CN112670311A - 微发光二极体显示面板及其制作方法 - Google Patents

微发光二极体显示面板及其制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明有关于一种微发光二极体显示面板及其制作方法。此制作方法系藉由对背板与发光二极体显示层进行接合制程，以形成共晶结构于背板和发光二极体显示层的发光二极体之间。然后，形成含有树脂材料与导电材料之接合胶层于背板的表面上，并进行加热制程，以使导电材料形成复数个金属桥接结构，而可加强发光二极体与背板的键结，并提升微发光二极体显示面板之抗拉伸能力。

Description

微发光二极体显示面板及其制作方法
技术领域
本发明系有关一种显示面板，特别是提供一种微发光二极体显示面板及其制作方法。
背景技术
随着科技进步与发光二极体微小化之趋势，习知发光二极体与背板之打线接合(wore bonding)方式已无法满足微发光二极体(Micro LED)之要求。一般微发光二极体之封装技术系以巨转制程来实现，惟巨转制程对于背板平整度与金属走线一致性的要求极高，故微发光二极体仍无法具有良好之巨转品质。其中，当背板之电极不平整、偏移及/或凹陷时，微发光二极体之电极难以精确接触背板电极，而使得发光二极体与背板间不具有良好之电性连接，进而降低微发光二极体显示面板的品质。
有鉴于此，亟须提供一种微发光二极体显示面板及其制作方法，以改进习知微发光二极体显示面板于巨转制程所面临的电性连接缺陷。
发明内容
因此，本发明之一态样是在提供一种微发光二极体显示面板的制作方法，此制作方法藉由混合黏接剂来形成接合胶层，并形成金属桥接结构，而可强化发光二极体与背板间之电性连接性质，进而可解决习知因电极缺陷所导致之连接缺陷。
本发明之另一态样是在提供一种微发光二极体显示面板，此微发光二极体显示面板系利用包含多个电极接合结构与金属桥接结构之接合胶层来连接发光二极体显示面板与背板，其中包覆电极接合结构之金属桥接结构可强化发光二极体与背板的电性连接，而可解决习知之连接缺陷。另外，接合胶层之树脂材料亦可进一步提升显示面板之抗拉伸强度，而可满足可挠曲面板之应用需求。
根据本发明之一态样，提出一种微发光二极体显示面板的制作方法。此制作方法系先提供背板，并提供发光二极体，其中背板之表面形成有复数个第一接合垫，而每一个发光二极体具有至少一第二接合垫。然后，转移此些发光二极体至背板上，以使每一个第一接合垫对应接合第二接合垫。接着，涂布接合胶层于背板上，其中接合胶层包含树脂材料与复数个导电粒子。之后，加热接合胶层，以使导电粒子与每一个第一接合垫对应于第二接合垫共同形成接合结构。
依据本发明之一些实施例，前述之每一个第一接合垫与所对应之每一个第二接合垫之间形成共晶层。
依据本发明之一些实施例，前述之导电粒子具有范围为2μm至10μm之一粒径。
依据本发明之一些实施例，前述之粒径与发光二极体之线宽的一比例系大于或等于1：5。
依据本发明之一些实施例，前述导电粒子之浓度为20重量百分比至50重量百分比。
依据本发明之一些实施例，前述加热之温度系小于接合结构之接合温度。
依据本发明之一些实施例，前述接合胶层之一顶表面的高度系高于或等于每一个第二接合垫之顶表面。
依据本发明之一些实施例，前述之制作方法可选择性地设置封装层在接合胶层上，并封装发光二极体。
依据本发明之一些实施例，于加热接合胶层后，导电粒子形成金属桥接结构，并连接每一个第一接合垫及所对应之第二接合垫。
依据本发明之一些实施例，于加热前述之接合胶层后，导电粒子形成金属桥接结构并填充于共晶层之间隙中。
依据本发明之一些实施例，于加热接合胶层后，金属桥接结构填充于每一个第一接合垫与所对应之每一个第二接合垫之间隙，并包覆每一个第一接合垫与所对应之第二接合垫。
依据本发明之一些实施例，此制作方法可选择性地形成复数个虚设接点于背板上，其中每一个第一接合垫系相邻且设置于此些虚设接点之二者之间，且每一个虚设接点由磁性材料组成。
依据本发明之一些实施例，前述加热接合胶层之操作更包含提供第一加热温度，并对发光二极体施加电场，以使导电粒子往虚设接点移动，以及提供第二加热温度，以使导电粒子与每一个第一接合垫及其周围的虚设接点、每一第一接合垫与所对应之第二接合垫共同形成一接合结构。其中，第一加热温度小于第二加热温度。
根据本发明之另一态样，提出一种微发光二极体显示面板，其包含背板、复数个发光二极体与接合层。发光二极体设置于背板上，且接合层设置于背板与发光二极体之间，其中接合层包含复数个接合结构，且每一个发光二极体系透过对应之接合结构的一者与背板结合。
依据本发明之一些实施例，每一个接合结构包含一共晶层与一金属桥接结构。
依据本发明之一些实施例，前述之金属桥接结构系由复数个导电粒子所形成。
依据本发明之一些实施例，前述导电粒子之粒径与发光二极体之线宽的比例系大于或等于1：5。
依据本发明之一些实施例，前述之导电粒子具有范围为2μm至10μm的粒径。
依据本发明之一些实施例，前述之接合层更包含树脂材料，且导电粒子与树脂材料之重量比为1：1至1：4。
依据本发明之一些实施例，前述之金属桥接结构填充于共晶层之间隙中。
依据本发明之一些实施例，前述之共晶层系由背板之第一接合垫与对应之发光二极体之第二接合垫所形成，金属桥接结构填充第一接合垫与第二接合垫之间隙，并包覆第一接合垫与第二接合垫。
依据本发明之一些实施例，前述共晶层之熔点系大于金属桥接结构之熔点。
依据本发明之一些实施例，前述之发光二极体形成复数个画素区，且每一个画素区被一封装层包覆，而形成一岛状结构，且此些岛状结构之间具有一间隙。
应用本发明之微发光二极体显示面板及其制作方法，其形成具有金属桥接结构之接合胶层于发光二极体显示层与背板之间，以藉由金属桥接结构来强化发光二极体显示层与背板间之电性连接，而可解决习知巨转制程的电极缺陷。其中，接合胶层的树脂材料亦可提升微发光二极体显示面板的抗拉伸强度，以满足可挠曲面板的应用需求。
附图说明
为了对本发明之实施例及其优点有更完整之理解，现请参照以下之说明并配合相应之图式。必须强调的是，各种特征并非依比例描绘且仅系为了图解目的。相关图式内容说明如下。
图1至图4分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。
图5系显示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的共晶结构与金属桥接结构之穿透式电子显微镜照片。
图6A至图6C分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的共晶结构与金属桥接结构之侧面示意图。
图7系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制作方法之流程示意图。
图8A至图8D分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。
图9系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制作方法之流程示意图。
图10A与图10B分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。
附图标记：
100,400,600:显示面板 100a,200a,400a,600a:共晶结构
100b,200b,400b,600b:共晶层 100c,200c,400c,600c:金属桥接结构
110,210,410,610:背板 110a,410a:表面
111,211,411,611:接合垫 120,220,420,620:发光二极体
121,221,421,621:接合垫 130,430,630:接合胶层
130a,230a,430a,630a:树脂材料 131,431:导电材料
300,500:方法
301,302,303,304,305,501,502,503,504,505a,505b:操作
413:虚设接点 505:加热制程
601,603:岛状部分 640:封装层
具体实施方式
以下仔细讨论本发明实施例之制造和使用。然而，可以理解的是，实施例提供许多可应用的发明概念，其可实施于各式各样的特定内容中。所讨论之特定实施例仅供说明，并非用以限定本发明之范围。
请参照图1，其系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。本发明之微发光二极体显示面板包含背板110与复数个发光二极体120。背板110之表面110a设有复数个第一接合垫111。在一些实施例中，第一接合垫111系由导电材料所形成。在一些具体例中，导电材料可包含金属材料及/或金属合金材料。可理解的是，背板之表面110a亦可包含薄膜电晶体(Thin Film Transistor；TFT)、微积体电路(Micro IC)、其他适当之半导体结构、其他之电路结构，或上述结构之任意组合。其中，此些结构系本发明所属技术领域具有通常知识者所熟知，故在此不另赘述。在一些具体例中，背板110可为具挠曲性与/或拉伸性之基板。举例而言，背板110可包含印刷电路板(PrintedCircuit Board；PCB)、玻璃基板、硅基板、高分子(例如：聚酰亚胺(Polyimide；PI))基板、其他适当材料所制得之基板，或上述基板之任意组合。
每一个发光二极体120包含至少一个第二接合垫121。其中，发光二极体120可例如为蓝光发光二极体、绿光发光二极体与红光发光二极体等子像素(sub pixel)，且三个子像素(蓝光发光二极体、绿光发光二极体与红光发光二极体)可组成一个像素。相同地，第二接合垫121系由导电材料(例如：金属材料及/或金属合金材料)所形成。在一些实施例中，第一接合垫111之导电材料系不同于第二接合垫121之导电材料。
于制备微发光二极体显示面板时，发光二极体120系藉由巨转(Mass transfer)制程与背板110结合。其中，发光二极体120之第二接合垫121须对准背板110之第一接合垫111，且接合垫121与接合垫111系以一对一之方式接触结合，以形成电极接触。如图1所绘示，虽然各个发光二极体120系个别独立的，惟可理解的，于进行巨量转移制程时，此些发光二极体120系以极低之结合强度暂时地固定于载件(未绘示)上，故于走线精确之情形下，当发光二极体120之一者的第二接合垫121系对准相应之第一接合垫111时，其余发光二极体120之第二接合垫121亦已对准相应之第一接合垫111。
请同时参照图1与图2，其中图2系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。于形成电极接触后，物理性接触之电极结构系进一步被加热至共晶温度(eutectic temperature)，以形成由第一接合垫111与对应之第二接合垫121所组成的共晶结构100a。其中，当加热至共晶温度时，第一接合垫111与第二接合垫121中之导电材料可藉由共晶键结之方式于接合垫111与121之间形成共晶层100b。因此，发光二极体120可依序藉由共晶结构100a中之第二接合垫121、共晶层100b与第一接合垫111来电性连接背板110。在一些实施例中，于进行前述之电极对准的流程时，第一接合垫111与第二接合垫121可预先被加热至低于共晶温度，而于形成电极接触后，缩短加热至共晶温度的时间。根据第一接合垫111与第二接合垫121所选用之导电材料，所形成之共晶结构100a的共晶层100b可具有相应之共晶组成。在一些实施例中，本发明之共晶结构100a的材料组成没有特别之限制，其仅须为可使发光二极体120与背板110形成共晶层100b之键结即可。举例而言，共晶结构100a之共晶层100b可为AuSn、TiAu、PnSn、SnCu、AnSnIn、AuGe、AuSi、SnIn、SnAg、SnBi、其他适当之共晶组成，或上述共晶组成之任意组合。
于形成共晶结构100a后，形成接合胶层130于背板110之表面110a上。其中，接合胶层130系由混合黏接剂所形成。混合黏接剂可包含树脂材料130a与导电材料131。在一些实施例中，接合胶层130之形成可利用点胶机、其他适当之设备或技术手段，或上述手段之任意组合来达成。举例而言，于形成接合胶层130时，混合黏接剂可由两个像素之间滴加至背板110之表面110a上。须说明的是，其仅为例示说明，本发明形成接合胶层130之方法并不以此为限。在一些具体例中，为了提升混合黏接剂之涂布性与成膜性，混合黏接剂之黏度可为1Pa/s至5Pa/s。在一些具体例中，树脂材料130a可例如为环氧树脂、其他适当之树脂材料，或上述材料之任意混合。于混合黏接剂中，导电材料131系均匀地分布于树脂材料130a中。在一些实施例中，基于混合黏接剂为100重量百分比，导电材料131之浓度可为20重量百分比至50重量百分比。在一些实施例中，导电材料131可为导电微粒、具有其他形貌之导电材料，或上述材料之任意混合。在一些具体例中，导电微粒之粒径可为2μm至10μm。举例而言，导电材料131可包含但不限于金、银、铜、铝、钼、钛、锡铋合金、其他适当之金属材料或合金材料，或上述材料之任意混合。
在一些实施例中，混合黏接剂可选择性地包含分散剂。分散剂可进一步提升导电材料131于混合黏接剂中之分布均匀性。为提升导电材料131于有机树脂材料130a中之分散性，分散剂可例如为界面活性剂，及/或其他可提升导电材料131之分散性的添加剂。在一些具体例中，分散剂可包含但不限于溴化十六烷基三甲铵(cetyltrimethylammoniumbromide；CTAB)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone；PVP)、十二烷基硫醇、其他适当之界面活性剂，或上述界面活性剂之任意混合。
在一些实施例中，为提升导电材料131之导电性质，混合黏接剂可选择性地包含其他添加剂(如助焊剂(flux))。当混合黏接剂含有助焊剂时，助焊剂可提升第一接合垫111与第二接合垫121之结合性质。
请同时参照图3与图4，其中图3与图4分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。于形成接合胶层130后，其系进一步被加热至不小于导电材料131的熔融温度。当导电材料131熔融后，熔融态的导电材料131将会因表面能之吸引，而汇聚在一起，并朝向以共晶形式键结之共晶结构100a移动，进而于冷却后形成金属桥接结构100c，以形成含有共晶结构100a与金属桥接结构100c之接合结构，故可制得本发明之微发光二极体显示面板100。由于导电材料131于混合黏接剂系均匀混合，故每一个共晶结构100a均可被至少一个金属桥接结构100c包覆。惟，可理解的是，每个接合结构与相邻之接合结构彼此不直接导通。
在一些实施例中，当导电材料131熔融时，因表面能差异而移动之导电材料131可渗入共晶结构100a之共晶层100b的间隙中，而进一步提升共晶结构100a之导电性质。在其他实施例中，熔融之导电材料131亦可渗入第一接合垫111及/或第二接合垫121之材料间隙中，并利用所形成之金属桥接结构100c来包覆共晶结构100a，故可进一步提升其导电性。
在一些实施例中，导电材料131之粒径与发光二极体120之线宽的比例可大于或等于1：5(例如：1：6、1：7、1：8或1：9等)。其中，本发明所述之「线宽」系指相邻之发光二极体120的第一接合垫121之最短距离。当导电材料131之粒径与发光二极体120之线宽的比例为前述之范围时，所形成的金属桥接结构100c不易彼此导通。另外，当导电材料131之粒径为2μm至5μm时，导电材料131于混合黏接剂之浓度较佳为20重量百分比至50重量百分比，而可有效地避免表面能剧升所导致之导电材料131的团聚现象，进而更可避免所形成之金属桥接结构100c彼此导通。
当混合黏接剂包含分散剂、混合黏接剂中导电材料131的浓度为20重量百分比至50重量百分比，及/或导电材料131之粒径为2μm至5μm时，导电材料131所形成之金属桥接结构100c不易形成短路，而可确保共晶结构100a彼此系电性绝缘的。
为进一步使熔融之导电材料131可有效地聚集形成金属桥接结构100c，接合胶层130之顶表面系不低于共晶结构100a。换言之，接合胶层130可完整包覆共晶结构100a。更佳地，接合胶层130之顶表面系等高于发光二极体120和共晶结构100a之接合面。据此，金属桥接结构100c可被树脂材料130a完整地包覆，而不会曝露于外。
当导电材料131被加热至熔融温度时，部分之树脂材料130a亦可进行交联反应。惟，可理解的，由于树脂材料130a之固化温度系高于导电材料131之聚集温度，故树脂材料130a之交联反应并不影响熔融导电材料131之移动聚集。
请同时参照图4与图5，其中图5系显示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的共晶结构与金属桥接结构之穿透式电子显微镜照片。图5明确显示第一接合垫111和第二接合垫121所形成之共晶结构100a，以及两者间之共晶层100b。其次，金属桥接结构100c包覆共晶结构100a，而可电性导通第一接合垫111和第二接合垫121。经交联反应之树脂材料包覆金属桥接结构100c，以保护金属桥接结构100c。如此一来，本发明之微发光二极体显示面板100中之每个发光二极体120均可透过接合结构有效地电性连接背板100，而降低微发光二极体于巨转过程时之连接缺陷。如图6A至图6C所示，因电极不平整(图6A)、电极凹陷(图6B)与电极偏移(图6C)所导致之连接缺陷均可利用金属桥接结构200c来加强第一接合垫211与第二接合垫221间之电性连接。另外，接合胶层中之树脂材料230a亦可有效地提升面板之抗拉伸强度，而适用于制作可挠曲面板，以降低面板弯折时之断裂风险。须说明的是，于图6C中，虽然左侧之电极偏移仍可形成共晶层200b，但两接合垫并未确实对准接合，故此共晶层200b仍属于巨转过程之连接缺陷。
依据前述之说明，如图4所示，本发明之微发光二极体显示面板100系藉由表面能来牵引导电材料，而可使熔融态之导电材料朝向共晶结构100a移动，并聚集形成包覆共晶结构100a的金属桥接结构100c，进而可达成强化发光二极体与背板间之电性连接，以解决习知之连接缺陷。另外，由于熔融态之导电材料系利用表面能来限制其迁移，故本发明之微发光二极体显示面板100不须额外设置用来挡止熔融导电材料的阻挡结构。换言之，相邻之发光二极体120于接合胶层130中不须设置阻挡结构及/或其他会影响导电材料朝向共晶结构100a移动的结构。据此，本发明之微发光二极体显示面板可具有较窄之线宽，而具有更佳之解析度与显示品质。
请同时参照图7、图1与图2，其中图7系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制作方法之流程示意图。微发光二极体显示面板100可藉由方法300所制得。方法300系先提供背板110与发光二极体120，如操作301所示。背板110包含多个第一接合垫111，且每个发光二极体120具有至少一个第二接合垫121。
然后，藉由一对一之方式，对第一接合垫111与第二接合垫121进行对准制程，以形成电极接触，并进一步加热至电极接触的共晶温度，而进行共晶制程，形成具有共晶层100b的共晶结构100a，如操作302与操作303所示。于进行操作303后，第一接合垫111与第二接合垫121间可能存在因电极不平整、电极偏移与/或电极凹陷所造成之连接缺陷，而降低发光二极体120与背板110间之连接性。
为有效地解决前述之连接缺陷，形成接合胶层130于背板110之表面110a上，如操作304所示。其中，接合胶层130系由混合黏接剂所形成，而混合黏接剂包含树脂材料130a与导电材料131。其中，导电材料131较佳可为金属材料及/或金属合金材料，且导电材料131之熔融温度系低于形成共晶层100b之共晶温度。为了提升接合胶层130对于共晶结构100a之保护效果，接合胶层130之顶表面系不低于发光二极体120与第二接合垫121之接合位置，且接合胶层130之顶表面较佳系等高于此接合位置。
请同时参照图7、图3与图4。于形成接合胶层130后，对接合胶层130进行加热制程，以形成金属桥接结构100c，如操作305所示。加热制程系加热至不小于导电材料131之熔融温度，而随着温度之上升，导电材料131可被熔融为液态，且藉由表面能之吸引作用力，朝共晶结构100a移动聚集，进而于冷却后形成金属桥接结构100c。在一些实施例中，为避免所施加之热能影响或破坏以共晶键结之形式结合的共晶层100b，加热制程之温度系小于前述共晶制程的温度(即接合形成共晶层之温度)。随着温度逐渐降低，聚集之导电材料131可冷却形成金属桥接结构100c，且由于表面能之吸引，金属桥接结构100c可包覆共晶结构100a，以形成接合结构，而强化发光二极体120与背板110间之连接性，进而解决前述发光二极体120之连接缺陷。其次，于进行加热制程时，接合胶层130中之部分树脂材料130a亦进行交联反应，而可提升微发光二极体显示面板100的抗拉伸强度，并保护金属桥接结构100c。于前述之说明中，除金属桥接结构100c所提供之电性传导外，熔融之导电材料131可渗入共晶层100b之间隙中，以及/或者熔融之导电材料131亦可渗入共晶结构100a之第一接合垫111与/或第二接合垫121的间隙中，而可于冷却后进一步提升发光二极体120与背板110间的电性连接。
于利用方法300所制得之微发光二极体显示面板100中，发光二极体120与背板110间具有良好之电性连接性质，而可弥补无法完整共晶接合的缺陷，进而解决巨转过程之连接缺陷。另外，树脂材料130a除有效地保护金属桥接结构100c，并可提升微发光二极体显示面板100的抗拉伸强度，而使所制得之微发光二极体显示面板100可应用于可挠曲显示器中。
请参照图8A至图8D，其分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。微发光二极体显示面板400包含背板410与多个发光二极体420。背板410包含多个第一接合垫411与虚设接点413，其中每一个第一接合垫411系设置于两个虚设接点413之间。虚设接点413从背板410突伸之高度没有特别之限制。在一些实施例中，虚设接点413之突伸高度可大于第一接合垫411之高度，而有助于巨转制程时之电极对位。虚设接点413可包含硬磁材料，及/或其他适当之磁性材料。在一些具体例中，所使用之硬磁材料可包含但不限于铁、镍、铝、钴、其他适当之磁性材料，或上述材料之任意混合。每个发光二极体420可具有至少一个第二接合垫421。在一些实施例中，虚设接点413之高度等于第一接合垫411与第二接合垫421之高度总和。换言之，于接续之对准制程中，第二接合垫421可容纳于虚设接点413与第一接合垫411所形成之凹陷位置，而与第一接合垫411形成电极接触。惟须说明的是，本发明并不以此为限，在其他实施例中，虚设接点413之高度可小于第一接合垫411与第二接合垫421之高度总和。在一些实施例中，第一接合垫411与第二接合垫421分别系利用不同之金属材料所制成。
然后，电极接触系进一步被加热至第一接合垫411与第二接合垫421之共晶温度，以藉由共晶键结之方式结合形成共晶结构400a之共晶层400b。在一些实施例中，本发明共晶结构400a之共晶层400b的材料组成没有特别之限制，其仅须为可使发光二极体420与背板410形成共晶键结即可。在一些具体例中，共晶结构400a之共晶层400b可例如为但不限于AuSn、TiAu、PnSn、SnCu、AnSnIn、AuGe、AuSi、SnIn、SnAg、SnBi、其他适当之共晶组成，或上述共晶组成之任意组合。
于形成共晶结构400a后，形成接合胶层430于背板410之表面410a上。接合胶层430系由混合黏接剂所形成，且混合黏接剂含有树脂材料430a与导电材料431。在一些具体例中，树脂材料430a可例如为环氧树脂，及/或其他适当之树脂材料。导电材料431系均匀地分布于树脂材料430a中。在一些实施例中，导电材料431可为金属材料及/或金属合金材料，且其具体例可包含但不限于金、银、铜、铝、钼、钛、锡铋合金，及/或其他适当之金属材料或合金材料。在一些实施例中，为较有效地避免导电材料431因表面能牵引所导致之聚集，基于混合黏接剂为100重量百分比，导电材料431之浓度可为20重量百分比至50重量百分比。在一些实施例中，导电材料431可为导电微粒，及/或具有其他形貌之导电材料。其中，导电微粒之粒径可为2μm至10μm。
在一些实施例中，混合黏接剂可选择性地包含分散剂及/或其他添加剂。其中，分散剂可进一步提升导电材料431于混合黏接剂中之分散性，进而较有效地避免导电材料431之聚集现象。在一些具体例中，分散剂可包含但不限于溴化十六烷基三甲铵、聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基硫醇、其他适当之界面活性剂，或上述界面活性剂之任意混合。前述之添加剂可例如为助焊剂，而有助于提升第一接合垫411与第二接合垫421的结合。
接着，加热接合胶层430中之导电材料431，并同时施加正负电压于每一个发光二极体420上。随着温度之提升，导电材料431可被熔融，并藉由表面能之牵引，往表面能较低之方向移动(即朝共晶结构400a之方向移动)。藉由正负电压之施加，虚设接点413中之硬磁材料可藉由电性牵引之电泳力，以正负极相吸之方式，使硬磁材料朝向带有相异电荷之共晶结构400a移动。
接着，进一步提升接合胶层430之温度，使树脂材料430a进行交联反应，进而交联固化。如此一来，于冷却后，熔融之导电材料431可形成包覆共晶结构400a的金属桥接结构400c，虚设接点413中之硬磁材料可聚集于共晶结构400a，且交联固化之树脂材料430a可有效地保护共晶结构400a与金属桥接结构400c。因此，发光二极体420与背板410间之连接性质可有效地被提升，且藉由金属桥接结构400c与硬磁材料之聚集对于电性连接性质的进一步强化，习知之连接缺陷(如：电极不平整、电极偏移与/或电极凹陷)亦可有效地被解决。
请参照图9与图8A至图8D，其中图9系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制作方法之流程示意图。微发光二极体显示面板400系藉由方法500所制得。方法500系先提供背板410与多个发光二极体420，如操作501所示。背板410之表面410a设有多个第一接合垫411与虚设接点413，其中虚设接点413之高度可大于第一接合垫411的高度，故虚设接点413与第一接合垫411可形成一凹陷。在其他实施例中，虚设接点413之高度亦可不大于第一接合垫411的高度。每个发光二极体420具有至少一个第二接合垫421。第一接合垫411与第二接合垫421系由不同之材料所形成。虚设接点413包含硬磁材料、其他适当之磁性材料，或上述材料之任意混合。在一些具体例中，虚设接点413可包含铁、镍、铝、钴，及/或其他适当之磁性材料。
然后，以一对一之方式，对第一接合垫411与第二接合垫421进行对准制程，并进一步进行接合制程，以形成共晶结构400a，如操作502与操作503所示。由于第一接合垫411与两个虚设接点413形成凹陷，故于进行对准制程时，第二接合垫421可更有效地容置于此凹陷中，而有助于电极接触的形成。其中，为了使第一接合垫411良好地接触第二接合垫421，虚设接点413之高度系不大于电极接触(即第一接合垫411与第二接合垫421之结合)的高度，以避免虚设接点413影响发光二极体420与背板410的对准接触。较佳地，虚设接点413之高度系等于电极接触的高度。电极接触系进一步被加热至共晶温度，以使第一接合垫411之材料与第二接合垫421之材料形成共晶组成，而形成具有共晶层400b之共晶结构400a。在一些具体例中，基于接合垫411与421的材料不同，共晶结构400a可包含但不限于AuSn、TiAu、PnSn、SnCu、AnSnIn、AuGe、AuSi、SnIn、SnAg、SnBi，及/或其他适当之共晶层组成。
于进行操作503后，形成接合胶层430于背板410之表面410a上，如操作504所示。接合胶层430系由混合黏接剂所形成，且混合黏接剂可包含树脂材料430a与导电材料431。树脂材料430a可例如为环氧树脂，及/或其他适当之树脂材料。导电材料431可包含金属材料及/或金属合金材料。导电材料431可例如为金、银、铜、铝、钼、钛、锡铋合金、其他适当之金属材料或合金材料，或上述材料之任意混合。导电材料431可为导电微粒及/或其他形貌之导电材料。在一些实施例中，导电材料431可为粒径为2μm至10μm的导电微粒。于混合黏接剂中，导电材料431系均匀地分散于树脂材料430a中。在一些实施例中，基于混合黏接剂之使用量为100重量百分比，导电材料431之浓度为20重量百分比至50重量百分比。当导电材料431之浓度为此范围时，导电材料431于混合黏接剂中可具有良好之分散性。
在一些实施例中，混合黏接剂可选择性地包含分散剂及/或其他添加剂。分散剂可进一步提升导电材料431于混合黏接剂中之分散性。分散剂可例如为溴化十六烷基三甲铵、聚乙烯吡咯烷酮、十二烷基硫醇、其他适当之分散剂，或上述分散剂之任意混合。其他添加剂可例如为助焊剂。
加热制程505系先进行第一加热步骤，并对发光二极体420施加正负电压，如操作505a所示。当进行第一加热步骤时，导电材料431系被加热至熔融温度，而形成为熔融态，且由于表面能之牵引，熔融态之导电材料431可朝向共晶结构400a移动。当施加电场于发光二极体420时，电场所产生之电荷吸引力可使虚设接点413中之磁性材料迁移。在一些具体例中，第一加热步骤系加热至130℃，以使导电材材料431与虚设接点413中之磁性材料移动。
接着，进行第二加热步骤，以使混合黏接剂中之树脂材料430a交联固化，如操作505b所示。于进行第二加热步骤时，树脂材料430a系加热至交联温度，以使其进行交联反应。需注意的是，第一加热步骤与第二加热步骤之温度均须小于前述第一接合垫411与第二接合垫421形成共晶层400b之共晶温度，以避免高温导致共晶结构400a之共晶层400b损坏(如：劈裂)。
当冷却后，熔融态之导电材料431可形成包覆共晶结构400a之金属桥接结构400c，且于移除电场后，虚设接点413中之磁性材料亦可固着不动。据此，藉由金属桥接结构400c与磁性材料，发光二极体420与背板410间之电性连接性质可有效地被强化，且可有效地避免习知之连接缺陷(如：电极不平整、电极偏移与/或电极凹陷)。另外，交联固化的树脂材料430a亦可提升接合胶层430之结构稳定性，而可使所制得之微发光二极体显示面板400具有良好之抗拉伸强度，故可用以制作可挠曲面板。
请参照图10A与图10B，其中图10A与图10B分别系绘示依照本发明之一些实施例之微发光二极体显示面板的制备流程之侧面示意图。微发光二极体显示面板600含有第一岛状部分601与第二岛状部分603。其中，以俯视之角度观之，第一岛状部分601可例如为具有3x3个子像素之封装区域，而第二岛状部分603可例如为具有3x3个子像素之封装区域。须说明的是，前述之说明仅为例示说明，本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一岛状部分601与第二岛状部分603可具有不同数量之子像素。在其他实施例中，第一岛状部分601之子像素数量可不相同于第二岛状部分603之子像素数量。
如图10A所示，于各个岛状部分601与603中，接合胶层630之形成系藉由包含树脂材料630a与导电材料之混合黏接剂来形成，故经如前所述之加热制程后，接合胶层630可含有多个共晶结构600a与金属桥接结构600c。其中，藉由金属桥接结构600c之辅助连接，发光二极体620与背板610间之电性连接性质可进一步地被强化，而可避免习知之连接缺陷(如：电极不平整、电极偏移与/或电极凹陷)。其次，交联固化后之树脂材料630a亦可进一步提升岛状部分601与603的抗拉伸强度，而满足可挠曲面板的应用需求。于形成金属桥接结构600c后，如图10B所示，于各个岛状部分601与603中，分别地形成覆盖发光二极体620与接合胶层630之封装层640，即可制得微发光二极体显示面板600。其中，可清楚理解的，于各个岛状部分601与603中，接合胶层630与封装层640均系独立的层状结构，而非连续之层状结构。
依据前述之说明，本发明之微发光二极体显示面板利用混合黏接剂来形成接合胶层，并形成包覆共晶结构之金属桥接结构。其中，金属桥接结构可进一步强化发光二极体与背板的电性连接，而可避免习知因电极不平整、电极偏移与/或电极凹陷所造成之电性连接缺陷。再者，混合黏接剂中之树脂材料可提升微发光二极体显示面板之抗拉伸强度，而可用以制作可挠曲面板。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，在本发明所属技术领域中任何具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。

Claims (23)

1.一种微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含：
提供背板，并于所述背板上形成复数个第一接合垫；
提供复数个发光二极体，其中每一个所述发光二极体具有至少一个第二接合垫；
转移所述发光二极体至所述背板上，以使每一个所述第一接合垫对应接合每一个所述第二接合垫；
涂布接合胶层于所述背板，其中所述接合胶层包含树脂材料与复数个导电粒子；
加热所述接合胶层，以使所述导电粒子与每一个所述第一接合垫对应于每一个所述第二接合垫共同形成接合结构。
2.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，每一个所述第一接合垫与所对应之每一个所述第二接合垫之间形成共晶层。
3.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述导电粒子具有范围为2μm至10μm之粒径。
4.如权利要求3所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述粒径与所述发光二极体之线宽的比例系大于或等于1：5。
5.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述导电粒子之浓度为20重量百分比至50重量百分比。
6.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述加热之温度系小于所述接合结构之接合温度。
7.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述接合胶层之顶表面的高度系高于或等于每一个所述第二接合垫之顶表面。
8.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法更包含：
设置封装层在接合胶层上，并封装所述发光二极体。
9.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，于加热所述接合胶层后，所述导电粒子形成金属桥接结构，并连接每一个所述第一接合垫及所对应之每一个所述第二接合垫。
10.如权利要求2所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，于加热所述接合胶层后，所述导电粒子形成金属桥接结构并填充于所述共晶层之间隙中。
11.如权利要求10所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，于加热所述接合胶层后，所述金属桥接结构填充于每一个所述第一接合垫与所对应之每一个所述第二接合垫之间隙，并包覆每一个所述第一接合垫与所对应之每一个所述第二接合垫。
12.如权利要求1所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法更包含：
形成复数个虚设接点于所述背板上，其中每一个所述第一接合垫系相邻且设置于所述虚设接点之二者之间，且每一个所述虚设接点由磁性材料组成。
13.如权利要求12所述之微发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述加热所述接合胶层之操作更包含：
提供第一加热温度，并对所述发光二极体施加电场，以使所述导电粒子往所述虚设接点移动；以及
提供第二加热温度，以使所述导电粒子与每一个所述第一接合垫及其周围的虚设接点、每一个所述第一接合垫与所对应之每一个所述第二接合垫共同形成接合结构；其中
所述第一加热温度小于所述第二加热温度。
14.一种微发光二极体显示面板，其特征在于，所述微发光二极体显示面板包含：
背板；
复数个发光二极体，设置于所述背板上；以及
接合层，设置于所述背板与所述发光二极体之间，其中所述接合层包含复数个接合结构，且每一个所述发光二极体系透过对应之所述接合结构之一者与所述背板结合。
15.如权利要求14所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，每一个所述接合结构包含共晶层与金属桥接结构。
16.如权利要求15所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述金属桥接结构系由复数个导电粒子所形成。
17.如权利要求16所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述导电粒子之粒径与所述发光二极体之线宽的比例系大于或等于1：5。
18.如权利要求16所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述导电粒子具有范围为2μm至10μm之粒径。
19.如权利要求16所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述接合层更包含树脂材料，且所述导电粒子与所述树脂材料之重量比为1：1至1：4。
20.如权利要求15所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述金属桥接结构填充于所述共晶层之间隙中。
21.如权利要求15所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述共晶层系由所述背板之第一接合垫与对应之所述发光二极体之一者的第二接合垫所形成，所述金属桥接结构填充所述第一接合垫与所述第二接合垫之间隙，并包覆所述第一接合垫与所述第二接合垫。
22.如权利要求15所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述共晶层之熔点系大于所述金属桥接结构之熔点。
23.如权利要求14所述之微发光二极体显示面板，其特征在于，所述发光二极体形成复数个画素区，且每一个所述画素区被封装层包覆，而形成岛状结构，且所述岛状结构之间具有间隙。
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