CN112736143A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；其中，第一薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括第一沟道部以及位于第一沟道部两侧的第一导体部；遮蔽构件至少包括位于第一有源层上的第一遮蔽层，第一遮蔽层与第一导体部具有第一重叠部分。本申请通过遮蔽构件的设置，利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散，提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示面板的产品质量。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着人们对显示面板的品质需求的提升，如何改善显示面板的产品质量是显示面板的一大改进方向。
现有的显示面板中的薄膜晶体管，尤其是氧化物薄膜晶体管，在制造中涉及多步高温制程，使显示面板中其他膜层，如平坦化层、绝缘层等中的氢元素扩散至有源层中，影响有源层中氧元素的掺杂比例，导致薄膜晶体管的性能降低、薄膜晶体管的稳定性难以提高。
因此，亟需一种显示面板及显示装置以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及显示装置，用于解决显示面板的薄膜晶体管在高温制程中由于氢元素扩散至有源层导致薄膜晶体管性能受影响且稳定性难以提高的问题。
为了解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部；
所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。
本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极，所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一遮蔽层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部与所述第一遮蔽层电连接；或者，
所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一有源层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部电连接，所述第一接触部贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极之间的膜层。
本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一栅极，所述第一遮蔽层与所述第一栅极同层设置，所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧，所述第一遮蔽层与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。
本申请提供的显示面板中，所述第一遮蔽层包括第一开口，所述第一接触部贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层，并与所述第一导体部电连接。
本申请提供的显示面板中，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层上的第二遮蔽层，所述第二遮蔽层与所述第一源漏极层同层设置，所述第二遮蔽层与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置；或者，
所述第二遮蔽层与所述第一源极或所述第一漏极一体设置。
本申请提供的显示面板中，所述第二遮蔽层的宽度大于或等于位于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层的间距。
本申请提供的显示面板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第二栅极，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第三遮蔽层；
其中，所述第三遮蔽层与所述第一导体部具有第二重叠部分，位于所述第一沟道部至少一侧的所述第一导体部对应的所述第三遮蔽层与所述第二栅极一体设置。
本申请提供的显示面板中，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一薄膜晶体管一侧的第二薄膜晶体管以及第一连接部，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部以及位于所述第二沟道部两侧的第二导体部；
其中，所述第一连接部位于所述第一导体部与所述第二导体部之间，所述第一导体部与所述第二导体部通过所述第一连接部与所述第三遮蔽层电连接。
本申请提供的显示面板中，第二有源层靠近所述第一薄膜晶体管一侧的第二导体部与所述第三遮蔽层和/或所述第二栅极一体设置。
本申请还提供一种显示装置，包括如前所述的显示面板。
有益效果：本申请通过遮蔽构件的设置，利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散，提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示面板的产品质量。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请的显示面板的第二种结构示意图。
图3为本申请的显示面板的第三种结构示意图。
图4为本申请的显示面板的第四种结构示意图。
图5为本申请的显示面板的第五种结构示意图。
图6为本申请的显示面板的第六种结构示意图。
图7为本申请的显示面板的第七种结构示意图。
图8为本申请的显示面板的第八种结构示意图。
图9为本申请的显示面板的第九种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有的显示面板的薄膜晶体管由于高温制程导致其他膜层的氢元素向有源层扩散，存在薄膜晶体管的性能和稳定性受影响的问题。基于此，本申请提出了一种显示面板及显示装置。
请参阅图1至图9，所述显示面板100包括衬底101以及位于所述衬底101上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件。
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层103，所述第一有源层103包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部。
所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层103上的第一遮蔽层102，所述第一遮蔽层102与所述第一导体部具有第一重叠部分。
本申请通过所述遮蔽构件的设置，利用所述第一遮蔽层102阻挡来自所述第一遮蔽层102上的其他膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高了所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了所述显示面板100的产品质量。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1至图4，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层103上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部105以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极108。
本实施例中，所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一遮蔽层102之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105与所述第一遮蔽层102电连接。
或者，所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一有源层103之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接，所述第一接触部105贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极108之间的膜层。
由于所述第一接触部105的形成需要首先在制程中形成贯穿所述第一有源层103上的多个膜层的过孔，然后在过孔内沉积所述第一源漏极层的材料，当所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接时，形成的孔较深、贯穿膜层较多，易导致所述第一接触部105的断裂；通过使所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105以及所述第一遮蔽层102电连接，有利于减小用于形成所述第一接触部105的过孔的深度，避免所述第一接触部105由于过孔过深发生断裂，提高所述第一薄膜晶体管的产品质量。
本实施例中，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第一有源层103的材料可以为铟镓锌氧化物。
本实施例中，所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一遮蔽层102之间时，所述第一遮蔽层102包括延伸至所述第一导体部的第二接触部，所述第一遮蔽层102可以与所述第一接触部105使用同一材料形成。
本实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层103上的第一栅极104，当所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一有源层103之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接时，所述第一遮蔽层102可以与所述第一栅极104同层、同材料并在同一制程工序中形成，有利于简化制程工艺、节约生产成本。
本实施例中，当所述第一接触部105位于所述第一源漏极108与所述第一有源层103之间，所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105电连接时，所述第一遮蔽层102与所述第一接触部105绝缘设置，所述第一遮蔽层102可以与所述第一栅极104绝缘设置也可以与所述第一栅极104至少部分一体设置。
请参阅图3，本实施例中，所述第一遮蔽层102包括第一开口，所述第一接触部105贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层103，并与所述第一导体部电连接。
本实施例中，所述第一栅极104的材料可以为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属或合金中的一种或多种。
所述第一源漏极层的材料可以为钼、铝、钛、铝镍合金、钼钨合金、铬、铜、钛铝合金等金属或合金中的一种或多种。
本实施例中，所述第一沟道部在所述衬底101上的正投影位于所述第一栅极104在所述衬底101上的正投影内，所述第一遮蔽层102紧邻所述第一栅极104设置。
由于金属材料在通过沉积成膜后，形成的膜层结构致密，氢元素难以进入，通过所述第一遮蔽层102的材料与所述第一栅极104或所述第一源漏极层的材料相同，为金属材料，且所述第一遮蔽层102紧邻所述第一栅极104设置，有利于所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104共同阻挡来自所述第一栅极104上方其他膜层，如绝缘层、平坦化层等膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高薄膜晶体管的性能以及稳定性。
本实施例中，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104的面积之和大于或等于所述第一有源层103的面积，以提升所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104对向所述第一有源层103扩散的氢元素的阻挡效果。
