CN112717917B - 一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 - Google Patents
一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112717917B CN112717917B CN201911040097.8A CN201911040097A CN112717917B CN 112717917 B CN112717917 B CN 112717917B CN 201911040097 A CN201911040097 A CN 201911040097A CN 112717917 B CN112717917 B CN 112717917B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- solution
- bismuth vanadate
- preparing
- spray pyrolysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 83
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229940107816 ammonium iodide Drugs 0.000 claims abstract description 28
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 28
- FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;oxovanadium Chemical compound [V]=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FSJSYDFBTIVUFD-SUKNRPLKSA-N 0.000 claims abstract description 21
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 77
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 18
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 9
- FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N bismuth;trinitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Bi+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FBXVOTBTGXARNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract 1
- CBACFHTXHGHTMH-UHFFFAOYSA-N 2-piperidin-1-ylethyl 2-phenyl-2-piperidin-1-ylacetate;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.C1CCCCN1C(C=1C=CC=CC=1)C(=O)OCCN1CCCCC1 CBACFHTXHGHTMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- CIYMHBMSPJUJAD-UHFFFAOYSA-N potassium;dihydrogen borate Chemical compound [K+].OB(O)[O-] CIYMHBMSPJUJAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 1
- 238000001075 voltammogram Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/16—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/20—Vanadium, niobium or tantalum
- B01J23/22—Vanadium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/33—Electric or magnetic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/50—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their shape or configuration
- B01J35/58—Fabrics or filaments
- B01J35/59—Membranes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
- C01B3/02—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen
- C01B3/04—Production of hydrogen or of gaseous mixtures containing a substantial proportion of hydrogen by decomposition of inorganic compounds, e.g. ammonia
- C01B3/042—Decomposition of water
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/02—Processes for making hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/0266—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step
- C01B2203/0277—Processes for making hydrogen or synthesis gas containing a decomposition step containing a catalytic decomposition step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2203/00—Integrated processes for the production of hydrogen or synthesis gas
- C01B2203/10—Catalysts for performing the hydrogen forming reactions
- C01B2203/1041—Composition of the catalyst
- C01B2203/1088—Non-supported catalysts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明提供一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法。该方法将包含碘化铵和硝酸铋的混合有机溶液作为前驱体;控制导电基底温度为200℃~400℃,将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上,控制喷涂速度为0.1~2毫升/平方厘米/分钟,喷涂总量为5~20毫升/平方厘米,形成BiOI薄膜;然后,将含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液均匀喷涂在80℃~120℃的BiOI薄膜上,在300℃~500℃煅烧1h~5h,获得钒酸铋薄膜。该方法成本低,简单易操作,能够制成具有纳米结构、大面积、高性能的钒酸铋薄膜,可作为光电催化分解水制氢的光阳极。
Description
技术领域
本发明属于材料制备及光电催化领域,具体涉及一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及其在光电催化分解水产氢中的应用。
背景技术
当前,化石燃料产生的碳排放及能源分布、消费不均衡造成的环境问题日益严峻,新的可再生、清洁能源成为关乎人类可持续发展的关键性问题。以太阳能为源头的氢能在近年来日益受到关注,且被认为是最有可能应对人类未来能源发展挑战的解决方案之一,而其中一个核心问题在于如何高效地将太阳能转化为氢能源。在众多解决方案中,光电催化分解水全系统一次投入和运行综合成本具有明显优势,是制取氢气的最具效费比途径之一。
