置可互换，因此，源电极S和漏电极D之一与光反射层440彼此电连接即可。
例如，该显示装置包括多个子像素(或像素单元)，图7中示例性地示出了三个子像素，即红色子像素SP1、绿色子像素SP2和蓝色子像素SP3。每个子像素对应阵列基板110的一个子像素区。也即是，每个子像素中设置有独立的发光元件410和驱动晶体管T1。
例如，三个子像素中的绝缘层450为一体形成以方便制作。例如，如图7所示，绝缘层450还包括暴露焊盘453的开口454，开口454的设置有利于焊盘453与外界电路之间的电连接和信号连通。该显示装置中子像素的颜色仅为示意性的，还可以包括诸如黄色、白色等其他颜色。
例如，如图7所示，阵列基板110还包括依次设置在阴极层117上的第一薄膜封装层118、彩膜层119和第二薄膜封装层211。该显示装置还包括盖板120，盖板120设置在第二薄膜封装层211上。例如，第一薄膜封装层118位于阴极层117远离衬底基板420的一侧。彩膜层119位于第一薄膜封装层118远离衬底基板420的一侧，并且包括红色滤光单元R、绿色滤光单元G和蓝色滤光单元B。第二薄膜封装层211和盖板120位于彩膜层119远离衬底基板420的一侧。对于第一薄膜封装层118、彩膜层119、第二薄膜封装层211和盖板120的具体材料可采用本领域的常规材料，此处不再详述。
例如，在本公开实施例提供的显示装置中，包括阳极层115、有机发光层116和阴极层117的发光元件410、第一薄膜封装层118、彩膜层119、第二薄膜封装层211和盖板120均在面板厂制作完成，另外，焊盘453上方的绝缘层450也在面板厂完成刻蚀，从而露出焊盘453，并使其与柔性印刷电路板绑定(FPC bonding)或者布线绑定(Wire bonding)。因此，在本公开的实施例中，可以由晶圆厂制作出包括光反射层440和绝缘层450且适于形成发光元件430的硅基板113，不仅降低了光反射层440的制造难度，也有利于面板厂的后续工艺制程。
图8A为本公开一些实施例提供的一种显示装置的阵列基板的电路原理示意图。该阵列基板包括位于显示区域130(AA区)中的多个发光元件L以及与各发光元件L一一对应耦接的像素电路10，像素电路10包括驱动晶体管。并且，该阵列基板还可以包括位于阵列基板的非显示区(阵列基板中除显示区域130之外的区域)中的多个电压控制电路20。例如，一行中至少两个像素电路10共用一个电压控制电路20，且一行像素电路10中驱动晶体管的第一极与共用的电压控制电路20耦接，各驱动晶体管的第二极与对应的发光元件L耦接。电压控制电路20被配置为响应于复位控制信号RE，将初始化信号Vinit输出至驱动晶体管的第一极，控制对应的发光元件L复位；以及响应于发光控制信号EM，将第一电源信号VDD输出至驱动晶体管的第一极，以驱动发光元件L发光。通过共用电压控制电路20，可以简化显示区域130中各像素电路的结构，降低显示区域130中像素电路的占用面积，从而可以使显示区域130设置更多的像素电路和发光元件，实现高PPI的有机发光显示面板。并且，电压控制电路20在复位控制信号RE的控制下将初始化信号Vinit输出至驱动晶体管的第一极，控制对应的发光元件复位，从而可以避免上一帧发光时加载于发光元件上的电压对下一帧发光的影响，进而改善残影现象。
例如，该阵列基板还可以包括位于显示区域130的多个像素单元PX，每个像素单元PX包括多个子像素；各子像素分别包括一个发光元件L与一个像素电路10。进一步地，像素单元PX可以包括3个不同颜色的子像素。这3个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。当然，像素单元PX也可以包括4个、5个或更多的子像素，这需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
例如，可以使同一行中相邻的至少两个子像素中的像素电路10共用一个电压控制电路20。例如，在一些示例中，如图8A所示，可以使同一行中的所有像素电路10共用一个电压控制电路20。或者，在其他示例中，也可以使同一行中相邻的两个、三个或更多子像素中的像素电路10共用一个电压控制电路20，在此不作限定。这样，通过共用电压控制电路20可以降低显示区域130中像素电路的占用面积。
