CN112672503A - 孤立图形设计方法、装置、存储介质及计算机设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种孤立图形设计方法、装置、存储介质及计算机设备。获取孤立图形的线路图案；获取孤立图形的线路图案；根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形；根据正片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成所述孤立图形的设计；通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
Description
技术领域
本发明涉及印制电路板技术领域，尤其涉及一种孤立图形设计方法、装置、存储介质及计算机设备。
背景技术
印制电路板制作线路基本流程分为正片、负片流程，参照图1至图3，正片流程基本方案为：图形转移、图形电镀、图形蚀刻，最终得到需要的线路；参照图4和图5，负片流程基本方案为：图形转移、图形蚀刻，最终得到需要的线路。
局部出现孤立图形，正片图形电镀时，孤立图形受到的电流密度更大，容易出现铜厚偏厚、夹膜(电镀铜厚度高出抗镀层)问题，如图6。正片或负片蚀刻图形时，孤立图形药水交换更快，孤立图形受到的侧蚀比非孤立线路更强，导致该位置容易出现线宽偏小问题，如图7和图8。孤立图形易引发导通性、阻抗、插入损耗等方面的品质问题，无法满足当前电子设备行业精密度日益严苛的需求。
行业内存在一项辅助铜二次蚀刻工艺，在正片工艺基础上，通过增加辅助图形，先将线路和辅助图形一起电镀，再增加一次图形转移、蚀刻流程，将辅助图形蚀刻掉；包括如下步骤：a.图形转移；b.图形电镀；c.图形蚀刻；d.第二次图形转移；e.第二次蚀刻。
该工艺通过增加辅助图形分散电流,使电流密度比较均匀地作用在图形上，主要应用于改善电镀均匀性。该方法只适用于正片流程，并且增加了流程步骤，蚀刻图形时，孤立线路仍然处于孤立状态，对蚀刻线宽精度无改善。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明提出孤立图形设计方法、装置、存储介质及计算机设备，通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚偏厚问题。
根据本发明的第一方面实施例的一种孤立图形设计方法，包括以下步骤：
获取孤立图形的线路图案；
根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形；
根据正片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成所述孤立图形的设计。
根据本发明实施例的一种孤立图形设计方法，至少具有如下有益效果：印制电路板进行正负片工艺前获取孤立图形的线路图案，根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形，当采用正片工艺时，在不增加额外流程的基础上，同时起到分散电流避免铜厚超标以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，当采用负片工艺时，在不增加额外流程的基础上，起到分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
根据本发明的一些实施例，根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形，包括：
获取所述辅助图形的宽度，其设为第一阈值；
获取所述辅助图形与所述孤立图形的距离，其设为第二阈值；
根据所述第一阈值和所述第二阈值能够完成对所述辅助图形的预设计。
通过获取辅助图形的宽度和辅助图形与孤立图形的距离，在印制电路板的正片工艺中，辅助图形在图形电镀中能够分散电流使图形电镀更加均匀，在图形蚀刻中改善侧蚀偏大问题，且无需额外增加流程；在印制电路板的负片工艺中，辅助图形在图形蚀刻中能够改善侧蚀偏大问题，通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
根据本发明的一些实施例，获取所述辅助图形的宽度，其设为第一阈值，包括：
获取所述孤立图形与所述辅助图形中蚀刻铜层的厚度，所述孤立图形与所述辅助图形所述蚀刻铜层的厚度相等，其设为第三阈值；
当所述第一阈值小于或等于两倍所述第三阈值，则确定所述辅助图形的宽度。
根据第一阈值小于或等于两倍第三阈值，得出辅助图形的宽度，保证辅助图形在蚀刻图形时，通过侧蚀可以完全去除，不需要增加额外步骤将辅助图形单独蚀刻去除，在提升印制电路板效率的同时，能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
根据本发明的一些实施例，获取所述辅助图形与所述孤立图形的距离，其设为第二阈值，包括：
获取蚀刻药水侧蚀电镀铜层和蚀刻铜层的间距能力，其设为第四阈值；
当所述第二阈值大于或等于所述第四阈值，则确定所述辅助图形与所述孤立图形的距离。
根据辅助图形与孤立图形的距离大于或等于蚀刻药水蚀刻金属铜厚度的间距能力，得到辅助图形与所述孤立图形的距离，能够避免辅助图形在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题，还能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
根据本发明的一些实施例，获取所述孤立图形与所述辅助图形中蚀刻铜层的厚度，所述孤立图形与所述辅助图形所述蚀刻铜层的厚度相等，其设为第三阈值；当第三阈值越大，则使得所述第四阈值也越大。
当孤立图形与辅助图形蚀刻铜层的厚度越大，所需要蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层和电镀铜层的间距能力也要增大，进一步避免辅助图形在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题，更进一步避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
根据本发明的一些实施例，根据正片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，包括：
对所述孤立图形和所述辅助图形进行所述图形转移；
对所述辅助图形与所述孤立图形进行图形电镀，使得两者电镀铜层的厚度一致；
图形蚀刻前去除抗电镀抗蚀刻层；
图形蚀刻时所述辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除；
图形蚀刻完成，所述孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
当孤立图形和辅助图形进行正片工艺的图形转移、电镀和蚀刻，先对孤立图形和辅助图形同时进行图形转移，随后进行图形电镀，使得孤立图形和辅助图形电镀铜层的厚度一致，图形蚀刻前去除抗电镀抗蚀刻层，随后进行图形蚀刻，辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至辅助图形完全去除，当图形蚀刻完成，去除抗蚀刻层，孤立图形保留，辅助图形起到分散电流避免铜厚过厚以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用。
根据本发明的一些实施例，根据负片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移和蚀刻，包括：
对所述孤立图形和所述辅助图形进行所述图形转移；
图形蚀刻时所述辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除；
图形蚀刻完成，所述孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
当孤立图形和辅助图形进行负片工艺的图形转移、蚀刻，先对孤立图形和辅助图形进行图形转移，随后进行图形蚀刻，辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至辅助图形完全去除，当图形蚀刻完成，去除抗蚀刻层，孤立图形得以保留，分散蚀刻药水，降低孤立线路侧蚀量，避免线宽偏小问题。
根据本发明的第二方面实施例的一种孤立图形设计装置，包括：
孤立图形线路图案获取模块，用于获取孤立图形的线路设计图案；
辅助图形的预设计模块，用于从线路设计图案预设计出辅助图形；
孤立图形和辅助图形正负片工艺设计模块，用于根据正负片工艺流程完成电路板中孤立图形设计。
根据本发明的第二方面的实施例，至少具有如下有益效果：孤立图形线路图案获取模块，用于获取孤立图形的线路设计图案；辅助图形的预设计模块，用于从线路设计图案预设计出辅助图形；孤立图形和辅助图形正负片工艺设计模块，当采用正片工艺时，在不增加额外流程的基础上，同时起到分散电流避免铜厚过厚以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用；当采用负片工艺时，在不增加额外流程的基础上，起到分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用；常规工艺存在孤立图形铜厚偏厚、蚀刻侧蚀偏大问题；辅助铜二次蚀刻需要额外增加流程，并且只适用于正片工艺，同时，对蚀刻侧蚀偏大问题无改善；本发明孤立图形的设计装置对印制电路板中正片工艺、负片工艺任意蚀刻铜层厚度均适用，适用范围广，无需增加额外流程。
根据本发明的第三方面实施例的一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述孤立图形设计方法的步骤。
根据本发明的第四方面实施例的一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述孤立图形设计方法的步骤。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为电路板的正片流程中图形转移截面示意图；
图2为电路板的正片流程中图形电镀截面示意图；
图3为电路板的正片流程中图形蚀刻完成后的截面示意图；
图4为电路板的负片流程中图形转移截面示意图；
图5为电路板的负片流程中图形蚀刻完成后的截面示意图；
图6为电路板的孤立图形在正片流程中图形电镀的铜厚过厚的截面示意图；
图7为电路板的孤立图形在正片流程中进行图形蚀刻的截面示意图；
图8为图7中完成图形蚀刻的孤立图形侧蚀的截面示意图；
图9为本发明一个实施例提供的孤立图形设计方法的流程图；
图10为图9中根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形的流程图；
图11为图10中获取辅助图形的宽度的流程图；
图12为图10中获取辅助图形与孤立图形之间的距离的流程图；
图13为本发明一个实施例中孤立图形与辅助图形进行正片流程的流程图；
图14为本发明一个实施例中孤立图形与辅助图形进行负片流程的流程图；
图15为本发明电路板的孤立图形和辅助图形在正片流程中完成图形电镀的截面示意图；
图16为图15中除去抗电镀抗蚀刻层的截面示意图；
图17为图16中完成图形蚀刻的截面示意图；
图18为图17中完成图形蚀刻后除去抗蚀刻层的截面示意图；
图19为本发明一个实施例中电路板线路设计图形处理方法的流程图；
图20为本发明一个实施例中孤立图形设计装置的结构示意图。
附图标号如下：基材100；蚀刻铜层200；电镀铜层300；抗电镀抗蚀刻层400；抗蚀刻层500；孤立图形600；辅助图形700。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，虽然在系统示意图中进行了功能模块划分，在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于系统中的模块划分，或流程图中的顺序执行所示出或描述的步骤。说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
在印制电路板制作基本流程分为正片、负片流程。
正片流程基本工艺为：图形转移、图形电镀和图形蚀刻，最终得到需要的线路。
参照图1，图1为正片流程工艺中的图形转移，先在基材100上铺设蚀刻铜层200，再铺设一层抗电镀抗蚀刻层400，抗电镀抗蚀刻层400围成电路板线路图案，完成图形转移步骤。
参照图2，图2为正片流程工艺中的图形电镀，在抗电镀抗蚀刻层400围成的电路板线路图形上进行电镀，铺设出一层电镀铜层300，然后再铺设上一层抗蚀刻层500，完成图形电镀步骤。
参照图3，图3为正片流程工艺中的图形蚀刻，先将抗电镀抗蚀刻层400除去，抗蚀刻层500保留，再用碱性蚀刻药水蚀刻蚀刻铜层200和电镀铜层300，抗蚀刻层500覆盖的线路图形得到保留，最后将抗蚀刻层500除去，完成图形蚀刻步骤，得到需要的线路图形。
负片流程基本工艺为：图形转移、图形蚀刻，最终得到需要的线路。
参照图4，图4为负片流程工艺中的图形转移，先在基材100上铺设蚀刻铜，再铺设一层抗电镀抗蚀刻层400，抗电镀抗蚀刻层400覆盖成电路板线路图案，完成图形转移步骤。
参照图5，图5为正片流程工艺中的图形蚀刻，用酸性蚀刻药水蚀刻没有被抗电镀抗蚀刻层400覆盖的蚀刻铜层200，完成图形蚀刻，得到需要的线路图形。
参照图6，当上述正片流程基本工艺中局部出现孤立图形600，正片图形电镀时，孤立图形600受到的电流密度更大，容易出现图6中电镀铜层300厚度偏厚、电镀铜层300厚度高出抗电镀抗蚀刻层400的问题。
参照图7和图8，电路板进行正片流程的图形蚀刻时，孤立图形600药水交换更快，孤立图形600受到的侧蚀比非孤立线路更强，导致该位置容易出现图8中线宽偏小问题，同理电路进行负片流程中孤立图形也会受到侧蚀，导致的线宽偏小问题。
第一方面，本发明提供了一种孤立图形设计方法，通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
参照图9，图9是本发明实施例的方法流程图。本发明实施例的方法包括以下步骤：
步骤S100，获取孤立图形的线路图案。
在一些实施例中，印制电路板的孤立图形600线路设计前，先获取电路板预设的孤立图形600线路图案，通过获取预设的孤立图形600能够为设计出辅助图形700做提前做准备，提高电路板的印制效率。
步骤S200，根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形。
在一些实施例中，根据孤立图形600的线路图案周围对应规划出辅助图形700的线路图案，对应规划出辅助图形700的宽度，规划出辅助图形700与孤立图形600的间距，确保设计出来的辅助图形700不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
步骤S300，根据正片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成孤立图形的设计。
在一些实施例中，根据正片工艺对孤立图形600和辅助图形700进行图形转移、电镀和蚀刻流程，对比不设置有辅助图形700的正片工艺，在不增加额外流程的基础上，同时起到分散电流避免铜厚超标以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，根据负片工艺对孤立图形600和辅助图形700进行图形转移和蚀刻，对比不设置有辅助图形700的正片工艺，在不增加额外流程的基础上，起到分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，完成孤立图形600的设计，通过设计辅助图形700，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
值得注意的是，预设出辅助图形700指的是根据孤立图形600的线路图案预先设计出辅助图形700，根据正片工艺对孤立图形600和辅助图形700进行图形转移、电镀和蚀刻流程，根据负片工艺对孤立图形600和辅助图形700进行图形转移和蚀刻，正负片工艺中预先设计出的辅助图形700与孤立图形600一起进行。
需要说明的是，在一些实施例中，在孤立图形600旁边设计辅助图形700，且辅助图形700可以是辅助线路或辅助点，用于分散电镀时电流避免孤立图形600电镀铜层300厚超标导致的夹膜问题，同时分散蚀刻药水，降低孤立线路侧蚀量，避免线宽偏小问题。
参照图10，在一些实施例中，步骤S200中，根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形，包括步骤S210至步骤S230。
步骤S210，获取辅助图形的宽度，其设为第一阈值。
步骤S220，获取辅助图形与孤立图形之间的距离，其设为第二阈值。
步骤S230，根据第一阈值和第二阈值能够完成对辅助图形的预设计。
通过获取辅助图形700的宽度和辅助图形700与孤立图形600的距离，根据第一阈值与第二阈值能够确定辅助图形700相对孤立图形600的位置，在印制电路板的正片工艺中，辅助图形700在图形电镀中能够分散电流使图形电镀更加均匀，在图形蚀刻中改善侧蚀偏大问题，且无需额外增加流程；在印制电路板的负片工艺中，辅助图形700在图形蚀刻中能够改善侧蚀偏大问题，通过设计辅助图形700，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
参照图11，在一些实施例中，步骤210中，获取辅助图形的宽度，其设为第一阈值，包括步骤S211至步骤S212。
步骤S211，获取孤立图形与辅助图形中蚀刻铜层的厚度，孤立图形与辅助图形蚀刻铜层的厚度相等，其设为第三阈值。
步骤S212，当第一阈值小于或等于两倍第三阈值，则确定辅助图形的宽度。
根据获取到辅助图形700与孤立图形600中蚀刻铜层200的厚度，因为在蚀刻铜层200铺设过程中，辅助图形700与孤立图形600的蚀刻铜层200都是一起铺设的，所以孤立图形600与辅助图形700蚀刻铜层200的厚度相等，将蚀刻铜层200的厚度设为第三阈值，根据第一阈值小于或等于两倍第三阈值，得出辅助图形700的宽度，保证辅助图形700在蚀刻图形时，通过侧蚀可以完全去除，不需要增加额外步骤将辅助图形700单独蚀刻去除，在提升印制电路板效率的同时，能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
需要说明的是，蚀刻铜层200厚度为35微米的正片流程，图形转移时，在孤立图形600和辅助图形700间的基材100区域内，将辅助图形700的宽度设计为70微米，辅助图形700之间的间距设计为0.1毫米，根据第一阈值小于或等于两倍第三阈值，辅助图形700的宽度为70微米等于两倍的蚀刻铜层200厚度为35微米，满足第一阈值小于或等于两倍第三阈值的辅助图形700的设计要求，保证辅助图形700在蚀刻图形时，通过侧蚀可以完全去除。
参照图12，在一些实施例中，步骤220中，获取辅助图形与孤立图形之间的距离，其设为第二阈值，包括步骤S221至步骤222。
步骤S221，获取蚀刻药水侧蚀电镀铜层和蚀刻铜层的间距能力，其设为第四阈值。
步骤S222，当第二阈值大于或等于第四阈值，则确定辅助图形与孤立图形的距离。
根据辅助图形700与孤立图形600的距离大于或等于蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层200和电镀铜层300的间距能力，通过第二阈值大于或等于第四阈值得到辅助图形700与孤立图形600的距离，能够避免辅助图形700在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题，还能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
需要说明的是，辅助图形700与孤立图形600之间的距离设计为0.1毫米，蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层200和电镀铜层300的间距能力设计为80微米，满足要求第二阈值大于第四阈值，也满足正片和负片流程中辅助图形700预设计要求，能够避免辅助图形700在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题。
需要进一步说明的是，上述获取蚀刻药水侧蚀电镀铜层300和蚀刻铜层200的间距能力，当进行正片工艺流程中的图形蚀刻阶段，蚀刻药水为碱性蚀刻药水，且碱性蚀刻药水蚀刻电镀铜层300和蚀刻铜层200；当进行负片工艺流程中的图形蚀刻阶段，蚀刻药水为酸性蚀刻药水，且酸性蚀刻药水只蚀刻蚀刻铜层200。
在一些实施例中，根据获取到辅助图形700与孤立图形600中蚀刻铜层200的厚度，因为在蚀刻铜层200铺设过程中，辅助图形700与孤立图形600的蚀刻铜层200都是一起铺设的，所以孤立图形600与辅助图形700蚀刻铜层200的厚度相等，将蚀刻铜层200的厚度设为第三阈值；当第三阈值越大，则使得第四阈值也越大。当孤立图形600与辅助图形700蚀刻铜层200的厚度越大，所需要蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层200和电镀铜层300的间距能力也要增大，进一步避免辅助图形700在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题，更进一步避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
需要说明的是，辅助图形700的宽度设计为70微米，蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层200和电镀铜层300的间距能力设计为80微米；当辅助图形700的宽度设计为0.1毫米，蚀刻药水侧蚀蚀刻铜层200和电镀铜层300的间距能力设计为0.11毫米，满足第三阈值越大，则使得第四阈值也越大的条件，辅助图形700与孤立图形600之间的距离设计为0.11毫米，满足满足要求第二阈值等于第四阈值，进一步避免辅助图形700在正、负片工艺中图形蚀刻不净的问题，更进一步避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题。
参照图13，在一些实施例中，步骤S300中，根据正片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，包括步骤S311至步骤S315。
步骤S311，对孤立图形和辅助图形进行图形转移。
步骤S312，对辅助图形与孤立图形进行图形电镀，使得两者电镀铜层的厚度一致。
步骤S313，图形蚀刻前去除抗电镀抗蚀刻层。
步骤S314，图形蚀刻时辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除。
步骤S315，图形蚀刻完成，孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
步骤S311具体为正片工艺中，先在基材100上铺设蚀刻铜层200，再根据孤立图形600和辅助图形700的线路图案对应铺设一层抗电镀抗蚀刻层400，抗电镀抗蚀刻层400包围形成孤立图形600和辅助图形700。
参照图15，步骤S312具体为，辅助图形700与孤立图形600进行图形电镀，抗电镀抗蚀刻层400包围形成孤立图形600和辅助图形700的区域电镀上一层电镀铜层300，进一步的在辅助图形700与孤立图形600的电镀铜层300上铺设上一层抗蚀刻层500。
参照图16，步骤S313具体为，进行图形蚀刻阶段前将抗电镀抗蚀刻层400除去，孤立图形600与辅助图形700都包含了蚀刻铜层200、电镀铜层300和抗蚀刻层500。
参照图17，步骤S314具体为，当进行图形蚀刻阶段，辅助图形700会被碱性蚀刻药水的侧蚀逐渐去除，直至辅助图形700被完全去除。
参照图18，步骤S315具体为，当图形蚀刻阶段完成，孤立图形600得以保留，最后再将抗蚀刻层500除去，完成印制电路板中正片的孤立图形600设计。
孤立图形600和辅助图形700进行正片工艺的图形转移、电镀和蚀刻，先对孤立图形600和辅助图形700同时进行图形转移，随后进行图形电镀，使得孤立图形600和辅助图形700电镀铜层300的厚度一致，图形蚀刻前去除抗电镀抗蚀刻层400，随后进行图形蚀刻，辅助图形700通过侧蚀逐渐去除，直至辅助图形700完全去除，当图形蚀刻完成，去除抗蚀刻层500，孤立图形600保留，辅助图形700起到分散电流避免铜厚过厚以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用。
参照图14，在一些实施例中，步骤S300中，根据负片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移和蚀刻，包括步骤S321至步骤S323。
步骤S321，对孤立图形和辅助图形进行图形转移。
步骤S322，图形蚀刻时辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除。
步骤S323，图形蚀刻完成，孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
步骤S321具体为负片工艺中，先在基材100上铺设蚀刻铜层200，再根据孤立图形600和辅助图形700的线路图案对应铺设一层抗电镀抗蚀刻层400，抗电镀抗蚀刻层400覆盖形成孤立图形600和辅助图形700。
步骤S322具体为，当进行图形蚀刻阶段，辅助图形700会被酸性蚀刻药水的侧蚀逐渐去除，直至辅助图形700被完全去除。
步骤S323具体为，当图形蚀刻阶段完成，孤立图形600得以保留，最后再将抗电镀抗蚀刻层400除去，完成印制电路板中负片的孤立图形600设计。
当孤立图形600和辅助图形700进行负片工艺的图形转移、蚀刻，先对孤立图形600和辅助图形700进行图形转移，随后进行图形蚀刻，辅助图形700通过侧蚀逐渐去除，直至辅助图形700完全去除，当图形蚀刻完成，去除抗蚀刻层500，孤立图形600得以保留，分散蚀刻药水，降低孤立线路侧蚀量，避免线宽偏小问题。
参照图19，在一些实施例中，本发明提供了一种电路板线路设计图形处理方法，该方法包括以下步骤：
(1)获取孤立图形的线路图案；
(2)获取辅助图形宽度的第一阈值；获取孤立图形与辅助图形中蚀刻铜层厚度的第三阈值；
(3)判断第一阈值是否小于或等于两倍第三阈值，若不满足条件，则返回步骤(2)；若满足条件，则执行步骤(4)；
(4)确定辅助图形的宽度；
(5)获取辅助图形与孤立图形之间距离的第二阈值；获取蚀刻药水侧蚀电镀铜层和蚀刻铜层间距能力的第四阈值；
(6)判断第二阈值是否大于或等于第四阈值，若不满足条件，则返回步骤(5)；若满足条件，则执行步骤(7)；
(7)确定辅助图形与孤立图形的距离；
(8)第三阈值越大，则使得第四阈值也越大；
(9)完成对辅助图形的预设计；
(10)根据正片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺上述电路板线路设计图形处理方法，对孤立图形和辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成孤立图形的设计。
上述电路板线路设计图案处理方法，印制电路板前获取孤立图形的线路图案，根据第一阈值是否小于或等于两倍第三阈值；第二阈值是否大于或等于第四阈值；第三阈值越大，则使得第四阈值也越大；这三个条件预设计出辅助图形。当采用正片工艺时，在不增加额外流程的基础上，同时起到分散电流避免铜厚超标以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，当采用负片工艺时，在不增加额外流程的基础上，起到分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用，通过设计辅助图形，不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
第二方面，参照图20，在一些实施例中，提供一种孤立图形设计装置，该装置包括：孤立图形600线路图案获取模块810、辅助图形700的预设计模块820及孤立图形600和辅助图形700正负片工艺设计模块830。
孤立图形600线路图案获取模块810，用于获取孤立图形600的线路设计图案；辅助图形700的预设计模块820，用于从线路设计图案预设计出辅助图形700；孤立图形600和辅助图形700正负片工艺设计模块830，用于根据正负片工艺流程完成电路板中孤立图形600设计。
在一些实施例中，孤立图形600线路图案设计前，先通过孤立图形600线路图案获取模块810获取电路板预设的孤立图形600线路图案，通过获取预设的孤立图形600能够为设计出辅助图形700做提前做准备，提高电路板的印制效率。
在一些实施例中，辅助图形700的预设计模块820根据孤立图形600的线路图案周围对应规划出辅助图形700的线路图案，对应规划出辅助图形700的宽度，规划出辅助图形700与孤立图形600的间距，确保设计出来的辅助图形700不仅能够避免因图形孤立引起的正、负片工艺中线宽超差问题，还能够避免正片工艺中铜厚超标问题。
在一些实施例中，孤立图形600和辅助图形700正负片工艺设计模块830，当进行正片工艺时，在不增加额外流程的基础上，同时起到分散电流避免铜厚过厚以及分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用；当进行负片工艺时，在不增加额外流程的基础上，起到分散蚀刻药水降低侧蚀量的作用；常规工艺存在孤立图形600铜厚偏厚、蚀刻侧蚀偏大问题；辅助铜二次蚀刻需要额外增加流程，并且只适用于正片工艺，同时，对蚀刻侧蚀偏大问题无改善；本发明孤立图形600的设计装置对印制电路板中正片工艺、负片工艺任意蚀刻铜层200厚度均适用，适用范围广，无需增加额外流程。
第三方面，在一些实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：获取孤立图形的线路图案。根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形。根据正片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺对孤立图形和辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成孤立图形的设计。
第四方面，在一些实施例中，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个处理器执行，例如，被上述计算机设备实施例中的一个处理器执行，可使得上述处理器执行上述实施例中的孤立图形设计方法，例如，执行以上描述的图9中的方法步骤S100至S200、图10中的方法步骤S210至S230、图11中的方法步骤S211至S212、图12中的方法步骤S221至S222、图13中的方法步骤S311至S315、图14中的方法步骤S321至S323。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本发明权利要求所限定的范围内。
Claims (10)
1.一种孤立图形设计方法，其特征在于，包括：
获取孤立图形的线路图案；
根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形；
根据正片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，根据负片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移和蚀刻，完成所述孤立图形的设计。
2.根据权利要求1所述的孤立图形设计方法，其特征在于，根据孤立图形的线路图案预设计出辅助图形，包括：
获取所述辅助图形的宽度，其设为第一阈值；
获取所述辅助图形与所述孤立图形的距离，其设为第二阈值；
根据所述第一阈值和所述第二阈值能够完成对所述辅助图形的预设计。
3.根据权利要求2所述的孤立图形设计方法，其特征在于，获取所述辅助图形的宽度，其设为第一阈值，包括：
获取所述孤立图形与所述辅助图形中蚀刻铜层的厚度，所述孤立图形与所述辅助图形所述蚀刻铜层的厚度相等，其设为第三阈值；
当所述第一阈值小于或等于两倍所述第三阈值，则确定所述辅助图形的宽度。
4.根据权利要求2所述的孤立图形设计方法，其特征在于，获取所述辅助图形与所述孤立图形之间的距离，其设为第二阈值，包括：
获取蚀刻药水侧蚀电镀铜层和蚀刻铜层的间距能力，其设为第四阈值；
当所述第二阈值大于或等于所述第四阈值，则确定所述辅助图形与所述孤立图形的距离。
5.根据权利要求4所述的孤立图形设计方法，其特征在于，获取所述孤立图形与所述辅助图形中蚀刻铜层的厚度，所述孤立图形与所述辅助图形所述蚀刻铜层的厚度相等，其设为第三阈值；当第三阈值越大，则使得所述第四阈值也越大。
6.根据权利要求1所述的孤立图形设计方法，其特征在于，根据正片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移、电镀和蚀刻，包括：
对所述孤立图形和所述辅助图形进行所述图形转移；
对所述辅助图形与所述孤立图形进行图形电镀，使得两者电镀铜层的厚度一致；
图形蚀刻前去除抗电镀抗蚀刻层；
图形蚀刻时所述辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除；
图形蚀刻完成，所述孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
7.根据权利要求1所述的孤立图形设计方法，其特征在于，根据负片工艺对所述孤立图形和所述辅助图形进行图形转移和蚀刻，包括：
对所述孤立图形和所述辅助图形进行所述图形转移；
图形蚀刻时所述辅助图形通过侧蚀逐渐去除，直至完全去除；
图形蚀刻完成，所述孤立图形能够保留，并去除抗蚀刻层。
8.一种孤立图形设计装置，其特征在于，包括：
孤立图形线路图案获取模块，用于获取孤立图形的线路设计图案；
辅助图形的预设计模块，用于从线路设计图案预设计出辅助图形；
孤立图形和辅助图形正负片工艺设计模块，用于根据正负片工艺流程完成电路板中孤立图形设计。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任一项所述的方法。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2011171497A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Nuflare Technology Inc | マスクの製造方法 |
| CN103619125A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-05 | 深圳市景旺电子股份有限公司 | 一种用于提高电镀均匀性的pcb电镀方法 |
| CN105120599A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-02 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 一种线路板的孤立线的阻抗控制方法 |
| CN109327965A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-02-12 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 孤立区域确定方法、装置、存储介质及计算机设备 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011171497A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Nuflare Technology Inc | マスクの製造方法 |
| CN103619125A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-05 | 深圳市景旺电子股份有限公司 | 一种用于提高电镀均匀性的pcb电镀方法 |
| CN105120599A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-02 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 一种线路板的孤立线的阻抗控制方法 |
| CN109327965A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-02-12 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 孤立区域确定方法、装置、存储介质及计算机设备 |
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