钒酸铋由于其合适的带隙宽度,优良的稳定性,对于太阳光的可吸收性强,被认为是最有前景的光电催化分解水材料之一。学术和工业界已有一些粉体制备方案。但从粉体材料到高效薄膜光电极存在很大的形态差异与制备难度。简单涂布法已被证实基本无法形成具有可接受量子效率的光电极。国际上广为采用的高效能光电极制备方法包括电沉积法、化学气相沉积法、激光溅射沉积法。但是,电沉积法实验条件难以控制,成品率低;化学气相沉积法、激光溅射沉积法对设备要求极高,同样不利于产业化。
因此,寻找一种经济、可靠,并且适用于大规模工业化生产钒酸铋薄膜的制备方法对钒酸铋材料的应用以及光电催化分解水的应用具有重要的意义。
发明内容
针对上述技术现状,本发明旨在提供一种钒酸铋薄膜的制备方法,具有成本低,简单易操作,能够制得大面积、高性能的钒酸铋薄膜。
为了实现上述技术目的,本发明人通过探索研究后发现使用两步法制备钒酸铋薄膜,首先喷雾热解制备碘氧化铋(BiOI)薄膜,然后再热解形成钒酸铋(BiVO4)薄膜,不仅能够降低制备难度、大幅度降低成本,而且能够得到大面积的钒酸铋薄膜。
即,本发明采用的技术方案是:一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,包括以下步骤:
(1)将五水合硝酸铋溶于有机溶剂中,得到浓度为0.01~0.2mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于有机溶剂中,得到浓度为0.01~0.2mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,得到前驱体溶液;
(2)控制导电基底温度为200℃~400℃,将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上,控制喷涂速度为0.1~2毫升/平方厘米/分钟,喷涂总量为5~20毫升/平方厘米,形成BiOI薄膜;
(3)控制步骤(2)制得的BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将混合溶液均匀喷涂在步骤(2)制得的BiOI薄膜上,在300℃~500℃下煅烧1h~5h,然后去除表面的多余的氧化钒,得到BiVO4薄膜;
所述的混合溶液的制备方法为:将乙酰丙酮氧钒和乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜中,形成含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液,简记为混合溶液。
作为一种实现方式,煅烧完成后采用0.2~1mol/L,ph>8.5的硼酸盐溶液清洗薄膜表面,以去除表面多余的氧化钒。
所述步骤(1)中,有机溶剂包括乙二醇、甲醇及其他溶剂。
所述步骤(1)中,作为优选,所得前驱体溶液中Bi原子与I原子的摩尔比为1:1~1:5。
所述步骤(1)中,作为优选,所得前驱体溶液的粘度为0.5~50cps。
所述步骤(2)中,作为优选,采用高速气流雾化或超声雾化装置将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上。
所述步骤(2)中,前驱体溶液的喷涂总量与BiOI薄膜的厚度呈线性关系。作为优选,BiOI薄膜的厚度为300纳米~800纳米。
所述步骤(3)中,作为优选,混合溶液中钒原子和钼原子的总浓度为0.1~0.6mol/L;作为进一步优选,在钒原子和钼原子的总摩尔量中,钼的摩尔含量为0.1%-2%。
与现有技术相比:
本发明通过喷雾热解法形成中间体BiOI薄膜,再通过热解掺杂Mo的乙酰丙酮氧钒获得BiVO4薄膜,不仅简单易操作、可大幅度减低成本,而且能够大面积制得BiVO4薄膜,可作为光阳极应用于光电催化分解水制氢。因此,该方法可用于大规模工业生产,有利于扩展钒酸铋材料的实际应用,并且有利于光电催化分解水制氢的推广应用。
附图说明
图1是本发明实施例1中制得的BiOI薄膜的SEM图。
图2是本发明实施例1中制得的BiVO4薄膜的SEM图。
图3是本发明实施例1中制得的BiOI薄膜的XRD图。
图4是本发明实施例1中制得的BiVO4薄膜的XRD图。
图5是本发明实施例1中制得的BiVO4薄膜在模拟太阳光照射(AM1.5G)下在0.5MH3BO4-KOH电解质溶液中的线性伏安曲线。
具体实施方式
下面结合实施例与附图对本发明作进一步详细描述,需要指出的是,以下所述实施例旨在便于对本发明的理解,而对其不起任何限定作用。
实施例1:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.02mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为20cps,得到前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至200℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为0.1毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为5毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为550纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
图1、2分别是上述制得的BiOI薄膜与BiVO4薄膜的SEM图。图3、4分别是上述制得的BiOI薄膜和BiVO4薄膜的XRD图,图中标记为“BiOI中间体”与“BiVO4样品”,对比起见,包含了BiOI、BiVO4以及SnO2的参考谱图,图中标记为“BiOI”、“BiVO4”与“SnO4”。
所得BiVO4薄膜应用于光电催化分解水活性测试,具体操作过程如下:采用三电极系统测试实施例1中所得BiVO4薄膜光电极(工作电极),采用铂对电极以及Ag/AgCl参比电极。电解质水溶液含有0.5M硼酸二氢钾,测试过程中加入0.1M亚硫酸钠作为牺牲剂,持续搅拌,光电极光照条件采用一个模拟太阳光强(AM1.5G)线性伏安测试的扫描速率为1mV/s,结果如图5所示。可以看出,光电流的从0.22V(V vs NHE)开始产生,能够在较低的电压处产生光电流,光电流密度最高可以达到2.5mA/cm2,整体过程保持平稳。
实施例2:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.1mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为26cps,的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至400℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为0.5毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为10毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为700纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例3:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.04mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为12cps的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至320℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为0.1毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为5毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为460纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例4:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.06mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为12cps的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至200℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