图8B为本公开一些实施例提供的一种显示装置的电压控制电路和像素电路的具体实现示例的电路图。例如，像素电路10中的驱动晶体管M0可以为N型晶体管，在电流由其第一端S流向第二端D时，可以将第一端S作为其源极，第二端D作为其漏极。在电流由其第二端D流向第一端S时，可以将第二端D作为其源极，第一端S作为其漏极。并且，发光元件L可以包括OLED。这样，OLED的正极与驱动晶体管M0的第二端D电连接，OLED的负极与第二电源端VSS电连接。第二电源端VSS的电压一般为负电压或接地电压VGND(一般为0V)，初始化信号Vinit的电压也可以设置为接地电压VGND，在此不作限定。例如，可以将OLED设置为Micro-OLED或Mini-OLED，这样进一步有利于实现高PPI的有机发光显示面板。
例如，以一行中包括的两个像素电路10为例，电压控制电路20可以包括第一开关晶体管M1和第二开关晶体管M2。第一开关晶体管M1的栅极用于接收复位控制信号RE，第一开关晶体管M1的第一极用于接收初始化信号Vinit，第一开关晶体管M1的第二极与对应的驱动晶体管M0的第一极S耦接。第二开关晶体管M2的栅极用于接收发光控制信号EM，第二开关晶体管M2的第一极用于接收第一电源信号VDD，第二开关晶体管M2的第二极与对应的驱动晶体管M0的第一极S耦接。
例如，可以使第一开关晶体管M1与第二开关晶体管M2的类型不同。例如，第一开关晶体管M1为N型晶体管，第二开关晶体管M2为P型晶体管。或者，第一开关晶体管M1为P型晶体管，第二开关晶体管M2为N型晶体管。当然，也可以使第一开关晶体管M1与第二开关晶体管M2的类型相同。在实际应用中，需要根据实际应用环境来设计第一开关晶体管M1与第二开关晶体管M2的类型，在此不作限定。
例如，像素电路10还可以包括第三开关晶体管M3和存储电容Cst。例如，第三开关晶体管M3的栅极用于接收第一栅极扫描信号S1，第三开关晶体管M3的第一极用于接收数据信号DA，第三开关晶体管M3的第二极与驱动晶体管M0的栅极G耦接。存储电容Cst的第一端与驱动晶体管M0的栅极G耦接，存储电容Cst的第二端与接地端GND耦接。
例如，像素电路10还可以包括第四开关晶体管M4。例如，第四开关晶体管M4的栅极用于接收第二栅极扫描信号S2，第四开关晶体管M4的第一极用于接收数据信号DA，第四开关晶体管M4的第二极与驱动晶体管M0的栅极G耦接。并且，第四开关晶体管M4与第三开关晶体管M3的类型不同。例如，第三开关晶体管M3为N型晶体管，第四开关晶体管M4为P型晶体管；或者，第三开关晶体管M3为P型晶体管，第四开关晶体管M4为N型晶体管。
需要说明的是，在数据信号DA的电压为高灰阶对应的电压时，通过例如P型的第四开关晶体管M4导通以将数据信号DA传输给驱动晶体管M0的栅极G，可以避免数据信号DA的电压受例如N型的第三开关晶体管M3的阈值电压的影响。在数据信号DA的电压为低灰阶对应的电压时，通过例如N型的第三开关晶体管M3导通以将数据信号DA传输给驱动晶体管M0的栅极G，可以避免数据信号DA的电压受例如P型的第四开关晶体管M4的阈值电压的影响。这样可以提高输入到驱动晶体管M0的栅极G上的电压范围。
需要说明的是，本公开的实施例中，显示装置100可以包括更多的部件，不限于图1-8B所示的情形，这可以根据实际需求而定，例如根据需要实现的功能而定，本公开的实施例对此不作限制。显示装置100也可以包括更多或更少的膜层，不限于图6A-7所示的情形，各个膜层的相对位置关系也不受限制，这可以根据实际需求而定，例如根据设计方案、工艺条件而定。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置的制备方法，利用该制备方法可以制备本公开任一实施例所述的显示装置。该制备方法制备的显示装置可以降低玻璃盖板破碎的风险，便于定位、固定及锁紧，避免玻璃盖板受到二次切割，从而避免损伤切割机台，解决玻璃盖板边缘不齐、崩边等问题，有助于提高玻璃盖板的贴合精度和连接强度，改善贴合效果，提高显示装置匹配结构的能力及机械强度，延长显示装置的使用寿命。
