CN112687605A - 一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片，属于电镜表征技术领域。本发明在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，由于厚度很薄，能够不影响显微仪器观察芯片内部结构；本发明的有机薄膜绝缘，因此能够减少电子束损伤。此外，本发明的单分子有机薄膜还能够隔绝空气，防止因在空气中长时间放置产生的氧化问题。

Description

一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的 芯片
技术领域
本发明涉及电镜表征技术领域，尤其涉及一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片。
背景技术
透射电子显微镜是表征材料外部形貌的强大工具，它能够实现高精度的纳米加工和性能测试，深入观察材料内部的晶格缺陷。芯片内部的晶格原子间距一般在纳米级别左右，试样的大小也在一定程度上受到限制，其表征和加工通常在透射电子显微镜下进行。显微表征和加工过程中，由于电子束长时间的辐照，会对芯片试样造成一定的损伤。芯片试样的厚度越小，对电子束的敏感程度就越高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片，采用本发明的方法能够有效减少对芯片的电子束损伤，同时不影响显微仪器观察芯片内部结构。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法，在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
优选的，所述单分子有机薄膜的层数为1层。
优选的，采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜。
优选的，所述采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜的方法包括以下步骤：
采用LB镀膜仪将有机材料制备成单分子有机薄膜；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；
将疏水处理后的芯片放进LB镀膜仪中，使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜接触，随后向上提拉，所述单分子有机薄膜被转移到芯片表面；
重复所述向上提拉的过程0～2次，在芯片表面形成1～3层单分子有机薄膜。
优选的，所述接触的时间为20～40s。
优选的，转移单分子有机薄膜的过程中，膜压为10～40mN/m。
优选的，当所述芯片要在FIB仪器中进行切割时，镀覆单分子有机薄膜前，还包括在芯片待切割的部位固定遮盖物，镀膜完成后，将所述遮盖物去除。
本发明提供了一种受电子辐射损伤较小的芯片，包括芯片和芯片表面的单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
优选的，所述单分子有机薄膜的层数为1层。
本发明提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法，在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氯乙烯(PVC)、聚醚砜(PES)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚丙烯腈(PAN)；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
本发明在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，通过控制所述单分子有机薄膜的层数为1～3层，使得薄膜厚度很薄，能够不影响显微仪器观察芯片内部结构；本发明的有机薄膜绝缘，因此能够减少电子束损伤。此外，本发明的单分子有机薄膜还能够隔绝空气，防止因在空气中长时间放置产生的氧化问题。
本发明的方法简单，可重复镀膜，只需要将芯片在配好溶液的LB镀膜仪中简单提拉即可。
附图说明
图1为芯片通过向上提拉镀膜的状态图。
具体实施方式
本发明提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法，在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为PMMA、PVDF、PVC、PES、PS、PP、PE或PAN；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
本发明对所述芯片没有任何特殊的限定，本领域熟知的需要在透射电镜下进行观察或加工的芯片均可。
本发明优选采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜，镀覆的方法优选包括以下步骤：
采用LB镀膜仪将有机材料制备成单分子有机薄膜；所述有机材料为PMMA、PVDF、PVC、PES、PS、PP、PE或PAN；
将疏水处理后的芯片放进LB镀膜仪中，使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜接触，随后向上提拉，所述单分子有机薄膜被转移到芯片表面；
重复所述向上提拉的过程0～2次，在芯片表面形成1～3层单分子有机薄膜。
本发明对所述LB镀膜仪没有任何特殊的限定，本领域熟知的LB镀膜仪均可。本发明对所述单分子有机薄膜的制备过程没有特殊要求，采用本领域熟知的制备过程即可，此为本领域公知常识，这里不再赘述。在本发明的实施例中，当有机材料为PMMA时，直接将PMMA与甲苯溶剂置入LB镀膜仪中，通过镀膜仪制备单分子PMMA薄膜。
得到单分子有机薄膜后，本发明将疏水处理后的芯片放进LB镀膜仪中，使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜接触，随后向上提拉，所述单分子有机薄膜被转移到芯片表面(如图1)。
本发明对所述疏水处理没有任何特殊的限定，此为LB镀膜过程中公知的技术知识。
在本发明中，所述接触的时间优选为20～40s，更优选为25～35s。
本发明所述提拉的速度优选由膜压决定，膜压优选为10～40mN/m，更优选为20～30mN/m。
本发明控制膜压在上述范围，有利于提高单分子有机薄膜转移的成功率。
当需要镀覆多层单分子有机薄膜时，本发明重复上述向上提拉的过程即可。本发明优选镀覆单层单分子有机薄膜。当单分子有机薄膜的层数为1层时，具有最大的清晰度同时还能有效防止电子束损伤。
转移单分子有机薄膜的过程中，本发明优选将一个玻璃挡板放在紧靠镀膜芯片的旁边，用玻璃挡板刮去残留在芯片周围的单分子有机薄膜。
每镀完一层单分子有机薄膜后，本发明优选静置等待芯片上的有机薄膜稳固后再进行下一次的镀覆。
在本发明中，当所述芯片要在FIB仪器中进行切割时，镀覆单分子有机薄膜前，本发明优选还包括在芯片待切割的部位固定遮盖物，镀膜完成后，将所述遮盖物去除。本发明对所述遮盖物的具体种类没有特殊要求，具体的可以为但不局限于胶带。
由于芯片镀上有机薄膜后，绝缘不导电，虽然在一定程度上保护了芯片，但也会导致电子束对切割位置的难以定位，因此对芯片要切割的位置固定遮盖物，镀膜成功后，将遮盖物去除即可进行切割。
镀覆单分子有机薄膜后的芯片，在FIB切割中，也可有效防止电子束的损伤。
本发明提供了一种受电子辐射损伤较小的芯片，包括芯片和芯片表面的单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为PMMA、PVDF、PVC、PES、PS、PP、PE或PAN；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层，优选为1层。
在本发明中，所述单分子有机薄膜的总厚度优选为0.1～10nm，具体的由单分子有机薄膜的成分确定。
本发明在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，由于有机薄膜绝缘，因此能够减少电子束损伤。
下面结合实施例对本发明提供的减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将有机材料(PMMA)与甲苯溶剂置入LB镀膜仪中，通过镀膜仪制备单分子PMMA薄膜；
确定芯片要切割的位置，固定好遮盖物，准备芯片镀膜；
将处理过后的疏水芯片放进至LB镀膜仪中，使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜溶液充分接触30s，向上提拉，膜压为10～40mN/m；
将一个玻璃挡板放在紧靠镀膜芯片的旁边，用玻璃挡板刮去残留在芯片周围的单分子有机薄膜；
静置等待芯片上的有机薄膜稳固后，置入FIB仪器切割。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种减少芯片电子辐射损伤的方法，其特征在于，在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单分子有机薄膜的层数为1层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述采用LB镀膜仪镀覆单分子有机薄膜的方法包括以下步骤：
采用LB镀膜仪将有机材料制备成单分子有机薄膜；所述有机材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；
将疏水处理后的芯片放进LB镀膜仪中，使芯片与LB镀膜仪中的单分子有机薄膜接触，随后向上提拉，所述单分子有机薄膜被转移到芯片表面；
重复所述向上提拉的过程0～2次，在芯片表面形成1～3层单分子有机薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述接触的时间为20～40s。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，转移单分子有机薄膜的过程中，膜压为10～40mN/m。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述芯片要在FIB仪器中进行切割时，镀覆单分子有机薄膜前，还包括在芯片待切割的部位固定遮盖物，镀膜完成后，将所述遮盖物去除。
8.一种受电子辐射损伤较小的芯片，包括芯片和芯片表面的单分子有机薄膜，所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈；所述单分子有机薄膜的层数为1～3层。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述单分子有机薄膜的层数为1层。
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Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675100A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡試料室
JPH06264047A (ja) * 1993-03-15 1994-09-20 Olympus Optical Co Ltd ラングミュアーブロジェット膜の保持体およびラングミュアーブロジェット膜の作製方法
JPH06283811A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Nippon Steel Corp 半導体レーザの製造方法
CN1147636A (zh) * 1996-02-02 1997-04-16 吉林大学 用于检测二氧化氮的气体传感器及其制作工艺
JPH10123031A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Canon Inc 観察試料の基板への固定方法
JP2006256031A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Chisso Corp 無電解メッキ用基板、無電解メッキされたメッキ基板およびその製造方法
CN1979119A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 冲电气工业株式会社 透射型电子显微镜用的试样制作方法、观察方法以及结构
US20080233409A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing substrate for making microarray
WO2008152743A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Kazufumi Ogawa Bonding method, and biochemical chip and optical part produced using the method
CN101458180A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 预处理tem样品以及对样品进行tem测试的方法
KR20100033085A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 주식회사 실트론 투과전자현미경용 시편 제작 방법
US20100270659A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method of manufacturing the same, and silane coupling agent
JP5115997B1 (ja) * 2011-12-27 2013-01-09 独立行政法人産業技術総合研究所 走査型電子顕微鏡像観察用の試料支持部材及び走査型電子顕微鏡像の観察方法
CN103907005A (zh) * 2011-08-25 2014-07-02 弗劳恩霍弗应用技术研究院 制备用于微观结构诊断的样品的方法和设备
CN104297320A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 国家纳米科学中心 一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法
CN104531853A (zh) * 2014-12-12 2015-04-22 上海交通大学 经高密度纳米点阵列制备生物大分子单分子芯片的方法
CN104713767A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种tem 的样品制备方法
CN108871890A (zh) * 2018-03-29 2018-11-23 北京大学 一种利用石墨烯作为保护层制备tem样品的方法
KR20190026496A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 한국생산기술연구원 유기 포토다이오드 박막 형성용 코팅액, 이의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 포토다이오드

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675100A (ja) * 1992-08-25 1994-03-18 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡試料室
JPH06264047A (ja) * 1993-03-15 1994-09-20 Olympus Optical Co Ltd ラングミュアーブロジェット膜の保持体およびラングミュアーブロジェット膜の作製方法
JPH06283811A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Nippon Steel Corp 半導体レーザの製造方法
CN1147636A (zh) * 1996-02-02 1997-04-16 吉林大学 用于检测二氧化氮的气体传感器及其制作工艺
JPH10123031A (ja) * 1996-10-23 1998-05-15 Canon Inc 観察試料の基板への固定方法
JP2006256031A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Chisso Corp 無電解メッキ用基板、無電解メッキされたメッキ基板およびその製造方法
CN1979119A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 冲电气工业株式会社 透射型电子显微镜用的试样制作方法、观察方法以及结构
US20080233409A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing substrate for making microarray
WO2008152743A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Kazufumi Ogawa Bonding method, and biochemical chip and optical part produced using the method
CN101458180A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 预处理tem样品以及对样品进行tem测试的方法
KR20100033085A (ko) * 2008-09-19 2010-03-29 주식회사 실트론 투과전자현미경용 시편 제작 방법
US20100270659A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method of manufacturing the same, and silane coupling agent
CN103907005A (zh) * 2011-08-25 2014-07-02 弗劳恩霍弗应用技术研究院 制备用于微观结构诊断的样品的方法和设备
JP5115997B1 (ja) * 2011-12-27 2013-01-09 独立行政法人産業技術総合研究所 走査型電子顕微鏡像観察用の試料支持部材及び走査型電子顕微鏡像の観察方法
CN104297320A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 国家纳米科学中心 一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法
CN104713767A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种tem 的样品制备方法
CN104531853A (zh) * 2014-12-12 2015-04-22 上海交通大学 经高密度纳米点阵列制备生物大分子单分子芯片的方法
KR20190026496A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 한국생산기술연구원 유기 포토다이오드 박막 형성용 코팅액, 이의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기 포토다이오드
CN108871890A (zh) * 2018-03-29 2018-11-23 北京大学 一种利用石墨烯作为保护层制备tem样品的方法

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