CN112713190A - 一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 - Google Patents
一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112713190A CN112713190A CN202011603997.1A CN202011603997A CN112713190A CN 112713190 A CN112713190 A CN 112713190A CN 202011603997 A CN202011603997 A CN 202011603997A CN 112713190 A CN112713190 A CN 112713190A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gallium nitride
- substrate
- epitaxial
- hemt device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 138
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 138
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7788—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，属于微电子技术领域，从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层，本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。传统垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
Description
技术领域
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构及其制备方法、以及氮化镓HEMT器件的制备方法。
背景技术
在第三代半导体材料中，氮化镓(GaN)具有宽带隙、直接带隙、高击穿电场、较低的介电常数、高电子饱和漂移速度、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，成为继锗、硅、砷化镓之后制造新一代微电子器件和电路的关键半导体材料，被认为是短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。
随着对功率转换电路需求的日益增加，具有低功耗、高速度等特性的功率器件已成为本领域的关注焦点，GaN场效应晶体管已成为功率器件中的研究热点。但是，对于现有的GaN场效应晶体管的制造工艺而言，其制造的GaN场效应晶体管具有耐压性能较差，存在电流崩塌等问题，这些问题严重影响了GaN场效应晶体管的性能。随着GaN材料生长技术的提高，垂直GaN基场效应晶体管的研究迅速被推进，GaN垂直结构器件很好的满足了大功率开关的需求，拥有大的饱和电流、高击穿电压等一系列优势，也避免了电流崩塌等横向器件中存在的问题。尽管垂直GaN基器件相关的研究不断取得突破，仍存在一些局限，如现有的自支撑GaN衬底的制备技术，在其上生长的GaN缓冲层质量非常好，缺陷密度仅104cm-2，已经满足垂直GaN基器件对缓冲层的质量要求。但是自支撑GaN衬底成本昂贵，且由于漏极位于器件的底部，要求衬底必须是导电的，且需要进一步减薄衬底以降低衬底的电阻，然后再淀积漏极；此外，垂直结构对散热等的要求也很高，因而对衬底的要求非常严格，工艺难度大，良品率低。
发明内容
本发明的目的在于克服上述问题，提供一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构及其制备方法、以及氮化镓HEMT器件的制备方法。
本发明的氮化镓HEMT器件外延结构包括从下至上依次层叠设置的衬底、石墨烯层、N型氮化镓层、本征氮化镓层、P型氮化镓层、本征氮化镓沟道层、AlN层、AlGaN势垒层以及P帽层。
优选的，所述的P型氮化镓层厚度为0.5～2um，刻蚀孔径的长度为2～5um。
优选的，所述的本征氮化镓沟道层的厚度为0.05～1um。
优选的，所述的AlN层厚度为1～10nm。
优选的，所述的AlGaN势垒层厚度为50～200nm。
一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构的制备方法，包括如下步骤：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底上，在附着石墨烯层的衬底上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层、本征氮化镓层和P型氮化镓层；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层进行刻蚀，形成沟道孔；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层、AlN层、AlGaN层以及P帽层。
一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，包括如下步骤：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底上，在附着石墨烯层的衬底上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层、本征氮化镓层和P型氮化镓层；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层进行刻蚀，形成沟道孔；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层、AlN层、AlGaN层以及P帽层；
S4：取出外延片进行衬底剥离，剥离后的氮化镓衬底可继续使用，石墨烯选择留在器件上，石墨烯作为部分电极材料继续镀金属电极作为漏极，继续在P型氮化镓层上制作相应的源极，在P帽层上制作相应的栅极。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
1.本发明采用石墨烯作为过渡载体上外延氮化镓可以解决氮化镓自支撑衬底昂贵的问题，还可以解决氮化镓自身诸多方面不足的问题，例如散热性能差等问题。
2.传统的垂直型GaN基HEMT器件的承受高压主要部分是P型电流阻挡层(CBL)和N型缓冲层组成的PN结，本发明采用PIN结构替代传统的PN结可以有效的提高击穿电压。
3.本发明的方法能够用以增强器件的耐压性能、解决器件的电流崩塌、降低器件的接触电阻及解决散热问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构的结构示意图。
图2为一种垂直结构氮化镓HEMT器件的结构示意图。
其中：L1-衬底，L2-石墨烯层，L3-N型氮化镓层，L4-本征氮化镓层，L5-P型氮化镓层，L6-本征氮化镓沟道层，L7-AlN层，L8-AlGaN势垒层，L9-P帽层，L10-源极，L11-栅极，L12-漏极。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1所示，本实施例提供了一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，从下至上依次层叠设置的衬底L1、石墨烯层L2、N型氮化镓层L3、本征氮化镓层L4、P型氮化镓层L5、本征氮化镓沟道层L6、AlN层L7、AlGaN势垒层L8以及P帽层L9。
在本实施例中，所述的P型氮化镓层L5厚度为0.5～2um，刻蚀孔径的长度为2～5um。