图9为本公开一些实施例提供的一种显示装置的制备方法的流程示意图。例如，在一些示例中，如图9所示，该制备方法包括如下操作。
步骤S10：提供阵列基板母板；
步骤S20：将多个盖板与阵列基板母板的多个阵列基板区域分别贴合；
步骤S30：对与盖板贴合后的阵列基板母板进行切割以将多个阵列基板区域彼此分离。
例如，阵列基板母板为硅基有机发光二极管阵列基板母板，且包括多个阵列基板区域。例如，阵列基板区域被切割之后可形成前述的阵列基板110。
例如，盖板包括多条边，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在盖板的至少两条边处，阵列基板区域在平行于阵列基板母板的平面内的正投影伸出到该盖板在该平面内的正投影之外。也即是，盖板与阵列基板区域的相对位置关系与前述的盖板120和阵列基板110的相对位置关系相同。
例如，在一些示例中，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在盖板的所有边处，阵列基板区域在平行于阵列基板母板的平面内的正投影均伸出到盖板在该平面内的正投影之外。
例如，盖板的数量等于多个阵列基板区域的数量，多个盖板与多个阵列基板区域一一对应贴合。
对与盖板贴合后的阵列基板母板的多个阵列基板区域进行切割时，由于阵列基板区域的正投影伸出到对应的盖板的正投影之外，因而在切割时仅需切割阵列基板区域，而不会切割盖板，从而避免盖板受到二次切割，以避免损伤切割机台，解决盖板边缘不齐、崩边等问题。
在对通过上述方法制备的显示装置进行定位、固定及锁紧时，用于定位、固定及锁紧的夹具仅接触阵列基板，而不会接触盖板，因此可以降低盖板破碎的风险，便于定位、固定及锁紧。
通过该制备方法制备的显示装置有助于提高盖板的贴合精度和连接强度，改善贴合效果，提高匹配结构的能力及机械强度，延长使用寿命。
需要说明的是，本公开的实施例中，该制备方法不限于上文描述的步骤和顺序，还可以包括更多的步骤，各个步骤之间的顺序可以根据实际需求而定，本公开的实施例对此不作限制。关于该制备方法的技术效果和详细说明可以参考上文中关于显示装置100的说明，此处不再赘述。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括相对设置的阵列基板和盖板，
其中，所述阵列基板为硅基有机发光二极管阵列基板，所述盖板包括多条边，
在所述盖板的至少两条边处，所述阵列基板在平行于所述阵列基板的平面内的正投影伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外，
所述显示装置还包括硬性印刷电路板，所述阵列基板设置在所述硬性印刷电路上，所述阵列基板在平行于所述阵列基板的平面上的正投影完全位于所述硬性印刷电路在所述平面上的正投影内，所述硬性印刷电路在所述平面上的正投影完全覆盖所述阵列基板在所述平面上的正投影，
所述阵列基板包括第一绑定区域，所述第一绑定区域在所述平面内的正投影与所述盖板在所述平面内的正投影不重叠，其中，所述硬性印刷电路板包括第二绑定区域，所述第二绑定区域在平行于所述阵列基板的平面内的正投影与所述阵列基板不重叠，所述第一绑定区域与所述第二绑定区域通过导电部件电性连接，导电部件的与硅基有机发光二极管阵列基板相邻的一侧是第一侧，硅基有机发光二极管阵列基板的与导电部件相邻的一侧是第二侧，且第一侧的长度大于第二侧的长度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述盖板包括四条边，在所述盖板的四条边处，所述阵列基板在所述平面内的正投影均伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述阵列基板包括多条边，
所述盖板的多条边和所述阵列基板的多条边一一对应且对应的边彼此平行。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述阵列基板和所述盖板的形状均为矩形、正方形或六边形。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括柔性印刷电路板，