为1毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为15毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为600纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例5:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.08mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为18cps的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至300℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为1.2毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为10毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为600纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例6:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于乙二醇溶液,得到0.04mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为20cps的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至450℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为0.1毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为5毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为400纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例7:
将五水合硝酸铋溶于乙二醇溶液,得到浓度为0.02mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于有机溶剂中,得到0.08mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,加入甲醇,控制混合液粘度为20cps的前驱体溶液。
FTO导电玻璃面积为20cm×20cm,采用平面式加热台控制该FTO导电玻璃基底温度至400℃,采用高速气流雾化或超声雾化装置将常温的前驱体溶液雾化喷涂在该FTO玻璃基底上,控制喷涂速度为1.5毫升/平方厘米/分钟,典型喷涂总量为20毫升/平方厘米。FTO玻璃基底上形成厚度约为800纳米的BiOI薄膜。
将0.53g乙酰丙酮氧钒和0.02g乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜(DMSO)中,得到钒和钼原子总浓度为0.4mol/L的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液5ml,并且钼原子的摩尔量占钒原子和钼原子的总摩尔量的0.3%。控制BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将该混合溶液均匀喷涂在BiOI薄膜上,在450℃下煅烧2h,煅烧完成后薄膜经浓度为0.5mol/L、ph>8.5的硼酸盐溶液清洗,去除表面多余的氧化钒,然后经离子水清洗,获得BiVO4薄膜。
实施例2-7中制得的BiOI薄膜与BiVO4薄膜的XRD图类似图3、4所示。
实施例2-7中制得的BiVO4薄膜应用于光电催化分解水活性测试,具体操作过程与实施例1相同,结果显示在较低的电压处产生光电流,光电流密度高,整体过程平稳。
以上所述的实施例对本发明的技术方案进行了详细说明,应理解的是以上所述仅为本发明的具体实施例,并不用于限制本发明,凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充或类似方式替代等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:包括以下步骤:
(1)将五水合硝酸铋溶于有机溶剂中,得到浓度为0.01~0.2mol/L的硝酸铋溶液;将碘化铵溶于有机溶剂中,得到0.01~0.2mol/L碘化铵溶液;将硝酸铋溶液与碘化铵溶液均匀混合,得到粘度为0.5~50cps的前驱体溶液;
(2)控制导电基底温度为200℃~400℃,将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上,控制喷涂速度为0.1~2毫升/平方厘米/分钟,喷涂总量为5~20毫升/平方厘米,形成BiOI薄膜;
(3)控制步骤(2)制得的BiOI薄膜温度在80℃~120℃,将混合溶液均匀喷涂沉积在步骤(2)制得的BiOI薄膜上,在300℃~500℃下煅烧1-5h,然后去除表面的多余的氧化钒,得到BiVO4薄膜;
所述的混合溶液的制备方法为:将乙酰丙酮氧钒和乙酰丙酮氧钼溶于二甲亚砜中,形成含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液。
2.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:煅烧完成后采用0.2~1mol/L、ph﹥8.5的硼酸盐溶液清洗薄膜表面,以去除表面多余的氧化钒。
3.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(1),有机溶剂包括乙二醇、甲醇中的一种或者两种。
4.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(1),所得前驱体溶液中Bi原子与I原子的摩尔比为1:1~1:5。
5.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(2)和步骤(3)中,采用高速气流雾化或超声雾化装置将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上。
6.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(2)中,BiOI薄膜的厚度为300纳米~800纳米。
7.如权利要求1所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(3)中,含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO溶液的钒和钼原子的总浓度为0.1~0.6mol/L。
8.如权利要求7所述的两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法,其特征是:所述步骤(3)中,混合溶液中钒原子和钼原子的总摩尔量中,钼的摩尔含量为0.1%-2%。
9.利用权利要求1至8中任一权利要求所述的方法制得的钒酸铋薄膜作为光电催化分解水制氢中的光电极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911040097.8A CN112717917B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911040097.8A CN112717917B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112717917A CN112717917A (zh) | 2021-04-30 |
CN112717917B true CN112717917B (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=75588985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911040097.8A Active CN112717917B (zh) | 2019-10-29 | 2019-10-29 | 一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112717917B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113957476B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-24 | 山东省科学院能源研究所 | 一种钒酸铋/氧化铋铜异质结催化剂及其制备方法与应用 |
CN116023801B (zh) * | 2022-12-27 | 2024-05-28 | 成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司 | 一种钒酸铋颜料粉体的包膜方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108842169A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-20 | 西北师范大学 | 一种负载金属氧化物的钒酸铋复合材料及其制备和应用 |
CN109440126A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-03-08 | 许昌学院 | 一种钒酸铋光阳极薄膜及其制备方法 |
CN109706477A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-03 | 福州大学 | 一种以溶剂热法生成中间体制备BiVO4薄膜的方法及其应用 |
CN110047657A (zh) * | 2019-04-02 | 2019-07-23 | 常州大学 | 一种mil系列mof复合掺钼钒酸铋光阳极的制备方法 |
CN110227478A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 西北师范大学 | 通过旋涂煅烧制备钴氧化物/钒酸铋复合材料的方法 |
-
2019
- 2019-10-29 CN CN201911040097.8A patent/CN112717917B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109440126A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-03-08 | 许昌学院 | 一种钒酸铋光阳极薄膜及其制备方法 |
CN108842169A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-20 | 西北师范大学 | 一种负载金属氧化物的钒酸铋复合材料及其制备和应用 |
CN109706477A (zh) * | 2019-01-18 | 2019-05-03 | 福州大学 | 一种以溶剂热法生成中间体制备BiVO4薄膜的方法及其应用 |
CN110047657A (zh) * | 2019-04-02 | 2019-07-23 | 常州大学 | 一种mil系列mof复合掺钼钒酸铋光阳极的制备方法 |
CN110227478A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-09-13 | 西北师范大学 | 通过旋涂煅烧制备钴氧化物/钒酸铋复合材料的方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Efficient Solar Water Oxidation to Oxygen over Mo-doped BiVO4 Thin Film Photoanode prepared by a Facile Aqueous Solution Route;Akihide Iwase et al.;《Chemistry Letters》;20170216;第1-4页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112717917A (zh) | 2021-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106435635B (zh) | 一种高效光电催化分解水产氧电极的制备方法及应用 | |
Xia et al. | A highly efficient BiVO4/WO3/W heterojunction photoanode for visible-light responsive dual photoelectrode photocatalytic fuel cell | |
CN109402656B (zh) | 一种磷化钴修饰钼掺杂钒酸铋光电极的制备方法 | |
CN103400878B (zh) | 一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用 | |
CN103055873B (zh) | 一种具有多级孔结构复合光催化剂膜材料及其制备方法 | |
CN101901693A (zh) | 石墨烯复合染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法 | |
CN112717917B (zh) | 一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法及应用 | |
CN113957476B (zh) | 一种钒酸铋/氧化铋铜异质结催化剂及其制备方法与应用 | |
CN107761127B (zh) | 一种多酸和酞菁共同修饰的纳米多孔钒酸铋析氧电极的制备方法 | |
CN109706477B (zh) | 一种以溶剂热法生成中间体制备BiVO4薄膜的方法及其应用 | |
CN111569896A (zh) | BiVO4-Ni/Co3O4异质结的合成方法及其应用于光电解水 | |
CN105601124A (zh) | 一种制备多孔α-Fe2O3光阳极的方法 | |
CN105986292A (zh) | 一种钴、镍双层氢氧化物修饰的二氧化钛纳米管阵列的制备方法及光电化学水解制氢应用 | |
Sun et al. | Promoting photoelectrochemical hydrogen production performance by fabrication of Co1-XS decorating BiVO4 photoanode | |
CN103887071A (zh) | 一种柔性染料敏化太阳能电池纳米纸基复合光阳极及其制备方法 | |
CN113293404B (zh) | 一种异质结光阳极材料及其制备方法和应用 | |
CN105568309A (zh) | 一种光电化学电池的光电极的制备方法 | |
CN109811362B (zh) | 一种利用硫化铟/镍钴铝类水滑石复合膜光电催化氧化木糖的方法 | |
CN111330566A (zh) | 一步法制备可见光响应TiO2@BiVO4核-壳结构介孔纳米纤维光催化材料 | |
CN114908357B (zh) | 一种采用钒酸铋光电极制氢的方法 | |
CN109865525A (zh) | 一种CoPi/Ag/钒酸铋复合光电阳极材料的制备方法 | |
CN110148523B (zh) | 一种铜铟硫纳米薄膜的制备方法 | |
Xiao et al. | Reaction kinetics of photoelectrochemical water and 5-hydroxymethylfurfural oxidation on rutile nanorod photoanode with Ge doping and core/shell structure | |
CN109913892B (zh) | 一种利用硫化铟/镍铁类水滑石复合膜光电催化氧化木糖的方法 | |
CN103173764A (zh) | TiO2通孔纳米管与CdS复合阵列膜及其制备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB03 | Change of inventor or designer information | ||
CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liu Deyu Inventor after: Kuang Yongbo Inventor after: Tian Hengzheng Inventor after: An Na Inventor before: Liu Deyu Inventor before: Kuang Yongbo Inventor before: Tian Hengzheng |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |