CN112687748A - 一种背光模块及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种背光模块及其制作方法，该背光模块包括：基板模组，包括基板衬底、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；发光芯片，设于所述芯片放置区的顶面上；遮光层，覆盖在所述TFT控制区的顶面上并在所述芯片放置区的顶面上形成镂空结构；透镜封装体，对应成型于所述镂空结构中，包覆所述发光芯片并与所述遮光层接触。该背光模块通过遮光层的设置，可避免发光芯片发出的光线照射到薄膜晶体管上并降低透镜封装体的成型难度，提高背光模块的功能稳定性和出光性能。
Description
技术领域
本发明涉及到背光模块领域，具体涉及到一种背光模块及其制作方法。
背景技术
图1示出了一种现有的背光模块的局部放大结构示意图。现有的背光模块一般通过薄膜晶体管(TFT)对发光芯片的亮灭和亮度进行控制，参照图1，发光芯片一般设置在基板模组的顶面上，薄膜晶体管设置在基板模组的内部；由于发光芯片的光线出射方向是发散的，不可避免的，发光芯片发出的光线会照射到薄膜晶体管上；当薄膜晶体管为非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管时，该类薄膜晶体管对光线较为敏感，在可见光的照射下，其电学特性会发生相应改变，从而影响到背光模块的功能稳定性；此外，对发光芯片进行封装时，由于基板表面平整度和光滑度高，导致基板和封装胶体之间的支撑应力小，在封装和固化过程中封装胶体容易坍塌，外观难以形成外型尺寸可控的透镜封装体，从而影响到背光模块的出光性能。
发明内容
为了改善背光模块的功能稳定性和出光性能，本发明提供了一种背光模块及其制作方法，该背光模块通过遮光层的设置，可避免发光芯片发出的光线照射到薄膜晶体管上并降低透镜封装体的成型难度，提高背光模块的功能稳定性和出光性能。
相应的，本发明提供了一种背光模块，包括：
基板模组，包括基板衬底、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
发光芯片，设于所述芯片放置区的顶面上；
遮光层，覆盖在所述TFT控制区的顶面上并在所述芯片放置区的顶面上形成镂空结构；
透镜封装体，对应成型于所述镂空结构中，包覆所述发光芯片并与所述遮光层接触。
可选的实施方式，所述TFT控制区包括至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管用于驱动对应的所述第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管用于驱动对应的所述发光芯片。
可选的实施方式，所述第一薄膜晶体管和/或所述第二薄膜晶体管包括：
栅极，设置在所述基板衬底上；
栅极绝缘层，设置在所述基板衬底上并包覆所述栅极；
有源层，设置在所述栅极绝缘层上；
源极和漏极，分别贴合设置在所述有源层的两侧；
钝化层，设置在所述栅极绝缘层上并包裹所述有源层、源极和漏极。
可选的实施方式，所述芯片放置区包括：
栅极绝缘层，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区并覆盖在所述基板衬底上；
焊盘组，设置在所述栅极绝缘层上；
钝化层，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区，覆盖所述栅极绝缘层并包覆所述焊盘组除顶面外的其余表面。
可选的实施方式，所述焊盘组包括：
正极焊盘，设置在所述栅极绝缘层上并与所述第二薄膜晶体管的漏极接触设置；
负极焊盘，设置在所述栅极绝缘层上并与所述正极焊盘保持绝缘。
可选的实施方式，所述透镜封装体的高度h与所述遮光层的厚度u的比值的取值范围为[3，6]；
所述透镜封装体的高度h与所述透镜封装体的半径r的比值的取值范围为[0.4，0.8]。
可选的实施方式，在所述遮光层的顶面上对应于任一个所述芯片放置区相应的设置有一个PR识别点；
任一个所述PR识别点与对应的所述芯片放置区之间的相对位置相同。
可选的实施方式，所述第一薄膜晶体管的栅极用于连接扫描信号端，所述第一薄膜晶体管的源极用于连接数据信号端，所述第二薄膜晶体管的源极用于连接电源信号端，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述发光芯片，所述扫描信号端、数据信号端和电源信号端为所述发光芯片提供扫描信号、数据信号和电源信号，驱动所述发光芯片发光。
可选的实施方式，所述基板模组上设有若干个所述发光芯片，若干个所述发光芯片排列形成m行n列矩阵；
任一行所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的栅极连接到同一扫描信号端，任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的源极连接到同一数据信号端，任一行和任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第二薄膜晶体管的源极连接到同一电源信号端，为多个所述发光芯片提供扫描信号、数据信号和电源信号，驱动多个所述发光芯片发光。
相应的，本发明提供了一种背光模块制作方法，包括：
制作基板模组，所述基板模组包括基板衬底、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
于所述基板模组上制备遮光层，所述遮光层覆盖在所述TFT控制区的顶面上，并在所述芯片放置区的顶面上为镂空结构；
于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中置入发光芯片并将所述发光芯片键合于所述芯片放置区上；
于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中制备包裹所述发光芯片的透镜封装体。
可选的实施方式，于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中置入发光芯片并将所述发光芯片键合于所述芯片放置区上包括：
所述芯片放置区包括焊盘组；
在所述发光芯片的电极和/或所述焊盘组上镀锡；
于所述焊盘组上喷涂助焊剂；
将所述发光芯片转移至所述镂空结构的对应位置上；
基于回流焊工艺使所述发光芯片和所述焊盘组键合。
综上，本发明提供了一种背光模块及其制作方法，该背光模块通过设置遮光层，可避免发光芯片发出的光线照射到薄膜晶体管上并降低透镜封装体的成型难度，提高背光模块的功能稳定性和出光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为一种现有的背光模块的局部放大结构示意图；
图2为本发明实施例的背光模块的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例的不同结构的透镜封装体的结构示意图；
图4为本发明实施例的不同结构的透镜封装体的光强分布图；
图5为本发明实施例的单个发光芯片的控制结构示意图；
图6为本发明实施例的背光模块的电路结构图；
图7为本发明实施例的背光模块制作方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
图2示出了本发明实施例的背光模块的剖面结构示意图。
具体的，本发明实施例提供了一种背光模块，包括：
基板模组100，包括基板衬底1、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底1上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
发光芯片10，设于所述基板模组100的芯片放置区的顶面上；
遮光层8，覆盖在所述基板模组100的TFT控制区的顶面上并在所述基板模组100的芯片放置区的顶面上形成镂空结构；具体的，针对遮光层8自身结构而言，遮光层8仅覆盖在基板模组100的TFT控制区的顶面，相应的，遮光层8没有覆盖基板模组100的芯片放置区的顶面，因此，基板模组100的芯片放置区的顶面上形成遮光层8的镂空结构；
透镜封装体11，对应成型于所述镂空结构中，包覆所述发光芯片10并与所述遮光层8接触；具体的，透镜封装体11与遮光层8接触具体是指透镜封装体11与遮光层8的镂空结构相适配，透镜封装体11的周缘恰好与镂空结构的大小相适配。
具体的，所述基板模组100的TFT控制区包括至少一个第一薄膜晶体管TFT1和至少一个第二薄膜晶体管TFT2；
所述第一薄膜晶体管TFT1用于驱动对应的所述第二薄膜晶体管TFT2，所述第二薄膜晶体管TFT2用于驱动对应的所述发光芯片10。
具体的，所述第一薄膜晶体管TFT1和/或所述第二薄膜晶体管TFT2包括：
栅极3，设置在所述基板衬底1上；
栅极绝缘层110，设置在所述基板衬底1上并包覆所述栅极3；
有源层4，设置在所述栅极绝缘层110上；
源极6和漏极5，分别贴合设置在所述有源层4的两侧；
钝化层120，设置在所述栅极绝缘层110上并包裹所述有源层4、源极6和漏极5。
具体的，所述基板模组100的芯片放置区包括：
栅极绝缘层110，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区并覆盖在所述基板衬底1上；
焊盘组9，设置在所述栅极绝缘层110上；
钝化层120，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区，覆盖所述栅极绝缘层110并包覆所述焊盘组9除顶面外的其余表面。
具体的，所述焊盘组9包括：
正极焊盘901，设置在所述栅极绝缘层110上并与所述第二薄膜晶体管TFT2的漏极5接触设置；
负极焊盘902，设置在所述栅极绝缘层110上并与所述正极焊盘901保持绝缘。
图3为本发明实施例的不同结构的透镜封装体的结构示意图，图4为本发明实施例的不同结构的透镜封装体的光强分布图。
具体的，为了保证背光模块的出光效果，可通过调节透镜封装体的结构来实现，在本发明实施例中，为了确保透镜封装体加工成型的重复性，所述发光芯片10一般设置在所述遮光层8的镂空结构的中心位置，所述镂空结构的形状一般为柱体，所述透镜封装体11包裹所述发光芯片10并对应成型于所述镂空结构中，进一步的，所述透镜封装体11的顶面朝远离所述芯片放置区的方向凸出于所述镂空结构，所述透镜封装体11的顶面为透镜曲面；具体的，在本发明实施例中，所述透镜封装体11的结构主要与所述透镜封装体11的高度h、所述遮光层8的厚度u和所述透镜封装体11的半径r有关，具体的，所述透镜封装11的高度h为所述透镜封装体11的底部中心位置到所述透镜封装体11最高点的垂直距离，所述透镜封装体11的半径r为所述透镜封装体11的底部中心位置到所述遮光层8的距离，相应的，在本发明实施例中，所述透镜封装体11的高度h与所述遮光层8的厚度u的比值的取值范围为[3，6]，所述透镜封装体11的高度h与所述透镜封装体11的半径r的比值的取值范围为[0.4，0.8]，在该比值范围内可以阻止透镜封装体11在成型过程中封装胶水因重力坍塌外延到遮光层8上，保证透镜封装体11成型于遮光层8的镂空结构中，还可以增大发光芯片10的出光角度，提升背光模块的出光均匀性。
具体实施中，所述透镜封装体的半径r和所述遮光层的厚度u通常设为定值，结合图3和图4所示对照示意，在本发明实施例中，列举出了a、b、c、d四种结构的透镜封装体，a、b、c、d四种透镜封装体的h/r的比值分别对应为0.3678、0.5287、0.6552、0.7701，其中a结构的透镜封装体的h/r的比值小于0.4，b、c、d结构的透镜封装体的h/r的比值在0.4-0.8范围内；当透镜封装体的h/r的比值小于0.4时，发光芯片发出的光线经过透镜封装体后呈现出的光强分布如图4中的a结构所示的朗伯分布型曲线，该类曲线的特点是随着发光芯片的出光角度增大，发光强度逐渐减弱，最终背光模块的出光均匀性差，人眼观感差；当透镜封装体的h/r的比值在0.4-0.8范围内时，发光芯片发出的光线经过透镜封装体后呈现出的光强度分布如图4中的b、c、d结构所示的蝙蝠翼型曲线(双峰型)，该曲线特点是随着发光芯片的出光角度增大，发光强度逐渐增强，在出光角度为60-120°的范围内出光强度达到峰值，随着发光芯片的出光角度进一步增大，出光强度逐渐减弱，最终背光模块的出光均匀性优异，人眼观良好，优选地，在发光芯片出光角度为90-120°范围内的出光强度达到峰值时，最终背光模块的出光均匀性最好，人眼观感最佳；当透镜封装体的h/r的比值大于0.8时，发光芯片发出的光线经过透镜封装体后呈现出的出光强度分布也如图4中的a结构所示的朗伯分布型曲线(未在图3和图4中示出)，最终背光模块的均匀性差，人眼观感差。
具体的，由于需要在所述遮光层8的镂空结构中置入所述发光芯片10，而所述发光芯片10的转接装置和获取所述基板模组100表面图像的视觉装置无法设置于同一点上，因此，为了便于通过视觉装置获取所述基板模组100的表面图像以对所述发光芯片10的放置位置进行定位，可选的，在所述遮光层8的顶面上对应于任一个所述芯片放置区相应的设置有一PR识别点；任一所述PR识别点与对应的所述芯片放置区之间的相对位置相同。PR识别点的作用是供视觉装置进行定位，视觉装置定位完成后，即表示芯片转移位置定位完成。
基于上述实施方式，该背光模块通过在基板模组上设置遮光层，可以避免发光芯片发光的光线照射到基板模组中的薄膜晶体管上，提高薄膜晶体管的稳定性，而且还可以辅助透镜封装体在基板模组上成型，降低透镜封装体在基板模组上的成型难度，从而提高背光模块的功能稳定性和出光性能。
图5示出了本发明实施例的单个发光芯片的控制结构示意图。
具体的，所述第一薄膜晶体管TFT1的栅极用于连接扫描信号端Vselect，所述第一薄膜晶体管TFT1的源极用于连接数据信号端Vdata，所述第一薄膜晶体管TFT1的漏极连接所述第二薄膜晶体管TFT2的栅极，所述第二薄膜晶体管TFT2的源极和栅极之间连接有充电电容C，所述第二薄膜晶体管TFT2的源极用于连接电源信号端Vdd，所述第二薄膜晶体管TFT2的漏极连接对应的所述发光芯片的一个电极，所述发光芯片的另一电极用于连接接地端Vss。具体的，扫描信号端负责输出扫描信号，数据信号端负责输出数据信号，电源信号端负责输出电压；在扫描信号端输入扫描信号时，第一薄膜晶体管TFT1导通，在数据信号端输入数据信号时，数据信号经过第一薄膜晶体管TFT1输入到第二薄膜晶体管TFT2，第二薄膜晶体管TFT2导通，在电源信号端输入电压时，第二薄膜晶体管TFT2产生源漏电流，驱动发光芯片发光。基于上述实施方式，第一薄膜晶体管TFT1起开关作用，第二薄膜晶体管TFT2相当于一个电流源，结合充电电容C可以调节输入到发光芯片的电流大小，从而对发光芯片进行亮灭控制和亮度控制。
图6示出了本发明实施例的背光模组的电路结构图。
具体的，所述基板模组上通常设有若干个所述发光芯片，相应的，每一个所述发光芯片需要独立进行控制；为了便于控制，本发明实施例提供了一种背光模块的电路布置结构，具体的，若干个所述发光芯片排列形成m行n列矩阵，相应的，每一个所述发光芯片具有一个特有的编码(a，b)，其中，a∈1，2，...，m，m为正整数，b∈1，2，...，n，n为正整数；具体的，任一行所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的栅极连接到同一扫描信号端Vselecta上，其中，a∈1，2，...，m，m为正整数，任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的源极连接到同一数据信号端Vdatab上，其中，b∈1，2，...，n，n为正整数，任一行和任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第二薄膜晶体管的源极连接到同一电源信号端Vdd，所述扫描信号端Vselectb、数据信号端Vdataa和电源信号端Vdd为多个所述发光芯片提供扫描信号、数据信号和电源信号，驱动多个所述发光芯片发光。
图7示出了本发明实施例的背光模块制作方法流程图。
相应的，本发明实施例还提供了一种背光模块制作方法，包括：
S101：制作基板模组100；
所述基板模组100包括基板衬底1、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上1，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
具体的，基板模组100的加工步骤可归纳为：
在基板衬底1的顶面的对应位置上加工出若干个栅极3；
在基板衬底1的顶面上覆盖设置栅极绝缘层110，所述栅极绝缘层110覆盖所述若干个栅极3；
在栅极绝缘层110的顶面的对应位置上设置若干个有源层4；
在每一个有源层4的两侧设置漏极5和源极6；
在每一个漏极5的一侧设置焊盘组9，所述焊盘组9包括正极焊盘901和负极焊盘902，所述正极焊盘901设置在靠近所述漏极5的一侧并与所述漏极5电连接，所述负极焊盘902设置在所述正极焊盘901的相对位置上；
在栅极绝缘层110的顶面上覆盖设置钝化层120，所述钝化层120覆盖所述漏极5、源极6、有源层4、正极焊盘901和负极焊盘902，所述正极焊盘901的顶面和所述负极焊盘902的顶面外露于所述钝化层120。
S102：于所述基板模组100的顶面上制备遮光层8；
所述遮光层8覆盖在所述TFT控制区的顶面上，并在所述芯片放置区的顶面上为镂空结构；
具体的，遮光层8可以为反光材料，具体可以为白色油墨、白胶等；也可以为吸光材料，具体的可以为黑色油墨、黑色油漆、掺入了炭黑的环氧树脂或掺入了炭黑的硅树脂等。
S103：于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中置入发光芯片10并将所述发光芯片10键合于所述芯片放置区上；
具体的，该步骤包括：
在所述发光芯片10的电极和/或所述焊盘组9上镀锡；
于所述焊盘组9上喷涂助焊剂；
具体的，在该过程中，助焊剂具有两个方面的作用，一方面为粘住发光芯片10，防止后续回流焊时发光芯片10被热风吹跑；另一方面有助于锡层和焊盘的熔合；具体的，在喷涂助焊剂前，可采用一张薄膜覆盖在遮光层8上，所述薄膜具有多个通孔，所述通孔与镂空结构一一对应，所述通孔的尺寸小于等于镂空结构的尺寸，通过薄膜在焊盘组9上喷涂助焊剂，能够有效防止助焊剂污染遮光层8。
将所述发光芯片10转移至所述镂空结构的对应位置上；
基于回流焊工艺使所述发光芯片10和所述焊盘组9键合。
S104：于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中制备包裹所述发光芯片10的透镜封装体11。
具体的，遮光层8的镂空结构的形状为柱状容腔，柱状容腔的包围壁可作为封装胶体11的成型支架；具体的，在表面张力的作用下，封装胶体可以在填充满柱状容腔的基础上，溢出柱状容腔并达到一定的高度，根据设计需求，每一个柱状容腔的封装胶体的注射体积为定值，封装胶体在固化定型后即形成所需结构的透镜封装体11。
具体的，封装胶体可以为热固化类胶体，具体可以为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶等胶体；也可以为光固化类胶体，具体可以为是紫外固化UV胶、红外固化IR胶等胶体。
综上，本发明实施例提供了一种背光模块及其制作方法，该背光模块通过遮光层的设置，可避免发光芯片发出的光线照射到薄膜晶体管上并降低透镜封装体的成型难度，提高背光模块的功能稳定性和出光性能。
以上对本发明实施例所提供的一种背光模块及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (11)
1.一种背光模块，其特征在于，包括：
基板模组，包括基板衬底、TFT控制区和芯片放置区；
所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
发光芯片，设于所述芯片放置区的顶面上；
遮光层，覆盖在所述TFT控制区的顶面上并在所述芯片放置区的顶面上形成镂空结构；
透镜封装体，对应成型于所述镂空结构中，包覆所述发光芯片并与所述遮光层接触。
2.如权利要求1所述的背光模块，其特征在于，所述TFT控制区包括至少一个第一薄膜晶体管和至少一个第二薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管用于驱动对应的所述第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管用于驱动对应的所述发光芯片。
3.如权利要求2所述的背光模块，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和/或所述第二薄膜晶体管包括：
栅极，设置在所述基板衬底上；
栅极绝缘层，设置在所述基板衬底上并包覆所述栅极；
有源层，设置在所述栅极绝缘层上；
源极和漏极，分别贴合设置在所述有源层的两侧；
钝化层，设置在所述栅极绝缘层上并包裹所述有源层、源极和漏极。
4.如权利要求3所述的背光模块，其特征在于，所述芯片放置区包括：
栅极绝缘层，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区并覆盖在所述基板衬底上；
焊盘组，设置在所述栅极绝缘层上；
钝化层，从所述TFT控制区延伸至所述芯片放置区，覆盖所述栅极绝缘层并包覆所述焊盘组除顶面外的其余表面。
5.如权利要求4所述的背光模块，其特征在于，所述焊盘组包括：
正极焊盘，设置在所述栅极绝缘层上并与所述第二薄膜晶体管的漏极接触设置；
负极焊盘，设置在所述栅极绝缘层上并与所述正极焊盘保持绝缘。
6.如权利要求1所述的背光模块，其特征在于，所述透镜封装体的高度h与所述遮光层的厚度u的比值的取值范围为[3，6]；
所述透镜封装体的高度h与所述透镜封装体的半径r的比值的取值范围为[0.4，0.8]。
7.如权利要求1所述的背光模块，其特征在于，在所述遮光层的顶面上对应于任一个所述芯片放置区相应的设置有一个PR识别点；
任一个所述PR识别点与对应的所述芯片放置区之间的相对位置相同。
8.如权利要求3所述的背光模块，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极用于连接扫描信号端，所述第一薄膜晶体管的源极用于连接数据信号端，所述第二薄膜晶体管的源极用于连接电源信号端，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述发光芯片，所述扫描信号端、数据信号端和电源信号端为所述发光芯片提供扫描信号、数据信号和电源信号，驱动所述发光芯片发光。
9.如权利要求8所述的背光模块，其特征在于，所述基板模组上设有若干个所述发光芯片，若干个所述发光芯片排列形成m行n列矩阵；
任一行所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的栅极连接到同一扫描信号端，任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第一薄膜晶体管的源极连接到同一数据信号端，任一行和任一列所述发光芯片中的任一个所述发光芯片对应的所述第二薄膜晶体管的源极连接到同一电源信号端，为多个所述发光芯片提供扫描信号、数据信号和电源信号，驱动多个所述发光芯片发光。
10.一种背光模块制作方法，其特征在于，包括：
制作基板模组，所述基板模组包括基板衬底、TFT控制区和芯片放置区；所述TFT控制区和所述芯片放置区设于所述基板衬底上，且所述TFT控制区与所述芯片放置区相邻；
于所述基板模组上制备遮光层，所述遮光层覆盖在所述TFT控制区的顶面上，并在所述芯片放置区的顶面上为镂空结构；
于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中置入发光芯片并将所述发光芯片键合于所述芯片放置区上；
于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中制备包裹所述发光芯片的透镜封装体。
11.如权利要求10所述的背光模块制作方法，其特征在于，于所述芯片放置区顶面上的镂空结构中置入发光芯片并将所述发光芯片键合于所述芯片放置区上包括：
所述芯片放置区包括焊盘组；
在所述发光芯片的电极和/或所述焊盘组上镀锡；
于所述焊盘组上喷涂助焊剂；
将所述发光芯片转移至所述镂空结构的对应位置上；
基于回流焊工艺使所述发光芯片和所述焊盘组键合。
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| CN202011604123.8A CN112687748A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种背光模块及其制作方法 |
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