其中，所述阵列基板包括栅极驱动电路、数据驱动电路和多个像素单元，所述像素单元包括阴极，
所述柔性印刷电路板电性连接至所述第一绑定区域，且配置为分别向所述栅极驱动电路、所述数据驱动电路和所述像素单元的所述阴极传输电信号。
6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，所述盖板的材料包括玻璃。
7.根据权利要求1或2所述的显示装置，包括显示区域，
其中，所述显示区域在所述平面内的正投影位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阵列基板包括硅基板以及依次层叠设置在所述硅基板上的阳极层、有机发光层、阴极层、第一薄膜封装层和彩膜层，
所述阳极层、所述有机发光层、所述阴极层、所述第一薄膜封装层和所述彩膜层在所述平面内的正投影均位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述阳极层、所述有机发光层、所述阴极层、所述第一薄膜封装层和所述彩膜层至少位于所述显示区域中。
10.根据权利要求8或9所述的显示装置，其中，所述阵列基板还包括第二薄膜封装层，
所述第二薄膜封装层设置在所述彩膜层上，所述盖板设置在所述第二薄膜封装层上。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二薄膜封装层在所述平面内的正投影位于所述盖板在所述平面内的正投影内。
12.根据权利要求3所述的显示装置，其中，在所述盖板与所述阵列基板彼此对应且长度不相等的边中，所述盖板的至少一条边与所述阵列基板的对应的边的长度之差为-3mm至-0.5mm。
13.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示区域包括多条边，所述盖板的多条边和所述显示区域的多条边一一对应且对应的边彼此平行，
在所述显示区域与所述盖板彼此对应且长度不相等的边中，所述显示区域的至少一条边与所述盖板的对应的边的长度之差为-2mm至-0.1mm。
14.一种显示装置的制备方法，包括：
提供阵列基板母板，其中，所述阵列基板母板为硅基有机发光二极管阵列基板母板且包括多个阵列基板区域；
将多个盖板与所述阵列基板母板的多个阵列基板区域分别贴合，其中，所述盖板包括多条边，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在所述盖板的至少两条边处，所述阵列基板区域在平行于所述阵列基板母板的平面内的正投影伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外；
对与所述盖板贴合后的所述阵列基板母板进行切割以将所述多个阵列基板区域彼此分离，
所述方法还包括提供硬性印刷电路板，所述阵列基板设置在所述硬性印刷电路上，所述阵列基板在平行于所述阵列基板的平面上的正投影完全位于所述硬性印刷电路在所述平面上的正投影内，所述硬性印刷电路在所述平面上的正投影完全覆盖所述阵列基板在所述平面上的正投影，
所述阵列基板包括第一绑定区域，所述第一绑定区域在所述平面内的正投影与所述盖板在所述平面内的正投影不重叠，其中，所述硬性印刷电路板包括第二绑定区域，所述第二绑定区域在平行于所述阵列基板的平面内的正投影与所述阵列基板不重叠，所述第一绑定区域与所述第二绑定区域通过导电部件电性连接，导电部件的与硅基有机发光二极管阵列基板相邻的一侧是第一侧，硅基有机发光二极管阵列基板的与导电部件相邻的一侧是第二侧，且第一侧的长度大于第二侧的长度。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其中，所述盖板的数量等于所述多个阵列基板区域的数量。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其中，对于对应贴合的阵列基板区域和盖板，在所述盖板的所有边处，所述阵列基板区域在平行于所述阵列基板母板的平面内的正投影均伸出到所述盖板在所述平面内的正投影之外。
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