请参阅图4，本实施例中，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104同层设置，所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧，所述第一遮蔽层102与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。
通过所述第一遮蔽层102与所述第一源极和/或所述第一漏极的一体设置，有利于简化制程工艺、节约所述显示面板100的制造成本。同时，由于所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104同层，减少了所述第一接触部105形成时所需的过孔的深度，有利于减少所述第一接触部105由于过孔过深发生断裂，提高所述第一薄膜晶体管的产品质量。
此外，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一薄膜晶体管一侧的第二薄膜晶体管以及第一连接部106，所述第二薄膜晶体管通过所述第一连接部106与所述第一薄膜晶体管电连接。
本实施例中，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层112，所述第二有源层112包括第二沟道部以及位于所述第二沟道部两侧的第二导体部115，所述第二导体部115通过所述第一连接部106与所述第一源极或所述第一漏极电连接。此时，至少位于靠近所述第一连接部106的一侧的所述第一源极或所述第一漏极与所述第一遮蔽层102一体设置，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104同层设置。
本实施例中，所述第二薄膜晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管。由于所述第一连接部106的形成需要形成贯穿所述第二有源层112上的多个膜层的过孔，然后在过孔内沉积所述第一连接部106的材料，当过孔较深、贯穿膜层较多时，易导致所述第一连接部106的断裂，导致所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的连接不良；当位于靠近所述第一连接部106的一侧的所述第一源极或所述第一漏极与所述第一遮蔽层102一体设置时，使所述第一连接部106形成所需要的过孔贯穿的膜层缩减至所述第一遮蔽层102与所述第二有源层112之间，减小了该过孔的深度，有利于避免所述第一连接部106发生断裂导致所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的连接不良。
本实施例通过所述遮蔽构件的设置，利用所述第一遮蔽层102阻挡来自所述第一遮蔽层102上的其他膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高了所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了所述显示面板100的产品质量。
实施例二
请参阅图5以及图6，本实施例与实施例一相同或相似，不同之处在于：
所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层103上的第二遮蔽层107，所述第二遮蔽层107与所述第一源漏极层同层设置。
本实施例中，所述第二遮蔽层107与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置
或者，所述第二遮蔽层107与所述第一源极或所述第一漏极一体设置。
本实施例中，所述第二遮蔽层107与所述第一源漏极层可以使用同材料、在同一工序中形成。
本实施例中，所述第二遮蔽层107的宽度大于或等于位于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层102的间距。
当所述第一导体部与所述第一源漏极108通过所述第一接触部105与所述第一遮蔽层102电连接时，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104绝缘设置，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104的间距大于零，即所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104存在间隙。通过使所述第二遮蔽层107的宽度大于或等于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层102的间距，有利于阻挡来自所述第二遮蔽层107上的其他膜层的氢元素通过所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104之间的间隙进入所述第一有源层103，提高所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性。
请参阅图6，本实施例中，所述第二遮蔽层107还包括延伸至所述第一遮蔽层102的第二连接部109。
当所述第二遮蔽层107与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置，所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104以及所述第一接触部105绝缘设置时，所述第二连接部109可以同时连接所述第二遮蔽层107与位于所述第一栅极104两侧的第一遮蔽层102。此时，通过所述第二连接部109的设置，有利于减少位于所述第一遮蔽层102与所述第二遮蔽层107之间的膜层中的氢元素通过所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104之间的间隙进入所述第一有源层103。
当所述第二遮蔽层107与所述第一源极一体设置，所述第一遮蔽层102与所述第一接触部105电连接时，所述第二遮蔽层107通过所述第二连接部109与靠近所述第一源极的所述第一遮蔽层102连接；当所述第二遮蔽层107与所述第一漏极一体设置，所述第一遮蔽层102与所述第一接触部105电连接时，所述第二遮蔽层107通过所述第二连接部109与靠近所述第一漏极的所述第一遮蔽层102连接。
通过所述第二连接部107的设置，在有利于减少位于所述第一遮蔽层102与所述第二遮蔽层107之间的膜层中的氢元素通过所述第一遮蔽层102与所述第一栅极104之间的间隙进入所述第一有源层103的基础上，减小了所述第一接触部105形成时所需要的过孔的深度，有利于减少所述第一接触部105由于过孔过深发生断裂，提高所述第一薄膜晶体管的产品质量。
本实施例通过所述第二遮蔽层107的设置，加强了对于位于所述第一栅极104上的其他膜层的氢元素进入所述第一有源层103的阻挡效果，有利于提高所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了所述显示面板100的产品质量。
实施例三
请参阅图7至图9，本实施例与实施例一以及实施例二相同或相似，不同之处在于：
所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层103与所述衬底101之间的第二栅极110，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层103与所述衬底101之间的第三遮蔽层111。
其中，所述第三遮蔽层111与所述第一导体部具有第二重叠部分，位于所述第一沟道部至少一侧的所述第一导体部对应的所述第三遮蔽层111与所述第二栅极110一体设置。
本实施例中，所述第三遮蔽层111与所述第二栅极110可以使用同材料、在同一工序中形成。
所述第三遮蔽层111与所述第二栅极110的面积大于或等于所述第一有源层103的面积，以提升对向所述第一有源层103扩散的氢元素的阻挡效果。
本实施例中，所述第三遮蔽层111可以与所述第二栅极110一体设置也可以与所述第二栅极110绝缘设置。当所述第三遮蔽层111与所述第二栅极110一体设置时，所述第三遮蔽层111与所述第二栅极110之间没有间隙，有利于增强对来自所述第二栅极110与所述衬底101之间的膜层的氢元素的阻挡效果，提高所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性。
请参阅图8，本实施例中，所述薄膜晶体管层的所述第一连接部106位于所述第一导体部与所述第二导体部115之间，所述第一导体部与所述第二导体部115通过所述第一连接部106与所述第三遮蔽层111电连接。
所述第三遮蔽层包括延伸至所述第二导体部115的第三接触部，通过将所述第一连接部106设置于所述第一有源层103与所述第二有源层112之间，所述第一连接部106在形成时所需要的形成的过孔的深度减小，有利于避免所述第一连接部106由于形成所需的过孔深度过深发生断裂，造成所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的连接不良。在此基础上，所述第一导体部与所述第二导体部115通过所述第一连接部106与所述第三遮蔽层111电连接的设置，进一步减小了所述第一连接部106在形成时所需的过孔深度，有利于提高所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的连接的稳定性，提高所述显示面板100的产品质量。
请参阅图9，本实施例中，第二有源层112靠近所述第一薄膜晶体管一侧的第二导体部115与所述第三遮蔽层111和/或所述第二栅极110一体设置。
本实施例中，所述第二有源层112位于所述第一有源层103与所述衬底101之间，所述第一有源层103在所述衬底101上的正投影至少部分位于所述第二有源层112在所述衬底101上的正投影内。
通过所述第二导体部115与所述第三遮蔽层111和/或所述第二栅极110一体设置，有利于简化所述显示面板100的制程工艺、节约所述显示面板100的生产成本；同时，由于所述第二导体部115的材料为多晶硅材料，在所述第一薄膜晶体管形成所需的高温制程中，可以用于吸收所述第二导体部115周围膜层的氢元素，从而减少扩散至所述第一有源层103的氢元素，有利于提高所述第一薄膜晶体管的工作性能以及稳定性。
本实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层112上的第三栅极113以及位于所述第三栅极113上的第四栅极114，其中，所述第三栅极113可以与所述第二栅极110同层设置，或者所述第四栅极114可以与所述第二栅极110同层设置。
当所述第四栅极114与所述第二栅极110同层设置时，所述薄膜晶体管层的具体膜层设置可以为：位于所述衬底101上的第二有源层112，位于所述第二有源层112与所述第三栅极113之间的第一绝缘层116，位于所述第三栅极113与所述第四栅极114之间的第二绝缘层117，位于所述第二栅极110与所述第一有源层103之间的第三绝缘层118，位于所述第一有源层103与所述第一栅极104之间的第四绝缘层119，位于所述第一栅极104上的第一源漏极层以及与所述第一源漏极层同层设置的第二源漏极层，位于所述第一源漏极层与所述第一栅极104之间的第五绝缘层120，位于所述第一源漏极层上的平坦化层121。
本实施例中，当所述第二栅极110与所述第三栅极113同层设置时，所述第一有源层103可以与所述第四栅极114同层设置，所述第二绝缘层117与所述第三绝缘层118可以一体设置。
由于各绝缘层的材料为硅氧化物或硅氮化物，在形成过程中易含有氢元素，所述平坦化层121为有机材料，同样含有氢元素，在所述第一薄膜晶体管的形成制程中，在高温下，多个绝缘层以及所述平坦层中的氢元素向所述第一有源层103扩散，导致所述第一有源层103中的氧元素含量改变，破坏了所述第一有源层103中的氧化物的结构，从而影响了所述第一薄膜晶体管的工作性能以及稳定性。
当所述第三栅极113与所述第二栅极110同层设置，所述第一有源层103与所述第四栅极114同层设置，所述第二绝缘层117与所述第三绝缘层118一体设置时，减少了所述薄膜晶体管层中绝缘层的膜层数量，即减少了向所述第一有源层103扩散氢元素的膜层数量，有利于提高所述第一薄膜晶体管的工作性能以及稳定性。
本实施例中，由于所述第二薄膜经晶体管为多晶硅薄膜晶体管，所述第二有源层112在形成中会经历氢化活化工艺，使所述第二有源层112附近的绝缘层的氢元素进入所述第二有源层112与所述第二源漏极层电连接的第二导体部115，以提高所述第二薄膜晶体管的工作性能。为避免氢化活化工艺导致氢元素进入所述第一有源层103，所述第二有源层112先形成于所述衬底101上，所述第一有源层103后形成与所述衬底101上。
本实施例通过所述第三遮蔽层111的设置，利用所述第三遮蔽层111以及所述第二栅极110阻挡了来自所述第二栅极110以及所述衬底101之间的膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高了所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了所述显示面板100的产品质量。
上述各实施例中，所述显示面板100还包括位于所述衬底101上的缓冲层122、位于所述缓冲层122上的保护层123，所述保护层123用于在所述显示面板100的制程中使所述第一有源层103上各处的温度保持一致，避免制程中所述第一有源层103上各处的温度分布不均影响所述第一有源层103的工作性能。所述显示面板100可以为OLED显示面板100，此时，所述显示面板100还包括位于所述平坦化层121上的像素定义层124，所述像素定义层124包括多个间隔物；所述显示面板100还包括位于所述间隔物之间的发光器件层，所述发光器件层包括阳极层125以及位于所述阳极层125上的发光材料层126以及阴极层，所述阳极层125与所述第二薄膜晶体管的源极或漏极电连接；所述显示面板100还包括位于所述像素定义层124上的支撑物127。
本申请还提出了一种显示装置，包括如前所述的显示面板100。
本实施例中，关于所述显示装置包括的所述显示面板100的具体结构已在前述显示装置的描述中具体说明，在此不再赘述。
本申请提出的显示装置，通过所述遮蔽构件的设置，利用所述第一遮蔽层102阻挡来自所述第一遮蔽层102上的其他膜层的氢元素向所述第一有源层103的扩散，提高了所述第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示装置的产品质量。
本申请提出了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底以及位于衬底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；其中，第一薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括第一沟道部以及位于第一沟道部两侧的第一导体部；遮蔽构件至少包括位于第一有源层上的第一遮蔽层，第一遮蔽层与第一导体部具有第一重叠部分。本申请通过遮蔽构件的设置，利用第一遮蔽层阻挡来自第一遮蔽层上的其他膜层的氢元素向第一有源层的扩散，提高了第一薄膜晶体管的性能以及稳定性，改善了显示面板的产品质量。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层至少包括第一薄膜晶体管以及遮蔽构件；
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道部以及位于所述第一沟道部两侧的第一导体部；
所述遮蔽构件至少包括位于所述第一有源层上的第一遮蔽层，所述第一遮蔽层与所述第一导体部具有第一重叠部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一接触部以及由第一源极和第一漏极构成的第一源漏极，所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一遮蔽层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部与所述第一遮蔽层电连接；或者，
所述第一接触部位于所述第一源漏极与所述第一有源层之间，所述第一导体部与所述第一源漏极通过所述第一接触部电连接，所述第一接触部贯穿所述第一导体部与所述第一源漏极之间的膜层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层上的第一栅极，所述第一遮蔽层与所述第一栅极同层设置，所述第一源极以及所述第一漏极位于所述沟道部两侧，所述第一遮蔽层与所述第一源极和/或所述第一漏极一体设置。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一遮蔽层包括第一开口，所述第一接触部贯穿所述第一开口以及延伸至所述第一有源层，并与所述第一导体部电连接。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层上的第二遮蔽层，所述第二遮蔽层与所述第一源漏极层同层设置，所述第二遮蔽层与所述第一源极以及所述第一漏极绝缘设置；或者，
所述第二遮蔽层与所述第一源极或所述第一漏极一体设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二遮蔽层的宽度大于或等于位于所述第一沟道部两侧的所述第一遮蔽层的间距。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第二栅极，所述遮蔽构件还包括位于所述第一有源层与所述衬底之间的第三遮蔽层；
其中，所述第三遮蔽层与所述第一导体部具有第二重叠部分，位于所述第一沟道部至少一侧的所述第一导体部对应的所述第三遮蔽层与所述第二栅极一体设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括位于所述第一薄膜晶体管一侧的第二薄膜晶体管以及第一连接部，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道部以及位于所述第二沟道部两侧的第二导体部；
其中，所述第一连接部位于所述第一导体部与所述第二导体部之间，所述第一导体部与所述第二导体部通过所述第一连接部与所述第三遮蔽层电连接。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，第二有源层靠近所述第一薄膜晶体管一侧的第二导体部与所述第三遮蔽层和/或所述第二栅极一体设置。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的显示面板。
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