在本实施例中，所述的本征氮化镓沟道层L6的厚度为0.05～1um。
在本实施例中，所述的AlN层L7厚度为1～10nm。
在本实施例中，所述的AlGaN势垒层L8厚度为50～200nm。
实施例1：
本发明的氮化镓HEMT器件外延结构具体采用以下步骤制得：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底L1上，在附着石墨烯层L2的衬底L1上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层L3、本征氮化镓层L4和P型氮化镓层L5，P型氮化镓层L5的厚度为1um；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层L5进行刻蚀，形成沟道孔,沟道孔的宽度为2.5um；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层L6、AlN层L7、AlGaN势垒层L8以及P帽层L9；
如图2所示，在上一步的基础上，氮化镓HEMT器件的制备方法如下：
取出外延片进行衬底剥离，剥离后的氮化镓衬底L1可继续使用，石墨烯选择留在器件上，石墨烯作为部分电极材料继续镀金属电极作为漏极L12，继续在P型氮化镓层L5上制作相应的源极L10，在P帽层L9上制作相应的栅极L11。
实施例2：
本发明的氮化镓HEMT器件外延结构具体采用以下步骤制得：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底L1上，在附着石墨烯层L2的衬底L1上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括渐变掺杂的一层，N型掺杂浓度延续石墨烯到P型层逐渐降低，P型氮化镓层L5；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层L5进行刻蚀，形成沟道孔，沟道孔的宽度为3um；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层L6、AlN层L7、AlGaN势垒层L8以及P帽层L9；
在上一步的基础上，氮化镓HEMT器件的制备方法如下：
取出外延片进行衬底剥离，剥离后的氮化镓衬底L1可继续使用，石墨烯选择留在器件上，石墨烯作为部分电极材料继续镀金属电极作为漏极L12，继续在P型氮化镓层L5上制作相应的源极L10，在P帽层L9上制作相应的栅极L11。
实施例3：
本发明的氮化镓HEMT器件外延结构具体采用以下步骤制得：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底L1上，在附着石墨烯层L2的衬底L1上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层L3、本征氮化镓层L4和P型氮化镓层L5；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层L5进行刻蚀，形成沟道孔,沟道孔的孔径在4um；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层L6、AlN层L7、AlGaN势垒层L8以及P帽层L9；
在上一步的基础上，氮化镓HEMT器件的制备方法如下：
取出外延片进行衬底剥离，剥离后的氮化镓衬底L1可继续使用，在剥离出外延层之后，可根据实际需求将外延层转移到其他衬底上,如Si基上。
由技术常识可知，本发明可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。
Claims (7)
1.一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底(L1)、石墨烯层(L2)、N型氮化镓层(L3)、本征氮化镓层(L4)、P型氮化镓层(L5)、本征氮化镓沟道层(L6)、AlN层(L7)、AlGaN势垒层(L8)以及P帽层(L9)。
2.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述的P型氮化镓层(L5)厚度为0.5～2um。
3.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述的本征氮化镓沟道层(L6)的厚度为0.05～1um。
4.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述AlN层(L7)厚度为1～10nm。
5.根据权利要求1所述的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构，其特征在于：所述AlGaN势垒层(L8)厚度为50～200nm。
6.一种根据权利要求1所述的垂直结构氮化镓HEMT器件的外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底(L1)上，在附着石墨烯层(L2)的衬底(L1)上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层(L3)、本征氮化镓层(L4)和P型氮化镓层(L5)；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层(L5)进行刻蚀，形成沟道孔；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层(L6)、AlN层(L7)、AlGaN势垒层(L8)以及P帽层(L9)。
7.根据权利要求5所述的一种垂直结构氮化镓HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：先将石墨烯材料转移至氮化镓衬底(L1)上，在附着石墨烯层(L2)的衬底(L1)上外延氮化镓外延层，氮化镓外延层包括N型氮化镓层(L3)、本征氮化镓层(L4)和P型氮化镓层(L5)；
S2：采用刻蚀工艺对所述P型氮化镓层(L5)进行刻蚀，形成沟道孔；
S3：在所述沟道孔内以及所述P型氮化镓层的表面上继续生长本征GaN沟道层(L6)、AlN层(L7)、AlGaN势垒层(L8)以及P帽层(L9)；
S4：取出外延片进行衬底剥离，剥离后的氮化镓衬底(L1)可继续使用，石墨烯选择留在器件上，石墨烯作为部分电极材料继续镀金属电极作为漏极(L12)，继续在P型氮化镓层(L5)上制作相应的源极(L10)，在P帽层(L9)上制作相应的栅极(L11)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011603997.1A CN112713190B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011603997.1A CN112713190B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112713190A true CN112713190A (zh) | 2021-04-27 |
| CN112713190B CN112713190B (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=75547029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011603997.1A Active CN112713190B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112713190B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113314598A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 西安电子科技大学 | 一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN113410312A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-17 | 西安电子科技大学 | 一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104167442A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| US20150270356A1 (en) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Vertical nitride semiconductor device |
| CN109037327A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-18 | 大连理工大学 | 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法 |
| CN111584627A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种近似同质外延hemt器件结构及其制备方法 |
| CN111933528A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法 |
-
2020
- 2020-12-29 CN CN202011603997.1A patent/CN112713190B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150270356A1 (en) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Vertical nitride semiconductor device |
| CN104167442A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-11-26 | 电子科技大学 | 一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| CN109037327A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-18 | 大连理工大学 | 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法 |
| CN111584627A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种近似同质外延hemt器件结构及其制备方法 |
| CN111933528A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-13 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| BALL MUKUND MANI TRIPATHI ET AL: "Double aperture double-gate vertical high-electron-mobility transistor", 《J COMPUT ELECTRON》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113314598A (zh) * | 2021-05-28 | 2021-08-27 | 西安电子科技大学 | 一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN113410312A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-09-17 | 西安电子科技大学 | 一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112713190B (zh) | 2022-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100511706C (zh) | 基于组份渐变GaN MISFET的GaN器件及制备方法 | |
| WO2020206959A1 (zh) | 一种高空穴迁移率晶体管(hhmt)及其制造方法 | |
| CN110112215B (zh) | 兼具栅介质与刻蚀阻挡功能结构的功率器件及制备方法 | |
| JP7368535B2 (ja) | 窒化ガリウムデバイス、スイッチングパワートランジスタ、駆動回路、及び窒化ガリウムデバイス製造方法 | |
| CN108538717A (zh) | 在GaN材料中制造浮置保护环的方法及系统 | |
| CN102916046B (zh) | 硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 | |
| CN107093623B (zh) | 一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管 | |
| CN112713190B (zh) | 一种垂直结构氮化镓hemt器件的制备方法 | |
| TWI786422B (zh) | 一種高電子遷移率電晶體(hemt)及其製造方法 | |
| CN102931090A (zh) | 一种超结mosfet的制造方法 | |
| CN114899227A (zh) | 一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法 | |
| CN210897283U (zh) | 一种半导体器件 | |
| CN110544722A (zh) | 一种栅控双极-场效应复合氮化镓横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 | |
| CN115376919A (zh) | 一种增强型GaN功率器件及其制备方法 | |
| CN113658859B (zh) | 一种氮化镓功率器件的制备方法 | |
| CN108987280A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2009054659A (ja) | 窒化ガリウム半導体装置の製造方法 | |
| CN209766424U (zh) | 高开关比石墨烯异质结场效应管 | |
| CN110265485B (zh) | 具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | |
| CN109888009B (zh) | 具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 | |
| CN220585234U (zh) | 一种具有多场板结构的增强型氮化镓器件 | |
| CN111739800A (zh) | 一种SOI基凹栅增强型GaN功率开关器件的制备方法 | |
| CN213184300U (zh) | 一种具有高可靠性的氮化物器件 | |
| KR101355520B1 (ko) | 고전압 반도체 소자의 구조 및 그 제조 방법 | |
| CN110571268B (zh) | 具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的igbt及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |